JP2000040774A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂製被覆材と絶縁基体との間に剥離が発生
し、半導体素子の気密封止が破れて半導体素子を長期間
にわたり安定に作動させることができない。 【解決手段】 上面に半導体素子３が搭載される搭載部
１ａを有するとともに半導体素子３の各電極を外部電気
回路に電気的に接続するための複数個の配線導体２が被
着された四角形状の絶縁基体１と、搭載部１ａに搭載さ
れ、各電極が配線導体２に電気的に接続された半導体素
子３と、半導体素子３および絶縁基体１上面を被覆し、
半導体素子３を気密に封止する樹脂製被覆材４とから成
る半導体装置であって、絶縁基体１は上面の少なくとも
４隅に凹部１ｂが形成されている。絶縁基体１の４隅で
発生した絶縁基体１と樹脂製被覆材４との間の剥離の進
行が凹部１ｂで有効に阻止される。
し、半導体素子の気密封止が破れて半導体素子を長期間
にわたり安定に作動させることができない。 【解決手段】 上面に半導体素子３が搭載される搭載部
１ａを有するとともに半導体素子３の各電極を外部電気
回路に電気的に接続するための複数個の配線導体２が被
着された四角形状の絶縁基体１と、搭載部１ａに搭載さ
れ、各電極が配線導体２に電気的に接続された半導体素
子３と、半導体素子３および絶縁基体１上面を被覆し、
半導体素子３を気密に封止する樹脂製被覆材４とから成
る半導体装置であって、絶縁基体１は上面の少なくとも
４隅に凹部１ｂが形成されている。絶縁基体１の４隅で
発生した絶縁基体１と樹脂製被覆材４との間の剥離の進
行が凹部１ｂで有効に阻止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ等の情
報処理装置に実装される半導体装置に関し、より詳細に
は、配線導体を有する絶縁基体上に半導体素子を搭載す
るともにこの半導体素子を樹脂製被覆材で被覆すること
により封止してなる樹脂封止型の半導体装置に関するも
のである。
報処理装置に実装される半導体装置に関し、より詳細に
は、配線導体を有する絶縁基体上に半導体素子を搭載す
るともにこの半導体素子を樹脂製被覆材で被覆すること
により封止してなる樹脂封止型の半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータ等の情報処理装置に
実装される樹脂封止型の半導体装置として、例えば酸化
アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ム
ライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体
・ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、上面
中央部に半導体素子を搭載するための搭載部を有すると
ともに搭載部から下面に導出する複数個の配線導体を有
する四角平板状の絶縁基体の搭載部に、下面に複数個の
電極を有する半導体素子をこれらの電極と絶縁基体の配
線導体とが半田や金等のバンプを介して接続されるよう
にして搭載するとともに、絶縁基体の上面に半導体素子
を覆うようにしてエポキシ樹脂等の樹脂から成る樹脂製
被覆材を被着させることにより半導体素子を気密に封止
して成る半導体装置が知られている。
実装される樹脂封止型の半導体装置として、例えば酸化
アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ム
ライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体
・ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、上面
中央部に半導体素子を搭載するための搭載部を有すると
ともに搭載部から下面に導出する複数個の配線導体を有
する四角平板状の絶縁基体の搭載部に、下面に複数個の
電極を有する半導体素子をこれらの電極と絶縁基体の配
線導体とが半田や金等のバンプを介して接続されるよう
にして搭載するとともに、絶縁基体の上面に半導体素子
を覆うようにしてエポキシ樹脂等の樹脂から成る樹脂製
被覆材を被着させることにより半導体素子を気密に封止
して成る半導体装置が知られている。
【０００３】かかる半導体装置は、配線導体の絶縁基体
下面に導出した部位を外部電気回路基板の接続用導体に
当接させ、配線導体と外部電気回路基板の接続用導体と
を半田を介して接合させることにより外部電気回路基板
上に実装され、同時に半導体素子の各電極が配線導体を
介して外部電気回路に電気的に接続されるようになって
いる。
下面に導出した部位を外部電気回路基板の接続用導体に
当接させ、配線導体と外部電気回路基板の接続用導体と
を半田を介して接合させることにより外部電気回路基板
上に実装され、同時に半導体素子の各電極が配線導体を
介して外部電気回路に電気的に接続されるようになって
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体装置は、絶縁基体を形成する酸化アルミニウ
ム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼
結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセ
ラミックス等の熱膨張係数が約４〜10×10-6／℃である
のに対し、半導体素子を気密に封止するエポキシ樹脂等
の樹脂から成る樹脂製被覆材の熱膨張係数が３×10-5／
℃で両者が大きく相違することから、絶縁基体と樹脂製
被覆材との両方に半導体素子が作動時に発生する熱等が
繰り返し印加されると、絶縁基体と樹脂製被覆材との熱
膨張係数の相違に起因して発生する大きな熱応力によっ
て絶縁基体と樹脂製被覆材との接合部、特に絶縁基体の
４隅の接合部に剥離が発生するとともにこれが絶縁基体
の中心部に向かって徐々に進行し、その結果、半導体素
子の気密封止が破れ、半導体素子を長期間にわたり安定
に作動させることがでせきないという欠点を有してい
た。
来の半導体装置は、絶縁基体を形成する酸化アルミニウ
ム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼
結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセ
ラミックス等の熱膨張係数が約４〜10×10-6／℃である
のに対し、半導体素子を気密に封止するエポキシ樹脂等
の樹脂から成る樹脂製被覆材の熱膨張係数が３×10-5／
℃で両者が大きく相違することから、絶縁基体と樹脂製
被覆材との両方に半導体素子が作動時に発生する熱等が
繰り返し印加されると、絶縁基体と樹脂製被覆材との熱
膨張係数の相違に起因して発生する大きな熱応力によっ
て絶縁基体と樹脂製被覆材との接合部、特に絶縁基体の
４隅の接合部に剥離が発生するとともにこれが絶縁基体
の中心部に向かって徐々に進行し、その結果、半導体素
子の気密封止が破れ、半導体素子を長期間にわたり安定
に作動させることがでせきないという欠点を有してい
た。
【０００５】また、樹脂製被覆材が絶縁基体より剥離す
る際に同時に配線導体の一部が絶縁基体より剥離し、配
線導体が断線して半導体素子の各電極と外部電気回路と
の電気的接続が絶たれてしまうという欠点も有してい
た。
る際に同時に配線導体の一部が絶縁基体より剥離し、配
線導体が断線して半導体素子の各電極と外部電気回路と
の電気的接続が絶たれてしまうという欠点も有してい
た。
【０００６】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので
あり、その目的は、絶縁基体と樹脂製被覆材とを強固に
接合させ、樹脂製被覆材による半導体素子の気密封止を
完全として半導体素子を長期間にわたり安定に作動させ
ることができ、かつ半導体素子の各電極を所定の外部電
気回路に確実に接続させることができる半導体装置を提
供することにある。
あり、その目的は、絶縁基体と樹脂製被覆材とを強固に
接合させ、樹脂製被覆材による半導体素子の気密封止を
完全として半導体素子を長期間にわたり安定に作動させ
ることができ、かつ半導体素子の各電極を所定の外部電
気回路に確実に接続させることができる半導体装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに
前記半導体素子の各電極を外部電気回路に電気的に接続
するための複数個の配線導体が被着された四角形状の絶
縁基体と、前記搭載部に搭載され、各電極が前記配線導
体に電気的に接続された半導体素子と、この半導体素子
および前記絶縁基体上面を被覆し、前記半導体素子を気
密に封止する樹脂製被覆材とから成る半導体装置であっ
て、前記絶縁基体は上面の少なくとも４隅に凹部が形成
されていることを特徴とするものである。
上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに
前記半導体素子の各電極を外部電気回路に電気的に接続
するための複数個の配線導体が被着された四角形状の絶
縁基体と、前記搭載部に搭載され、各電極が前記配線導
体に電気的に接続された半導体素子と、この半導体素子
および前記絶縁基体上面を被覆し、前記半導体素子を気
密に封止する樹脂製被覆材とから成る半導体装置であっ
て、前記絶縁基体は上面の少なくとも４隅に凹部が形成
されていることを特徴とするものである。
【０００８】また本発明の半導体装置は、前記凹部の深
さが0.05ｍｍ以上であることを特徴とするものである。
さが0.05ｍｍ以上であることを特徴とするものである。
【０００９】本発明の半導体装置によれば、四角形状を
なす絶縁基体の上面の少なくとも４隅に深さが例えば0.
05ｍｍ以上の凹部を形成したことから、絶縁基体と樹脂
製被覆材の熱膨張係数の相違に伴う熱応力によって絶縁
基体の４隅において絶縁基体と樹脂製被覆材との間に剥
離が発生したとしてもその剥離の進行は凹部で有効に阻
止され、その結果、樹脂製被覆材で半導体素子を常に確
実に気密封止することができ、半導体素子を長期間にわ
たり安定に作動させることが可能となる。
なす絶縁基体の上面の少なくとも４隅に深さが例えば0.
05ｍｍ以上の凹部を形成したことから、絶縁基体と樹脂
製被覆材の熱膨張係数の相違に伴う熱応力によって絶縁
基体の４隅において絶縁基体と樹脂製被覆材との間に剥
離が発生したとしてもその剥離の進行は凹部で有効に阻
止され、その結果、樹脂製被覆材で半導体素子を常に確
実に気密封止することができ、半導体素子を長期間にわ
たり安定に作動させることが可能となる。
【００１０】また同時に、配線導体が絶縁基体より剥離
して断線することも殆どなく、これによって半導体素子
の各電極は配線導体を介して外部電気回路に確実に電気
的に接続される。
して断線することも殆どなく、これによって半導体素子
の各電極は配線導体を介して外部電気回路に確実に電気
的に接続される。
【００１１】さらに、樹脂製被覆材が熱硬化や紫外線硬
化等により硬化する際には一般に収縮応力が発生し、表
面が平坦な絶縁基体においてはこの収縮応力のほとんど
が半導体素子に印加されてしまうため、その応力が大き
い場合には半導体素子の破損や電極と配線導体との接続
の破断等が生じることがあるが、本発明の配線基板によ
れば、絶縁基体の４隅に凹部を形成したことから、この
凹部が樹脂製被覆材に対していわゆるアンカー部として
も機能することとなり、収縮応力を絶縁基板側でも受け
ることができ、半導体素子への応力の印加を緩和するこ
とができる。
化等により硬化する際には一般に収縮応力が発生し、表
面が平坦な絶縁基体においてはこの収縮応力のほとんど
が半導体素子に印加されてしまうため、その応力が大き
い場合には半導体素子の破損や電極と配線導体との接続
の破断等が生じることがあるが、本発明の配線基板によ
れば、絶縁基体の４隅に凹部を形成したことから、この
凹部が樹脂製被覆材に対していわゆるアンカー部として
も機能することとなり、収縮応力を絶縁基板側でも受け
ることができ、半導体素子への応力の印加を緩和するこ
とができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の半導体装置の実施の形態の
一例を示す断面図であり、図２はその平面図である。こ
れらの図において、１は絶縁基体、２は配線導体、３は
半導体素子、４は樹脂製被覆材である。なお、図２にお
いては樹脂製被覆材４を除いた絶縁基体１の上面の様子
を示している。
一例を示す断面図であり、図２はその平面図である。こ
れらの図において、１は絶縁基体、２は配線導体、３は
半導体素子、４は樹脂製被覆材である。なお、図２にお
いては樹脂製被覆材４を除いた絶縁基体１の上面の様子
を示している。
【００１４】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス
等の電気絶縁材料から成る略四角形状の平板であり、そ
の上面中央部に半導体素子３を搭載するための搭載部１
ａを有しており、この搭載部１ａには半導体素子３が搭
載されている。
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス
等の電気絶縁材料から成る略四角形状の平板であり、そ
の上面中央部に半導体素子３を搭載するための搭載部１
ａを有しており、この搭載部１ａには半導体素子３が搭
載されている。
【００１５】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化
珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末
に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加
混合して泥漿物を作るとともに、この泥漿物を従来周知
のドクターブレード法等のシート成形法を採用してセラ
ミックググリーンシートとなした後、このセラミックグ
リーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれ
を複数枚積層し、約1600℃の温度で焼成することによっ
て製作される。
焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化
珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末
に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加
混合して泥漿物を作るとともに、この泥漿物を従来周知
のドクターブレード法等のシート成形法を採用してセラ
ミックググリーンシートとなした後、このセラミックグ
リーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれ
を複数枚積層し、約1600℃の温度で焼成することによっ
て製作される。
【００１６】また、絶縁基体１は、その搭載部１ａ上面
から下面にかけて導出するタングステンやモリブデン・
銅・銀等の金属粉末焼結体から成る配線導体２が被着さ
れている。
から下面にかけて導出するタングステンやモリブデン・
銅・銀等の金属粉末焼結体から成る配線導体２が被着さ
れている。
【００１７】この配線導体２は、半導体素子３の各電極
を外部電気回路に電気的に接続するための導電路として
機能し、その搭載部１ａの部位には半導体素子３の各電
極が金や半田等から成るバンプ５を介して接続される。
また、その絶縁基体１の下面に導出した部位は外部電気
回路基板の接続用導体に半田を介して接続される。
を外部電気回路に電気的に接続するための導電路として
機能し、その搭載部１ａの部位には半導体素子３の各電
極が金や半田等から成るバンプ５を介して接続される。
また、その絶縁基体１の下面に導出した部位は外部電気
回路基板の接続用導体に半田を介して接続される。
【００１８】なお、配線導体２は、例えばタングステン
から成る場合、タングステン粉末に適当な有機バインダ
・溶剤・可塑剤を添加混合して得た導体ペーストを絶縁
基体１と成るセラミックグリーンシートに所定パターン
に印刷塗布しておき、これを絶縁基体１となるセラミッ
クグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁
基体１の搭載部１ａから下面にかけて導出するように被
着形成される。
から成る場合、タングステン粉末に適当な有機バインダ
・溶剤・可塑剤を添加混合して得た導体ペーストを絶縁
基体１と成るセラミックグリーンシートに所定パターン
に印刷塗布しておき、これを絶縁基体１となるセラミッ
クグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁
基体１の搭載部１ａから下面にかけて導出するように被
着形成される。
【００１９】また、配線導体２が被着された絶縁基体１
は、その搭載部１ａに半導体素子３が搭載された後、絶
縁基体１上面および半導体素子３表面に樹脂製被覆材４
が被着されて製品としての半導体装置が完成する。
は、その搭載部１ａに半導体素子３が搭載された後、絶
縁基体１上面および半導体素子３表面に樹脂製被覆材４
が被着されて製品としての半導体装置が完成する。
【００２０】樹脂製被覆材４は、エポキシ樹脂等の有機
樹脂から成り、例えば液状のエポキシ樹脂前駆体を半導
体素子３の表面および半導体素子３が搭載されている絶
縁基体１の上面に滴下するとともにこれを所定の温度
（約150 ℃）で熱処理し、エポキシ樹脂前駆体を熱硬化
させることによって半導体素子３を気密に封止するよう
に形成される。
樹脂から成り、例えば液状のエポキシ樹脂前駆体を半導
体素子３の表面および半導体素子３が搭載されている絶
縁基体１の上面に滴下するとともにこれを所定の温度
（約150 ℃）で熱処理し、エポキシ樹脂前駆体を熱硬化
させることによって半導体素子３を気密に封止するよう
に形成される。
【００２１】かかる半導体装置は、配線導体２の絶縁基
体１の下面に導出した部位を外部電気回路基板の接続用
導体に当接させ、配線導体２と外部電気回路基板の接続
用導体とを半田を介して接合させることによって外部電
気回路基板上に実装され、同時に、半導体素子３の各電
極が配線導体２を介して外部電気回路に電気的に接続さ
れるようになっている。
体１の下面に導出した部位を外部電気回路基板の接続用
導体に当接させ、配線導体２と外部電気回路基板の接続
用導体とを半田を介して接合させることによって外部電
気回路基板上に実装され、同時に、半導体素子３の各電
極が配線導体２を介して外部電気回路に電気的に接続さ
れるようになっている。
【００２２】本発明の半導体装置においては、絶縁基体
１上面の少なくとも４隅に凹部１ｂを形成しておくこと
が重要である。
１上面の少なくとも４隅に凹部１ｂを形成しておくこと
が重要である。
【００２３】凹部１ｂは、例えば上面視の形状が直径0.
5 〜2.0 ｍｍ程度の円形で深さが0.05〜0.5 ｍｍ程度の
凹部であり、絶縁基体１の４隅において絶縁基体１と樹
脂製被覆材４との間に発生した剥離が絶縁基体１の中心
部に向かって進行するのを阻止する作用をなし、絶縁基
体１と樹脂製被覆材４との熱膨張係数の相違に起因して
発生する熱応力によって絶縁基体１の４隅で絶縁基体１
と樹脂製被覆材４との間に剥離が発生したとしても、そ
の剥離は凹部１ｂによって絶縁基体１の中心部に進行す
ることはない。その結果、半導体素子３を樹脂製被覆材
４で常に確実に気密封止することができ、半導体素子３
を長期間にわたり安定に作動させることが可能となる。
5 〜2.0 ｍｍ程度の円形で深さが0.05〜0.5 ｍｍ程度の
凹部であり、絶縁基体１の４隅において絶縁基体１と樹
脂製被覆材４との間に発生した剥離が絶縁基体１の中心
部に向かって進行するのを阻止する作用をなし、絶縁基
体１と樹脂製被覆材４との熱膨張係数の相違に起因して
発生する熱応力によって絶縁基体１の４隅で絶縁基体１
と樹脂製被覆材４との間に剥離が発生したとしても、そ
の剥離は凹部１ｂによって絶縁基体１の中心部に進行す
ることはない。その結果、半導体素子３を樹脂製被覆材
４で常に確実に気密封止することができ、半導体素子３
を長期間にわたり安定に作動させることが可能となる。
【００２４】また同時に、樹脂製被覆材４と絶縁基体１
との剥離に伴って発生する配線導体２の絶縁基体１から
の剥離も有効に防止することができ、配線導体２の断線
をほとんどなくして半導体素子３の各電極を配線導体２
を介して所定の外部電気回路に確実に電気的に接続する
こともできる。
との剥離に伴って発生する配線導体２の絶縁基体１から
の剥離も有効に防止することができ、配線導体２の断線
をほとんどなくして半導体素子３の各電極を配線導体２
を介して所定の外部電気回路に確実に電気的に接続する
こともできる。
【００２５】さらに、凹部１ｂは樹脂製被覆材４の絶縁
基体１に対するアンカー部を形成する作用もなし、樹脂
製被覆材４の硬化時に収縮応力が発生しても、その応力
の半導体素子３への印加を緩和することもできる。
基体１に対するアンカー部を形成する作用もなし、樹脂
製被覆材４の硬化時に収縮応力が発生しても、その応力
の半導体素子３への印加を緩和することもできる。
【００２６】凹部１ｂは、その深さが0.05ｍｍ未満とな
ると、絶縁基体１と樹脂製被覆材４との間に発生した剥
離が絶縁基体１の中心部に向かって進行するのを有効に
防止することができず、半導体素子５を樹脂製被覆材４
で完全に気密封止することができなくなる危険性があ
る。従って、凹部１ｂの深さは0.05ｍｍ以上としておく
ことが好ましい。
ると、絶縁基体１と樹脂製被覆材４との間に発生した剥
離が絶縁基体１の中心部に向かって進行するのを有効に
防止することができず、半導体素子５を樹脂製被覆材４
で完全に気密封止することができなくなる危険性があ
る。従って、凹部１ｂの深さは0.05ｍｍ以上としておく
ことが好ましい。
【００２７】また、凹部１ｂはその幅および長さまたは
直径が0.5 ｍｍ以下であると、凹部１ｂ内に樹脂製被覆
材４が良好に充填されなくなり、やはり絶縁基体１と樹
脂製被覆材４との間に発生した剥離が絶縁基体１の中心
部に向かって進行するのを有効に防止することができな
くなって、半導体素子３を樹脂製被覆材４で完全に気密
封止することができなくなる危険性がある。従って、凹
部１ｂの幅および長さまたは直径は0.5 ｍｍ以上として
おくことが好ましい。
直径が0.5 ｍｍ以下であると、凹部１ｂ内に樹脂製被覆
材４が良好に充填されなくなり、やはり絶縁基体１と樹
脂製被覆材４との間に発生した剥離が絶縁基体１の中心
部に向かって進行するのを有効に防止することができな
くなって、半導体素子３を樹脂製被覆材４で完全に気密
封止することができなくなる危険性がある。従って、凹
部１ｂの幅および長さまたは直径は0.5 ｍｍ以上として
おくことが好ましい。
【００２８】さらに、凹部１ｂはその底面の幅をその開
口の幅よりも大きなものとしておくと、凹部１ｂ内に樹
脂製被覆材４を強固に係止して絶縁基体１と樹脂製被覆
材４との間に発生した剥離が絶縁基体１の中心部に向か
って進行するのをより有効に防止することができる。ま
た、樹脂製被覆材４に対するアンカー効果がより高めら
れ、樹脂製被覆材４の収縮応力の半導体素子３への印加
をより有効に緩和することができる。従って、凹部１ｂ
はその底面の幅をその開口の幅よりも大きなものとして
おくことが好ましい。
口の幅よりも大きなものとしておくと、凹部１ｂ内に樹
脂製被覆材４を強固に係止して絶縁基体１と樹脂製被覆
材４との間に発生した剥離が絶縁基体１の中心部に向か
って進行するのをより有効に防止することができる。ま
た、樹脂製被覆材４に対するアンカー効果がより高めら
れ、樹脂製被覆材４の収縮応力の半導体素子３への印加
をより有効に緩和することができる。従って、凹部１ｂ
はその底面の幅をその開口の幅よりも大きなものとして
おくことが好ましい。
【００２９】凹部１ｂは、絶縁基体１の上面に研削加工
を施すことによって、あるいは焼成によって絶縁基体１
となる複数枚のセラミックグリーンシートのうち最上部
に配されるセラミックグリーンシートの少なくとも４隅
に予めプレス打ち抜き加工により貫通孔を形成しておく
ことによって、所定深さ・所定形状に形成される。
を施すことによって、あるいは焼成によって絶縁基体１
となる複数枚のセラミックグリーンシートのうち最上部
に配されるセラミックグリーンシートの少なくとも４隅
に予めプレス打ち抜き加工により貫通孔を形成しておく
ことによって、所定深さ・所定形状に形成される。
【００３０】なお、本発明は上述の実施の形態の一例に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実
施の形態の一例では絶縁基体１の上面の４隅に設けた凹
部１ｂは上面視の形状が円形であったが、この形状は円
形に限らず、楕円形・三角形・四角形・多角形等の様々
な形状が採用され得る。
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実
施の形態の一例では絶縁基体１の上面の４隅に設けた凹
部１ｂは上面視の形状が円形であったが、この形状は円
形に限らず、楕円形・三角形・四角形・多角形等の様々
な形状が採用され得る。
【００３１】また、その形成位置も絶縁基体１の上面の
４隅のみに限られず、絶縁基体１の上面の外周部全周に
わたり溝状に形成されていてもよい。
４隅のみに限られず、絶縁基体１の上面の外周部全周に
わたり溝状に形成されていてもよい。
【００３２】さらに、上述の実施の形態の一例では半導
体素子３の各電極と配線導体２とを接続する電気的接続
手段として半田や金等から成る金属バンプ５を使用した
が、これに代えてアルミニウムや金等から成るボンディ
ングワイヤを使用してもよい。
体素子３の各電極と配線導体２とを接続する電気的接続
手段として半田や金等から成る金属バンプ５を使用した
が、これに代えてアルミニウムや金等から成るボンディ
ングワイヤを使用してもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、四角形状
をなす絶縁基体の上面の少なくとも４隅に深さが例えば
0.05ｍｍ以上の凹部を形成したことから、絶縁基体と樹
脂製被覆材との熱膨張係数の相違に伴う熱応力によって
絶縁基体の４隅において絶縁基体と樹脂製被覆材との間
に剥離が発生したとしてもその剥離の進行は絶縁基体上
面の４隅に形成した凹部で有効に阻止され、その結果、
樹脂製被覆材で半導体素子を常に確実に気密封止するこ
とができ、半導体素子を長期間にわたり安定に作動させ
ることが可能となる。
をなす絶縁基体の上面の少なくとも４隅に深さが例えば
0.05ｍｍ以上の凹部を形成したことから、絶縁基体と樹
脂製被覆材との熱膨張係数の相違に伴う熱応力によって
絶縁基体の４隅において絶縁基体と樹脂製被覆材との間
に剥離が発生したとしてもその剥離の進行は絶縁基体上
面の４隅に形成した凹部で有効に阻止され、その結果、
樹脂製被覆材で半導体素子を常に確実に気密封止するこ
とができ、半導体素子を長期間にわたり安定に作動させ
ることが可能となる。
【００３４】また同時に、配線導体が絶縁基体より剥離
して断線することがなく、これによって半導体素子の各
電極は配線導体を介して所定の外部電気回路に確実に電
気的に接続される。
して断線することがなく、これによって半導体素子の各
電極は配線導体を介して所定の外部電気回路に確実に電
気的に接続される。
【００３５】さらに、樹脂製被覆材が硬化する際の収縮
応力の半導体素子への印加を緩和することもできる。
応力の半導体素子への印加を緩和することもできる。
【図１】本発明の半導体装置の実施の形態の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の実施の形態の一例を示す
平面図である。
平面図である。
１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・搭載部 １ｂ・・・・凹部 ２・・・・・・配線導体 ３・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・樹脂製被覆材
Claims (2)
- 【請求項１】 上面に半導体素子が搭載される搭載部を
有するとともに前記半導体素子の各電極を外部電気回路
に電気的に接続するための複数個の配線導体が被着され
た四角形状の絶縁基体と、前記搭載部に搭載され、各電
極が前記配線導体に電気的に接続された半導体素子と、
該半導体素子および前記絶縁基体上面を被覆し、前記半
導体素子を気密に封止する樹脂製被覆材とから成る半導
体装置であって、前記絶縁基体は上面の少なくとも４隅
に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記凹部の深さが０．０５ｍｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976898A JP2000040774A (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976898A JP2000040774A (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040774A true JP2000040774A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16578303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20976898A Pending JP2000040774A (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000040774A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267458A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | New Japan Radio Co Ltd | セラミック集合基板、これを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| JP2001291792A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2008177461A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| JP2008192413A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Nec Tokin Corp | 保護回路モジュール |
| JP2008244044A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
| JP2009239041A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 高周波モジュール及びその製造方法 |
| JP2012227337A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
| JP2013042156A (ja) * | 2012-10-02 | 2013-02-28 | Denso Corp | 電子装置の製造方法 |
| JP2014192347A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 樹脂封止型電子機器およびそれを備えた電子装置 |
| JP2016213422A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | 株式会社伸光製作所 | プリント配線板及びその製造方法 |
| WO2017179448A1 (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置 |
| CN111952203A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-11-17 | 山东砚鼎电子科技有限公司 | 一种指纹识别封装及其形成方法 |
-
1998
- 1998-07-24 JP JP20976898A patent/JP2000040774A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040519 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |