JP2009212180A - 三次元構造体の製造方法および三次元構造体 - Google Patents
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Abstract
【課題】導電体内の欠陥の発生を抑制し、導電体が連続的に形成される三次元構造体の製造方法および三次元構造体を提供する。
【解決手段】第1の導電体上に、絶縁体と、この絶縁体内に、第1の導電体と異なる第2の導電体で構成される縦構造体と横構造体が組み合わされた三次元の擬似導電体構造とを形成する工程と、擬似導電体構造を溶解除去して三次元の空洞を形成し、第1の導電体を露出させる工程と、第1の導電体をシード層として、電解めっき法により第3の導電体を空洞に充填し、三次元の導電体構造を形成する工程を有することを特徴とする三次元構造体の製造方法およびこれによる三次元構造体。
【選択図】図1
Description
本実施の形態の三次元構造体は、絶縁体内に、縦構造体と横構造体のそれぞれが複数の階層で組み合わされることにより形成された導電体構造を有する三次元構造体である。そして、この導電体構造が単一の組成を有し、かつ、縦構造体と横構造体の接合部が連続的に形成されていることを特徴とする。
次に、第2の実施の形態の三次元構造体について図面を参照しつつ説明する。図3は、本実施の形態の三次元構造体の断面図である。図3に示す三次元構造体は、ナノメートルオーダーの導電体構造を有する光学デバイスである。本実施の形態については、導電性材料等の選択や、プロセスの選択等について特段の記載をしない点については、第1の実施の形態と同様である。したがって、重複する内容については記載を省略する。
Au100nmが蒸着されたSi基板の所望の位置に、1mm□、厚さ100nmのCu層を蒸着により形成した。この基板上に、絶縁体としてSpin On Glass(SOG)を300nm厚になるようスピンコートにより製膜後、焼結により形成した。その上に膜厚20nmのCrを蒸着後、さらにフォトレジスト層を形成し、露光、現像処理を施した。得られたフォトレジストパターンをマスクとして、絶縁体にエッチング処理を施し、直径100nmの貫通孔を形成した。この時、フォトレジストパターンに覆われないCr膜の露出部分は同時にエッチング除去した。
Ag100nmが蒸着されたSi基板の所望の位置に、1mm□、厚さ100nmのCu層を蒸着により形成した基板上に、実施例1に記載した方法と同様の方法により、Cuの三次元の擬似導電体構造を形成後、逆電解を掛けることで、Cuを溶解除去した。その後、Auを電解めっきにより形成し、絶縁体表面までAuを析出した後、CMPにより表面を研磨することで、Au細線からなる三次元構造体を形成できた。
Ag100nmが蒸着されたSi基板の所望の位置に、1mm□、厚さ100nmのCu層を蒸着により形成した。この基板上に、実施例1に記載した方法と同様の方法により、Cuの三次元の擬似導電体構造を形成した。この基板を塩化第二鉄水溶液(FeCl3;60g/Fe(NO3)3;20g/純水/200ml)中に超音波振動下浸漬することで、Cuを溶解後、純水にて洗浄を繰り返した。その後、Auを電解めっきにより形成し、絶縁体表面までAuを析出した後、CMPにより表面を研磨することで、Au細線からなる三次元構造体を形成できた。
12 コンタクトプラグ
14 配線
20、20a、20b、20c SiO2膜
20 磁気回路
30 導電体構造
30a、c 縦構造体
30b、d 横構造体
40 擬似導電体構造
40a、c ビアホール
40b、d 金属配線
50 導電体構造
50a、50c、50e 横構造体
50b、50d 縦構造体
60 Ag膜
70 擬似導電体構造
70a、70c、70e 横構造体
70b、70d 縦構造体
Claims (10)
- 第1の導電体上に、
絶縁体と、前記絶縁体内に、第1の導電体と異なる第2の導電体で構成される縦構造体と横構造体が組み合わされた三次元の擬似導電体構造とを形成する工程と、
前記擬似導電体構造を溶解除去して三次元の空洞を形成し、前記第1の導電体を露出させる工程と、
前記第1の導電体をシード層として、電解めっき法により第3の導電体を前記空洞に充填し、三次元の導電体構造を形成する工程を有することを特徴とする三次元構造体の製造方法。 - 前記三次元の導電体構造を形成する工程の後に、前記第1の導電体を除去する工程を有することを特徴とする請求項1記載の三次元構造体の製造方法。
- 前記擬似導電体構造を、溶液中で逆電解をかけることにより溶解除去することを特徴とする請求項1または請求項2記載の三次元構造体の製造方法。
- 前記擬似導電体構造を超音波振動下で溶解除去することを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項に記載の三次元構造体の製造方法。
- 前記第2の導電体が、Cu、Ni、Coより選択される金属であることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項に記載の三次元構造体の製造方法。
- 前記第3の導電体が、Cu、Au、Agより選択される金属であることを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一項に記載の三次元構造体の製造方法。
- 前記絶縁体が、可視光に対して透明であることを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項に記載の三次元構造体の製造方法。
- 絶縁体内に、縦構造体と横構造体のそれぞれが複数の階層で組み合わされることにより形成された三次元の導電体構造を有する三次元構造体であって、
前記導電体構造が単一の組成を有し、かつ、前記縦構造体と前記横構造体の接合部が連続的に形成されていることを特徴とする三次元構造体。 - 前記絶縁体が可視光に対して透明であることを特徴とする請求項8記載の三次元構造体。
- 前記導電体がCu、Au、Agより選択される金属であることを特徴とする請求項8または請求項9記載の三次元構造体。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01157552A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電解めつきパターンの形成方法 |
JP2001355095A (ja) * | 1997-04-04 | 2001-12-25 | Univ Of Southern California | 電気化学製造のための物品、方法、および装置 |
JP2003243498A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2006032919A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のストレージノードコンタクトの形成方法 |
JP2006131961A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Ebara Corp | 基板のめっき方法および装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01157552A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電解めつきパターンの形成方法 |
JP2001355095A (ja) * | 1997-04-04 | 2001-12-25 | Univ Of Southern California | 電気化学製造のための物品、方法、および装置 |
JP2003243498A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2006032919A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のストレージノードコンタクトの形成方法 |
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