JP4613886B2 - 固体撮像素子の製造方法、及び半導体基板の製造方法 - Google Patents
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12 ミラー表面
14 炭素
16 Siエピタキシャル層
17 エピタキシャル基板
Claims (17)
- 半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板に加速エネルギ200keV以上800keV以下で炭素を少なくとも1×1016cm-3のピーク濃度でイオン注入する工程と、
前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板にエピタキシャル層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に固体撮像素子を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記酸化膜は、SiO 2 膜である
請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記半導体基板がCZ基板であり、抵抗率が1〜10Ωcmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記酸化膜を形成する前に、前記半導体基板をNH 4 OH/H 2 O 2 水溶液で洗浄し、更にHCl/H 2 O 2 水溶液で洗浄する工程を有する
請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記固体撮像素子がCCDであることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記炭素のドーズ量が5×1013cm-2以上5×1015cm-2以下であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記半導体基板が固溶限界以上の酸素を含有していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記半導体基板がSiであり、酸素濃度が8×1017原子cm-3以上であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記半導体基板がSiであり、成長速度が1mm分-1以下であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板に加速エネルギ200keV以上800keV以下で炭素を少なくとも1×1016cm-3のピーク濃度でイオン注入する工程と、
前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板にエピタキシャル層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記酸化膜は、SiO 2 膜である
請求項10に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記半導体基板がCZ基板であり、抵抗率が1〜10Ωcmであることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記酸化膜を形成する前に、前記半導体基板をNH 4 OH/H 2 O 2 水溶液で洗浄し、更にHCl/H 2 O 2 水溶液で洗浄する工程を有する
請求項10〜12のうちいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記炭素のドーズ量が5×1013cm-2以上5×1015cm-2以下であることを特徴とする請求項10に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記半導体基板が固溶限界以上の酸素を含有していることを特徴とする請求項10に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記半導体基板がSiであり、酸素濃度が8×10 17 原子cm -3 以上であることを特徴とする請求項10に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記半導体基板がSiであり、成長速度が1mm分 -1 以下であることを特徴とする請求項10に記載の半導体基板の製造方法。
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