JP2012118055A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 反応領域群の外周縁部の温度を制御する温度制御部を備える反応処理装置。
2. 前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、
   該第一の温度制御部と、平面状の第二の温度制御部と、からなる反応温度制御部を備え、
   前記第一の温度制御部と前記第二の温度制御部とは、該反応領域群を介して対向して配置される、請求項１記載の反応処理装置。
3. 前記第一の温度制御部の形状が、ロ字状である請求項２記載の反応処理装置。
4. 前記反応領域群が基板内に配設され、
   前記第一の温度制御部及び前記第二の温度制御部が、該基板と接する請求項２又は３記載の反応処理装置。
5. 前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び／又は内周部分の各辺に、切欠部を単数又は複数配置する請求項２〜４のいずれか一項に記載の反応処理装置。
6. 前記切欠部が、前記外周部分の隅に、及び／又は前記内周部分の各辺の中央部に、設けられている請求項５記載の反応処理装置。
7. 前記反応領域が、核酸増幅反応の反応場となるものであり、
   更に、該反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備える請求項１〜６のいずれか一項に記載の反応処理装置。
8. 前記温度制御部は、前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状である請求項１記載の反応処理装置。
9. 前記反応領域群が基板内に配設され、
   前記開口部を有する温度制御部が、該基板と接する請求項８記載の反応処理装置。
10. 前記開口部を有する温度制御部が、前記基板と、温度制御部からの熱の放出を抑制する断熱部との間に配置される請求項８又は９記載の反応処理装置。
11. 前記開口部を有する温度制御部は、遮光体に前記開口部が形成されたものであり、
    更に、前記反応領域に光を照射する照射部と、該反応領域からの光を検出する検出部とを備える請求項８〜１０のいずれか一項に記載の反応処理装置。
12. 前記開口部を有する温度制御部を２つ備え、該２つの温度制御部は、前記反応領域群を介して対向して配置される、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の反応処理装置。
13. 少なくとも反応領域群の外周縁部に配置される温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御することにより、前記反応領域群の温度制御を行う反応処理方法。
14. 前記温度制御部が、前記反応領域群の外周縁部に配置される第一の温度制御部であり、
    該第一の温度制御部と平面状の第二の温度制御部とが、反応領域を複数有する反応領域群を介して対向して配置され、該第一の温度制御部と該平面状の第二の温度制御部の協働により該反応領域群の温度制御を行う請求項１３記載の反応処理方法。
15. 前記第一の温度制御部の枠体部の外周部分及び／又は内周部分に切欠部を単数又は複数設けて、局所加熱を抑える請求項１４記載の反応処理方法。
16. 前記反応領域群にある各反応領域と対応する部分に光を通過する開口部を有する平板状の温度制御部にて、前記外周縁部の温度を制御しつつ、前記反応領域群の局所過熱を抑えることにより、反応領域群の温度制御を行う請求項１３記載の反応処理方法。