JP2009212353A5 - - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 4
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008054842A JP5343371B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | シリコン基板とその製造方法 |
| TW098106829A TWI412083B (zh) | 2008-03-05 | 2009-03-03 | 矽基板及其製造方法 |
| KR1020090018227A KR101208651B1 (ko) | 2008-03-05 | 2009-03-03 | 실리콘 기판과 그 제조방법 |
| US12/397,399 US8864907B2 (en) | 2008-03-05 | 2009-03-04 | Silicon substrate and manufacturing method of the same |
| EP09003141.0A EP2099073B1 (en) | 2008-03-05 | 2009-03-04 | Manufacturing method of a silicon substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008054842A JP5343371B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | シリコン基板とその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009212353A JP2009212353A (ja) | 2009-09-17 |
| JP2009212353A5 true JP2009212353A5 (https=) | 2011-04-21 |
| JP5343371B2 JP5343371B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=40637142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008054842A Active JP5343371B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | シリコン基板とその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8864907B2 (https=) |
| EP (1) | EP2099073B1 (https=) |
| JP (1) | JP5343371B2 (https=) |
| KR (1) | KR101208651B1 (https=) |
| TW (1) | TWI412083B (https=) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010615A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Sumco Corp | 固体撮像素子用シリコン基板およびその製造方法 |
| KR101464566B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2014-11-24 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 웨이퍼 |
| JP6302216B2 (ja) * | 2013-11-08 | 2018-03-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US11111602B2 (en) | 2014-07-31 | 2021-09-07 | Globalwafers Co., Ltd. | Nitrogen doped and vacancy dominated silicon ingot and thermally treated wafer formed therefrom having radially uniformly distributed oxygen precipitation density and size |
| JP6531729B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2019-06-19 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP6579086B2 (ja) * | 2016-11-15 | 2019-09-25 | 信越半導体株式会社 | デバイス形成方法 |
| US10522367B2 (en) * | 2017-03-06 | 2019-12-31 | Qualcomm Incorporated | Gettering layer formation and substrate |
| JP6702268B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2020-05-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP7415889B2 (ja) * | 2020-11-17 | 2024-01-17 | 株式会社Sumco | X線センサ向けエピタキシャルウェーハおよびx線センサ |
| JP7729256B2 (ja) * | 2022-05-11 | 2025-08-26 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハ |
| JP2025030474A (ja) * | 2023-08-23 | 2025-03-07 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3384506B2 (ja) * | 1993-03-30 | 2003-03-10 | ソニー株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| JP4613886B2 (ja) * | 1993-03-30 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法、及び半導体基板の製造方法 |
| JP2874834B2 (ja) * | 1994-07-29 | 1999-03-24 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンウェーハのイントリンシックゲッタリング処理法 |
| JPH08104592A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-04-23 | Sony Corp | 半導体装置用半導体基板と半導体装置との製造方法 |
| JP3533783B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2004-05-31 | ソニー株式会社 | 半導体基板および半導体装置の各製造方法 |
| JP3324469B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2002-09-17 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
| JPH11103042A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sony Corp | 固体撮像装置用半導体基板と固体撮像装置の製造方法 |
| JP3144378B2 (ja) * | 1998-04-01 | 2001-03-12 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP3279527B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2002-04-30 | 住友金属工業株式会社 | 半導体シリコン基板におけるig能の評価方法、及び半導体シリコン基板の製造方法 |
| JP2002353434A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP3973083B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2007-09-05 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置、その画素不良変換方法および傷補正方法 |
| JP2003318181A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体シリコン基板におけるig能の評価方法 |
| EP1780781B1 (en) | 2004-06-30 | 2019-08-07 | SUMCO Corporation | Process for producing silicon wafer |
| JP4706199B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2011-06-22 | 株式会社Sumco | Simox基板の製造方法 |
| JP2006073580A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| US7438760B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-10-21 | Asm America, Inc. | Methods of making substitutionally carbon-doped crystalline Si-containing materials by chemical vapor deposition |
| JP2006261632A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Sumco Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
| JP4604889B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-01-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法 |
| JP4770276B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2011-09-14 | 船井電機株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像素子 |
| JP2007273959A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出素子及びその製造方法 |
| JP2008054842A (ja) | 2006-08-30 | 2008-03-13 | J O Phama Co Ltd | クリップ |
| CN101351890A (zh) | 2006-09-07 | 2009-01-21 | 胜高股份有限公司 | 固态图像传感装置的半导体基板以及固态图像传感装置和其制造方法 |
| JP5568837B2 (ja) | 2008-02-29 | 2014-08-13 | 株式会社Sumco | シリコン基板の製造方法 |
-
2008
- 2008-03-05 JP JP2008054842A patent/JP5343371B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-03 TW TW098106829A patent/TWI412083B/zh active
- 2009-03-03 KR KR1020090018227A patent/KR101208651B1/ko active Active
- 2009-03-04 EP EP09003141.0A patent/EP2099073B1/en active Active
- 2009-03-04 US US12/397,399 patent/US8864907B2/en active Active
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