JP2009239041A - 高周波モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱衝撃による封止樹脂の剥離を防止することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュール１０は、配線基板１１と、配線基板１１の主面（上面）に実装されたＩＣチップを含む各種電子部品１２と、電子部品１２を覆うように配線基板１１上に設けられた封止樹脂１３とを備えている。配線基板１１の上面のうち、配線基板１１の外周に沿った一定幅の領域には粗面部１４が設けられている。粗面部１４は、配線基板１１の主面１１ａにおける他の領域よりも面の粗い領域であって、封止樹脂１３との密着度を高める役割を果たす。配線基板１１の主面のうち粗面部１４を形成すべき領域には、凹部が形成されている。これにより、粗面部１４を形成すべき領域の凹凸面に合わせて粗面部１４の表面も多少凹凸することから、封止樹脂１３との密着性をさらに高めることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂モールド構造を有する高周波モジュール及びその製造方法に関する。

高周波モジュールにおいては、配線基板上のチップ部品を樹脂モールドして保護する構造が一般的である。

図７は、従来の高周波モジュールの構造の一例を示す略斜視図である。

図７に示すように、この高周波モジュール３０は、セラミック材料からなる配線基板３１と、配線基板３１の主面に実装されたＩＣチップ３２ａを含む電子部品３２と、電子部品３２を含む配線基板３１の主面全体を覆う封止樹脂３３とを備えている。封止樹脂３３は、機械的なストレスや水分などから電子部品を物理的に保護する役割を果たすものである。電子部品３２は、配線基板上にリフロー実装され、対応する電極と電気的且つ機械的に接続されている。ＩＣチップ３２ａの端子は、ワイヤボンド配線を介して配線基板３１上の対応するパッドに接続されている。

高周波モジュールの配線基板が樹脂で密着され多層とされる場合、内層の電極の表面が平滑であると積層された絶縁層の剥離等の問題が発生するため、一般に、薬液等による化学処理や研磨等の物理処理によって、電極の表面を意図的に粗くする方法が知られている（特許文献１、２参照）。また、配線基板３１の上面のうち、ＩＣチップ３２ａと対向する位置に島状電極を形成し、島状電極の表面粗さを他の部分よりも小さくすることにより、島状電極とＩＣチップとの間の樹脂の流動性を向上させる方法も知られている（特許文献２参照）。
特開２００５−４５０１３号公報 特開２００７−３１７９５５号公報

図７に示した構造を有する従来の高周波モジュール３０は、熱衝撃によって封止樹脂３３と配線基板３１との界面が剥離し、これが原因となり電子部品３２のはんだ接合面が剥がれたり、ワイヤボンド配線が切断されたりするという問題がある。このような封止樹脂の剥離は、基板の外周付近において特に生じやすい。

本発明は上記課題を解決するものであり、本発明の目的は、熱衝撃による封止樹脂の剥離を防止することが可能な高周波モジュール及びその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明による高周波モジュールは、ガラス成分を含む低温焼成セラミック材料からなる配線基板と、配線基板の主面に実装された電子部品と、電子部品を含む配線基板の主面を覆う封止樹脂とを備え、配線基板の主面のうち配線基板の外周に沿った所定幅の領域には、主面の他の領域に比べて粗面化された粗面部が設けられていることを特徴とするものである。

本発明によれば、配線基板と封止樹脂との密着性を高めることができ、封止樹脂の剥離を確実に防止することができる。したがって、電子部品が封止樹脂と共に剥離することによる接触不良を防止することができ、信頼性の高い高周波モジュールを実現することができる。

本発明において、粗面部は、配線基板に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い融点又は軟化点を持つセラミック粒子を含む凸部形成材料を融着させてなる凸部を含むことが好ましい。セラミック基板はセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されるが、このときの焼成工程でセラミック粒子による粗面部を同時に形成することができる。すなわち、積層されたセラミックグリーンシートの最表面層の外周部のみに粗面化するためのセラミック粒子を塗布する工程を付加するだけで簡単に粗面部を形成することができる。

本発明において、凸部形成材料は、配線基板に含まれるガラス成分の軟化点よりも低い軟化点を持つガラス粒子をさらに含むことが好ましい。これによれば、粗面部を構成するガラス粒子又はセラミック粒子の固着強度を高めることができる。

本発明において、粗面部は、配線基板自身に形成された凹部を含むことが好ましい。この構成によれば、配線基板と粗面部との接着を強固にすることができる。また、粗面部の形成領域の凹凸面に合わせて粗面部の表面も多少凹凸することから、封止樹脂との密着性をさらに高めることができる。さらに、配線基板を多層構造とする場合には複数のセラミックグリーンシートを積層プレスする工程が必要となるが、その際にプレス面の一部に凹部の反転パターンが形成された金型を用いるだけで簡単に粗面部を形成することができる。

本発明において、電子部品は、ＩＣチップと、ＩＣチップよりも小型な受動素子のチップ部品を含み、受動素子のチップ部品は配線基板の主面のうち粗面部に近接した位置に実装されていることが好ましい。配線基板の外周付近に受動素子のチップ部品が実装されている場合には、封止樹脂の剥離によって受動素子のチップ部品の接続不良が生じやすい。しかし、本発明によれば、樹脂封止の剥離が防止されるので、受動素子のチップ部品の接続不良を防止することができる。

上記課題を解決するため、本発明による高周波モジュールの製造方法は、ガラス成分を含む低温焼成セラミック材料からなる配線基板の主面のうち、配線基板の外周に沿った所定幅の領域に、主面の他の領域に比べて粗面化された粗面部を形成する粗面部形成工程と、配線基板の主面に電子部品を実装する電子部品実装工程と、電子部品を含む配線基板の主面全体を封止樹脂する封止工程とを備えることを特徴とするものである。

本発明において、粗面部形成工程は、配線基板自身に凹部を形成する凹部形成工程を含むことが好ましい。この場合において、凹部形成工程は、複数のセラミックシートを積層プレスして多層構造の配線基板を形成する際に、凹部の反転パターンが形成された金型プレス面を用いて配線基板をプレスする工程を含むことが好ましい。配線基板を多層構造とする場合には複数のセラミックグリーンシートを積層プレスする工程が必要となるが、その際にプレス面の一部に凹部の反転パターンが形成された金型を用いるだけで粗面部を簡単に形成することができる。配線基板が単層構造の場合であっても、セラミックグリーンシートの焼成前に金型を用いてプレスするだけで凹部を形成できるため、特別な部材を付着させることなく簡単に粗面部を形成することができる。

本発明において、粗面部形成工程は、配線基板に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い融点又は軟化点を持つセラミック粒子を含む凸部形成材料を融着させる凸部形成工程を含むことが好ましい。この場合において、凸部形成材料は、配線基板に含まれるガラス成分の軟化点よりも低い軟化点を持つガラス粒子をさらに含むことが好ましい。セラミック基板はセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されるが、このときの焼成工程でガラス粒子やセラミック粒子による粗面部を同時に形成することができる。すなわち、積層されたセラミックグリーンシートの最表面層の外周部のみに粗面化するためのセラミック粒子を塗布する工程を付加するだけで簡便に粗面部を形成することができる。さらに、低軟化点ガラス粒子を含む場合には、粗面部を構成するガラス粒子又はセラミック粒子の固着強度を高めることができる。

このように、本発明よれば、熱衝撃による封止樹脂の剥離を防止することが可能な高周波モジュール及びその製造方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態による高周波モジュールの構造を透過的に示す斜視図である。また、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿った高周波モジュールの断面図である。

図１及び図２に示すように、この高周波モジュール１０は、配線基板１１と、配線基板１１の主面１１ａに実装された各種電子部品１２と、電子部品１２を覆うように配線基板１１上に設けられた封止樹脂１３とを備えている。

配線基板１１は、表層又は内層に導体パターンが印刷された多層配線基板である。多層配線基板としては、耐熱性・耐湿性に優れ、高周波特性の良好なセラミック基板であることが好ましく、ガラス成分を含むＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic：低温焼成セラミック）基板であることが特に好ましい。ＬＴＣＣは１０００℃以下での低温焼成が可能であるため、電気抵抗が低く高周波特性に優れたＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属材料を内部配線として使用でき、これにより抵抗損失の少ない配線パターンを実現できる。また、導体パターンを内層に形成できるので、多層化が容易であり、ＬＣ機能を内蔵することで小型化、高機能化が可能である。また、放熱性にも優れるため、パワーアンプ等の発熱性の高いＩＣチップの実装基板としても好適である。

図２に示すように、配線基板１１は多層構造を有し、内層には導体パターン１１ｃやビアホール導体１１ｄが形成されている。また、配線基板１１の主面１１ａには電子部品１２を実装するためのパッド１１ｅが設けられており、配線基板１１の底面１１ｂには端子電極１１ｆが設けられている。

電子部品１２は、ＩＣチップ１２ａや受動素子のチップ部品１２ｂを含む表面実装型のチップ部品である。受動素子のチップ部品１２ｂとしては、例えば、チップ抵抗、チップキャパシタ、チップインダクタ等を挙げることができる。これらの電子部品１２は、配線基板１１上のパッド１１ｅに半田接続されている。また特に、ＩＣチップ１２ａはワイヤボンド配線１１ｇを介して配線基板１１上のパッド１１ｅに接続されている。特に限定されるものではないが、ＩＣチップ１２ａは配線基板１１の中央部に配置されることが好ましく、受動素子のチップ部品１２ｂはＩＣチップ１２ａの周囲の適所に配置されることが好ましい。

封止樹脂１３は、配線基板１１上の電子部品１２を保護する役割を果たすものである。特に限定されるものではないが、封止樹脂１３の材料としては、エポキシ、ポリイミド、ポリエステル、シリコン等の熱硬化性樹脂を用いることができる。封止樹脂１３は、電子部品１２を含む配線基板１１の主面１１ａの全体を覆うように成形されている。

配線基板１１の上面のうち、配線基板１１の外周に沿った一定幅の領域には粗面部１４が設けられている。粗面部１４は、配線基板１１の主面１１ａにおける他の領域よりも表面粗さの大きい領域であって、封止樹脂１３との密着度を高める役割を果たすものである。粗面部１４の幅は、高周波モジュール１０の小型化・高機能化を考えると、数百μｍ程度であることが好ましい。粗面部１４の幅は、配線基板１１の外周に沿った各点において常に一定である必要はなく、電子部品１２のレイアウトに応じて適宜設定すればよい。また、外周に沿って常に連続的に形成されている必要はなく、必要に応じて部分的に除去されていても構わない。

粗面部１４は、配線基板１１の材料であるＬＴＣＣに含まれるガラス成分の軟化点よりも高い軟化点又は融点を持つセラミック粒子（凸部形成粒子）を配線基板１１上に融着させることにより形成することが好ましい。セラミック粒子としては、シリカガラス、高シリカ質のアルカリフリーガラス等の非晶質無機材料や、コージライト、クリストバライト、アルミナ、ジルコニア等の結晶質無機材料を挙げることができる。また、粗面化領域の幅方向に複数の凹凸が形成されることが好ましいため、凸部形成粒子の大きさは、配線基板１１を構成するセラミックの粒子径よりも大きいことが好ましく、数μｍ〜数十μｍであるこが好ましい。

凸部形成用粒子は配線基板１１に含まれるガラス成分により焼成時に基板表面上に固定されるが、焼成温度や基板組成等の違いにより、凸部形成粒子の固着強度が不十分となるおそれがあるが、この場合には、凸部形成粒子と共に低軟化点ガラス粒子を混ぜて塗布、焼成することが好ましい。低軟化点ガラス粒子は、ＬＴＣＣに含まれるガラス成分の軟化点よりも低い軟化点を持つガラス粒子であり、凸部形成粒子の固着強度を強くするのに用いられる。なお、軟化点が高すぎると固着強度の向上は見られず、低すぎると粗面化部分の耐化学性の劣化が著しいため、低軟化点ガラス粒子の軟化点は、配線基板１１を構成するガラス成分よりも５０〜１５０℃程度低いことが好ましい。また、低軟化点ガラス粒子は凸部形成粒子を基板に固着させるために用いるものであるため、凸部形成粒子よりも少量の添加で十分である。

図３は、配線基板１１の構造を示す略斜視図であって、粗面部１４や電子部品１２が取り除かれた状態を示している。

図３に示すように、配線基板１１の主面１１ａのうち粗面部１４を形成すべき領域には、凹部１１ｈが形成されている。本実施形態の凹部１１ｈは、直線状の細長いスリットが等間隔に配列されたものであるが、凹部１１ｈの形状は特に限定されるものではなく、曲線状のスリットであってもよく、メッシュ状であってもよく、ランダムに配置されたスリットであってもよい。また、規則的又はランダムに配置されたディンプルであってもよく、シボ加工された凹凸面であってもよい。このような凹部１１ｈは、その反転パターンが形成された金型プレス面を用いてプレスすることにより形成することできる。特に、セラミック多層基板においては、その製造工程において薄いセラミックシートの積層体を熱プレスする工程が必要となるが、この工程で上述の凹部１１ｈに対応する反転パターンが形成された金型プレス面を用いた熱プレスを行えば、工程を増やすことなく容易に凹部１１ｈを形成することができる。

本発明において凹部１１ｈを設けることは必須でないが、このような凹部１１ｈが形成されている場合には、粗面部１４を構成する高融点ガラス粒子や高融点セラミック粒子が凹部１１ｈに入り込み、凹部１１ｈに合わせて粗面部１４の表面がさらに凹凸することから、封止樹脂１３との密着性をさらに高めることができる。

また、本発明においては、凸部形成粒子からなる凸部を省略し、凹部１１ｈだけで粗面部１４を構成してもよい。この構成では、封止樹脂１３が凹部１１ｈ内に直接入り込むことから、封止樹脂１３と配線基板１１との接着を強固にすることができる。

以上説明したように、本実施形態の高周波モジュール１０によれば、配線基板１１の主面１１ａのうち外周に沿った領域に粗面部１４を備えていることから、封止樹脂１３と基板面との密着性を向上させることができ、熱衝撃による封止樹脂１３の剥離を防止することができる。さらに、封止樹脂１３の剥離が発生しなければ樹脂による熱応力が電子部品１２に集中しないことから、電子部品１２が配線基板１１から剥離することによる接続不良を防止することができる。したがって、熱衝撃に対して信頼性の高い高周波モジュールを提供することができる。

次に、本実施形態による高周波モジュール１０の製造方法について詳細に説明する。

図４は、高周波モジュール１０の製造工程を示すフローチャートである。

図４に示すように、高周波モジュール１０の製造では、まず支持体となるセラミック多層基板を作製する（ステップＳ１０１〜Ｓ１１０）。

セラミック多層基板の作製では、まず、ガラス・セラミック原料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤等を含む原料を混合して得られるスラリーを作製する（ステップＳ１０１）。ガラス・セラミック原料粉末としては、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＢａＯ−ＭｇＯガラス粉末にアルミナ粉末を所定の重量比で混合した組成物を用いることができる。さらに、材料の焼結性、線膨張を調整するためにＳｉＯ_２（α−石英、β−石英、クリストバライト等の結晶性のもの）粉末を添加しても良く、また、材料の比誘電率を上げるためにＴｉＯ_２、ＢａＴｉＯ_３等の高誘電率材料粉末を添加しても良い。また、有機バインダとしてはアクリル樹脂やポリビニルブチラールを用いることができ、可塑剤としてはフタル酸エステルやジ−ｎ−ブチルフタレートを用いることができ、溶剤としてはトルエンとエチルアルコールの混合液、或いはエチレンとイソプロピルアルコールとの混合液を用いることができる。

次に、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の支持シート上にスラリーを例えばドクターブレード法によって均一に塗布し、セラミックグリーンシートを作製する（ステップＳ１０２）。特に限定されるものではないが、中間層用のセラミックグリーンシートの厚みは焼成後に１５μｍ程度となるように設定され、最上層用及び最下層用のセラミックグリーンシートの厚みは焼成後に４０μｍ程度となるように設定される。

次に、セラミックグリーンシートの上下面を貫通する貫通孔を形成する（ステップＳ１０３）。貫通孔の形成方法としてはレーザ加工が好ましいが、パンチング、フォトリソグラフィ、ドリル加工等を用いることもできる。特に限定されるものではないが、貫通孔の直径は１０μｍ程度に設定される。

次に、セラミックグリーンシートの上面や貫通孔の内部に導電性ペーストを例えばスクリーン印刷によって充填して導体パターン及びビアホール導体を形成する（ステップＳ１０４）。導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇ、Ｃｕの少なくとも一種類を主成分とする金属粉体、ガラス粉末、有機溶剤等を混練したものを用いることができる。なお、焼結温度を調節する為にＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉ等の金属粉末を添加したり、ＡｇとＣｕとを混合したりすることもできる。その後、セラミックグリーンシートを支持シートから剥離することにより、導体パターン及びビアホール導体が形成されたセラミックグリーンシートが完成する。

こうして作製されたセラミックグリーンシートを複数枚用意し、これらを所定の順序で重ね合わせた後、１００〜３００℃の温度で熱プレスすることにより、セラミックグリーンシート積層体が完成する（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）。このとき、凸部が設けられた金型プレス面を用いて熱プレスすることにより、図５（ａ）に示すように、セラミックグリーンシート積層体２１の主面には凹部１１ｈが形成され、後に分割切断される格子状の境界線付近が粗面化された状態となる（粗面部形成工程）。

次に、図５（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート積層体２１の主面に凸部形成粒子を含むペースト（凸部形成材料）を印刷する（ステップＳ１０７）。詳細には、凸部形成用粒子及び低軟化点ガラス粒子を溶剤に分散させ、ペースト状にし、凹部１１ｈが形成されたセラミックグリーンシート積層体２１上の格子状の領域に印刷する。その後、セラミックグリーンシート積層体２１を脱バインダ処理し、７００〜１０００℃程度で焼成し、メッキ処理を行うことにより、集合基板としてのセラミック多層基板２２が完成する（ステップＳ１０８〜Ｓ１１０）。

次に、図６に示すように、集合基板としてのセラミック多層基板２２に各種電子部品１２を実装する（ステップＳ１１１：電子部品実装工程）。電子部品１２はリフロー工程により実装することができる。

次に、セラミック多層基板２２の上面全体に封止樹脂１３を成形する（ステップＳ１１２：封止工程）。詳細には、金型に収容されたセラミック多層基板２２の主面に熱硬化性樹脂を充填し、所定の温度で加熱することにより成形することができる。その後、セラミック多層基板２２を個々の高周波モジュールに切断することにより、上述の高周波モジュール１０が完成する（ステップＳ１１３）。

以上説明したように、本実施形態による高周波モジュールの製造方法は、集合基板の状態で粗面部１４を形成した後、これを個々の基板に分断することにより、高周波モジュール１０を完成させることから、粗面部１４の形成が極めて容易である。また、セラミックグリーンシート積層体を焼成する前に凸部形成粒子を含むペーストを印刷し、両者を同時に焼成することから、粗面部１４が形成された配線基板１１を効率よく製造することができる。さらに、セラミックグリーンシート積層体を熱プレスする際に凹部１１ｈの反転パターンを有する金型プレス面を用いることから、凹部１１ｈ形成のための専用の工程を追加することなく、配線基板１１上に凹部１１ｈを形成することができる。

以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明の範囲に包含されるものであることは言うまでもない。

例えば、上記実施形態においては、配線基板１１としてセラミック多層基板を例に挙げたが、セラミックの単層基板であっても構わない。

また、上記実施形態においては、高周波モジュールの製造工程の最終段階で集合基板を切断しているが、本発明は上記に限定されるものではなく、集合基板を個々の配線基板に切断した後、各配線基板に対して電子部品を実装し、樹脂封止することも可能である。

また、上記実施形態においては、粗面部１４が凸部形成粒子による凸部とセラミック多層基板自身に形成された凹部１１ｈとの組み合わせによって構成されているが、本発明はいずれか一方を適用するものであっても良い。すなわち、粗面部１４は、凸部形成粒子の融着のみならなるものであってもよく、凹部１１ｈのみならなるものであってもよい。粗面部１４が凸部形成粒子を含むペーストの融着のみからなる場合、図６における金型を用いたセラミックグリーンシートのプレス成形と同時に行われる凹部１１ｈの形成工程（ステップＳ１０６）を省略することができる（ただし、プレス成形自体は必要）。また、粗面部１４が凹部１１ｈのみならなる場合、図６における凸部形成粒子を含むペーストの印刷工程（ステップＳ１０７）を省略することができる。

本発明の好ましい実施形態による高周波モジュール１０の構造を透過的に示す斜視図である。 図１のＸ−Ｘ線に沿った高周波モジュール１０の断面図である。 配線基板１１の主面の構造を示す略斜視図であって、粗面部や電子部品が除去された状態を示している。 本発明の好ましい実施形態による高周波モジュール１０の製造工程を示すフローチャートである。 高周波モジュールの製造工程の一部を示す略斜視図であって（ａ）は凹部１１ｈを形成した状態、（ｂ）は粗面部１４を形成した状態を示している。 高周波モジュールの製造工程の一部を示す略斜視図であって、電子部品１２を実装した状態を示している。 従来の高周波モジュール３０の構造の一例を示す略斜視図である。

符号の説明

１０ 高周波モジュール
１１ 配線基板
１１ａ 配線基板の主面（上面）
１１ｂ 配線基板の底面
１１ｃ 導体パターン（配線パターン）
１１ｄ ビアホール導体
１１ｅ パッド
１１ｆ 端子電極
１１ｇ ワイヤボンド配線
１１ｈ 凹部
１２ 電子部品
１２ａ ＩＣチップ
１２ｂ チップ部品
１３ 封止樹脂
１４ 粗面部
２１ セラミックグリーンシート積層体
２２ セラミック多層基板
３０ 高周波モジュール
３１ 配線基板
３２ 電子部品
３２ａ ＩＣチップ
３３ 封止樹脂

Claims (10)

1. ガラス成分を含む低温焼成セラミック材料からなる配線基板と、前記配線基板の主面に実装された電子部品と、前記電子部品を含む前記配線基板の主面を覆う封止樹脂とを備え、
   前記配線基板の前記主面のうち前記配線基板の外周に沿った所定幅の領域には、前記主面の他の領域に比べて粗面化された粗面部が設けられていることを特徴とする高周波モジュール。
2. 前記粗面部は、前記ガラス成分の軟化点よりも高い融点又は軟化点を持つセラミック粒子を含む凸部形成材料を融着させてなる凸部を含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記凸部形成材料は、前記ガラス成分の軟化点よりも低い軟化点を持つガラス粒子をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 前記粗面部は、前記配線基板自身に形成された凹部を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
5. 前記電子部品は、ＩＣチップと、前記ＩＣチップよりも小型な受動素子のチップ部品を含み、前記受動素子のチップ部品は前記配線基板の主面のうち前記粗面部に近接した位置に実装されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
6. ガラス成分を含む低温焼成セラミック材料からなる配線基板の主面のうち、前記配線基板の外周に沿った所定幅の領域に、前記主面の他の領域に比べて粗面化された粗面部を形成する粗面部形成工程と、
   前記配線基板の前記主面に電子部品を実装する電子部品実装工程と、
   前記電子部品を含む前記配線基板の主面全体を封止樹脂する封止工程とを備えることを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
7. 前記粗面部形成工程は、前記配線基板自身に凹部を形成する凹部形成工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の高周波モジュールの製造方法。
8. 前記凹部形成工程は、複数のセラミックシートを積層プレスして多層構造の前記配線基板を形成する際に、前記凹部の反転パターンが形成された金型プレス面を用いて前記配線基板をプレスする工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
9. 前記粗面部形成工程は、前記ガラス成分の軟化点よりも高い融点又は軟化点を持つセラミック粒子を含む凸部形成材料を融着させる凸部形成工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の高周波モジュールの製造方法。
10. 前記凸部形成材料は、前記ガラス成分の軟化点よりも低い軟化点を持つガラス粒子をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の高周波モジュールの製造方法。

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