JP2009206440A - シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 187
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 144
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims abstract description 109
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 51
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 36
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 description 6
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 6
- -1 i-heptane Chemical compound 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpentane Chemical compound CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 5-[(1r)-1-hydroxy-2-[4-[(2r)-2-hydroxy-2-(4-methyl-1-oxo-3h-2-benzofuran-5-yl)ethyl]piperazin-1-yl]ethyl]-4-methyl-3h-2-benzofuran-1-one Chemical compound C1=C2C(=O)OCC2=C(C)C([C@@H](O)CN2CCN(CC2)C[C@H](O)C2=CC=C3C(=O)OCC3=C2C)=C1 OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 0.000 description 1
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N iso-pentane Natural products CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QJMMCGKXBZVAEI-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyl) phosphate Chemical compound C[Si](C)(C)OP(=O)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C QJMMCGKXBZVAEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
【解決手段】凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、
前記塗膜のうち、基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させ、
前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する
ことを含んでなるシリカ質膜の形成方法。この方法により形成されたシリカ質膜は、複数堆積することもできる。
【選択図】図1
Description
(A)凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させる第一塗布工程、
(B)前記塗膜のうち、前記基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させる被覆薄膜形成工程、および
(C)前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する未硬化層除去工程、
を含んでなることを特徴とするものである。
本発明によるシリカ質膜の形成方法は、基板上のトレンチ・アイソレーション構造の形成に適したものである。したがって、シリカ質膜を形成させる基板は、そのような構造を形成させるための凹凸を有する基板である。このため、本発明のシリカ質膜の製造法においては凹凸を有するシリコン基板を用いる。特にトレンチ・アイソレーション構造を形成させる場合には所望の溝パターンを有するシリコン基板を準備する。この溝形成には、任意の方法を用いることができ、例えば特許文献1または2にも記載されている。具体的な方法は、以下に示すとおりである。
このうち、特に好ましいものとしてスチレン換算重量平均分子量が700〜30,000であるものが好ましい。
(a)芳香族化合物、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリエチルベンゼン等、(b)飽和炭化水素化合物、例えばn−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、n−オクタン、i−オクタン、n−ノナン、i−ノナン、n−デカン、i−デカン等、(c)脂環式炭化水素化合物、例えばエチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、p−メンタン、デカヒドロナフタレン、ジペンテン、リモネン等、(d)エーテル類、例えばジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルターシャリーブチルエーテル(以下、MTBEという)、アニソール等、および(e)ケトン類、例えばメチルイソブチルケトン(以下、MIBKという)等。これらのうち、(b)飽和炭化水素化合物、(c)脂環式炭化水素化合物(d)エーテル類、および(e)ケトン類がより好ましい。
次いで、ポリシラザン組成物の塗膜の、基板に隣接した部分だけを硬化させて、凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させる。この工程においてはポリシラザンを完全に二酸化ケイ素に転化させる必要はなく、後の未硬化層除去工程(詳細後述)において、被覆薄膜が基板上に残留するのに十分な程度に硬化させればよい。この被覆薄膜は、凹凸を有する基板表面を、その形状に沿って薄く被覆するものである。すなわち、図1に示されるように、基板1の表面、および溝または孔の内面に均一の厚さで被覆薄膜2が形成される。言い換えれば、溝や孔である凹部以外の表面部分の膜厚aと、凹部の底部における膜厚bと、凹部の側壁内側における膜厚cとがほぼ同じ厚さである被覆薄膜が形成される。
|(a−b)/(a+b)|
で数値化した。本発明による方法を用いて作成されたシリカ質膜を有する微細構造は、種々の半導体装置などに用いられ、その用途により適当なコンフォーマル性は変化するが、上記式で求められた値が一般に0.2以下であれば良好なコンフォーマル性を有し、半導体装置に優れた特性をもたらす。
第一塗布工程でポリシラザン組成物が塗布された基板を、相対的に低い温度で、比較的短時間加熱することで、ポリシラザン塗膜の基板に隣接した部分だけを硬化させることができる。加熱温度および加熱時間は、用いるポリシラザン組成物の種類や基板の厚さなどにも依存するが、一般に35〜120℃、好ましくは50〜120℃、で一般に0.1〜10分間、好ましくは0.5〜5分間である。加熱温度が低すぎる場合は重合が起らず、後の未硬化層除去工程においてポリシラザンが溶媒にすべて再溶解してしまい、また加熱温度が高すぎる場合は基板の形状に無関係に膜全体が重合してしまい、被覆薄膜が得られないので条件の選択には注意が必要である。
第一塗布工程でポリシラザン組成物が塗布された基板に、ポリシラザン塗膜には事実上吸収されず、基板には吸収される波長の光を照射することで、ポリシラザン塗膜の基板に隣接した部分だけを硬化させることができる。これは、基板に吸収された光が熱エネルギーに変換され、それによって基板近傍だけが加熱されることによる。また、わずかながら、光電子作用の寄与もありえる。照射に用いられる光の波長は、用いられる基板やポリシラザン組成物の種類にも依存するが、一般に220〜1100nm、好ましくは300〜800nm、例えば365nmである。また、照射する光エネルギーは、好ましくは1〜5,000mJ/cm2、より好ましくは 10〜4,000mJ/cm2、である。なお、照射光がポリシラザン塗膜に事実上吸収されないとは、ポリシラザン塗膜の当該波長における吸収量が一般に照射量の1%以下、好ましくは0.1%以下、であることをいう。
ポリシラザンはヒドロキシ基と反応する性質を有するので、第一塗布工程の前に予め基板表面にヒドロキシ基を設けておくことにより、ポリシラザン塗膜の基板近傍だけを硬化させることもできる。あらかじめ基板表面にヒドロキシ基を設けておくことにより、ポリシラザンの塗布と同時に、ポリシラザンの一部が基板表面のヒドロキシ基と反応を開始し、シロキサンを形成させる。このシロキサンは溶媒に不溶なため、塗布膜を溶媒現像すると基板形状に沿ったシロキサンからなる被覆薄膜を得ることができる。したがって、被覆薄膜形成はポリシラザン組成物塗布の直後から開始するので、第一塗布工程(A)の後に被覆薄膜形成工程(B)が実施されることになるが、この場合には第一塗布工程(A)の前にあらかじめ基板表面にヒドロキシ基を設けておく必要がある。
次いで、先の工程において未硬化のままであるポリシラザン組成物を除去する。未硬化のポリシラザン組成物を除去するには、一般にポリシラザンを溶解することのできる溶媒により洗浄をすることにより行う。このような溶媒はポリシラザン組成物の溶媒として挙げたものの中から任意に選択できる。
未硬化層を除去した後、必要に応じて被覆薄膜形成工程で形成された被覆薄膜をさらに硬化させることもできる。この被覆薄膜は非常に薄いため、硬化に際して酸素が基板界面まで十分に到達し、優れた特性を有するシリカ質膜を形成することができる。硬化は、硬化炉やホットプレートを用いて、水蒸気を含んだ、不活性ガスまたは酸素雰囲気下で行うことが好ましい。水蒸気は、ケイ素含有化合物またはケイ素含有重合体、ならびに存在する場合にはポリシラザン化合物をシリカ質膜(すなわち二酸化ケイ素)に十分に転化させるのに重要であり、好ましくは1%以上、より好ましくは10%以上、最も好ましくは20%以上とする。特に水蒸気濃度が20%以上であると、シラザン化合物のシリカ質膜への転化が進行しやすくなり、ボイドなどの欠陥が発生が少なくなり、シリカ質膜の特性が改良されるので好ましい。雰囲気ガスとして不活性ガスを用いる場合には、窒素、アルゴン、またはヘリウムなどを用いる。
必要に応じて、以上のように基板上に1層以上の硬化された被覆薄膜が形成された後、最終的に溝部を充填し、表面が平坦なシリカ質膜で被覆された基板を得るために、表面に別のポリシラザン組成物を塗布する最終塗布工程に付される。この最終塗布工程では、単に被覆薄膜硬化工程後に、溝部に残っている孔を充填することが目的であり、用いるポリシラザン組成物や塗布条件は前記したものと同様のものから選択することができる。なお、この工程で用いる別のポリシラザン組成物は、前記被覆薄膜を形成させるのに用いたものと同じ組成を有するものであってもよい。
最終塗布工程終了後、必要に応じてプリベーク工程(詳細後述)に付した後、ポリシラザン塗膜全体を完全にシリカ質膜に転化させて硬化させるために、基板全体を加熱する。通常は、基板全体を硬化炉などに投入して加熱するのが一般的であり、硬化条件は、被覆薄膜硬化工程において挙げたものと同様のものから選択することができる。
最終塗布工程後、最終硬化工程に先立って、ポリシラザン組成物が塗布された基板をプリベーク処理をすることができる。この工程では、塗膜中に含まれる溶媒の完全除去と、最終塗布工程による塗膜の予備硬化を目的とするものである。特に本発明のシリカ質膜の形成方法においては、プリベーク処理をすることにより、シリカ質膜の緻密性が向上するので、プリベーク工程を組み合わせることが好ましい。
硬化させた後、硬化したシリカ質膜の不要な部分は除去することが好ましい。そのために、まず研磨工程により、基板上の凹部内側に形成されたシリカ質膜を残し、基板表面の平坦部上に形成されたシリカ質膜を研磨により除去する。この工程が研磨工程である。この研磨工程は、硬化処理の後に行うほか、プリベーク工程を組み合わせる場合には、プリベーク直後に行うこともできる。
前記の研磨工程において、基板表面の平坦部上に形成されたポリシラザン組成物に由来するシリカ質膜はほとんど除去されるが、基板表面の平坦部に残存しているシリカ質膜を除去するために、さらにエッチング処理を行うことが好ましい。エッチング処理はエッチング液を用いるのが一般的であり、エッチング液としては、シリカ質膜を除去できるものであれば特に限定されないが、通常はフッ化アンモニウムを含有するフッ酸水溶液を用いる。この水溶液のフッ化アンモニウム濃度は5%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましい。
幅100nm、深さ500nmの溝からなる微細構造を有するシリコン基板を準備した。また、ポリシラザンをジブチルエーテルに溶解させたポリシラザン組成物を準備した。ここで用いたポリシラザンは、式(II)においてR1およびR3がHであり、R2がCH3である、スチレン換算重量平均分子量が3200のものであった。平坦な基板上に塗布した場合に膜厚が500nmとなる塗布条件で、4枚のシリコン基板にポリシラザン組成物を塗布し、それぞれを30℃(例1A)、50℃(例1B)、70℃(例1C)、または130℃(例1D)で1分間、被覆薄膜形成のために加熱を行った。引き続き、乾燥後の基板をそれぞれジブチルエーテルに1分間浸漬し、未硬化部を除去した。その後サンプル基板の断面を走査型電子顕微鏡(日立製作所株式会社製高分解能電界放出型走査電子顕微鏡S−4800(商品名))で観察し、溝部以外の表面部分の膜厚aと、溝内部の底部における膜厚bを計測し、そのコンフォーマル性を評価した。
*2:未硬化部がほとんどなく、基板表面の平坦部には512nmの厚さの被膜が形成され、溝内は完全に充填された状態で硬化されており、溝内部の底から被膜表面までの厚さは1023nmであった。結果的に基板の形状に沿った被覆薄膜が形成されておらず、コンフォーマル性の評価ができなかった。
例1と同様に、微細構造を有するシリコン基板上にポリシラザン組成物を塗布した基板を2枚準備した。なお、この例においては、ポリシラザン化合物として、スチレン換算重量平均分子量が1300のペルヒドロポリシラザンを用いた。この基板をそれぞれ172nm(例2A)または254nm(例2B)の波長の光で照射した。照射には、172nmの光源としてウシオ電機株式会社製エキシマUV照射装置を、254nmの光源としてヘレウス株式会社製アマルガムランプを用い、照射時間は30秒間、光照射量は300mJ/cm2とした。ここで、172nmの波長の光はポリシラザン塗膜に吸収される光であり、一方で254nmの波長の光はポリシラザン塗膜には吸収されず、シリコン基板には吸収される。光照射後、キシレンに1分間浸漬し、未硬化部を除去した。その後サンプル基板の断面を走査型電子顕微鏡で観察し、溝部以外の表面部分の膜厚aと、溝内部の底部における膜厚bを計測し、そのコンフォーマル性を評価した。
幅28nm、深さ500nmの溝からなる微細構造を有するシリコン基板を準備し、ウシオ電機株式会社製エキシマUV照射装置を用いて172nmの波長の光を空気中で1分間照射して、基板表面をヒドロキシ化する処理を行った。その後、例2と同様の方法でポリシラザン組成物を塗布し、さらに未硬化部を除去した(例3B)。対照としてUV照射を行っていない基板を準備し、この基板に例1と同様の方法でポリシラザン組成物を塗布し、さらに未硬化部を除去した(例3A)。得られた基板の断面をそれぞれ透過型電子顕微鏡(日立製作所株式会社製H−9000UHR(商品名))で観察し、溝部以外の表面部分の膜厚aと、溝内部の底部における膜厚bを計測し、そのコンフォーマル性を評価した。例3Aではポリシラザン組成物が全く硬化しなかったために被覆薄膜が形成されなかった。
例2と同様のポリシラザン溶液を表面が平坦なシリコン基板にスピン塗布し、膜厚500nmの膜厚を得た。この基板をホットプレートで90℃1分間のプリベークを行った後、ジブチルエーテルに3分間浸漬した。引き上げて乾燥させたところ、膜厚49nmのポリシラザン膜が得られた。これを水蒸気酸化炉VF−1000(商品名、光洋サーモシステム株式会社製)を用いて400℃で水蒸気の雰囲気に対する体積比が80%の条件下で水蒸気酸化を1時間行った。得られた膜(第一層)を赤外分光法で分析した所、二酸化ケイ素膜になっていることが確認できた。
例4に対して第一層の酸化方法のみを変更して二酸化ケイ素膜を形成させた。すなわち、ポリシラザン溶液をシリコン基板にスピン塗布し、膜厚500nmの膜厚を得た。この基板をホットプレートで90℃1分間のプリベークを行った後、ジブチルエーテルに3分間浸漬した。引き上げて乾燥させたところ、膜厚49nmのポリシラザン膜を得た。これをウシオ電機株式会社製エキシマUV照射装置を用いて、波長172nmの紫外光を3分間照射した。この膜を赤外分光法で分析した所、二酸化ケイ素膜になっていることが確認できた。この上に例4Aと同様に第二層を形成させた(例5A)。このサンプルのポリシラザン由来二酸化ケイ素膜の基板界面付近での膜中窒素濃度は、5×1017個/cm3であった。この膜中窒素濃度は例4Bに比較して有意に低い値である。
例4に対して第一層の酸化方法のみを変更して二酸化ケイ素膜を形成させた。すなわち、ポリシラザン溶液をシリコン基板にスピン塗布し、膜厚500nmの膜厚を得た。この基板をホットプレートで90℃1分間のプリベークを行った後、ジブチルエーテルに3分間浸漬した。引き上げて乾燥させたところ、膜厚49nmのポリシラザン膜を得た。これを雰囲気が制御できる容器に封入し、容器内にオゾン密度10mg/Lの空気を30分間供給した。この膜を赤外分光法で分析した所、二酸化ケイ素膜になっていることが確認できた。この上に例4Aと同様に第二層を形成させた(例6A)。このサンプルのポリシラザン由来二酸化ケイ素膜の基板界面付近での膜中窒素濃度は、2×1018個/cm3であった。この膜中窒素濃度は例4Bに比較して有意に低い値である。
例4に対して第一層の酸化方法のみを変更して二酸化ケイ素膜を形成させた。すなわち、ポリシラザン溶液をシリコン基板にスピン塗布し、膜厚500nmの膜厚を得た。この基板をホットプレートで90℃1分間のプリベークを行った後、ジブチルエーテルに3分間浸漬した。引き上げて乾燥させたところ、膜厚49nmのポリシラザン膜を得た。これを濃度50重量%の過酸化水素水に30分間浸漬した。この膜を赤外分光法で分析した所、二酸化ケイ素膜になっていることが確認できた。この上に例4Aと同様に第二層を形成させた(例6A)。このサンプルのポリシラザン由来二酸化ケイ素膜の基板界面付近での膜中窒素濃度は、4×1018個/cm3であった。この膜中窒素濃度は例4Bに比較して有意に低い値である。
例3Bに対して、UV光照射、ポリシラザン組成物の塗布、被覆薄膜のための加熱、および未硬化層除去を6回繰り返し、被覆薄膜を6層重ねて形成させた。この方法によれば、はじめのUV光照射により、シリコン基板表面がヒドロキシ化されるが、2回目以降のUV光照射では、その直前に形成された被覆薄膜表面がヒドロキシ化される。その後サンプル基板の断面を透過型電子顕微鏡(日立製作所株式会社製H−9000UHR(商品名))で観察し、溝部以外の表面部分の膜厚aと、溝内部の底部における膜厚bを計測し、そのコンフォーマル性を評価した。
例8を、塗布する基板を平坦な基板に代えて実施した。すなわち、平坦な基板上にUV光照射、ポリシラザン組成物の塗布、被覆薄膜のための加熱、および未硬化層除去を6回繰り返し、被覆薄膜を6層重ねて形成させた。さらに、この上から、例2と同様のポリシラザン溶液をスピン塗布し、膜厚500nmのポリシラザン膜を堆積させた。150℃3分間のプリベークの後、80mol%の水蒸気を含む酸素+水蒸気ガス(H2O/(O2+H2O)=80%)を8L/min流した雰囲気のもとで、400℃の水蒸気酸化を1時間行った。さらにN2雰囲気中で800℃1時間の加熱を行って第二層を形成させた(例9)。得られたサンプルのポリシラザン由来二酸化ケイ素膜の基板界面付近での膜中窒素濃度は、9×1017個/cm3であった。
2 被覆薄膜
3 最終塗布工程および最終硬化工程に由来するシリカ質膜
Claims (14)
- (A)凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させる第一塗布工程、
(B)前記塗膜のうち、前記基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させる被覆薄膜形成工程、および
(C)前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する未硬化層除去工程、
を含んでなることを特徴とするシリカ質膜の形成方法。 - 前記未硬化層除去工程の直後に、(D)前記被覆薄膜をさらに硬化させる被覆薄膜硬化工程を含んでなる、請求項1に記載のシリカ質膜の形成方法。
- (E)前記被覆薄膜の表面に別のポリシラザン組成物を塗布して凹部を充填する最終塗布工程、および
(F)最終塗布工程において塗布された前記別のポリシラザン組成物を二酸化ケイ素に転化させて硬化させる最終硬化工程
を含んでなる、請求項1または2に記載のシリカ質膜の形成方法。 - 前記被覆薄膜の厚さが1〜50nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 前記凹凸を有する基板が、平坦な基板に幅1〜100nm、深さ10nm〜10μmの溝が形成されたものである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 前記被覆薄膜形成工程が、
(B1)前記基板を35〜120℃に加熱して、前記ポリシラザン塗膜の前記基板に隣接した部分のみを硬化させること、
(B2)前記ポリシラザン組成物塗布後に、前記基板が吸収するが、ポリシラザン塗膜が吸収しない波長の光を照射し、前記基板に隣接した部分のみを硬化させること、および
(B3)前記第一塗布工程(A)の前にあらかじめ前記基板に高エネルギー線を照射して前記基板表面をヒドロキシ化させておき、その後にポリシラザン組成物を塗布することによって、前記基板に隣接した部分のみを硬化させること、
からなる群から選択される、請求項1〜5のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。 - 被覆薄膜形成工程が、(B1)〜(B3)のうちの2種類以上の組み合わせにより行われる、請求項請求項6に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 前記(A)〜(D)の工程を繰り返して、前記被覆薄膜を2層以上形成させる、請求項1〜7のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 前記ポリシラザン組成物が、ペルヒドロポリシラザンを含んでなるものである、請求項1〜8のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 前記被覆薄膜硬化工程(D)が、水蒸気を含んだ、不活性ガスまたは酸素雰囲気下で加熱することにより行う、請求項2〜9のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 前記最終硬化工程(F)が、水蒸気を含んだ、不活性ガスまたは酸素雰囲気下で加熱することにより行う、請求項3〜10のいずれか1項に記載のシリカ質膜の形成方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の方法で形成されたことを特徴とするシリカ質膜。
- 膜中窒素濃度が1×1019個/cm3以下である、請求項12に記載のシリカ質膜。
- 凹凸を有する基板表面の凹部が二酸化ケイ素により埋設されたシリカ質膜付き基板であって、前記凹部の内側表面が、請求項1〜11のいずれか1項に記載された方法により形成されたシリカ質膜で被覆されていることを特徴とする、シリカ質膜付き基板。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008049906A JP5306669B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜 |
TW098106283A TWI505403B (zh) | 2008-02-29 | 2009-02-27 | 氧化矽質膜的形成方法及藉由它所形成的氧化矽質膜 |
KR1020107019058A KR101547878B1 (ko) | 2008-02-29 | 2009-02-27 | 실리카질막의 형성 방법 및 그것에 의해 형성된 실리카질막 |
US12/918,069 US8889229B2 (en) | 2008-02-29 | 2009-02-27 | Method for formation of siliceous film and siliceous film formed by the method |
CN2009801061194A CN101952953B (zh) | 2008-02-29 | 2009-02-27 | 硅质膜的形成方法以及通过该方法形成的硅质膜 |
EP09715661.6A EP2264754B8 (en) | 2008-02-29 | 2009-02-27 | Method for formation of siliceous film |
PCT/JP2009/053651 WO2009107768A1 (ja) | 2008-02-29 | 2009-02-27 | シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008049906A JP5306669B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009206440A true JP2009206440A (ja) | 2009-09-10 |
JP5306669B2 JP5306669B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=41016153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008049906A Expired - Fee Related JP5306669B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8889229B2 (ja) |
EP (1) | EP2264754B8 (ja) |
JP (1) | JP5306669B2 (ja) |
KR (1) | KR101547878B1 (ja) |
CN (1) | CN101952953B (ja) |
TW (1) | TWI505403B (ja) |
WO (1) | WO2009107768A1 (ja) |
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KR20220115313A (ko) | 2021-02-10 | 2022-08-17 | 엠제이 주식회사 | 곰솔추출물을 유효성분으로 함유하는 소취 및 항균성 화장료 조성물 |
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-
2008
- 2008-02-29 JP JP2008049906A patent/JP5306669B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-27 KR KR1020107019058A patent/KR101547878B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-27 WO PCT/JP2009/053651 patent/WO2009107768A1/ja active Application Filing
- 2009-02-27 TW TW098106283A patent/TWI505403B/zh active
- 2009-02-27 US US12/918,069 patent/US8889229B2/en active Active
- 2009-02-27 CN CN2009801061194A patent/CN101952953B/zh active Active
- 2009-02-27 EP EP09715661.6A patent/EP2264754B8/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2264754B1 (en) | 2017-03-29 |
KR20100122488A (ko) | 2010-11-22 |
EP2264754B8 (en) | 2017-05-24 |
CN101952953A (zh) | 2011-01-19 |
WO2009107768A1 (ja) | 2009-09-03 |
JP5306669B2 (ja) | 2013-10-02 |
TWI505403B (zh) | 2015-10-21 |
EP2264754A4 (en) | 2014-01-15 |
KR101547878B1 (ko) | 2015-08-27 |
CN101952953B (zh) | 2013-02-27 |
US8889229B2 (en) | 2014-11-18 |
EP2264754A1 (en) | 2010-12-22 |
US20100323168A1 (en) | 2010-12-23 |
TW200947613A (en) | 2009-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100928 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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