JP6471907B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6471907B2
JP6471907B2 JP2015518044A JP2015518044A JP6471907B2 JP 6471907 B2 JP6471907 B2 JP 6471907B2 JP 2015518044 A JP2015518044 A JP 2015518044A JP 2015518044 A JP2015518044 A JP 2015518044A JP 6471907 B2 JP6471907 B2 JP 6471907B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
refractive index
layer
light extraction
index layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015518044A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2014188631A1 (ja
Inventor
享 橋谷
享 橋谷
安寿 稲田
安寿 稲田
和幸 山江
和幸 山江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of JPWO2014188631A1 publication Critical patent/JPWO2014188631A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6471907B2 publication Critical patent/JP6471907B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0062Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
    • G02B3/0068Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between arranged in a single integral body or plate, e.g. laminates or hybrid structures with other optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0278Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Description

本願は、発光装置に関する。
一般的な構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と称する。)として、透明基板の表面に形成された透明電極(陽極)上に、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極がこの順に積層されたものが知られている。陽極と陰極との間に電圧を印加することにより、有機発光層から光が発生する。発生した光は、透明電極および透明基板を透過して外部に取り出される。
有機EL素子は、自発光型の素子であること、比較的高い効率の発光特性を有すること、各種の色調で発光可能であること等の特徴を有する。このため、表示装置(例えばフラットパネルディスプレイ)における発光体や、光源(例えば液晶表示装置用のバックライトや照明)への活用が期待されており、一部のものはすでに実用化されている。これらの用途に有機EL素子を応用するために、より高効率・長寿命・高輝度の優れた特性を有する有機EL素子の開発が望まれている。
有機EL素子の効率を支配する要因は、主に、電気−光変換効率、駆動電圧、光取り出し効率の3つである。
電気−光変換効率については、最近のいわゆる燐光材料の登場により、外部量子効率が20%を超えるものが報告されている。この値は、内部量子効率に換算するとほぼ100%に相当すると考えられる。すなわち、電気−光変換効率がほぼ限界値に到達した例が実験的に確認されたといえる。
駆動電圧については、エネルギーギャップに相当する電圧の10〜20%増し程度の電圧で比較的高い輝度の発光を行う素子が得られるようになってきている。言い換えると、駆動電圧の低減による有機EL素子の効率向上の余地はさほど大きくない。
したがって、電気−光変換効率および駆動電圧の2つの要因の改善による有機EL素子の効率の向上はあまり期待できない。
一方、有機EL素子の光取り出し効率は、発光パターンや内部の層構造によって多少変動するが、一般に20〜30%程度であり、改善の余地が大きい。光取り出し効率がこのように低くなる理由として、光が発生する部位およびその周辺部を構成する材料が、高屈折率性および光吸光性などの特性を有することが挙げられる。このため、屈折率の異なる界面での全反射や材料による光の吸収が生じ、発光が観測される外界へ有効に光が伝播できないという問題が発生する。その結果、有機EL素子では、活用できない光が全発光量の70〜80%を占めることになる。このため、光取り出し効率の向上による有機EL素子の効率向上への期待は、非常に大きい。
このような背景のもとで、光取り出し効率を向上するための試みがこれまでに多くなされている。例えば、特許文献1は、界面での全反射を抑制するために回折格子を設けた有機EL素子を開示している。特許文献2は、透明基板の表面にマイクロレンズアレイを設けた有機EL素子を開示している。特許文献3は、バインダー中にビーズが分散する光学層を有する光学シートを設けた有機EL素子を開示している。
特許第2991183号明細書 特開2004−241130号公報 特開2003−100444号公報
しかしながら、上述した従来の技術では、光の取り出し効率を向上する効果は限定的であり、さらなる効率の向上が求められる。この課題は、上述した有機EL素子に限らず、無機EL素子や通常の発光ダイオード等を用いた他の種類の発光装置についても同様に当てはまる。
本願の限定的ではない例示的なある実施形態は、光の取り出し効率を高めることができる発光装置を提供する。
上記課題を解決するために、本開示の一態様における光取り出しシートは、第1の面および第2の面を有する透光性基板と、前記透光性基板の前記第1の面の側に設けられた第1の光取り出し構造であって、低屈折率層、および前記低屈折率層よりも屈折率の高い高屈折率層を有し、前記低屈折率層は前記透光性基板および前記高屈折率層の間に形成されており、前記高屈折率層および前記低屈折率層の界面は凹凸形状を有している第1の光取り出し構造と、前記透光性基板の前記第2の面の側に設けられた第2の光取り出し構造であって、前記透光性基板を透過して60度から80度の入射角で入射する光の平均透過率が20%以上になるように構成された第2の光取り出し構造とを備える。
上述の一般的かつ特定の態様は、システム、方法およびコンピュータプログラムを用いて実装され、またはシステム、方法およびコンピュータプログラムの組み合わせを用いて実現され得る。
本開示の一態様に係る発光装置によれば、光の取り出し効率を高めることができる。
例示的な実施の形態における有機EL素子を示す断面図である。 凹凸構造の一例を示す平面図である。 凹凸構造の一例を示す断面図である。 外部光取り出し層へ光がどのような角度分布で入射するかを測定する方法を示す図である。 試作したいくつかの素子における単位面積あたりの光強度の入射角度依存性を示すグラフである。 試作した素子の構成を説明するための図である。 (a)は試作した第1の素子の凹凸構造を示す図である。(b)は試作した第2の素子の凹凸構造を示す図である。 マイクロレンズアレイの配列例を示す平面図である。 図6AにおけるA−A´線断面図である。 ピラミッド構造の例を示す平面図である。 図7AにおけるB−B´線断面図である。 台形プリズム構造の配列例を示す平面図である。 図8AにおけるC−C´線断面図である。 表面構造に対する平均透過率の依存性を示す図である。 透光性部材16aの内部に複数の拡散粒子16bが設けられた外部光取り出し層16の一部を模式的に示す図である。 平均透過率がマイクロレンズアレイを用いた場合と比較して高くなる拡散粒子の半径および充填率の範囲を示すグラフである。 拡散力に対する平均透過率の依存性を示すグラフである。 拡散層とマイクロレンズアレイ構造とを組み合わせた外部光取り出し層16の一部を模式的に示す図である。 拡散層とマイクロレンズアレイ構造とを組み合わせた外部光取り出し層16における拡散力に対する平均透過率の依存性を示すグラフである。 拡散層の膜厚を変えたときの拡散力に対する平均透過率の依存性の変化を示すグラフである。 拡散層の膜厚に対するマイクロレンズアレイの平均透過率を上回る最大拡散力の依存性を示すグラフである。 表面構造の充填率に対する平均透過率の依存性を示すグラフである。 マイクロレンズのアスペクト比に対する平均透過率の依存性を示すグラフである。 ピラミッド構造の頂角に対する平均透過率の依存性を示すグラフである。 外部光取り出し層として台形プリズム構造を採用した例を示す平面図である。 図20AにおけるC−C´線断面図である。 台形プリズム構造を採用した場合の平均透過率がマイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を上回る頂角およびアスペクト比の条件を示すグラフである。 図20Cに示す結果をさらに詳細に説明するための図である。 外部光取り出し層としてピラミッド構造の頂部を除去した構造を採用した例を示す平面図である。 図21AにおけるD−D´線断面図である。 ピラミッド構造の頂部を除去した構造を採用した場合の平均透過率がマイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を上回る頂角およびアスペクト比の条件を示すグラフである。 図21Cに示す結果をさらに詳細に説明するための図である。 凹凸構造の周期を説明するための図である。 凹凸構造の周期を説明するための他の図である。 (a)は凹凸構造の第1の例を示す図であり、(b)は凹凸構造の第2の例を示す図であり、(c)は凹凸構造の第3の例を示す図である。 凹凸形状の幅に対する光取り出し効率の依存性を示すグラフである。 ランダム性が制御された凹凸構造の例を示す図である。 凹凸構造の高さhに対する光取り出し効率の依存性と、ランダム性の程度による光取り出し効率の依存性とを示すグラフである。 完全なランダムパターンとランダム性が制御されたランダムパターンとの差異を示すグラフである。 (a)は完全なランダムパターンのフーリエ成分を示す図であり、(b)はランダム性が制御されたパターンのフーリエ成分を示す図である。 凹凸構造の変形例を示す図である。
具体的な実施形態を説明する前に、まず、本発明の基礎となった知見を説明する。
従来の一般的な有機EL素子では、有機発光層の屈折率が1.7〜2.0、透明基板の屈折率が約1.5であるため、有機発光層と透明基板との界面で全反射が生じる。この全反射による光のロスは、本発明者らの解析によれば、全放射光の約50%以上に達する。さらに、透明基板の屈折率が約1.5、空気の屈折率が約1.0であるため、透明基板と空気の界面で発生する全反射による光のロスも透明基板の界面に到達する光の約50%程度となる。このように、これらの2つの界面における全反射ロスは非常に大きい。
本発明者らは、これらの2つの界面における全反射ロスを低減できる新規な構成を見出した。具体的には、発光層と透明基板との間に、光の回折を生じさせる第1の光取り出し構造を設け、透明基板における発光層とは反対の側に、マイクロレンズアレイ等の第2の光取り出し構造を設けることにより、光取り出し効率を向上させることができることを見出した。以下、この知見に基づく実施形態を説明する。
本開示の実施形態の概要は以下のとおりである。
本開示の一態様に係る発光装置は、平均波長λの光を発生する発光素子と、前記発光素子から生じた光を透過させる光取り出しシートと、を備える。前記発光素子は、光透過性を有する第1の電極と、第2の電極と、前記第1および第2の電極の間に設けられた発光層と、を有する。前記光取り出しシートは、前記発光素子の側の第1の面および前記発光素子の反対側の第2の面を有する透光性基板と、前記透光性基板の前記第1の面の側に設けられた第1の光取り出し構造であって、低屈折率層、および前記低屈折率層よりも屈折率の高い高屈折率層を有し、前記低屈折率層は前記透光性基板および前記高屈折率層の間に形成されており、前記高屈折率層および前記低屈折率層の界面は凹凸形状を有している第1の光取り出し構造と、前記透光性基板の前記第2の面の側に設けられた第2の光取り出し構造であって、前記透光性基板を透過して60度から80度の入射角で入射する光の平均透過率が20%以上になるように構成された第2の光取り出し構造と、を有する。
ある実施形態において、前記第2の光取り出し構造は、屈折率naの透光性部材と、前記透光性部材の内部に設けられた屈折率nbの複数の拡散粒子とを含む拡散層を有している。
ある実施形態において、前記拡散層の体積に対する前記複数の拡散粒子の体積の割合をp、前記拡散層の厚さをd、前記複数の拡散粒子の平均半径をrとするとき、
Figure 0006471907

で定義される拡散力Dは、0よりも大きく5以下である。
ある実施形態において、前記拡散力Dは、3.5以下である。
ある実施形態において、前記拡散力Dは、0.05以上1以下である。
ある実施形態において、前記第2の光取り出し構造は、光が出射する側の表面に幾何形状を有している。
ある実施形態において、前記第2の光取り出し構造の前記光が出射する側の表面には、台形プリズムのアレイが形成されている。
ある実施形態において、前記台形プリズムの断面形状は、三角形の頂部を切断した台形であり、前記三角形の高さLに対する前記台形の高さlの比率l/Lをアスペクト比と呼ぶとき、前記三角形の頂角が10度以上18度以下、かつ前記アスペクト比が0.73以上1未満、または、前記三角形の頂角が45度以上115度以下、かつ前記アスペクト比が0.44以上1未満である。
ある実施形態において、前記第2の光取り出し構造の前記光が出射する側の表面には、マイクロレンズアレイが形成されている。
ある実施形態において、前記マイクロレンズアレイの高さと半径との比であるアスペクト比は0.5よりも大きい。
ある実施形態において、前記第2の光取り出し構造の前記光が出射する側の表面には、ピラミッド形状のアレイが形成されている。
ある実施形態において、前記ピラミッド形状の頂角は25度以上115度以下である。
ある実施形態において、前記第2の光取り出し構造における前記幾何形状を有する部分の充填率は36%以上である。
ある実施形態において、前記低屈折率層の厚さは(1/2)λ以上である。
ある実施形態において、前記凹凸形状は、複数の凹部と複数の凸部とが2次元的にランダムまたは周期的に配列された形状である。
ある実施形態において、前記凹凸形状は、複数の凹部と複数の凸部とが2次元的に配列された形状であり、前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々に内接する楕円の短辺の長さの最小値をwとするとき、前記凹凸形状のパターンの空間周波数成分のうち、1/(2w)よりも小さい成分が、前記複数の凹部および前記複数の凸部をランダムに並べた場合と比較して抑制されている。
ある実施形態において、前記凹凸形状は、3つ以上の凹部または凸部が1つの方向に連続しないように構成されている。
ある実施形態において、前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々の平均周期は14.5λ以下である。
ある実施形態において、前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々に内接する楕円の短辺の長さの最小値は、0.73λ以上である。
ある実施形態において、前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々は、四角形状または六角形状の断面を有している。
本開示の一態様に係る光取り出しシートは、第1の面および第2の面を有する透光性基板と、前記透光性基板の前記第1の面の側に設けられた第1の光取り出し構造であって、低屈折率層、および前記低屈折率層よりも屈折率の高い高屈折率層を有し、前記低屈折率層は前記透光性基板および前記高屈折率層の間に形成されており、前記高屈折率層および前記低屈折率層の界面は凹凸形状を有している第1の光取り出し構造と、前記透光性基板の前記第2の面の側に設けられた第2の光取り出し構造であって、前記透光性基板を透過して60度から80度の入射角で入射する光の平均透過率が20%以上になるように構成された第2の光取り出し構造とを備える。
(実施の形態)
以下、より具体的な実施の形態を説明する。本実施の形態では、一例として、有機EL素子を用いた発光装置を説明する。
[1.全体構成]
図1は、本実施の形態における有機EL素子100の概略構成を示す断面図である。本実施の形態の有機EL素子100は、発光素子110と、発光素子110から生じた光を透過させる光取り出しシート120とを備える。発光素子110は、光反射性を有する反射電極11と、光透過性を有する透明電極13と、これらの間に形成された有機発光層12とを有している。光取り出しシート120は、透明基板14と、透明基板14の第1の面側(図1における下側)に設けられた内部光取り出し層(第1の光取り出し構造)15と、透明基板14の第2の面側(図1における上側)に設けられた外部光取り出し層(第2の光取り出し構造)16とを有している。図1に示すように、反射電極11、有機発光層12、透明電極13、内部光取り出し層15、透明基板14、外部光取り出し層16は、この順に積層されている。内部光取り出し層15は、相対的に屈折率の低い低屈折率層15aと、相対的に屈折率の高い高屈折率層15bとを含む。低屈折率層15aと高屈折率層15bとの界面は、凹凸形状を有しており、入射した光を回折させるように構成されている。
反射電極11は、発光層12に電子を注入するための電極(陰極)である。反射電極11と透明電極13との間に所定の電圧が印加されると、反射電極11から発光層12へ電子が注入される。反射電極11の材料としては、例えば銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)や、これらを主成分とした合金などを用いることができる。また、これらの金属を組み合わせて積層することによって反射電極11を構成してもよいし、これらの金属に接するように酸化インジウム錫(ITO)やPEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの透明導電性材料を積層させることによって反射電極11を構成してもよい。
透明電極13は、発光層12にホールを注入するための電極(陽極)である。透明電極13は、仕事関数の比較的大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物などの材料から構成され得る。透明電極13の材料としては、例えばITO、酸化錫、酸化亜鉛、IZO(登録商標)、ヨウ化銅などの無機化合物、PEDOT、ポリアニリンなどの導電性高分子、任意のアクセプタなどでドープした導電性高分子、カーボンナノチューブなどの導電性光透過性材料を挙げることができる。
透明電極13は、透明基板14上に内部光取り出し層15を形成した後、スパッタ法、真空蒸着法、塗布法などによって薄膜として形成することができる。なお、透明電極13のシート抵抗は、例えば数百Ω/□以下に設定され、ある例では100Ω/□以下に設定され得る。透明電極13の膜厚は、例えば500nm以下であり、ある例では10−200nmの範囲で設定され得る。透明電極13を薄くするほど光の透過率が向上するが、シート抵抗が膜厚に反比例して増加するため、シート抵抗が増加する。その結果、有機ELの大面積化の際に、高電圧化の問題や、電圧降下による電流密度の不均一化に伴う輝度の不均一化の問題が発生し得る。このトレードオフを回避するため、メタルなどの補助配線(グリッド)を透明電極13上に形成してもよい。補助配線の材料としては導電性に優れたものが使用され得る。例えば、Ag,Cu,Au,Al,Rh,Ru,Ni,Mo,Cr,Pdやこれらの合金(MoAlMo、AlMo、AgPdCuなど)を用いることができる。この際、メタルグリッドが遮光材料として働かないように、グリッド部に電流が流れるのを防ぐ絶縁処理を施してもよい。また、拡散した光がグリッドに吸収されることを防ぐため、反射率の高い金属をグリッドに用いてもよい。
なお、本実施形態では、透明電極13を陽極、反射電極11を陰極としているが、これらの電極の極性は逆であってもよい。透明電極13を陰極、反射電極11を陽極とする場合であっても、透明電極13および反射電極11には、上記と同様の材料を用いることができる。
発光層12は、透明電極13および反射電極11から注入される電子およびホールの再結合によって光を発生する材料から形成される。発光層12は、例えば、低分子または高分子の発光材料や、金属錯体などの一般に知られる任意の発光材料によって形成され得る。図1には示されていないが、発光層12の両側には、電子輸送層及びホール輸送層が設けられていてもよい。電子輸送層は反射電極11(陰極)側に配置され、ホール輸送層は透明電極13(陽極)側に配置される。なお、反射電極11を陽極とする場合には、電子輸送層は透明電極13側に配置され、ホール輸送層は電極11側に配置される。電子輸送層は、電子輸送性を有する化合物の群から適宜選定することができる。この種の化合物としては、例えば、電子輸送性材料として知られるAlq3のような金属錯体や、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、テトラジン誘導体、又は、オキサジアゾール誘導体等のヘテロ環を有する化合物などが挙げられる。但し、これらの材料に限定されるものではなく、一般に知られる任意の電子輸送性材料を用いることが可能である。ホール輸送層は、正孔輸送性を有する化合物の群から適宜選定することができる。この種の化合物としては、例えば、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)、スピロ−NPD、スピロ−TPD、スピロ−TAD、又は、TNBなどを代表例とするトリアリールアミン系化合物、カルバゾール基を含むアミン化合物、フルオレン誘導体を含むアミン化合物などを挙げることができる。但し、これらの材料に限定されるものではなく、一般に知られる任意の正孔輸送性材料を用いることが可能である。このように、反射電極11と透明電極13との間には、発光層12以外にも、電子輸送層やホール輸送層等の他の層が設けられ得る。以下の説明では、反射電極11と透明電極13との間の層全体をまとめて「有機EL層」と呼ぶことがある。
有機EL層の構造は、上述の例に限らず、種々の構造を採用することができる。例えば、ホール輸送層と発光層12との積層構造や、発光層12と電子輸送層との積層構造を採用してもよい。また、陽極とホール輸送層との間にホール注入層を介在させてもよいし、陰極と電子輸送層との間に電子注入層を介在させてもよい。また、発光層12は、単層構造に限らず、多層構造を有していてもよい。例えば、所望の発光色が白色である場合には、発光層12中に赤色、緑色、青色の3種類のドーパント色素をドーピングするようにしてもよい。また、青色正孔輸送性発光層と緑色電子輸送性発光層と赤色電子輸送性発光層との積層構造を採用してもよいし、青色電子輸送性発光層と緑色電子輸送性発光層と赤色電子輸送性発光層との積層構造を採用してもよい。さらに、陽極と陰極とで挟んで電圧を印加すれば発光する素子からなる層を1つの発光ユニットとして、複数の発光ユニットを光透過性および導電性を有する中間層を介して積層した構造(電気的に直列接続されたマルチユニット構造)を採用してもよい。
透明基板14は、内部光取り出し層15、透明電極13、発光層12、反射電極11を支持するための部材である。透明基板14の材料としては、例えばガラスや樹脂等の透明材料を用いることができる。透明基板14の屈折率は、例えば1.45〜1.65程度であるが、屈折率が1.65以上の高屈折率基板を用いてもよいし、屈折率が1.45よりも小さい低屈折率基板を用いてもよい。
内部光取り出し層15は、透明基板14と透明電極13との間に設けられる透光性の層である。内部光取り出し層15は、透明基板14側に形成された低屈折率層15aと、透明電極13側に形成された高屈折率層15bとを有する。これらの界面は凹凸構造を形成している。
図2Aは、本実施形態における凹凸構造の一例を模式的に示す平面図である。図2Bは、凹凸構造の一部を模式的に示す断面図である。図2Aにおける黒および白の領域は、それぞれ、高屈折率層15bが相対的に厚く形成された部分(凸部)および高屈折率層15bが相対的に薄く形成された部分(凹部)を表している。この凹凸構造は、それぞれが一辺の長さ(幅)wの正方形状の2種類の単位構造(高低差h)を2次元状にランダムに並べたものに相当する。以下の説明では、各単位構造を「ブロック」と呼ぶことがある。このような凹凸構造を設けることにより、入射光を回折させることができる。なお、後述するように、凹凸構造のパターンを完全にランダムにするのではなく、1つの方向について同じ種類の単位構造が連続して所定回数以上出現しないように、ランダム性を抑制した構造を採用してもよい。また、凹凸構造のパターンとして、周期的なパターンを採用してもよい。これらの各構成を採用した場合の光取り出し効率については後述する。
発光層12で発生した光の一部は、透明電極13を経て内部光取り出し層15に入射する。このとき、臨界角を超える入射角で入射する光は、本来全反射するが、内部光取り出し層15の回折作用により、その一部は透明基板14の側に取り出される。内部光取り出し層15によって取り出されなかった光は、反射により、角度を変えて発光層12の方に向かうが、その後反射電極11で反射するため、再度内部光取り出し層15に入射する。一方、発光層12で発生した光の一部は、電極11で反射した後、透明電極13を透過して内部光取り出し層15に入射する。このように、内部光取り出し層15を設けることにより、多重反射を繰り返しながら光を外部に取り出すことが可能である。
外部光取り出し層16は、透明基板14の表面(内部光取り出し層15が設けられた面の反対側の面)に設けられる。外部光取り出し層16は、例えばマイクロレンズアレイによって形成され得る。後述するように、外部光取り出し層16は、透明基板14を透過して60度から80度の入射角で入射する光の平均透過率が20%以上になるように構成される。このような特性を有している限り、外部光取り出し層16は、マイクロレンズアレイとは異なる表面構造を有していてもよい。外部光取り出し層16の具体的な構成については後述する。外部光取り出し層16を設けることにより、透明基板14を透過して臨界角を越える入射角で入射する光の一部を外部の空気層に取り出すことができる。ここで取り出されなかった光は再度発光層12へ戻ることになるが、最終的には反射電極11で反射され、再度空気層へと取り出すことが可能である。なお、空気層の屈折率は、例えば1.0である。
光が取り出されるまでに材料による光の吸収が生じると効率の低下を招くため、本実施形態における反射電極11、発光層12、透明電極13、内部光取り出し層15には光吸収性の低い材料が用いられ得る。
[2.各構成要素の詳細および分析]
以下、有機EL素子100の各構成要素の詳細および本実施形態の構成に至るまでの分析結果を説明する。
[2−1.内部光取り出し層15の構成の検討]
[2−1−1.凹凸構造の構成]
低屈折率層15aと高屈折率層15bとの境界における凹凸構造は、例えば低屈折率層15a上に凹凸形状を形成した後、高屈折率の材料で凹凸を埋め込むことによって形成することができる。その後、透明電極13、有機発光層12、反射電極11を形成するが、もし高屈折率層15bの表面の平坦性が悪いと、透明電極13−反射電極11間でショートが起きやすくなる。その場合、素子が光らなくなる可能性があり、製造時の歩留まりが悪くなるおそれがある。よって、本実施形態では、凹凸形状の高さをできるだけ低くし、高屈折率層15bの埋め込み後の平坦性を確保できる構成を採用する。また、このように凹凸構造の高さを低くすることにより、低屈折率層15aや高屈折率層15bの材料の使用量も抑えることができるため、低コスト化にもつながる。
一方、光取り出し効率の改善の観点からは、凹凸構造の高さ(大きさ)のオーダーとしては少なくとも光の波長の1/4程度は必要である。これにより、光の位相差を十分に確保することができ、光を回折させることができるため、光を取り出す効率を改善することができる。以上の観点から、本実施の形態では、凹凸構造として、高さ(大きさ)が1μm前後のランダム構造や周期構造などの回折格子を例として採用する。
凹凸構造通過後の光は、低屈折率層15aに入射する。もし、低屈折率層15aの厚さが光の波長の1/2以下の場合、光は低屈折率層15aの中を伝播せず、エバネッセント場を介して透明基板14側に光が透過してしまうので、低屈折率層15aによって光を低角度方向に曲げる効果は期待できない。よって、本実施形態における低屈折率層15aの厚さは、平均発光波長の1/2以上に設定され得る。
[2−1−2.内部光取り出し層15の材料および製造方法]
高屈折率層15bの屈折率は、例えば1.73以上に設定され得る。高屈折率層15bに用いる材料として、例えばITO(酸化インジウム錫)、TiO2(酸化チタン)、SiN(窒化シリコン)、Ta25(五酸化タンタル)、ZrO2(ジルコニア)などの比較的高い屈折率の無機材料または高屈折率樹脂などを使用することができる。
透明基板14としては、ガラスや樹脂などを用いるのが一般的であり、それらの屈折率は1.5〜1.65程度である。よって、低屈折率層15aに用いる材料として、例えばガラス、SiO2(石英)などの無機材料や、樹脂などを用いることができる。
内部光取り出し層15の形成方法としては、例えば透明基板14の上に、表面を凹凸形状にした低屈折率層15aを形成し、その上から高屈折率材料で凹凸構造を埋め込み、その上に透明電極13、有機発光層12、反射電極11を形成する方法がある。あるいは、基板の上に反射電極11を形成し、その上に有機発光層12、透明電極13、表面を凹凸形状にした高屈折率層15bを形成し、その上から低屈折率材料で凹凸構造を埋め込み、その上に透明基板14を形成する方法もある。
低屈折率層15aや高屈折率層15bの材料として無機材料を用いると、一般的には切削や半導体プロセスといった比較的コストの高い工法が必要となる。一方、低屈折率層15aや高屈折率層15bの材料として上記のような樹脂材料を用いれば、塗布、ナノインプリント、スピンコートといった比較的コストの低い工法で内部光取り出し層15を形成することができる。
[2−2.外部光取り出し層16の分析]
[2−2−1.外部光取り出し層16へ入射する光の角度分布の分析]
まず、本発明者らは、図3に示すような構成で、外部光取り出し層16に入射する光の角度分布の分析を行った。図3に示す構成は、図1の有機EL素子100の外部光取り出し層16の代わりに、有機EL素子100よりも十分大きい半球のレンズを貼り付けた構成である。ここで、半球レンズの屈折率は、透明基板14の屈折率とほぼ同一である。このような構成により、透明基板14から半球レンズを介して空気層まで光が屈折することなく取り出されるので、透明基板14から出射する光の角度分布の測定が可能となる。なお、光の分布測定には分光放射計を用い、発光層12における十分小さい領域の光のスポットからの光を受光するように配置した。
以上のような測定を、試作したいくつかの有機EL素子のサンプルについて行った。結果を図4Aに示す。図4Aのグラフにおいて、横軸は入射角度、縦軸は測定された単位面積あたりの光強度(任意単位)を示している。サンプルの構成として、図4Bおよび以下の表1に示す構成を採用した。
Figure 0006471907
ここで、透明基板14として屈折率1.51のガラスを、透明電極13としてITOを用いた。有機発光層12としては、平均波長λ1=580nmおよびλ2=470nmの光をそれぞれ発する2つの層を含む積層構造を採用した。ここで「平均波長」とは、発光スペクトルにおいて、その波長よりも長い波長の光の強度和と、その波長よりも短い波長の光の強度和とが等しくなる波長として定義される。各サンプルにおける2つの発光層の位置は、表1に示すとおりである。ここで、反射電極11から平均波長λ1の光を発する層までの距離をd1、この層から透明電極13までの距離をd1’、反射電極11から波長λ2の光を発する層までの距離をd2、この層から透明電極13までの距離をd2’としている。内部光取り出し層15については、低屈折率層15aの材料として、屈折率が1.52の樹脂を用い、高屈折率層15bの材料として屈折率1.76の樹脂を用いて、これらの界面に凹凸構造を形成した。凹凸構造として、図5(a)、(b)に示す2種類のパターンのものを採用した。
サンプル1、2、3は、2つの発光層と2つの電極との位置関係を変化させたものであり、凹凸構造はいずれも図5(a)に示すランダム構造(ランダム1)である。サンプル2_2は、2つの発光層の位置がサンプル2におけるものと同じで、凹凸構造を図5(b)に示す構造(ランダム2)に変えたものである。ランダム1の構造は、幅0.6μm、高低差0.6μmの2種類のブロックをランダムに配列したものに相当する。一方、ランダム2の構造は、幅1.2μm、高低差0.6μmの2種類のブロックをランダムに配列したものに相当する。ただし、ランダム2では、図5(b)の横方向および縦方向のそれぞれについて、同種のブロックが3つ以上連続して出現しないようにランダム性を抑制している。比較例として、サンプル2の構成から内部光取り出し層15を除いたサンプル2_0についても測定を行った。
図4Aに示すように、内部光取り出し層15がないサンプル2_0(blank)では、光強度が入射角度に対してあまり変化していない。これに対して、内部光取り出し層15が設けられた他のサンプルでは、主に高角度側の光強度が増加し、60度〜80度に光強度のピークを有していることがわかる。発光層12の構成に関わらずこのような傾向が見られることから、内部光取り出し層15によって主に高角度側に光を取り出す効果がもたらされているといえる。図4Aに示すように、高角度側で光強度が増加する傾向は、ランダム性を抑制したサンプル2_2について、より顕著であることがわかる。
[2−2−2.外部光取り出し層16の分析]
上記のように、内部光取り出し層15を通過した光は、60度〜80度の入射角において光強度のピークを有している。そこで、60度〜80度の入射角で入射する光を効率よく取り出す外部光取り出し層16の構造の検討を行った。光は透明基板14を通過後、外部光取り出し層16に到達する。外部光取り出し層16は、透明基板14を直接加工することによって形成しても良いが、光取り出し構造が設けられたフィルムを貼ることによって形成することもできる。ここでは、光取り出し構造としてマイクロレンズアレイを用いた場合の透過率を基準として、光出射側の表面に幾何形状を有する構造(以下、「表面構造」と呼ぶことがある。)のいくつかについて、透過率の計算を行った。ここで、「幾何形状」とは、光の波長よりも十分大きい大きさ(例えば、光の波長の数倍〜数十倍の大きさ)の凹凸形状を有する構造を意味する。表面構造は、例えばガラスや樹脂等の透明材料で構成され得る。表面構造の屈折率は、透明基板14の屈折率と同程度に設定され得るが、両者の屈折率が異なっていてもよい。本計算では、表面構造として、透明基板14と同じ屈折率のものを使用した。
表面構造は、マイクロレンズアレイ構造、ピラミッド構造、台形プリズム構造の3種類を考え、それぞれ最密構造のものを採用した。図6Aは、マイクロレンズアレイ構造を有する外部光取り出し層16の平面図であり、図6Bは、図6AのA−A´線断面図である。円形のマイクロレンズアレイでは、図6Aに示す蜂の巣状の配列を採用した場合に最密充填の構造となるため、光取り出し効率が最も高くなる。本計算では、各マイクロレンズの半径をr、表面からの高さをhとするとき、アスペクト比h/rが1のマイクロレンズを採用した。図7Aは、ピラミッド構造を有する外部光取り出し層16の平面図であり、図7Bは、図7AのB−B´線断面図である。本解析では、ピラミッド構造の頂角を60度にした例と90度にした例とを採用した。図8Aは、台形プリズム構造を有する外部光取り出し層16の平面図であり、図8Bは、図8AのC−C´線断面図である。本実施形態では60度〜80度の入射角で入射する光の透過率が重要であるため、60度〜80度の入射角で入射する光の透過率の平均値(以下、「平均透過率」と呼ぶことがある。)を比較検討した。なお、計算のアルゴリズムとしては、光線追跡による方法を適用した。
図9は、上記計算の結果を示すグラフである。図9において、横軸は表面構造の種類、縦軸は平均透過率を表している。このグラフが示すように、マイクロレンズアレイを用いた場合に平均透過率が約0.2と最大になり、単に表面構造を変えた他の例では、マイクロレンズアレイの平均透過率を超えることは出来なかった。
[2−2−3.外部光取り出し層16の構造の検討:拡散粒子(計算)]
次に、外部光取り出し層16の構造として、表面構造は無いが、その内部に複数の拡散粒子を含むものの検討を行った。ここで、「拡散粒子」とは、消衰係数が0(透明)に近く、数百nm〜数十μm程度の大きさを有する粒子(分子の塊)を指す。拡散粒子は、その周囲の透光性部材とは異なる屈折率を有し、入射光を拡散させる特性を有する。拡散粒子として、例えば次の表2に示す化合物を用いることができる。
Figure 0006471907
図10は、複数の拡散粒子を含む外部光取り出し層16を模式的に示す図である。この外部光取り出し層16は、透光性部材16aの内部に複数の拡散粒子16bが設けられた構成を有している。本明細書では、透光性部材16aおよび複数の拡散粒子16bを含む層を「拡散層」と呼ぶことがある。図10に示す例では、拡散層がそのまま外部光取り出し層16に相当するが、拡散層以外の部材が付加されていたり、後述するように表面構造が設けられていてもよい。本解析では、拡散粒子16bを取り囲む透光性部材16aの屈折率naを1.52、拡散粒子16bの屈折率nbを1〜3とし、拡散粒子16bの半径rを0.5μm〜10.5μmとした。拡散粒子16bの体積占有率、すなわち拡散層の体積に対する複数の拡散粒子16bの全体積の割合(以下、「充填率」と呼ぶことがある。)pは0.05〜0.75とした。拡散層の厚さ(膜厚)dは30μmとした。
図11は、拡散粒子の屈折率nbが1.8の場合において、平均透過率が上述のマイクロレンズアレイを用いた場合と比較して高くなる拡散粒子の半径rおよび充填率pの範囲を示すグラフである。図11では、横軸を拡散粒子半径r[μm]、縦軸を充填率pとし、マイクロレンズアレイを用いた場合よりも平均透過率が高くなる値の領域を黒く塗った。拡散効果が適当な領域では、拡散層の平均透過率がマイクロレンズアレイの平均透過率よりも高くなった。しかし、拡散粒子半径rが小さく、充填率pが高い領域、つまり、拡散効果が非常に高い領域では、そもそも拡散層を光が透過しないために、マイクロレンズアレイよりも平均透過率が低くなってしまった。逆に、拡散粒子半径rが大きく、拡散効果が小さい領域では、光が十分に拡散されず大気との界面で全反射するため、マイクロレンズアレイよりも平均透過率が低くなった。
ここで、次の式(1)で定義される拡散力Dという量を導入する。
Figure 0006471907

すなわち、拡散力=(拡散粒子と拡散層の屈折率差の絶対値)/拡散層屈折率×充填率×拡散層膜厚/拡散粒子半径と定義する。拡散力Dは、拡散層の拡散性の強さを表す指標として用いることができる。
図12は、横軸を拡散力D、縦軸を平均透過率として、計算結果を示すグラフである。比較のため、マイクロレンズアレイを用いた場合の平均透過率を黒線で示している。図11に示す結果と同様、拡散力が非常に強い場合、又は、拡散力が非常に弱い場合、平均透過率が減少することがわかる。図12に示すように、外部光取り出し層16が表面構造を有さず、拡散粒子のみを含む場合、拡散力が0.34以上3.5以下であれば、マイクロレンズアレイを用いた場合の平均透過率を超えることがわかった。
[2−2−4.外部光取り出し層16の構造の検討:拡散粒子および表面構造(計算)]
次に、表面構造および拡散粒子を共に有する外部光取り出し層16の構造を検討した。図13に示すように、透光性部材16aおよび複数の拡散粒子16bを有する拡散層に、表面構造16cを組み合わせた外部光取り出し層16について、平均透過率を計算した。表面構造16cは、図6A、図6Bに示すものと同様、マイクロレンズアレイの最密構造とした。上記の計算と同様、拡散層における透光性部材16aの屈折率naを1.52、拡散粒子16bの屈折率nbを1〜3とし、拡散粒子16bの半径rを0.5μm〜10.5μmとした。また、拡散粒子16bの充填率pは0.05〜0.75、拡散層の膜厚dは30μmとした。
図14は、横軸を拡散力D、縦軸を平均透過率として、計算結果を示すグラフである。ここでも比較のため、マイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を黒線で示している。図14に示すように、外部光取り出し層16の平均透過率がマイクロレンズアレイのみを用いた場合を上回るのは、拡散力Dが0よりも大きく、3.5以下の場合であることがわかる。拡散力Dが0.05〜1.0の範囲にある場合には、特に高い平均透過率を示した。図12、14の結果より、拡散粒子のみを設けた構造よりも、拡散粒子と表面構造とを共に有する構造の方が平均透過率が高くなることがわかった。
[2−2−5.外部光取り出し層16の構造の検討:拡散粒子および表面構造を設けた場合の膜厚依存性(計算)]
外部光取り出し層16として、拡散粒子および表面構造を設けた場合における拡散層の膜厚依存性を検証するために、屈折率および充填率を図11に示す計算と同じ条件にした上で、拡散層の膜厚dおよび拡散粒子の半径rを変えて平均透過率を計算した。ここでは、(拡散層膜厚、拡散粒子半径)を、(2μm、0.5μm〜1.5μm)、(30μm、0.5μm〜10.5μm)、(300μm、0.5μm〜20.5μm)のように変えて計算を行った。
図15は、計算結果を示すグラフである。ここでも比較のため、マイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を黒線で示している。図15より、拡散層の膜厚dが2μmの場合、拡散力Dが1.2以下であればマイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を上回ることがわかった。拡散層の膜厚dが300μmの場合は、拡散力Dが5.0以下であればマイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を上回る場合が多くなることがわかった。
図16は、横軸を拡散層膜厚d、縦軸をマイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を上回る最大拡散力とするグラフを示している。拡散層膜厚dが厚くなるほど、この最大拡散力は増加する傾向にある。拡散層の膜厚が300μm以下の場合においては、拡散力が5.0以下のある値よりも小さければ、マイクロレンズアレイのみを用いた場合よりも平均透過率が高くなることがわかる。また、拡散層の膜厚が300μm以上の場合においても、少なくとも拡散力が5.0以下であれば、マイクロレンズアレイのみを用いた場合よりも平均透過率を高くすることができる。
[2−2−6.外部光取り出し層16の構造の検討:拡散粒子および表面構造を設けた場合の表面充填率依存性(計算)]
本発明者らは、さらに、外部光取り出し層16の表面構造の充填率に対する平均透過率の依存性を調べるため、以下の計算を行った。ここで、「表面構造の充填率」とは、外部光取り出し層16の表面全体に占める幾何形状を有する部分の面積比率を意味する。例えば、図6Aに示すマイクロレンズアレイでは、表面から突出する円形のマイクロレンズが設けられた部分が「幾何形状を有する部分」に該当する。計算条件として、図15において最も高い平均透過率を示した屈折率nb=1.6、拡散粒子半径r=3.5μm、拡散層膜厚d=30μm、拡散粒子充填率p=0.45の条件を用いた。表面構造の充填率は30%〜90.7%(最密構造)の範囲で変動させた。
図17は、この計算結果を示すグラフである。横軸は表面構造の充填率、縦軸は平均透過率を表している。ここでも比較のため、マイクロレンズアレイのみを用いた場合の平均透過率を黒線で示している。図17より、表面構造充填率の低下に従い、表面構造の効果が低下していくため、平均透過率は低下傾向を示した。表面構造充填率が36%を下回ると、マイクロレンズアレイのみを設けた場合と比較して平均透過率が低くなることがわかった。よって、この場合、表面構造の充填率は36%以上にすれば、マイクロレンズアレイのみを設けた場合よりも光利用率を高くすることができる。本計算は、最も高い平均透過率を示す条件で行ったため、上述の36%以上という範囲は、他の条件の場合における望ましい表面構造充填率の範囲を含む。
[2−2−7.外部光取り出し層16の構造の検討:拡散粒子および表面構造を設けた場合の表面構造依存性]
続いて、外部光取り出し層16の表面構造に対する平均透過率の依存性を説明する。図18は、図6A、6Bに示すような蜂の巣状に配列されたマイクロレンズアレイを用いた場合の各マイクロレンズの球の飛び出し量(高さh)に対する平均透過率の依存性を示すグラフである。比較のため、マイクロレンズアレイの平均透過率を黒線で示している。横軸は、アスペクト比(高さh÷球の半径r)である。拡散層などの条件は、図17に示す計算における条件と同様、図15において最も高い平均透過率を示した屈折率nb=1.6、拡散粒子半径r=3.5μm、拡散層膜厚d=30μm、拡散粒子充填率p=0.45の条件を用いた。
図18より、アスペクト比が高いほど平均透過率が高くなり、アスペクト比が1(半球が並んでいる構造)の場合に最も光取り出し効率が高くなる。この結果から、アスペクト比が0.5以上であれば、マイクロレンズアレイのみを設けた構成における平均透過率を上回ることがわかる。
外部光取り出し層16の表面構造として、本実施の形態ではマイクロレンズアレイを例に挙げて説明を行なった。マイクロレンズアレイを表面構造として用いる事により、60度〜80度の入射角で入射する光の透過率が高くなるため、60度〜80度の間に配光分布のピークを持つ内部光取り出し層15から出てくる光と組み合わせることにより、その他の構成に比べて効率を高めることができる。したがって、マイクロレンズアレイと同様に、60度〜80度の間の入射角で入射する光の透過率が高い表面構造を用いることにより、その他の構成に比べて効率を高めることができる。
この点について、マイクロレンズアレイの類似形状であるピラミッド形状のアレイを有する構造を例に説明する。図19は、上記の計算と同様の条件において、マイクロレンズアレイの代わりに図7Bに示すような正四角錐の形状を有するピラミッド構造を採用した場合における平均透過率の計算結果を示すグラフである。横軸はピラミッド構造の頂角を、縦軸は平均透過率を示している。この結果より、頂角が25〜115度の範囲にあれば、マイクロレンズアレイのみを用いた場合よりも高い平均透過率が得られることがわかった。なお、ピラミッド構造の形状は正四角錐に限定されず、同等の透過特性を有していれば、他の角錐や円錐の形状であってもよい。
次に、台形プリズム構造について検討する。図20Aは、台形プリズム形状の表面を有する外部光取り出し層16の平面図である。図20Bは、図20AのC−C´線断面図である。この例では、外部光取り出し層16には、台形プリズムのアレイが表面構造として形成されている。図示されるように、台形プリズム構造のC−C´線断面の形状は、二等辺三角形の頂部を切断したような形状(台形)である。ここで、当該二等辺三角形の頂部の角度を、この台形プリズムにおける「頂角」とし、当該二等辺三角形の高さ(最大高さ)をL、台形の高さ(実際の高さ)をlとして、アスペクト比をl/Lで定義する。図20Cは、台形プリズム構造を採用した場合において、マイクロレンズアレイのみを用いた場合と比較して平均透過率が高くなる頂角およびアスペクト比の範囲を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は頂角、縦軸はアスペクト比を表し、平均透過率がマイクロレンズアレイのみを用いた場合と比較して高くなる領域は黒塗りで表されている。黒く塗った領域では、60度〜80度の入射角で入射する光の透過率をマイクロレンズアレイのみを用いた場合よりも高くすることができる。
図20Cより、「頂角が10度以上18度以下、かつアスペクト比が0.73以上1未満」、または「頂角が45度以上115度以下、かつアスペクト比が0.44以上1未満」という条件が満たされていれば、概ね良好な平均透過率が達成されることがわかる。特に、「頂角が60度以上100度以下、かつアスペクト比が0.6以上1未満」であれば、さらに平均透過率が向上する。さらに好ましくは、「頂角が70度以上90度以下、かつアスペクト比が0.7以上1未満」の条件を満たす台形プリズムのアレイが用いられ得る。
図20Dは、図20Cに示す結果をさらに詳細に説明するための図である。頂角をx[度]、アスペクト比をyとすると、図の中央部における黒い領域は、近似的に、以下の式(2)〜(5)で表される4つの直線によって囲まれる領域であると言える。
Figure 0006471907

Figure 0006471907

Figure 0006471907

Figure 0006471907
したがって、本構成例では、頂角およびアスペクト比が、式(2)〜(5)で表される4つの直線によって囲まれる領域内の値に設定され得る。
なお、上記の台形プリズムの断面形状は二等辺三角形の頂部を切断したような形状、すなわち等脚台形であるが、同等の透過特性を有していれば、断面形状は等脚台形でなくてもよい。また、アスペクト比が1、すなわち断面形状が三角形となる表面構造(三角柱を並べた構造)を採用してもよい。
図21A、21Bは、外部光取り出し層16の他の構成例を示す図である。図21Aは外部光取り出し層16の平面図を、図21Bは図21AにおけるD−D´線断面図を示している。この例における外部光取り出し層16は、ピラミッド構造の頂部を切断したような構造を有している。断面形状は、三角形の頂部を切断した形状(台形)である。ここで、当該三角形の高さをL、台形の高さをlとし、アスペクト比をl/Lで定義する。図21Cは、この構造を採用した場合において、マイクロレンズアレイのみを用いた場合と比較して平均透過率が高くなる頂角およびアスペクト比の範囲を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は頂角、縦軸はアスペクト比を表し、平均透過率がマイクロレンズアレイのみを用いた場合と比較して高くなる領域は黒塗りで表されている。黒く塗った領域では、60度〜80度の入射角で入射する光の透過率をマイクロレンズアレイのみを用いた場合よりも高くすることができる。
図21Cより、「頂角が10度以上115度以下、かつアスペクト比が0.12以上1未満」という条件が満たされていれば、概ね良好な平均透過率が達成されることがわかる。特に、「頂角が30度以上90度以下、かつアスペクト比が0.4以上1未満」であれば、さらに平均透過率が向上する。
図21Dは、図21Cに示す結果をさらに詳細に説明するための図である。頂角をx[度]、アスペクト比をyとすると、図中の黒い領域は、近似的に、以下の式(6)〜(10)で表される5つの直線によって囲まれる領域であると言える。
Figure 0006471907

Figure 0006471907

Figure 0006471907

Figure 0006471907

Figure 0006471907
したがって、本構成例では、頂角およびアスペクト比が、式(6)〜(10)で表される5つの直線によって囲まれる領域内の値に設定され得る。
なお、上記の表面構造の断面形状は等脚台形であるが、同等の透過特性を有していれば、断面形状は等脚台形でなくてもよい。また、正四角錐の頂部を切断した構造に限らず、同等の透過特性を有する限り、任意の角錐または円錐などの頂部を切断した構造を採用してもよい。
[3.変形例]
[3−1.外部光取り出し層16の拡散粒子の変形例]
本実施の形態では、拡散粒子として微小球を例に挙げて説明を行った。これは、高配光角度側(入射角60度〜80度)の光を拡散させ低配光角度にするためである。よって、微小球と同様に拡散作用を持つ様々な形状においても、その他の構成に比べて光取り出し効率を高くする事ができる。拡散粒子が微小球と異なる形状の場合は、その構造に内接する球の半径を上記のrとして拡散力Dを求めればよい。
なお、外部光取り出し層16として、複数の拡散粒子を含む拡散層を用いることは必須ではない。表面構造を工夫することによって60〜80度の入射角で入射する光の透過率を20%以上にできる限り、拡散粒子を用いる必要はない。そのような外部光取り出し層16の一例として、図6A、6Bに示す最密構造のマイクロレンズアレイが挙げられる。マイクロレンズアレイ以外の表面構造を採用してもよい。
[3−2.凹凸構造の変形例]
続いて、凹凸構造の変形例を説明する。
まず、図22を参照しながら、凹凸構造の考え方を説明する。幅wの2種類の単位構造(ブロック)をランダムに並べた場合には、その配列方向の平均周期は4wとなる。一方、幅wのブロックを周期的に並べた場合には、その配列方向の平均周期は2wとなる。なお、ブロックをランダムに並べた場合の平均周期pexpは、図22の吹き出しに示す計算によって求められる。
本実施形態では、凹凸構造のランダム性を制御した構造を採用することができる。ここで、「ランダム性を制御した構造」とは、完全にランダムな構造ではなく、1つの方向について同じ種類のブロックが連続して所定回数以上出現しないようにランダム性が抑制された構造を意味する。図4Aを参照して説明したように、ランダム性が制御された凹凸構造を採用することにより、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
ランダム性を制御した構造においても上記と同様の考え方で平均周期を求めることができる。構造のパターンから平均周期を求める方法を図23に示す。ここで、図23に示す横方向および縦方向のそれぞれについて、連続する同種の単位構造の群からなる領域に内接する楕円を考える。図23の下の図における白い部分の大きさの平均値は、白い部分に内接する楕円の軸の長さの平均値を計算することによって求めることができる。ここで、「軸の長さ」とは、図23の上の図に示す短軸の長さaまたは長軸の長さbのいずれかを指す。黒い部分についても同様である。これらの平均値を足し合わせた値を平均周期とする。
図24(a)〜(c)は、ランダム性が制御された凹凸構造の一例(それぞれ平均周期3w、3.3w、3.4w)を示す図である。図24(c)に示すように、凹凸構造は正方形ではなく六角形などの他の形状のブロックを並べた構造でもよい。
図25は、凹凸形状の幅wに対する光取り出し効率の依存性を計算した結果を示すグラフである。ここでは、構造の高さhを1.0μmとしている。透明基板14の屈折率は1.5、低屈折率層15aの屈折率は1.35、高屈折率層15bの屈折率は2.0とした。図中の(●)は図22(a)に示すブロックをランダムに並べた凹凸形状、(□)は図22(b)に示すブロックを周期的に並べた凹凸形状を採用したときの結果を示している。ランダムな構造を採用した場合は、wが0.4〜2μmの範囲内にあれば、光取り出し効率を約70%以上にすることができる。周期構造を採用した場合は、wが0.4〜4μmの範囲内にあれば、光取り出し効率を約70%以上にすることができる。
光は波長よりも十分小さい構造によっては回折されない。このため、ランダム構造でも周期構造でも400nm以下の単位構造を並べたときには効果が得られにくい。発光層12から生じる光の平均波長をλとするとき、wは例えば0.73λ(=λ×400/550)以上に設定され得る。一方、単位構造が波長よりも十分大きい領域では、ランダム構造ではwを2μm以下に、周期構造ではwを4μm以下にすれば、光取り出し効率を約70%以上にすることができるという結果が得られている。ランダム構造の平均周期は4wであり、周期構造の平均周期は2wであることから、光取り出し効率は、構造のパターンによらず、平均周期で決まっていることがわかる。平均周期をpとすると、pは例えば8μm以下に設定され得る。また、光の回折原理から、光の回折パターンは構造サイズ(周期)と光の波長との比(即ちp/λ)で決まることから、平均周期pは、例えば14.5(=8/0.55)λ以下に設定され得る。
ランダム構造でも周期的構造でも、光取り出し効率にそれほど大きな差異はないが、周期構造では、回折格子の性質により、波長依存性が大きくなるため、視野角に対する色むらが大きくなると考えられる。よって、視野角に対する色むらを低減させるためには、凹凸形状として、ランダムに構造を並べた形状を採用すればよい。
次に、図26、図27を参照しながら、凹凸構造の高さhに対する光取り出し効率の依存性と、ランダム性の程度による光取り出し効率の依存性とを説明する。図26に示す3種類の凹凸構造を有する有機EL素子のサンプルを試作し、それぞれについて光取り出し効率を測定した。図27は、その結果を示すグラフである。図27における(●)(△)(□)は、図26の対応するランダム構造に関して計算を行った結果を示している。ここで、透明基板14の屈折率は1.51、低屈折率層15aの屈折率は1.45、高屈折率層15bの屈折率は1.76とした。
(●)の構造は、構造サイズ0.6μm、高さ0.2〜0.8μmの直方体をランダムに並べたものである。(△)の構造は、構造サイズ1.2μm、高さ0.6μmの直方体をランダムに並べたものである。ただし、同一方向に3つ以上のブロックが連続して出現しないようにランダム性を制御している。(□)の構造は、構造サイズ(六角形の内接円の直径)1.2μm、高さ0.6〜1.2μmの六角柱をランダムに並べたものである。ただし、同一方向に4つ以上のブロックが連続して出現しないようにランダム性を制御している。まず、高さ依存性に関しては、いずれの構造においてもほとんど効率に影響しないことがわかる。次に、構造のランダム性に関しては、(●)、(△)、(□)の順に効率が向上していくことが分かった。(●)、(△)の比較結果から、ランダム性を制御し、ブロックが連続して並ぶことを制限する方が効率の向上につながることがわかる。これは、ブロックが連続して並ぶと、実効的に構造のサイズが大きくなる領域できてしまい、その領域における取り出し効率が低下してしまうからである。実際に(●)のランダム構造を見ると、6個以上連続して同一方向にブロックが並んでいる箇所が存在する。つまり、局所的に3.6μm(=0.6μm×6)以上の大きさの構造が存在する。図25に示した周期構造の構造サイズwに対する効率の依存性の結果を参照すると、もし構造サイズが3.6μmの場合は取り出し効率があまり高くないことがわかる。このことから、このような大きなサイズの領域が現れることは取り出し効率の低下につながることがわかる。
さらに、四角形ではなく六角形を並べた方が効率が高くなる。これは、正方形の場合、対角の長さは辺の長さの√2倍であり、正六角形の場合は対角の長さは辺の長さの√3/2倍であるため、正六角形の方が方位方向に対する依存性が小さいことが要因である。つまり、正方形を並べた場合は、辺の方向あるいは対角の方向のいずれかの取り出し効率が低くなってしまうが、正六角形の場合は、方位に寄らず高い取り出し効率が得られる。図27に示す(△)、(□)の実験結果の比較からも、このことが言える。
ランダム性を制御したパターンの効果をより詳しく調べるために、図26に示すランダムとランダム2の素子(高さ0.6μm)について、図3と同様の構成で透明基板14内の光の強度分布を測定した。その結果を図28に示す。この結果を見ると、特にランダム性を制御した構造の方が高角度側(50〜70度付近)の光が増加していることがわかる。よって、このようなランダム性を制御した凹凸構造を有する内部光取り出し層15と、入射角60度〜80度における透過率の高い外部光取り出し層16とを組み合わせることで、より高い効率が得られる。
以上のように、連続して並んだ大きいブロックの発生を抑制することによるランダム性の制御方法とその効果を示したが、このような大きなブロックの抑制については、ランダムパターンをフーリエ変換することでも確認することができる。図29は、ランダムパターンをフーリエ変換し、空間周波数成分の振幅を示した図である。図29の右側の分布図の中心は、空間周波数が0の成分(直流成分)を表している。この図において中心から外側に向かうに従い、空間周波数が高くなるように表示している。図から理解されるように、図29(a)に示す制御されたランダムパターンの空間周波数では、図29(b)に示すランダムパターンと比較して低周波成分が抑制されていることが確認できる。特に、空間周波数成分のうち1/(2w)よりも小さい成分が抑制されていることがわかる。
なお、本実施の形態では、同一サイズのブロックを並べることで凹凸構造を形成し、それをランダムに並べた場合、図25に示すように、wが0.4〜2μmの範囲内の値に設定されている場合において光取り出し効率が約70%を超えるほど高くなる。このことから、この範囲内でサイズを適宜変更した複数のブロックをランダムに並べてもよい。
また、各々のブロック高さによって、光に対して位相差を与えられ、光を回折することにより光を取り出している。よって、ブロックの高さhは一定でなくてもよい。例えば、高さのレベルを複数設けてもよい。また、各ブロックにおける高さをランダムにすることもできる。図30は、ブロックの高さをランダムにした構成の一例を示す斜視図である。図示される凹凸構造166は、第1の高さを有する第1単位構造166aと、第2の高さを有する第2単位構造166bと、第3の高さを有する第3単位構造166cと、第4の高さを有する第4単位構造166dとが2次元状にランダムに配列された構造を有している。凹凸構造166では、それぞれのブロックが高屈折率材料および低屈折率材料で充填されているので、これらの部分を通過する光の位相に差が生じる。よって、もし高さがランダムでも、透過した光の平均位相差は、複数の単位構造の平均高さで決定される。従って、この場合においても、透過した光に十分な平均位相差を与えられるので、高さがランダムであってもよい。
各々の断面形状における角の部分をアール状に構成することもできる。実際に、切削加工及び半導体プロセス等によりミクロンオーダーの構造を加工する際に、角の部分がアール状に加工される、或いは、段差の部分が斜面状に加工される場合がある。内部光取り出し層15の凹凸構造を加工する際に、これらの要因が生じた場合であっても、上述したランダムパターンの性質が失われない限り、角の部分がアール状に加工された構造も本構成に含まれる。
また、製造時に意図せず発生する大きさ0.73λ以下の小さい構造(ゴミなどが原因でできる)や、4μm以上の大きい構造(引っかき傷など)のようなノイズがあっても、それらが全体の面積に対して10%程度であれば十分効果は得られる。したがって、意図的にこれらのノイズを10%程度入れても、効果が得られる限り、本願発明の範囲に含まれる。
なお、上記の実施形態における発光素子110は、有機ELによって発光するが、無機ELなどの他の発光素子を用いてもよい。言い換えれば、内部光取り出し層15、透明基板14、外部層取り出し層16を有する光取り出しシート120が設けられていれば、発光素子110の構成は任意である。また、上記の説明における反射電極11の代わりに、光反射性を有しない電極を用いてもよい。
本開示の発光装置は、例えばフラットパネルディスプレイ、液晶表示装置用バックライト、照明用光源等に適用することができる。また、本開示の光取り出しシートは、上記の発光装置に適用することができる。
11 反射電極
12 発光層
13 透明電極
14 透明基板
15 内部光取り出し層
15a 低屈折率層
15b 高屈折率層
16 外部光取り出し層
100 有機EL素子
110 発光素子
120 光取り出しシート

Claims (20)

  1. 平均波長λの光を発生する発光素子と、
    前記発光素子から生じた光を透過させる光取り出しシートと、
    を備える発光装置であって、
    前記発光素子は、
    光透過性を有する第1の電極と、
    第2の電極と、
    前記第1および第2の電極の間に設けられた発光層と、
    を有し、
    前記光取り出しシートは、
    前記発光素子の側の第1の面および前記発光素子の反対側の第2の面を有する透光性基板と、
    前記透光性基板の前記第1の面の側に設けられた第1の光取り出し構造であって、低屈折率層、および前記低屈折率層よりも屈折率の高い高屈折率層を有し、前記低屈折率層は前記透光性基板および前記高屈折率層の間に形成されており、前記高屈折率層および前記低屈折率層の界面は凹凸形状を有している第1の光取り出し構造と、
    前記透光性基板の前記第2の面の側に設けられた第2の光取り出し構造であって、前記透光性基板を透過して60度から80度の入射角で入射する光の平均透過率が20%以上になるように構成された第2の光取り出し構造と、
    を有し、
    前記低屈折率層、前記高屈折率層、および前記凹凸形状は、前記発光素子から出射して前記高屈折率層、前記低屈折率層、および前記透光性基板を順に介して前記第2の光取り出し構造に入射する前記平均波長λの光の入射角度が60度から80度の範囲内でピークになるように構成され
    前記凹凸形状は、複数の凹部と複数の凸部とが2次元的に配列された形状であり、4つ以上の凹部または凸部が1つの方向に連続しないように構成されている
    発光装置。
  2. 前記第2の光取り出し構造は、屈折率naの透光性部材と、前記透光性部材の内部に設けられた屈折率nbの複数の拡散粒子とを含む拡散層を有している、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記拡散層の体積に対する前記複数の拡散粒子の体積の割合をp、前記拡散層の厚さをd、前記複数の拡散粒子の平均半径をrとするとき、
    Figure 0006471907
    で定義される拡散力Dは、0よりも大きく5以下である、請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記拡散力Dは、3.5以下である、請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記拡散力Dは、0.05以上1以下である、請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記第2の光取り出し構造は、光が出射する側の表面に幾何形状を有している、請求項1から5のいずれかに記載の発光装置。
  7. 前記第2の光取り出し構造の前記光が出射する側の表面には、台形プリズムのアレイが形成されている、請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記台形プリズムの断面形状は、三角形の頂部を切断した台形であり、前記三角形の高さLに対する前記台形の高さlの比率l/Lをアスペクト比と呼ぶとき、
    前記三角形の頂角が10度以上18度以下、かつ前記アスペクト比が0.73以上1未満、または、
    前記三角形の頂角が45度以上115度以下、かつ前記アスペクト比が0.44以上1未満である、
    請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記第2の光取り出し構造の前記光が出射する側の表面には、マイクロレンズアレイが形成されている、請求項6に記載の発光装置。
  10. 前記マイクロレンズアレイの高さと半径との比であるアスペクト比は0.5よりも大きい、請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記第2の光取り出し構造の前記光が出射する側の表面には、ピラミッド形状のアレイが形成されている、請求項6に記載の発光装置。
  12. 前記ピラミッド形状の頂角は25度以上115度以下である、請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記第2の光取り出し構造における前記幾何形状を有する部分の充填率は36%以上である、請求項6から12のいずれかに記載の発光装置。
  14. 前記低屈折率層の厚さは(1/2)λ以上である、請求項1から13のいずれかに記載の発光装置。
  15. 記複数の凹部および前記複数の凸部の各々に内接する楕円の短辺の長さの最小値をwとするとき、前記凹凸形状のパターンの空間周波数成分のうち、1/(2w)よりも小さい成分が、前記複数の凹部および前記複数の凸部をランダムに並べた場合と比較して抑制されている、請求項1から14のいずれかに記載の発光装置。
  16. 前記凹凸形状は、3つ以上の凹部または凸部が1つの方向に連続しないように構成されている、請求項1から15のいずれかに記載の発光装置。
  17. 前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々の平均周期は14.5λ以下である、請求項1から16のいずれかに記載の発光装置。
  18. 前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々に内接する楕円の短辺の長さの最小値は、0.73λ以上である、請求項1から17のいずれかに記載の発光装置。
  19. 前記複数の凹部および前記複数の凸部の各々は、四角形状または六角形状の断面を有している、請求項1から18のいずれかに記載の発光装置。
  20. 平均波長λの光を発生する発光素子と組合せて使用される光取り出しシートであって、
    第1の面および第2の面を有する透光性基板と、
    前記透光性基板の前記第1の面の側に設けられた第1の光取り出し構造であって、低屈折率層、および前記低屈折率層よりも屈折率の高い高屈折率層を有し、前記低屈折率層は前記透光性基板および前記高屈折率層の間に形成されており、前記高屈折率層および前記低屈折率層の界面は凹凸形状を有している第1の光取り出し構造と、
    前記透光性基板の前記第2の面の側に設けられた第2の光取り出し構造であって、前記透光性基板を透過して60度から80度の入射角で入射する光の平均透過率が20%以上になるように構成された第2の光取り出し構造と、
    を備え、
    前記低屈折率層、前記高屈折率層、および前記凹凸形状は、前記発光素子から出射して前記高屈折率層、前記低屈折率層、および前記透光性基板を順に介して前記第2の光取り出し構造に入射する前記平均波長λの光の入射角度が60度から80度の範囲内でピークになるように構成され
    前記凹凸形状は、複数の凹部と複数の凸部とが2次元的に配列された形状であり、4つ以上の凹部または凸部が1つの方向に連続しないように構成されている
    光取り出しシート。
JP2015518044A 2013-05-21 2014-01-17 発光装置 Active JP6471907B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013107044 2013-05-21
JP2013107044 2013-05-21
PCT/JP2014/000221 WO2014188631A1 (ja) 2013-05-21 2014-01-17 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014188631A1 JPWO2014188631A1 (ja) 2017-02-23
JP6471907B2 true JP6471907B2 (ja) 2019-02-20

Family

ID=51933206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015518044A Active JP6471907B2 (ja) 2013-05-21 2014-01-17 発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9647240B2 (ja)
JP (1) JP6471907B2 (ja)
WO (1) WO2014188631A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014167758A1 (ja) * 2013-04-12 2014-10-16 パナソニック株式会社 発光装置
KR102482762B1 (ko) * 2017-01-10 2022-12-29 서울바이오시스 주식회사 포충기
CN114361364B (zh) * 2021-12-31 2024-04-09 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2991183B2 (ja) 1998-03-27 1999-12-20 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003100444A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Keiwa Inc 面照明装置
JP2004241130A (ja) 2003-02-03 2004-08-26 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4253302B2 (ja) * 2005-01-06 2009-04-08 株式会社東芝 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
EP1883977A1 (en) * 2005-05-12 2008-02-06 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescence light source
CN101578537B (zh) * 2007-11-13 2012-07-04 松下电器产业株式会社 薄膜及发光装置
JP2009245786A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Rohm Co Ltd 有機el素子
JP2009272059A (ja) 2008-04-30 2009-11-19 Toppan Printing Co Ltd El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置
US20100110551A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
JP2010212204A (ja) 2009-03-12 2010-09-24 Toppan Printing Co Ltd El素子、表示装置、ディスプレイ装置及び液晶ディスプレイ装置
CN102711303B (zh) 2009-05-12 2015-02-25 松下电器产业株式会社 板、发光装置及板的制造方法
JP5731830B2 (ja) 2010-01-19 2015-06-10 パナソニック株式会社 面状発光装置
JP4915487B2 (ja) 2010-04-02 2012-04-11 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機発光素子
WO2011132773A1 (ja) 2010-04-22 2011-10-27 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
WO2012108384A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 シャープ株式会社 蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置
JP2012227122A (ja) 2011-04-04 2012-11-15 Rohm Co Ltd 有機el装置
JP2013057736A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 光学フィルム及びそれを用いた光学装置
JPWO2014119295A1 (ja) 2013-01-31 2017-01-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置の製造方法
WO2014167758A1 (ja) * 2013-04-12 2014-10-16 パナソニック株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9647240B2 (en) 2017-05-09
WO2014188631A1 (ja) 2014-11-27
JPWO2014188631A1 (ja) 2017-02-23
US20160141554A1 (en) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6471905B2 (ja) 発光装置
JP5866552B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置
JP5830194B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置
US9431632B2 (en) Surface light source device having specific structure; lighting device and backlight device containing the same
US10756304B2 (en) Organic light-emitting display panel and display device thereof
US8987767B2 (en) Light emitting device having improved light extraction efficiency
US9871226B2 (en) Organic electroluminescent element, illumination device, and display device
JP5216806B2 (ja) 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
US20110147773A1 (en) Utilizing gradient refractive index films for light extraction and distribution control in oled
JP2015144110A (ja) 発光装置
US9112182B2 (en) Light-emitting element and illuminating apparatus
JP5023442B2 (ja) 面発光光源および液晶表示装置
JP6471907B2 (ja) 発光装置
WO2012086396A1 (ja) 有機el素子および透光性基板
JP5560359B2 (ja) 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
JP2015095383A (ja) 発光装置
Lee et al. Simulation study on the effect of the emitter orientation and photonic crystals on the outcoupling efficiency of organic light-emitting diodes
JP5652016B2 (ja) 面光源装置、照明器具及びバックライト装置
WO2015115045A1 (ja) 発光装置および光取り出しシート
WO2015097971A1 (ja) 発光装置
JP2016195081A (ja) 面発光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180723

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190109

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6471907

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S131 Request for trust registration of transfer of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313133

SZ03 Written request for cancellation of trust registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250