JP2009264834A - 絶縁検査装置および絶縁検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】同種の基板に対する絶縁検査に要する時間を短縮する。
【解決手段】Ｎ本の導体パターン２１が形成されたＭ個の同種の基板２２〜２５における（Ｍ×Ｎ）本の導体パターン２１に接触可能なテストヘッド３と、２本の導体パターン２１間に流れる電流Ｉ１を測定する測定部４と、（Ｍ×Ｎ）本の導体パターン２１のうちの任意の２本の導体パターン２１を選択して測定部４に接続するスキャナ部５と、スキャナ部５に選択させた２本の導体パターン２１間の電流Ｉ１を測定部４に測定させ、電流Ｉ１に基づいて２本の導体パターン２１間の絶縁状態を検査する処理部７とを備え、処理部７は、Ｍ個の基板２２〜２５における（Ｍ×Ｎ）本の導体パターン２１全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して導体パターン２１間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に形成された導体パターン間の絶縁状態を検査する絶縁検査装置および絶縁検査方法に関するものである。

この種の絶縁検査装置および絶縁検査方法として、本願出願人は下記の特許文献１に開示した絶縁検査装置および絶縁検査方法を提案している。この絶縁検査装置および絶縁検査方法では、検査すべきＮ本の導体パターンが形成された基板を検査する際に、ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数を検査回数として規定して検査を行う検査方法を採用することで、基板についての検査時間の短縮を図っている。この検査方法は、いわゆるマルチプル方法として、下記の非特許文献１に開示されている。
特開２００８−５８２５４号公報（第８頁） 編集委員長 原靖彦、「高密度実装における検査技術・装置ハンドブック」、社団法人国際都市コミュニケーションセンター編集事務局、２００１年９月１日、ｐ．８７−８８

ところが、このマルチプル方法を採用した絶縁検査装置および絶縁検査方法には、以下のような解決すべき課題が存在している。すなわち、上記のような基板がＭ（２以上の整数）個面付けされた１枚の多面取り基板について上記のような絶縁検査を実施する場合、上記の絶縁検査方法および絶縁検査装置では、基板毎に上記のマルチプル方法を適用して検査回数を規定して検査を実行することになる。この面付けされた各基板に対して個別にマルチプル方法を採用して検査する検査方法には、絶縁状態が不良の基板を確実に特定できるというメリットがある反面、面付けされた基板の数に比例して検査時間が増加するという課題が存在している。特に近年では、基板製作の質が向上しているため、絶縁状態が不良となる基板の特定を行う必要性が低下していることから、面付けされた基板の絶縁状態がすべて良好であるとの検査結果を短時間に取得できる絶縁検査装置および絶縁検査方法が望まれている。

本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、導体パターンが形成された同種の基板に対する絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査装置は、絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板における（Ｍ×Ｎ）本の当該導体パターンに接触可能なテストヘッドと、２本の前記導体パターン間の電気的パラメータを測定する測定部と、前記（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンのうちの任意の２本の導体パターンを選択して前記測定部に接続するスキャナ部と、前記スキャナ部を制御して２本の前記導体パターンを選択させると共に、前記測定部を制御して当該選択された２本の導体パターンについての前記電気的パラメータを測定させ、当該測定された電気的パラメータに基づいて当該２本の導体パターン間の絶縁状態を検査する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、前記処理部は、前記Ｍ個の基板における（Ｍ×Ｎ）本の前記導体パターン全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する。

また、請求項２記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記処理部は、前記全体検査処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンが存在することを検出したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して前記基板毎の前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、当該絶縁状態が不良の導体パターンを含む前記基板を特定する。

また、請求項３記載の絶縁検査装置は、請求項２記載の絶縁検査装置において、マーク付与部を備え、前記処理部は、前記個別検査処理において特定した前記基板に対して前記マーク付与部を制御して識別可能なマークを付与させる。

また、請求項４記載の絶縁検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の絶縁検査装置において、表示部を備え、前記処理部は、前記絶縁状態の検査の結果を前記表示部に表示させる。

また、請求項５記載の絶縁検査方法は、絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板に形成されている（Ｍ×Ｎ）本の前記導体パターン全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する。

また、請求項６記載の絶縁検査方法は、請求項５記載の絶縁検査方法において、前記全体検査処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンが存在したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して前記基板毎の前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、当該絶縁状態が不良の導体パターンを含む前記基板を特定する。

請求項１記載の絶縁検査装置および請求項５載の絶縁検査方法では、Ｎ本の導体パターンが形成されたＭ個の同種の基板に形成されている（Ｍ×Ｎ）本の導体パターン全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を先ず実行する。この場合、全体検査処理で検査される導体パターン対の数は、Ｍ個の基板のそれぞれに対して、ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数を検査回数Ｌ２に規定して各導体パターン間の絶縁状態を検査する場合の導体パターン対の合計数と比較して常に少なくなる。

したがって、この絶縁検査装置およびこの絶縁検査方法によれば、基板の製作の質が向上しているために絶縁状態が不良と判断される基板が少なくなってきているという状況下において、Ｍ個の同種の基板の絶縁状態がすべて良好であるとの検査結果を極めて短時間に取得することができる。

また、請求項２記載の絶縁検査装置および請求項６記載の絶縁検査方法では、全体検査処理において絶縁状態が不良の導体パターン対が存在したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して、Ｍ個の基板毎の各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターン対を含む基板を特定する。したがって、この絶縁検査装置およびこの絶縁検査方法によれば、Ｍ個の基板に絶縁状態が不良の導体パターン対が存在しているときにも、不良の導体パターン対を含む基板を特定することができる。また、絶縁状態が不良と判断される基板が少なくなってきているという状況下では、個別検査処理を実行する頻度が低いため、不良の導体パターン対を含む基板をＭ個の基板の中から特定するための個別検査処理を実施可能としつつ、Ｍ個の基板に対する絶縁検査を複数実施するときの平均時間を短縮することができる。

また、請求項３記載の絶縁検査装置によれば、絶縁状態が不良の導体パターン対が存在していると特定された基板にマークを施すことができるため、絶縁状態が不良の導体パターン対が存在している基板を確実に特定することができ、これにより、不良の発生している基板に対する補修作業を効率よく実施することができる。

また、請求項４記載の絶縁検査装置によれば、表示部が絶縁検査処理の結果を表示するため、基板の絶縁状態の良否を作業者に確実に認識させることができる。

以下、本発明に係る絶縁検査装置および絶縁検査方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、絶縁検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。

図１に示す絶縁検査装置１は、本発明に係る絶縁検査方法に従って検査対象である基板２０に形成された導体パターン２１についての絶縁状態を検査する検査装置であって、搬送機構２、テストヘッド３、測定部４、スキャナ部５、マーク付与部６、処理部７、記憶部８および表示部９を備えている。本例の基板２０は、図１に示すように、Ｍ（Ｍは２以上の整数。本例では一例として４）個の同種の基板（同一の配置となるように各導体パターン２１が形成された基板。以下、「子基板」ともいう）２２，２３，２４，２５が面付けされた多面取り基板に形成されている。また、本例では各子基板２２〜２５には、絶縁検査が行われるＮ（４以上の整数）本の導体パターン２１が形成されているものとする。

搬送機構２は、例えばコンベアで構成されて、図１に示すように、搬送方向（矢印方向）に沿って並設されたテストステージＳＴ１およびマーキングステージＳＴ２に基板２０を１つずつ間欠的に搬送する。テストヘッド３は、不図示の駆動機構によってテストステージＳＴ１に搬送された基板２０に対して接離動可能に構成されている。また、テストヘッド３は、基板２０に面付けされた各子基板２２〜２５に形成された導体パターン２１と電気的に同時に接触するプローブ３ａが基板２０との対向面に複数形成されている。また、すべてのプローブ３ａは、不図示の配線によってスキャナ部５に一対一で接続されている。

測定部４は、電圧生成器および電流測定器（いずれも図示せず）を備えている。この場合、測定部４は、一対の配線４ａ，４ａを介してスキャナ部５に接続されて、各配線４ａ，４ａ間に電圧生成器によって生成される試験用電圧Ｖ１（既知の一定電圧値）を出力可能に構成されている。また、測定部４は、試験用電圧Ｖ１の印加に起因して配線４ａ，４ａ間に流れる電流Ｉ１を電流測定器で測定可能に構成されている。また、測定部４は、電流測定器が測定した電流Ｉ１の電流値を示すデータＤ１を処理部７に出力する。本例では、測定部４は、処理部７から出力される制御信号Ｓ１に基づいて動作して、試験用電圧Ｖ１の生成、電流Ｉ１の測定、およびデータＤ１の出力を実行する。

スキャナ部５は、複数の切換スイッチおよびスイッチ制御回路（いずれも図示せず）で構成されている。また、スキャナ部５の各切換スイッチは、測定部４の各配線４ａ，４ａに接続されると共に、テストヘッド３の対応するプローブ３ａと一対一で接続されている。また、スキャナ部５は、処理部７から出力される制御信号Ｓ２に基づいてスイッチ制御回路が各切換スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、各子基板２２，２３，２４，２５に形成されている複数本（Ｎ×Ｍ本）の導体パターン２１のうちの任意の２本（以下、「導体パターン２１対」ともいう）を測定部４の配線４ａ，４ａに接続させる機能を備えている。

マーク付与部６は、一例として、図１に示すように、インク供給部６ａおよびＭ（本例では４）個の射出ノズル６ｂを備え、インク供給部６ａから供給されるマーキング用のインクを任意の射出ノズル６ｂから所定量射出可能に構成されている。また、各射出ノズル６ｂは、マーキングステージＳＴ２に搬送されてきた基板２０に面付けされている各子基板２２〜２５に対してインクを塗布し得るように、各子基板２２〜２５に対応させてマーキングステージＳＴ２に配設されている。このように構成されたマーク付与部６は、処理部７から出力される制御信号Ｓ３に基づいて、インク供給部６ａが処理部７から指示された位置にある射出ノズル６ｂに対してインクを供給して射出させることにより、指示された位置にある射出ノズル６ｂに対応する子基板（子基板２２，２３，２４，２５のうちのいずれか）にマーキング（マークを付与）する。

処理部７は、例えばＣＰＵで構成されて、基板２０に対する絶縁検査処理、およびマーク付与処理を実行する。具体的には、処理部７は、この絶縁検査処理において、基板２０全体を１つの検査対象として絶縁検査を行う全体検査処理と、基板２０に面付けされた各子基板２２，２３，２４，２５をそれぞれ１つの検査対象として絶縁検査を行う個別検査処理とを実行する。また、処理部７は、測定部４、スキャナ部５およびマーク付与部６に対する制御を実行する。

記憶部８は、処理部７の動作プログラムを記憶する。また、記憶部８には、マルチプル方法を基板２０全体に適用して予め算出した全体検査処理において相互間の絶縁状態が検査される導体パターン２１対の組（個数Ｌ１の組）、およびマルチプル方法を子基板２２に適用して予め算出した個別検査処理において相互間の絶縁状態が検査される導体パターン２１対の組（個数Ｌ２の組。他の子基板２３〜２５も同じ導体パターン２１対の組となる）が予め記憶されている。また、記憶部８には、絶縁検査処理において使用される基準抵抗値Ｒｒｅｆが記憶されている。表示部９は、一例としてＬＣＤで構成されて、処理部７が実施した検査の結果を表示する。

次に、本発明における絶縁検査方法について、絶縁検査装置１の動作と共に、図２を参照して説明する。なお、一例として、基板２０には、上記したようにＭ（＝４）個の子基板２２，２３，２４，２５が面付けされ、各子基板２２，２３，２４，２５には、独立したＮ（＝１００）本の導体パターン２１が形成されているものとする。これにより、記憶部８には、全体検査処理において相互間の絶縁状態が検査される導体パターン２１対の組として、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）＝ｌｏｇ_２（４×１００）≒８．６４であるから、この数値に最も近い整数（９）と同数の９組（個数Ｌ１）の導体パターン２１対がマルチプル方法によって求められて予め記憶されているものとする。また、個別検査処理において相互間の絶縁状態が検査される導体パターン２１対の組として、ｌｏｇ_２（Ｎ）＝ｌｏｇ_２（１００）≒６．６４であるから、この数値に最も近い整数（７）と同数の７組の導体パターン２１対がマルチプル方法によって求められて予め記憶されているものとする。また、１つの導体パターン２１対に対する絶縁検査に要する時間は、本例では一例として５０（ミリ秒）であるとする。

まず、搬送機構２によって基板２０がテストステージＳＴ１に搬送されると、絶縁検査装置１では、不図示の駆動機構がテストヘッド３を基板２０に接近する方向に移動させて、テストヘッド３のプローブ３ａを基板２０に形成された各導体パターン２１に接触させる。この状態において、処理部７は、基板２０に対する絶縁検査処理１００を実行する。

この絶縁検査処理１００では、処理部７は、まず、全体検査処理１０１を実行する。具体的には、処理部７は、まず、記憶部８から全体検査処理１０１で検査される導体パターン２１対の組の中から１つの導体パターン２１対を読み出して、この１つの導体パターン２１対に対する絶縁検査を実行する（ステップ１０１ａ）。

この場合、処理部７は、スキャナ部５に対して制御信号Ｓ２を出力してスキャナ部５内の切換スイッチをオン状態およびオフ状態に移行させることにより、読み出した導体パターン２１対をスキャナ部５に選択させて、測定部４の配線４ａ，４ａに接続させる。次いで、処理部７は、測定部４に対して制御信号Ｓ１を出力することにより、配線４ａ，４ａ間に試験用電圧Ｖ１を出力させると共に、配線４ａ，４ａ間に流れる電流Ｉ１を測定させる。これにより、測定部４は、スキャナ部５およびテストヘッド３を介して配線４ａ，４ａ間に接続されている導体パターン２１間に流れる電流Ｉ１（本発明における電気的パラメータの一例）を測定して、その電流値を示すデータＤ１を出力する。

続いて、処理部７は、測定部４が出力するデータＤ１（電流Ｉ１の電流値を示すデータ）を入力すると共に、このデータＤ１で表される電流Ｉ１の電流値と、測定部４から出力された試験用電圧Ｖ１の電圧値（既知）とに基づいて、スキャナ部５およびテストヘッド３を介して測定部４の配線４ａ，４ａに接続されている導体パターン２１対（読み出した導体パターン２１対）についての絶縁抵抗Ｒｘを算出する。また、処理部７は、算出した絶縁抵抗Ｒｘと記憶部８に記憶されている基準抵抗値Ｒｒｅｆとを比較して、算出した絶縁抵抗Ｒｘが基準抵抗値Ｒｒｅｆ以上のときには、絶縁検査を行った導体パターン２１対の絶縁状態が良好であると判別する。また、処理部７は、この判別結果を絶縁抵抗Ｒｘと共に、読み出した導体パターン２１対に対応させて記憶部８に記憶させる。これにより、読み出した１つの導体パターン２１対に対する絶縁検査が完了する。

処理部７は、全体検査処理１０１で検査すべき導体パターン２１対に対する絶縁検査がすべて完了したか否かを記憶部８を検索して判別しつつ（ステップ１０１ｂ）、上記のステップ１０１ａを繰り返し実行して、検査すべき導体パターン２１対のすべて（本例では９組の導体パターン２１対）に対する絶縁検査が完了したときに、全体検査処理１０１を完了させる。この場合の絶縁検査の検査回数は９（Ｌ１）回となる。

次いで、処理部７は、全体検査処理１０１で検査された基板２０に含まれているすべての導体パターン２１対のなかに、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在するか否かを判別する（ステップ１０２）。この判別の結果、基板２０に含まれているすべての導体パターン２１対の絶縁状態が良好であるときには、処理部７は、表示処理を実行して全体検査処理１０１の検査結果を表示部９に表示させる（ステップ１０３）。これにより、全体検査処理１０１のみを行った絶縁検査処理が完了する。この場合、絶縁検査処理において、基板２０のすべての導体パターン２１対に対する絶縁検査に要する時間は、上記したように１つの導体パターン２１対に対する絶縁検査に要する時間が５０（ミリ秒）であり、また検査される導体パターン２１対は９組（検査回数Ｌ１が９）であるため、４５０（＝５０×９）（ミリ秒）となる。一方、各子基板２２〜２５についてそれぞれに含まれるすべての導体パターン２１対に対して絶縁検査を実施する従来の絶縁検査では、後述する個別検査処理１０４に要する検査時間（本例では１４００（ミリ秒））と同じ検査時間を必要とする。このため、この全体検査処理１０１のみを行った絶縁検査処理では、この従来の絶縁検査と比較して、検査時間の十分な短縮が図られている。

一方、ステップ１０２において、絶縁状態が不良と判別された導体パターン２１対が基板２０に含まれているときには、処理部７は、基板２０に面付けされている各子基板２２〜２５に対する個別検査処理１０４を実行する。具体的には、処理部７は、まず、記憶部８から個別検査処理１０４で検査される各子基板２２〜２５のうちの１つの子基板に含まれる導体パターン２１対の組の中から１つの導体パターン２１対を読み出して、この１つの導体パターン２１対に対する絶縁検査を実行する（ステップ１０４ａ）。この場合、処理部７は、ステップ１０１ａのときと同様にして、スキャナ部５を制御して、読み出した導体パターン２１対を測定部４の配線４ａ，４ａに接続させ、測定部４を制御して配線４ａ，４ａ間に流れる電流Ｉ１を測定させ、この電流Ｉ１の電流値および試験用電圧Ｖ１の電圧値（既知）とに基づいて、読み出した導体パターン２１対についての絶縁抵抗Ｒｘを算出する。また、この絶縁抵抗Ｒｘと基準抵抗値Ｒｒｅｆとを比較して、導体パターン２１対の絶縁状態を判別して、判別結果を絶縁抵抗Ｒｘと共に、読み出した導体パターン２１対に対応させて記憶部８に記憶させる。これにより、読み出した１つの導体パターン２１対に対する絶縁検査が完了する。

処理部７は、１つの子基板に含まれている検査すべき導体パターン２１対に対する絶縁検査がすべて完了したか否かを記憶部８を検索して判別しつつ（ステップ１０４ｂ）、上記のステップ１０４ａを繰り返し実行して、１つの子基板の導体パターン２１対のすべて（本例では７組の導体パターン２１対）に対する絶縁検査を実行する。この場合の１つの子基板に対する絶縁検査の検査回数Ｌ２は７回となる。この際に、ステップ１０４ｂにおいて、１つの子基板に対する検査が完了したと判別したときには、処理部７は、すべての子基板２２〜２５に対する絶縁検査が完了したか否かを判別して（ステップ１０４ｃ）、未検査の子基板が存在しているときには、記憶部８から導体パターン２１対を読み出す子基板をこの未検査の子基板に変更して（ステップ１０４ｄ）、上記ステップ１０４ａに移行する。処理部７は、このステップ１０４ａ〜ステップ１０４ｄを繰り返し実行して、ステップ１０４ｃにおいて、すべての子基板２２〜２５に含まれている検査すべき導体パターン２１対に対する絶縁検査が完了したと判別したときには、個別検査処理１０４を完了させる。

次いで、処理部７は、記憶部８に記憶されている各子基板２２〜２５の各導体パターン２１対についての絶縁検査の結果に基づいて、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在している子基板を特定して、記憶部８に記憶させる（ステップ１０５）。最後に、処理部７は、表示処理を実行して、個別検査処理１０４の結果と、絶縁状態不良の導体パターン２１対が存在している子基板の情報とを表示部９に表示させる（ステップ１０３）。これにより、全体検査処理１０１および個別検査処理１０４を実行した絶縁検査処理が完了する。この場合、絶縁検査処理において、基板２０のすべての導体パターン２１対に対する絶縁検査に要する時間は、上記したように全体検査処理１０１に要する時間が４５０（＝５０×９）（ミリ秒）であり、また４個の子基板２２〜２５のそれぞれにおける検査回数Ｌ２が７回であるために個別検査処理１０４に要する時間が１４００（＝５０×２８）（ミリ秒）となる結果、全体として１８５０（ミリ秒）となる。

テストステージＳＴ１に搬送された１つの基板２０に対する絶縁検査処理１００が完了したときには、テストステージＳＴ１の基板２０は搬送機構２によって次のマーキングステージＳＴ２に搬送されると共に、次の基板２０がテストステージＳＴ１に搬送される。この場合、処理部７が、テストステージＳＴ１の新たな基板２０に対して、上記した絶縁検査処理１００を実施すると共に、マーキングステージＳＴ２に搬送された検査済みの基板２０であって、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在している子基板を含む基板２０に対してマーク付与処理を実行する。このマーク付与処理では、処理部７は、直前に絶縁検査処理１００が行われた基板２０における絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在していると特定された子基板の情報を記憶部８から読み出して、マーク付与部６に対して制御信号Ｓ３（特定された子基板を指定するための信号）を出力する。マーク付与部６は、この制御信号Ｓ３に基づいて、インク供給部６ａが処理部７によって指示された位置にある射出ノズル６ｂに対してインクを所定量供給して射出させる。これにより、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在していると特定された子基板（子基板２２，２３，２４，２５のうちのいずれか）にマークが施される（マーキングされる）。これにより、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在している子基板を含む基板２０をマークの存否に基づいて確実に仕分けすることができるようになり、この子基板に対する補修作業が効率良く実施される。

このように、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法では、各子基板２２〜２５が面付けされた基板２０に形成されている（Ｍ×Ｎ）本の導体パターン２１全体に対してマルチプル方法を適用して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して各導体パターン２１間（導体パターン２１対）の絶縁状態を検査する全体検査処理を先ず実行する。この場合、全体検査処理で検査される導体パターン２１対の数は、子基板２２〜２５のそれぞれに対して個別検査処理を実施する場合の導体パターン２１対の合計数と比較して常に少なくなる。したがって、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法によれば、基板２０の製作の質が向上しているために絶縁状態が不良と判断される基板２０が少なくなってきているという状況下において、面付けされた基板２０の絶縁状態がすべて良好であるとの検査結果を極めて短時間に取得することができる。

また、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法では、全体検査処理において絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して子基板２２〜２５毎の各導体パターン２１間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターン２１対を含む子基板を特定する。したがって、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法によれば、基板２０に絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在しているときにも、不良の導体パターン２１対を含む子基板を特定することができる。また、上述したように絶縁状態が不良と判断される基板２０が少なくなってきているという状況下では、個別検査処理を実行する頻度が低いため、不良の導体パターン２１対を含む子基板を特定するための個別検査処理を実施可能としつつ、複数の基板２０に対する絶縁検査の平均時間を短縮することができる。

また、この絶縁検査装置１によれば、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在していると特定された子基板（子基板２２，２３，２４，２５のうちのいずれか）にマークを施すことができるため、絶縁状態が不良の導体パターン２１対が存在している子基板、およびその子基板を含む基板２０を確実に特定することができ、これにより、不良の発生している子基板に対する補修作業を効率よく実施することができる。

また、この絶縁検査装置１によれば、表示部９が絶縁検査処理の結果を表示するため、基板２０の絶縁状態の良否を作業者に確実に認識させることができる。

なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、４つの子基板２２〜２５が面付けされた基板２０を例に挙げて説明したが、面付けされる子基板の数は２以上である限り、任意の数でよい。また、マーク付与部６として、インクを子基板に塗布する構成を採用した例を挙げて説明したが、該当する子基板に捺印を施したりするなどの他のマーキング方法を採用してもよいのは勿論である。

絶縁検査装置１の構成を示す構成図である。 絶縁検査装置１および絶縁検査方法の動作を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１ 絶縁検査装置
２ 搬送機構
３ テストヘッド
４ 測定部
５ スキャナ部
６ マーク付与部
７ 処理部
８ 記憶部
９ 表示部
２０ 基板
２１ 導体パターン
２２〜２５ 子基板
Ｌ１ 検査回数
Ｌ２ 検査回数
Ｒｒｅｆ 基準抵抗値
Ｒｘ 絶縁抵抗

Claims (6)

1. 絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板における（Ｍ×Ｎ）本の当該導体パターンに接触可能なテストヘッドと、
   ２本の前記導体パターン間の電気的パラメータを測定する測定部と、
   前記（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンのうちの任意の２本の導体パターンを選択して前記測定部に接続するスキャナ部と、
   前記スキャナ部を制御して２本の前記導体パターンを選択させると共に、前記測定部を制御して当該選択された２本の導体パターンについての前記電気的パラメータを測定させ、当該測定された電気的パラメータに基づいて当該２本の導体パターン間の絶縁状態を検査する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、
   前記処理部は、前記Ｍ個の基板における（Ｍ×Ｎ）本の前記導体パターン全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する絶縁検査装置。
2. 前記処理部は、前記全体検査処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンが存在することを検出したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して前記基板毎の前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、当該絶縁状態が不良の導体パターンを含む前記基板を特定する請求項１記載の絶縁検査装置。
3. マーク付与部を備え、前記処理部は、前記個別検査処理において特定した前記基板に対して前記マーク付与部を制御して識別可能なマークを付与させる請求項２記載の絶縁検査装置。
4. 表示部を備え、前記処理部は、前記絶縁状態の検査の結果を前記表示部に表示させる請求項１から３のいずれかに記載の絶縁検査装置。
5. 絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板に形成されている（Ｍ×Ｎ）本の前記導体パターン全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行する絶縁検査方法。
6. 前記全体検査処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンが存在したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して前記基板毎の前記各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、当該絶縁状態が不良の導体パターンを含む前記基板を特定する請求項５記載の絶縁検査方法。

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