JP2009216862A - 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 208
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 104
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 claims description 2
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005162 X-ray Laue diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis[(2,5-ditert-butylphenyl)carbamoyl]perylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)C)C(NC(=O)C=2C(=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC(=C(C3=4)C=2C(O)=O)C(O)=O)C(=O)NC=2C(=CC=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTKBQIBPJUNAHU-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol prop-2-enoic acid Chemical compound C(C=C)(=O)O.C(C=C)(=O)O.C(C=C)(=O)O.C(O)C(C=C)(CO)CO HTKBQIBPJUNAHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- JRLALOMYZVOMRI-UHFFFAOYSA-N BPPC Chemical compound BPPC JRLALOMYZVOMRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLISIFFIBBESMN-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)O.C(C=C)(=O)O.C(C=C)(=O)O.C=CC Chemical class C(C=C)(=O)O.C(C=C)(=O)O.C(C=C)(=O)O.C=CC HLISIFFIBBESMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003943 azolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明による光取り出し層は
反射層と、前記反射層上に形成された3次元回折層とを具備してなる。ここで、前記3次元回折層は、変動係数が10%以下の微粒子と、前記微粒子と屈折率の異なるマトリックスからなり、前記微粒子の3次元回折層の体積に対する体積分率が50%以上であり、前記微粒子が配列して短距離周期性を有する第一の領域を形成し、さらにその第一の領域がランダムな向きで隣接して集合した第二の領域を形成している。さらに本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は前記の光取り出し層を具備してなるものである。
【選択図】図1
Description
前記光取り出し層が、基板側に設けられた波長550nmにおける反射率が80%以上の反射率を有する反射層と、前記発光側に設けられた平均粒子径200〜800nmで変動係数が10%以下の微粒子および前記微粒子と屈折率の異なるマトリックスを含む3次元回折層とを備え、前記微粒子の3次元回折層の体積に対する体積分率が50%以上であり、前記3次元回折層は微粒子が厚さ方向に2〜30層堆積して配列し、短距離周期性を有する第一の領域を形成し、さらにその第一の領域がランダムな向きで隣接して集合した第二の領域を形成していることを特徴とするものである。
I(K)=F(K)・F(−K)・Ga2(K)・Gb2(K)・Gc2(K) (2)
Ga2(K)=sin2[π(2Na+1)(K・a)]/sin2[π(K・a)] (3)
Gb2(K)=sin2[π(2Nb+1)(K・b)]/sin2[π(K・b)] (4)
Gb2(K)=sin2[π(2Nc+1)(K・c)]/sin2[π(K・c)] (5)
3次元回折層がシリカなどの微粒子とアクリルポリマーなどのマトリックスからなるものである場合には、マトリックスの原料、例えばアクリルモノマー、を必要に応じて有機溶媒などに溶解させ、それに微粒子を分散させた組成物を準備し、それを反射層の上に塗布し、さらにマトリックスを硬化させることで3次元回折層を形成させることができる。このとき、塗布後の塗布膜中で微粒子が比較的高密度で堆積する際に、結晶構造を形成する原子のように配列する。このように微粒子が所望の配列となるようにするには、マトリックスに対する微粒子の含有率が比較的高いことが好ましい。具体的には50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましい。
さらには、微粒子を含む組成物を塗布した後、組成物の媒体のみを除去することにより、微粒子と、マトリックスとしての空気からなる3次元回折構造を形成させることができる。
基板として、ガラス基板(ショット日本株式会社製TEMPAX Float、屈折率1.48)を用意した。ガラス基板上に、バッファー層としてITOを10nmスパッタした後、反射層として銀を200nmスパッタし、反射層の保護膜として、さらにITOを10nmスパッタした。3官能アクリルモノマー(Aldrich社製、ETPTA:Ethoxylated trimetylolpropane triacrylate、n=1.47)中に、シランカップリング剤によって粒子表面をアクリル基により表面修飾されたシリカ粒子(扶桑化学工業株式会社製PL−30(商品名)、平均粒子径380nm、CV値5%、n=1.42)を体積分率で60%分散させた分散液を用意した。この分散液を、基板上に回転数2000rpmでスピンコート製膜した。マトリックスを構成するアクリルモノマーを熱重合させるため、150℃のホットプレート上で1時間ベーク処理を行って、シリカ粒子とアクリルポリマーマトリックスからなる3次元回折層を形成させた。この基板の断面をFE−SEM(電界放射走査型電子顕微鏡)で観察したところ、粒子層数20層の、微粒子がほぼ結晶構造のように配列された多粒子層が形成されていることが確認できた(図6)。この3次元回折層とその下の反射層とにより本発明による光取り出し層が構成されている。さらに、その表面に平坦化層としてSiOを200nmの厚さで蒸着した後、ITOをスパッタ法により100nmの膜厚で成膜して、陽極を形成させた。さらに、α−NPDを真空蒸着法にて50nm堆積させて正孔輸送層を形成させた後、Alq3を真空蒸着法により80nm堆積させて活性層を形成させた。最後に、マグネシウム−銀合金を蒸着速度比10:1で真空蒸着法により15nmの膜厚で共蒸着して陰極を形成させた後、ITOを200nmスパッタ製膜した発光層を形成させた。真空中でガラス缶により封止を行い、トップエミッション型の有機EL素子が得られた。
実施例1と同様にして、基板上に3次元回折層を形成させた。その後、基板を5%フッ酸水溶液中に5分間浸漬した後、流水洗浄を15分間行い、多粒子層を形成しているシリカ粒子のみを除去した。得られた基板の断面をSEM観察したところ、シリカ粒子のみがきれいに除去されており、アクリルポリマーからなるマトリックスと空気からなる微粒子とからなる3次元回折層が形成されていた(図7)。さらに、この3次元回折層の上に、実施例1と同様の方法で、発光層を形成させた。さらに真空中でガラス缶により封止を行い、トップエミッション型の有機EL素子が得られた。
3官能アクリルモノマーをTrimethylolepropane triacrylate(Aldrich社製、n=1.47)に変更した以外は実施例1と同様の方法で、シリカ粒子分散液を、基板上に回転数2000rpmでスピンコート製膜した。アクリルモノマーを揮発させるため、150℃のホットプレート上で1時間ベーク処理を行って、シリカ粒子と空気とからなる3次元回折層を形成させた。ここで空気は3次元回折層のマトリックスである。この基板の断面をFE−SEMで観察したところ、粒子層数15層の、微粒子がほぼ結晶構造のように配列された多粒子層が形成されていることが確認できた(図8)。この3次元回折層とその下の反射層とにより本発明による光取り出し層が構成されている。さらにこの3次元回折層の上に実施例1と同様の方法で発光層を形成した。真空中でガラス缶により封止を行い、トップエミッション型の有機EL素子が得られた。
3次元回折層を形成させない以外は、実施例1と同様の手法により、比較例1の有機EL素子を作製した。
2 反射層
3 微粒子
4 マトリックス
5 第一の電極
6 有機層
7 第二の電極
8 光取り出し層
9 発光部
10 3次元回折構造
11 第一の領域
12 第二の領域。
Claims (15)
- 反射層と、前記反射層上に形成された、変動係数が10%以下の微粒子および前記微粒子と屈折率の異なるマトリックスを含む3次元回折層とを備え、前記微粒子の3次元回折層の体積に対する体積分率が50%以上であり、前記微粒子が配列して短距離周期性を有する第一の領域を形成し、さらにその第一の領域がランダムな向きで隣接して集合した第二の領域を形成していることを特徴とする、光取り出し層。
- 微粒子の平均粒子径が200〜800nmである、請求項1に記載の光取り出し層。
- 前記第一の領域において、微粒子が厚さ方向に堆積し、2層以上30層以下の層を形成している、請求項1または2に記載の光取り出し層。
- 前記微粒子が、シリカ、アルミナ、チタニア、酸化亜鉛、酸化サマリウム、ジルコニア、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記微粒子が、マトリックス中に配列された気泡である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記マトリックスが有機高分子材料である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記マトリックスが、前記微粒子とは屈折率が異なる無機材料である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記マトリックスが、空気である請求項1〜4のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記微粒子と、前記マトリックスとの屈折率の差が0.02以上である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記微粒子が、第一の領域において粒子配列の基本並進ベクトル方向に対して、連続して5〜5000個配列されている、請求項1〜9のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記反射層の波長550nmにおける反射率が80%以上である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 前記反射層が、金属およびその合金から選択される材質からなるものである、請求項1〜11のいずれか1項に記載の光取り出し層。
- 基板と、前記基板上に設けられた光取り出し層と、前記光取り出し層上に設けられた、第一の電極と第二の電極で少なくとも1層以上の有機層を挟持してなる発光層と、を具備してなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記光取り出し層が、前記基板側に設けられた反射層と、前記発光層側に設けられた、変動係数が10%以下の微粒子および前記微粒子と屈折率の異なるマトリックスを含む3次元回折層とを備え、前記微粒子の3次元回折層の体積に対する体積分率が50%以上であり、前記微粒子が配列して短距離周期性を有する第一の領域を形成し、さらにその第一の領域がランダムな向きで隣接して集合した第二の領域を形成していることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記光取り出し層と前記発光層との間に、平坦化層をさらに具備してなる、請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 基板と、前記基板上に設けられた光取り出し層と、前記光取り出し層上に設けられた、第一の電極と第二の電極で少なくとも1層以上の有機層を挟持してなる発光層と、を具備してなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記光取り出し層が、基板側に設けられた波長550nmにおける反射率が80%以上の反射率を有する反射層と、前記発光側に設けられ平均粒子径200〜800nmで変動係数が10%以下の微粒子および前記微粒子と屈折率の異なるマトリックスを含む3次元回折層とを備え、前記微粒子の3次元回折層の体積に対する体積分率が50%以上であり、前記3次元回折層は微粒子が厚さ方向に2〜30層堆積して配列し、短距離周期性を有する第一の領域を形成し、さらにその第一の領域がランダムな向きで隣接して集合した第二の領域を形成していることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008059224A JP5214284B2 (ja) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US12/346,937 US8355204B2 (en) | 2008-03-10 | 2008-12-31 | Light-extraction layer of light-emitting device and organic electroluminescence element employing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008059224A JP5214284B2 (ja) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009216862A true JP2009216862A (ja) | 2009-09-24 |
JP2009216862A5 JP2009216862A5 (ja) | 2010-12-02 |
JP5214284B2 JP5214284B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=41052896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008059224A Expired - Fee Related JP5214284B2 (ja) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8355204B2 (ja) |
JP (1) | JP5214284B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011203701A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-10-13 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 回折格子基板 |
JP2011222421A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 発光デバイス |
WO2013021865A1 (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 株式会社 きもと | 有機el用散乱フィルム及びこれを用いた有機el発光装置 |
JP5263460B1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-08-14 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
WO2013161001A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機el発光素子 |
KR101335642B1 (ko) * | 2012-02-13 | 2013-12-03 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2014067503A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子および発光装置 |
KR101468972B1 (ko) * | 2013-06-04 | 2014-12-04 | 코닝정밀소재 주식회사 | 광산란층이 형성된 기판의 제조방법과 이에 의해 제조된 광산란층이 형성된 기판, 및 상기 광산란층이 형성된 기판을 포함하는 유기발광소자 |
JP2015022794A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2015022795A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
US9018620B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2015514294A (ja) * | 2012-03-23 | 2015-05-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
JP2015518631A (ja) * | 2012-03-30 | 2015-07-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電子素子用基板 |
KR20160137958A (ko) | 2014-03-28 | 2016-12-02 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 표면조화방법 |
JPWO2014118936A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | パイオニア株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
KR20180053656A (ko) | 2015-09-15 | 2018-05-23 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 습식처리에 의한 표면조화방법 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI393283B (zh) * | 2008-12-04 | 2013-04-11 | Univ Nat Chiao Tung | 有機光電元件 |
JP2010205650A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置 |
US9312436B2 (en) * | 2011-05-16 | 2016-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
US9853220B2 (en) | 2011-09-12 | 2017-12-26 | Nitto Denko Corporation | Efficient organic light-emitting diodes and fabrication of the same |
WO2013128883A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 三菱電機株式会社 | スクリーン、光学素子及び表示装置 |
CN104247053B (zh) * | 2012-03-23 | 2017-03-08 | 夏普株式会社 | 半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 |
IN2012DE00891A (ja) * | 2012-03-27 | 2015-09-11 | Moser Baer India Ltd | |
CN108878685A (zh) * | 2012-08-22 | 2018-11-23 | 3M创新有限公司 | 透明oled光提取 |
TWI506836B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-11-01 | Lg Chemical Ltd | 透明導電膜及包含其之有機發光裝置 |
CN104009182A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104009170A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104009183A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
TWI481084B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-04-11 | Univ Nat Taiwan | 光學裝置及其製作方法 |
KR101493601B1 (ko) * | 2013-07-17 | 2015-02-13 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 |
CN108139521B (zh) * | 2015-09-29 | 2021-01-12 | 苹果公司 | 具有结构化光学外观的表面 |
CN110767692B (zh) * | 2018-12-14 | 2022-03-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003089896A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Ricoh Co Ltd | 微粒子配列方法および該方法によって製作された微粒子配列装置 |
JP2005063839A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機el表示装置 |
JP2005353367A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2006100042A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2006190573A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2007273975A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子 |
JP2009512220A (ja) * | 2005-10-14 | 2009-03-19 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 多色光発光装置での効率的光抽出および変換のためのフォトニック構造 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TWI276861B (en) * | 2001-03-07 | 2007-03-21 | Nitto Denko Corp | Liquid crystal cell substrate, the method of producing the same and the liquid crystal display using the same |
KR100999974B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2010-12-13 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 일렉트로루미네센스 소자 |
JP4578091B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-11-10 | 東洋インキ製造株式会社 | 反射型液晶表示装置を構成する光硬化型光散乱膜用組成物、およびそれを用いた光散乱膜 |
EP1548856A3 (en) * | 2003-12-26 | 2012-08-08 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
US20050141843A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-06-30 | Invitrogen Corporation | Waveguide comprising scattered light detectable particles |
EP2254390B1 (en) * | 2004-03-26 | 2012-07-04 | Panasonic Corporation | Organic light emitting element |
JP2006107744A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR20070049211A (ko) * | 2004-09-30 | 2007-05-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 |
JP5102955B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2012-12-19 | 株式会社ジロオコーポレートプラン | 光拡散シート及びこれを用いたバックライトユニット |
US7602118B2 (en) * | 2005-02-24 | 2009-10-13 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
JP5102951B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-12-19 | 株式会社ジロオコーポレートプラン | 光拡散シート及びこれを用いたバックライトユニット |
US7848021B2 (en) * | 2006-02-17 | 2010-12-07 | Fujifilm Corporation | Optical film, antireflection film, polarizing plate and image display device |
JP4231880B2 (ja) | 2006-07-26 | 2009-03-04 | 株式会社東芝 | 3次元構造体およびそれを有する発光素子ならびにその製造方法 |
-
2008
- 2008-03-10 JP JP2008059224A patent/JP5214284B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-31 US US12/346,937 patent/US8355204B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003089896A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Ricoh Co Ltd | 微粒子配列方法および該方法によって製作された微粒子配列装置 |
JP2005063839A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機el表示装置 |
JP2005353367A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2006100042A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2006190573A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2009512220A (ja) * | 2005-10-14 | 2009-03-19 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 多色光発光装置での効率的光抽出および変換のためのフォトニック構造 |
JP2007273975A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011203701A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-10-13 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 回折格子基板 |
JP2011222421A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 発光デバイス |
US9018620B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent light emitting device and method for manufacturing the same |
WO2013021865A1 (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 株式会社 きもと | 有機el用散乱フィルム及びこれを用いた有機el発光装置 |
US9349980B2 (en) | 2011-08-11 | 2016-05-24 | Kimoto Co., Ltd. | Scattering film for organic EL and organic EL light emitting device using same |
KR101335642B1 (ko) * | 2012-02-13 | 2013-12-03 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2015514294A (ja) * | 2012-03-23 | 2015-05-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
JP2015518631A (ja) * | 2012-03-30 | 2015-07-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電子素子用基板 |
WO2013161001A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機el発光素子 |
JP5263460B1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-08-14 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2014017233A (ja) * | 2012-06-12 | 2014-01-30 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
US9425431B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent element and light emitting device with light extraction portions |
JP2014067503A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子および発光装置 |
JPWO2014118936A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | パイオニア株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
KR101468972B1 (ko) * | 2013-06-04 | 2014-12-04 | 코닝정밀소재 주식회사 | 광산란층이 형성된 기판의 제조방법과 이에 의해 제조된 광산란층이 형성된 기판, 및 상기 광산란층이 형성된 기판을 포함하는 유기발광소자 |
JP2015022795A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5214284B2 (ja) | 2013-06-19 |
US20090224660A1 (en) | 2009-09-10 |
US8355204B2 (en) | 2013-01-15 |
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