JP5818513B2 - 絶縁検査装置および絶縁検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板に形成された導体パターン間の絶縁状態を検査する絶縁検査装置および絶縁検査方法に関するものである。

この種の絶縁検査装置および絶縁検査方法として、本願出願人は下記の特許文献１に開示した絶縁検査装置および絶縁検査方法を提案している。この絶縁検査装置および絶縁検査方法では、検査すべきＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成された基板を検査する際に、ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数を検査回数として規定して検査を行う検査方法を採用することで、基板についての検査時間の短縮を図っている。この検査方法は、いわゆるマルチプル方法として、下記の非特許文献１に開示されている。

ところで、上記のような基板がＭ（２以上の整数）個面付けされた１枚の多面取り基板について上記のような絶縁検査を実施する場合、上記の絶縁検査方法および絶縁検査装置では、基板毎に上記のマルチプル方法を適用して検査回数を規定して検査を実行することになる。この面付けされた各基板に対して個別にマルチプル方法を採用して検査する検査方法には、絶縁状態が不良の基板を確実に特定できるというメリットがある反面、面付けされた基板の数に比例して検査時間が増加するという課題が存在している。

この課題を解決し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法として、本願出願人は下記の特許文献２に開示した絶縁検査装置および絶縁検査方法を提案している。この絶縁検査装置および絶縁検査方法では、絶縁検査の対象となるＮ本の導体パターンが形成されたＭ個の同種の基板に形成されている（Ｍ×Ｎ）本の導体パターン全体に対して、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）以上であってｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）に最も近い整数を検査回数Ｌ１に規定して各導体パターン間の絶縁状態を検査する全体検査処理を実行し、全体検査処理において絶縁状態が不良の導体パターンが存在したときに、検査回数Ｌ２をｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数に規定して基板毎の各導体パターン間の絶縁状態を検査する個別検査処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターンを含む基板を特定する。

この絶縁検査装置および絶縁検査方法によれば、全体検査処理で検査される導体パターン対の数を、Ｍ個の基板のそれぞれに対してｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い整数を検査回数Ｌ２に規定して各導体パターン間の絶縁状態を検査する場合の導体パターン対の合計数と比較して常に少なくすることができるため、基板製作の質の向上に伴って絶縁状態が不良と判断される基板が少なくなってきているという状況下において、Ｍ個の同種の基板の絶縁状態がすべて良好であるとの検査結果をより短時間に取得することができる。また、全体検査処理において絶縁状態が不良の導体パターンが存在したときに、上記の個別検査処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターンを含む基板を短い時間で確実に特定することができる。

特開２００８−５８２５４号公報（第８頁） 特開２００９−２６４８３４号公報（第５−６頁、第２図）

編集委員長 原靖彦、「高密度実装における検査技術・装置ハンドブック」、社団法人国際都市コミュニケーションセンター編集事務局、２００１年９月１日、ｐ．８７−８８

しかしながら、近年では、多面取り基板について、面付けされた基板の絶縁状態がすべて良好であるとの検査結果を、上記した絶縁検査装置および絶縁検査方法よりもさらに短時間に取得したいという要請があり、この要請に沿う絶縁検査装置および絶縁検査方法が望まれている。

本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、導体パターンが形成された同種の基板に対する絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査装置は、絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板における（Ｍ×Ｎ）本の当該導体パターンと同時に接触する（Ｍ×Ｎ）本のプローブが配設された検査ヘッドと、一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗を測定する測定部と、前記（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンのうちの任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンのうちの当該一方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンを除く他の任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続可能に構成された接続切替部と、前記接続切替部を制御することにより、前記任意の導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ前記他の任意の導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして前記測定部に接続させる接続処理、および前記測定部を制御して前記絶縁抵抗を測定させると共に当該測定された絶縁抵抗に基づいて前記任意の導体パターンと前記他の任意の導体パターンとの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、前記処理部は、ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い回数Ｌａの前記検査処理の実行で１個の前記基板の前記Ｎ本の導体パターンを検査可能に第１回目から第Ｌａ回目の当該検査処理毎の当該Ｎ本の導体パターンの第１グループおよび第２グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の当該検査処理毎に、前記Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第１グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第２グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、前記Ｍ個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第１処理を実行する。

また、請求項２記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記処理部は、前記第１処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンの存在を検出したときに、前記Ｍ個の基板に対して１個ずつ、前記グループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、当該１個の基板における当該検査処理の前記第１グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該１個の基板における当該検査処理の前記第２グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、当該１個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第２処理を実行する。

また、請求項３記載の絶縁検査方法は、絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板における（Ｍ×Ｎ）本の当該導体パターンと同時に接触する（Ｍ×Ｎ）本のプローブが配設された検査ヘッドを用いて、前記Ｍ個の基板についての前記導体パターンの絶縁状態を検査する絶縁検査方法であって、ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い回数Ｌａの検査処理の実行で１個の前記基板の前記Ｎ本の導体パターンを検査可能に第１回目から第Ｌａ回目の当該検査処理毎の当該Ｎ本の導体パターンの第１グループおよび第２グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、前記Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第１グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第２グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択し、前記一方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターンおよび前記他方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターン間の絶縁抵抗を測定し、前記各回目の前記検査処理毎に測定された前記絶縁抵抗に基づいて、前記Ｍ個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する。

請求項１記載の絶縁検査装置および請求項３記載の絶縁検査方法によれば、１個の基板のＮ本の導体パターンにいわゆるマルチプル方法を適用して得られた検査処理の回数と同じ回数でＭ個の基板の導体パターンについての絶縁状態を検査することができる。このため、この絶縁検査装置および絶縁検査方法によれば、例えば、Ｍ個の基板の各導体パターン全体に対してマルチプル方法を適用して得られる検査処理の回数よりも少ない回数に検査処理の回数を低減することができる。

また、請求項２記載の絶縁検査装置によれば、検査対象としているＭ個の基板のいずれかに絶縁状態が不良の導体パターンが含まれているときには、処理部が、第２処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターンを含む基板を検出することにより、絶縁状態が不良の基板を確実に探し出せると共にその絶縁状態が不良の基板に対する補修作業を効率よく実施することが可能となる。

絶縁検査装置１の構成を示す構成図である。 基板２の構成を説明するための平面図である。 各子基板ＣＰの構成を説明するための平面図である。 グループ分け情報Ｄｇを説明するための説明図である。 Ｍ個の半分の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５））の各Ｎ本の導体パターンＰを検査処理の実行回毎に第１グループと第２グループとにグループ分けした状態を説明するための説明図である。 Ｍ個の残りの半分の子基板ＣＰ（ＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））の各Ｎ本の導体パターンＰを検査処理の実行回毎に第１グループと第２グループとにグループ分けした状態を説明するための説明図である。

以下、絶縁検査装置および絶縁検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、絶縁検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。

図１に示す絶縁検査装置１は、回路基板（以下、「基板」ともいう）２に形成された絶縁検査の対象である導体パターンＰについての絶縁状態を検査する絶縁検査装置であって、検査ヘッド３、移動機構４、接続切替部（スキャナ部）５、測定部６、処理部７、記憶部８および表示部９を備えている。

基板２は、例えば、図２に示すように、Ｋ個（後述するＭ個の整数倍。本例では一例として、１００個）の子基板ＣＰが行方向（一例として１０行）および列方向（一例として１０列）に格子状に規則正しく並べて面付けされた（いわゆる、マトリックス状に面付けされた）多面取り基板に形成されている。各子基板ＣＰは、図３に示すように、同じＮ本の導体パターンＰ（本例では一例として、１０本の導体パターンＰ１，Ｐ２，・・・，Ｐ１０）が同一の配置で形成されて同種の基板（同じ基板）として構成されている。各子基板ＣＰは、各々の導体パターンＰについての絶縁状態が基板２の状態で検査された後に、例えばカッターで切断されて分離される。なお、以下において各子基板ＣＰを区別するときには、配置されている行と列の各数を用いて、ＣＰ（行，列）と表記するものとする。

検査ヘッド３は、図１に示すように、基板２における導体パターンＰの形成面２ａに対向して配設されると共に、基板２のこの形成面２ａとの対向面３ａに複数のプローブＰＬが配設されている。本例では一例として、検査ヘッド３は、基板２を平面視した状態において、図２において破線で示すように、Ｍ個（Ｍは２以上の整数。本例では一例として２行５列分の１０個）の子基板ＣＰを覆う外形に形成されると共に、Ｍ個の子基板ＣＰに形成されている各導体パターンＰ（本例では、Ｍ×Ｎ＝１００本の導体パターンＰ）と電気的に同時に接触し得る数（Ｍ×Ｎ個）のプローブＰＬが対向面３ａに配設されている。また、すべてのプローブＰＬは、不図示の配線によって接続切替部５に一対一で接続されている。

移動機構４は、処理部７によって制御されて、検査ヘッド３を基板２と平行な状態で、基板２の行方向および列方向に移動させると共に、基板２に対して接離させる。本例では一例として、検査ヘッド３がＭ個（１０個）の子基板ＣＰの各導体パターンＰと同時に接触する構成のため、移動機構４は、検査ヘッド３を基板２の列方向に沿って５列単位で移動させると共に、行方向に沿って２行単位で移動させる。

接続切替部５は、複数の切換スイッチおよびスイッチ制御回路（いずれも図示せず）で構成されて、上記したように、すべてのプローブＰＬと一対一で接続されると共に、一対の配線４ａ，４ｂを介して測定部６と接続されている。また、接続切替部５は、処理部７によって制御されて、スイッチ制御回路が各切換スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、検査ヘッド３のプローブＰＬと接触させられる（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンＰのうちの任意の導体パターンＰを選択して配線４ａに接続する（測定部６に対して一対の測定対象導体グループのうちの一方の測定対象導体グループとして接続する）と共に、（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンＰのうちの一対の測定対象導体グループを除く他の任意の導体パターンＰを選択して配線４ｂに接続する（測定部６に対して一対の測定対象導体グループのうちの他方の測定対象導体グループとして接続する）。

測定部６は、例えば抵抗測定が可能なデジタルマルチメータを備えて構成されて、配線４ａを介して接続される一方の測定対象導体グループと、配線４ｂを介して接続される他方の測定対象導体グループとの間（一対の測定対象導体グループ間）の絶縁抵抗の抵抗値（絶縁抵抗値）Ｒｘを測定して、測定された絶縁抵抗値Ｒｘを示す抵抗データＤ１を処理部７に出力する。具体的には、測定部６は、一対の配線４ａ，４ｂ間に試験用電圧Ｖ１（電圧値が既知の直流定電圧）を一例として配線４ｂに対して配線４ａが高電圧となるように出力し、このときに配線４ａ，４ｂ間に流れる電流（直流電流）Ｉ１と試験用電圧Ｖ１とに基づいて絶縁抵抗値Ｒｘを測定する。本例では、測定部６は、処理部７によって制御されて作動して、絶縁抵抗値Ｒｘの測定と抵抗データＤ１の出力とを実行する。

本例では、接続切替部５により、配線４ａには、（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンＰのうちから選択された任意の導体パターンＰが一方の測定対象導体グループとして接続され、また配線４ｂには、（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンＰのうちの残りの導体パターンＰ（配線４ａに一方の測定対象導体グループとして接続されている導体パターンＰを除いた残りの導体パターンＰ）のうちから選択された他の任意の導体パターンＰが他方の測定対象導体グループとして接続される。このため、測定部６は、一方の測定対象導体グループとして選択された任意の導体パターンＰと、他方の測定対象導体グループとして選択された他の任意の導体パターンＰとの間の絶縁抵抗値Ｒｘを測定する。

処理部７は、例えばＣＰＵで構成されて、基板２に対する絶縁検査処理を実行する。具体的には、処理部７は、この絶縁検査処理において、Ｍ個（本例では１０個）の子基板ＣＰに形成されている導体パターンＰについての絶縁状態を並列的に（同時に）検査する第１処理（同時検査処理）と、このＭ個の子基板ＣＰに対して１個ずつ、この１個の子基板ＣＰに形成されている導体パターンＰについての絶縁状態を検査する第２処理（個別検査処理）とを実行する。また、処理部７は、上記したように、移動機構４、接続切替部５および測定部６に対する動作制御を実行する。

記憶部８は、処理部７の動作プログラムを記憶する。また、記憶部８には、マルチプル方法を１個の子基板ＣＰに適用して、回数Ｌａの検査処理の実行でこの子基板ＣＰのＮ本の導体パターンＰの絶縁状態を検査するための各回目の検査処理毎のＮ本の導体パターンＰについてのグループ分け情報Ｄｇが予め記憶されている。また、記憶部８には、絶縁検査処理において使用される基準抵抗値Ｒｒｅｆ（絶縁状態が良好と判別し得る一対の測定対象導体間の絶縁抵抗：一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗でもある。）が記憶されている。表示部９は、一例として液晶ディスプレイで構成されて、処理部７が実行した絶縁検査処理での判別結果を表示する。

次に、絶縁検査装置１の動作と共に絶縁検査方法について、図面を参照して説明する。なお、本例では一例として、上記したように基板２の各子基板ＣＰには、独立したＮ（＝１０）本の導体パターンＰが形成されている。このため、１個の子基板ＣＰにマルチプル方法を適用したときに、この子基板ＣＰに形成されているＮ本すべての導体パターンＰの相互間の絶縁状態を検査するために必要となる検査処理の回数（検査回数）Ｌａは、数値（ｌｏｇ_２Ｎ＝ｌｏｇ_２１０≒３．３２）以上であって、この数値に最も近い整数、つまり数値４となる。

したがって、第１回目から第４回目の検査処理毎のＮ本の導体パターンＰの第１グループ（一方の測定対象導体グループとして配線４ａを介して測定部６に接続される導体パターンＰのグループ）および第２グループ（他方の測定対象導体グループとして配線４ｂを介して測定部６に接続される導体パターンＰのグループ）へのグループ分けがマルチプル方法に基づいて行われて、グループ分け情報Ｄｇとして記憶部８に記憶されているものとする。

一例として、図４に示すように、第１回目の検査処理のグループ分け情報Ｄｇとして、導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９を第１グループ（高電圧側の配線４ａに接続されるグループのため、記号「Ｈ」を付して表記されている）とし、残りの導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０を第２グループ（低電圧側の配線４ｂに接続されるグループのため、記号「Ｌ」を付して表記されている）としてグループ分けする情報が記憶されている。また、第２回目の検査処理のグループ分け情報Ｄｇとして、導体パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ９，Ｐ１０を第１グループとし、残りの導体パターンＰ３，Ｐ４，Ｐ７，Ｐ８を第２グループとしてグループ分けする情報が記憶されている。

また、第３回目の検査処理のグループ分け情報Ｄｇとして、導体パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ９，Ｐ１０を第１グループとし、残りの導体パターンＰ５，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ８を第２グループとしてグループ分けする情報が記憶されている。また、第４回目の検査処理のグループ分け情報Ｄｇとして、導体パターンＰ１〜Ｐ８を第１グループとし、残りの導体パターンＰ９，Ｐ１０を第２グループとしてグループ分けする情報が記憶されている。

なお、上記した４つの各グループ分けによる検査処理は、何回目に実行しなければならないとの制限はない。このため、例えば、上記した第１回目の検査処理のグループ分け情報Ｄｇの内容と、第２回目の検査処理のグループ分け情報Ｄｇの内容とを入れ替える等、任意の順序で各回目の検査処理に４つのグループ分け情報Ｄｇを適用することができる。

絶縁検査装置１では、処理部７が基板２に対する検査を開始したときには、処理部７は、まず、移動機構４に対する制御を実行して検査ヘッド３を図２において破線で示される最初の検査位置に移動させることにより、検査ヘッド３に配設された各プローブＰＬを１番目に検査対象となるＭ個（１０個）の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５）およびＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））における各導体パターンＰ（Ｐ１〜Ｐ１０）に接触させる。

次いで、処理部７は、このＭ個の子基板ＣＰに対して絶縁検査処理を実行する。この絶縁検査処理では、処理部７は、まず、第１処理を実行する。この第１処理では、処理部７は、接続切替部５を制御することにより、各回目の検査処理毎に、Ｍ個の子基板ＣＰにおける検査処理の第１グループに含まれる各導体パターンＰを一方の測定対象導体グループとし、かつＭ個の子基板ＣＰにおける検査処理の第２グループに含まれる各導体パターンＰを他方の測定対象導体グループとして選択して測定部６に接続する接続処理と、測定部６を制御して一方の測定対象導体グループとしての第１グループを構成する導体パターンＰと他方の測定対象導体グループとしての第２グループを構成する導体パターンＰとの間の絶縁抵抗値Ｒｘを測定させると共に、この絶縁抵抗値Ｒｘおよび基準抵抗値Ｒｒｅｆに基づいて、第１グループを構成する導体パターンＰと第２グループを構成する導体パターンＰとの間の絶縁状態を検査する検査処理とを実行する。

具体的には、処理部７は、第１回目の検査処理では、接続処理において、まず、記憶部８から第１回目のグループ分け情報Ｄｇ（図４参照）を読み出す。次いで、処理部７は、接続切替部５を制御することにより、読み出したグループ分け情報Ｄｇで示される第１グループに含まれる導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９に対応するＭ個の各子基板ＣＰにおける導体パターンＰ（つまり、導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９）を一方の測定対象導体グループとし、かつ読み出したグループ分け情報Ｄｇで示される第２グループに含まれる導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０に対応するＭ個の各子基板ＣＰにおける導体パターンＰ（つまり、導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０）を他方の測定対象導体グループとして図５，６に示すように選択して、測定部６に接続する。これにより、接続処理が完了する。

この接続処理の完了時点においては、Ｍ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５）、ＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））の各導体パターンＰのうちの第１グループに含まれる導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９は共に共通の配線４ａを介して一方の測定対象導体グループとして測定部６に接続された状態となる。また、Ｍ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５）、ＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））の各導体パターンＰのうちの第２グループに含まれる残りの導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０は共に共通の配線４ｂを介して他方の測定対象導体グループとして測定部６に接続された状態となる。

次いで、処理部７は、検査処理を実行する。

この検査処理では、処理部７は、まず、測定部６を制御することにより、配線４ａを介して接続されている一方の測定対象導体グループに含まれる導体パターンＰ（Ｍ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰのうちの第１グループに含まれる導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９）と、配線４ｂを介して接続されている他方の測定対象導体グループに含まれる導体パターンＰ（Ｍ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰのうちの第２グループに含まれる導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０（第１グループに含まれる導体パターンＰ以外のすべての導体パターンＰ））との間の絶縁抵抗値Ｒｘを測定する。

この絶縁抵抗値Ｒｘの測定に際して、測定部６は、共通の配線４ｂに接続されることで同電位となるＭ個の子基板ＣＰの第２グループに含まれる導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０に対して、試験用電圧Ｖ１だけ高電圧となる電圧を、共通の配線４ａに接続されることで同電位となるＭ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰのうちの第１グループに含まれる導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９に印加する。

次いで、処理部７は、測定部６によって測定された絶縁抵抗値Ｒｘと、記憶部８から読み出した基準抵抗値Ｒｒｅｆとを比較して、絶縁抵抗値Ｒｘが基準抵抗値Ｒｒｅｆ以上のときには、Ｍ個の子基板ＣＰの第１グループに含まれるすべての導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９と、このＭ個の子基板ＣＰの第２グループに含まれるすべての導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０との間の絶縁状態が良好であると判別する。また、処理部７は、この第１回目の検査処理の判別結果を検査対象としているＭ個（１０個）の子基板ＣＰの識別情報（例えば、行番号および列番号の双方が最も小さい番号の子基板ＣＰの番号ＣＰ（１，１））に対応させて記憶部８に記憶させる。これにより、この１番目の検査対象であるＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５）およびＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））に対する第１回目の検査処理が完了する。

処理部７は、その後に実行する第２回目、第３回目および第４回目の検査処理毎に、検査処理の実行に先立って接続処理を実行し、この接続処理において、記憶部８から読み出した各回目の検査処理に対応するグループ分け情報Ｄｇ（図４参照）に基づいて、接続切替部５を制御することにより、測定部６に一方の測定対象導体グループとして接続される第１グループに含まれる導体パターンＰと、他方の測定対象導体グループとして接続される第２グループに含まれる導体パターンＰとを図５，６に示すように変更しつつ、第１グループに含まれる導体パターンＰと第２グループに含まれる導体パターンＰとの間の絶縁抵抗値Ｒｘを測定する。

また、処理部７は、第２回目、第３回目および第４回目の検査処理毎に、算出した絶縁抵抗値Ｒｘと基準抵抗値Ｒｒｅｆとを比較することにより、Ｍ個の子基板ＣＰの第１グループに含まれる導体パターンＰと、このＭ個の子基板ＣＰの第２グループに含まれる導体パターンＰとの間の絶縁状態を判別し、その判別結果を検査対象としているＭ個の子基板ＣＰの識別情報に対応させて記憶部８に記憶させる。

このようにして、この絶縁検査装置１では、１個の子基板ＣＰに形成されているＮ本の導体パターンＰにマルチプル方法を適用して得られた各回目の検査処理毎のグループ分け情報Ｄｇを、検査ヘッド３に配設されているプローブＰＬが接触し得るすべての子基板ＣＰ（Ｍ個の子基板ＣＰ）の各導体パターンＰに対して同時に適用して、各子基板ＣＰにおける第１グループに含まれる導体パターンＰと第２グループに含まれる導体パターンＰとの間の絶縁状態を同時に検査する第１処理を実行する。

このため、この絶縁検査装置１では、１個の子基板ＣＰのＮ本の導体パターンＰにマルチプル方法を適用して得られた検査処理の回数Ｌａ（＝４）と同じ回数ＬａでＭ個の子基板ＣＰの導体パターンＰについての絶縁検査処理が実行可能となっている。したがって、例えば、Ｍ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰ全体に対してマルチプル方法を適用して得られる検査処理の回数（本例では、ｌｏｇ_２（Ｍ×Ｎ）＝ｌｏｇ_２１００≒６．６４であるから、７回）よりも少ない４回に検査処理の回数Ｌａが低減されている。

続いて、処理部７は、検査対象としている１番目のＭ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰについての第１処理での判別結果を記憶部８から読み出して、１回目から４回目のすべての検査処理での判別結果が良好であるときには、この判別結果をＭ個の子基板ＣＰの識別情報と共に表示部９に表示させて、このＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５）およびＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））についての絶縁検査処理を終了させる。

その後、処理部７は、移動機構４を制御して検査ヘッド３を移動させながら、検査対象とするＭ個の子基板ＣＰを順次変更しつつ、上記した１番目のＭ個の子基板ＣＰを検査対象としたときと同様の絶縁検査処理を実行する。

一例として、処理部７は、２番目にＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（３，１）〜ＣＰ（３，５）およびＣＰ（４，１）〜ＣＰ（４，５））を検査対象として、・・・、５番目にＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（９，１）〜ＣＰ（９，５）およびＣＰ（１０，１）〜ＣＰ（１０，５））を検査対象として、６番目にＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（９，６）〜ＣＰ（９，１０）およびＣＰ（１０，６）〜ＣＰ（１０，１０））を検査対象として、７番目にＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（７，６）〜ＣＰ（７，１０）およびＣＰ（８，６）〜ＣＰ（８，１０））を検査対象として、・・・、１０番目（最後）にＭ個の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，６）〜ＣＰ（１，１０）およびＣＰ（２，６）〜ＣＰ（２，１０））を検査対象として第１処理を含む絶縁検査処理を実行する。

各Ｍ個の子基板ＣＰに対する絶縁検査処理において実行される検査処理の回数Ｌａは第１処理を採用したことによって４回で済むため、この絶縁検査装置１では、基板２に面付けされたすべての子基板ＣＰ（本例では１００個）のＮ本（本例では１０本）の導体パターンＰの絶縁状態がすべて良好なときには、基板２のすべての子基板ＣＰに対する検査処理の回数を４０回に抑えることが可能となっている。つまり、Ｍ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰ全体に対してマルチプル方法を適用する構成での基板２に対する検査処理の総実行回数（７×１０＝７０回）よりも少ない回数に検査処理の実行回数が低減され、絶縁検査に要する時間が短縮されている。

一方、Ｍ個の子基板ＣＰに対するいずれかの絶縁検査処理において、記憶部８から読み出した検査対象としているＭ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰについての第１処理での判別結果の一部に不良箇所が存在すること（つまり、絶縁状態が不良の導体パターンＰが存在すること）を検出したときには、処理部７は、第１処理に続いて、現在の検査対象であるＭ個の子基板ＣＰのそれぞれに対して第２処理（個別検査処理）を絶縁検査処理の一部として実行し、この第２処理の完了後に、新たなＭ個の子基板ＣＰに対する新たな絶縁検査処理を実行する。

この第２処理では、処理部７は、接続切替部５を制御することにより、Ｍ個の子基板ＣＰに対して１個ずつ、記憶部８から読み出した各回目の検査処理に対応するグループ分け情報Ｄｇ（図４参照）に基づいて、１個の子基板ＣＰにおける検査処理の第１グループに含まれる各導体パターンＰを一方の測定対象導体グループとし、かつ１個の子基板ＣＰにおける検査処理の第２グループに含まれる各導体パターンＰを他方の測定対象導体グループとして選択して測定部６に接続する接続処理を実行しつつ、１個の子基板ＣＰについての導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する各検査処理を実行する。

一例として、１番目に検査対象としたＭ個（１０個）の子基板ＣＰ（ＣＰ（１，１）〜ＣＰ（１，５）、ＣＰ（２，１）〜ＣＰ（２，５））のいずれかに絶縁状態が不良な導体パターンＰが存在していたときには、処理部７は、図４に示される各回目の検査処理毎のグループ分け情報Ｄｇに基づく導体パターンＰのグループ分けを、例えば、子基板ＣＰ（１，１）、子基板ＣＰ（１，２）、・・・、子基板ＣＰ（１，５）、子基板ＣＰ（２，１），・・・子基板ＣＰ（２，５）の順に１個ずつ適用して、１個の子基板ＣＰ単位で、接続処理および検査処理を実行する。この場合、処理部７は、１個の子基板ＣＰに対して検査処理を４回実行することにより、絶縁状態の良否を判別する。

具体的には、処理部７は、子基板ＣＰ（１，１）に対する絶縁検査に際しては、第１回目の検査処理では、接続処理において、記憶部８から読み出した第１回目のグループ分け情報Ｄｇ（図４参照）に基づいて、子基板ＣＰ（１，１）における第１回目の検査処理の第１グループに含まれる導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９を一方の測定対象導体グループとし、かつ子基板ＣＰ（１，１）における第１回目の検査処理の第２グループに含まれる導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８，Ｐ１０を他方の測定対象導体グループとして選択して、測定部６に接続する。

また、第２回目、第３回目および第４回目の検査処理においても、接続処理において、各回目のグループ分け情報Ｄｇ（図４参照）に基づいて、子基板ＣＰ（１，１）における各回目の検査処理の第１グループに含まれる導体パターンＰを一方の測定対象導体グループとし、かつ子基板ＣＰ（１，１）における各回目の検査処理の第２グループに含まれる導体パターンＰを他方の測定対象導体グループとして選択して、測定部６に接続する。

このようにして、処理部７は、第１処理に続いて、この第２処理を実行することにより、Ｍ個（１０個）の子基板ＣＰのうちのいずれの子基板ＣＰに絶縁状態が不良な導体パターンＰが存在しているかを判別し、その判別結果をこの子基板ＣＰの識別情報（例えば、子基板ＣＰの番号「（行，列）」）と共に、検査対象としているＭ個（１０個）の子基板ＣＰの識別情報に対応させて記憶部８に記憶させ、かつ、表示部９に表示させる。この場合、処理部７は、このようにＮ本の導体パターンＰが形成されているＭ個の子基板ＣＰに対して検査処理を（Ｌａ×Ｍ）回、本例では４０回（＝４×１０）実行することにより、絶縁状態が不良な導体パターンＰが存在している子基板ＣＰを判別する。

このように、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法では、Ｎ本の導体パターンＰが形成されたＭ個の同種の子基板ＣＰについての導体パターンＰの絶縁状態を検査する際に、ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い回数Ｌａの検査処理の実行で１個の子基板ＣＰのＮ本の導体パターンＰを検査可能に第１回目から第Ｌａ回目の検査処理毎のＮ本の導体パターンＰの第１グループおよび第２グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の検査処理毎に、Ｍ個の子基板ＣＰにおける検査処理の第１グループに含まれる各導体パターンＰを一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、Ｍ個の子基板ＣＰにおける検査処理の第２グループに含まれる各導体パターンＰを他方の測定対象導体グループとして選択し、一方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンＰおよび他方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンＰ間の絶縁抵抗値Ｒｘを測定し、各回目の検査処理毎に測定された絶縁抵抗値Ｒｘに基づいて、Ｍ個の子基板ＣＰについての導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する。

したがって、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法によれば、１個の子基板ＣＰのＮ本の導体パターンＰにマルチプル方法を適用して得られた検査処理の回数Ｌａと同じ回数ＬａでＭ個の子基板ＣＰの導体パターンＰについての絶縁状態を検査することができる。このため、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法によれば、例えば、Ｍ個の子基板ＣＰの各導体パターンＰ全体に対してマルチプル方法を適用して得られる検査処理の回数よりも少ない回数に検査処理の回数を低減することができる。

また、この絶縁検査装置１によれば、検査対象としているＭ個の子基板ＣＰのいずれかに絶縁状態が不良の導体パターンＰが含まれているときには、処理部７が、第２処理（個別検査処理）を実行して、絶縁状態が不良の導体パターンＰを含む子基板ＣＰを検出することにより、絶縁状態が不良の子基板ＣＰを確実に探し出せると共にその絶縁状態が不良の子基板ＣＰに対する補修作業を効率よく実施することができる。

なお、上記の絶縁検査装置１では、Ｍ個の子基板ＣＰに対する第１処理において、不良箇所の存在が検出されたときには、不良箇所を含む子基板ＣＰを特定するための第２処理を実行する構成を採用しているが、基板２全体としての良否を判別するだけでよい場合には、第１処理のみで絶縁検査処理を構成し、第２処理を実行しない構成を採用することもできる。さらに、第２処理において不良箇所の存在が初めて検出されたときに、基板２に未検査の子基板ＣＰが存在している状態であっても、基板２に対する絶縁検査処理を終了させる構成を採用することもできる。

１ 絶縁検査装置
２ 基板
３ 検査ヘッド
５ 接続切替部
６ 測定部
Ｐ 導体パターン
Ｒｘ 絶縁抵抗値

Claims (3)

1. 絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板における（Ｍ×Ｎ）本の当該導体パターンと同時に接触する（Ｍ×Ｎ）本のプローブが配設された検査ヘッドと、
   一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗を測定する測定部と、
   前記（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンのうちの任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該（Ｍ×Ｎ）本の導体パターンのうちの当該一方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンを除く他の任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続可能に構成された接続切替部と、
   前記接続切替部を制御することにより、前記任意の導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ前記他の任意の導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして前記測定部に接続させる接続処理、および前記測定部を制御して前記絶縁抵抗を測定させると共に当該測定された絶縁抵抗に基づいて前記任意の導体パターンと前記他の任意の導体パターンとの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、
   前記処理部は、
   ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い回数Ｌａの前記検査処理の実行で１個の前記基板の前記Ｎ本の導体パターンを検査可能に第１回目から第Ｌａ回目の当該検査処理毎の当該Ｎ本の導体パターンの第１グループおよび第２グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の当該検査処理毎に、前記Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第１グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第２グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、前記Ｍ個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第１処理を実行する絶縁検査装置。
2. 前記処理部は、前記第１処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンの存在を検出したときに、前記Ｍ個の基板に対して１個ずつ、前記グループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、当該１個の基板における当該検査処理の前記第１グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該１個の基板における当該検査処理の前記第２グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、当該１個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第２処理を実行する請求項１記載の絶縁検査装置。
3. 絶縁検査の対象となるＮ（４以上の整数）本の導体パターンが形成されたＭ（２以上の整数）個の同種の基板における（Ｍ×Ｎ）本の当該導体パターンと同時に接触する（Ｍ×Ｎ）本のプローブが配設された検査ヘッドを用いて、前記Ｍ個の基板についての前記導体パターンの絶縁状態を検査する絶縁検査方法であって、
   ｌｏｇ_２Ｎ以上であってｌｏｇ_２Ｎに最も近い回数Ｌａの検査処理の実行で１個の前記基板の前記Ｎ本の導体パターンを検査可能に第１回目から第Ｌａ回目の当該検査処理毎の当該Ｎ本の導体パターンの第１グループおよび第２グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、
   各回目の前記検査処理毎に、前記Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第１グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該Ｍ個の基板における当該検査処理の前記第２グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択し、前記一方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターンおよび前記他方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターン間の絶縁抵抗を測定し、
   前記各回目の前記検査処理毎に測定された前記絶縁抵抗に基づいて、前記Ｍ個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する絶縁検査方法。

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