JP2009239262A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 複数の第１の基板を、第２の基板に貼り合わせる複合基板の製造装置であって、
   前記第１の基板の背面を持着するトレイと、
   前記トレイが複数配設され、前記トレイの前記第１の基板を持着する面を鉛直下向きにして保持し、前記第１の基板の側面部を支持する第１のステージと、
   前記第１のステージと対向し、前記第２の基板の表面を鉛直上向きにして、前記第２の基板を持着する第２のステージと、
   前記第１の基板と前記第２の基板が近接するように、前記第１のステージと前記第２のステージを移動させるステージ駆動部と、
   前記第１の基板と前記第２の基板が近接した状態で、前記第１の基板の背面の一部に圧力を加える圧力付加機構とを有することを特徴とする複合基板の製造装置。
2. 請求項１において、
   前記圧力付加機構は前記第１のステージに設けられていることを特徴とする複合基板の製造装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   第１の搬送手段と、
   第２の搬送手段と、を有し、
   前記第１の搬送手段は、前記第１の基板を前記トレイに搬送する手段を有し、
   前記第２の搬送手段は、前記第２の基板を前記第２のステージに搬送する手段を有することを特徴とする複合基板の製造装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記トレイは回転する手段を有し、
   前記第１の基板の表面を、鉛直上向きに支持した状態から、反転させ、鉛直下向きに支持する手段を有することを特徴とする複合基板の製造装置。
5. 請求項１乃至請求４のいずれか一において、
   熱処理手段を有し、
   前記熱処理手段は、前記第１の基板と、前記第２の基板とを熱処理する手段を有することを特徴とする複合基板の製造装置。
6. 請求項５において、
   前記熱処理手段は加熱ガスの対流によるものであることを特徴とする複合基板の製造装置。
7. 請求項５において、
   前記熱処理手段はジュール熱にて加熱される発熱体からの輻射によるものであることを特徴とする複合基板の製造装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の基板表面、あるいは前記第２の基板表面、あるいはその両方を洗浄する手段を有することを特徴とする複合基板の製造装置。
9. 複数の第１の基板を、対応するトレイに、前記第１の基板表面を鉛直下向きとして配置し、
   第２の基板を第２のステージに、前記第２の基板の表面を鉛直上向きとして配置し、
   前記第１の基板を、前記トレイから離間し、前記第１の基板の側面を支持しつつ、前記第１の基板の一部に圧力を加え、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面との貼り合わせを行なうことを特徴とする複合基板の製造方法。
10. 請求項９において、
    前記第１の基板を、対応するトレイに、前記第１の基板表面を鉛直上向きとして配置した後に前記トレイを反転させ、
    複数の前記第１の基板を、対応するトレイに、前記第１の基板表面を鉛直下向きとして配置することを特徴とする複合基板の製造方法。
11. 請求項９または請求１０において、
    前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面との貼り合わせを行った後、前記第１の基板と前記第２の基板とに熱処理を施すことを特徴とする複合基板の製造方法。
12. 請求項１１において、
    前記熱処理の温度条件は１５０℃以上４５０℃以下であることを特徴とする複合基板の製造方法。
13. 請求項１２において、
    前記第１の基板と前記第２の基板とに熱処理を施した後、前記第１の基板の側面を支持しつつ、４００℃以上７５０℃以下の温度条件にて熱処理し、
    前記第１の基板を前記トレイにて支持し、前記第２の基板より分離することを特徴とする複合基板の製造方法。
14. 請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前に、前記第１の基板表面、あるいは前記第２の基板表面、あるいはその両方を洗浄することを特徴とする複合基板の製造方法。