JP2009200460A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子のゲートパターン形成工程の際にゲート電極膜をパターニングした後、ゲート電極膜の露出した表面、すなわちゲート電極膜の側壁を保護膜で包むことにより、後続の熱工程、洗浄工程およびエッチング工程の際にゲート電極膜の酸化を防止することが可能なフローティングゲート型フラッシュメモリの半導体素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板100上に順次積層されたトンネル絶縁膜101、フローティングゲート用導電膜102、誘電体膜103、コントロールゲート用導電膜104、およびタングステン膜で形成されたゲート電極膜105、並びに、ゲート電極膜105の側壁に、窒化膜107aおよび酸化膜107bからなる二重膜で形成された保護膜107を含む。
【選択図】図6
【解決手段】半導体素子は、半導体基板100上に順次積層されたトンネル絶縁膜101、フローティングゲート用導電膜102、誘電体膜103、コントロールゲート用導電膜104、およびタングステン膜で形成されたゲート電極膜105、並びに、ゲート電極膜105の側壁に、窒化膜107aおよび酸化膜107bからなる二重膜で形成された保護膜107を含む。
【選択図】図6
Description
本発明は、半導体素子およびその製造方法に係り、特に、ゲートパターンを形成するための半導体素子およびその製造方法に関する。
一般に、半導体素子のフラッシュメモリ素子は、フローティングゲート用導電膜、誘電体膜、コントロールゲート用導電膜、およびゲート電極をパターニングしてゲートパターンを形成する。
図1は従来の技術に係る半導体メモリ素子のゲートパターンを形成するための素子の断面図である。
図1を参照すると、半導体基板10上にトンネル絶縁膜11、フローティングゲート用導電膜12、誘電体膜13、コントロールゲート用導電膜14、ゲート電極膜15およびハードマスク膜16を順次積層して形成する。その後、ハードマスクをパターニングし、これを用いたエッチング工程を行ってゲート電極膜15をパターニングする。
通常50nm以下の半導体素子では、ゲート電極膜15としてタングステンシリサイド(Wsix)膜を使用する場合、タングステンシリサイド(Wsix)膜自体の比抵抗が高くてワードラインの抵抗(Rs)が増加し、プログラム速度および読み出し速度が低下する。これを解決するためには、タングステンシリサイド(Wsix)膜の厚さを増加させなければならないが、これは、ワードラインのパターニング工程が難しく、ワードラインを電気的に分離させる素子分離膜内にボイド(Void)が発生するおそれがある。したがって、タングステンシリサイド(Wsix)膜よりも比抵抗が低いタングステン(W)膜を用いてゲート電極膜を形成する方法が研究中である。
ところが、タングステン膜は、熱工程によって酸化し易く、洗浄工程の際に洗浄溶液によって腐食し易く或いは酸化して溶解するので、後続工程の制約が多い。
そこで、本発明の目的は、半導体素子のゲートパターン形成工程の際にゲート電極膜をパターニングした後、ゲート電極膜の露出した表面、すなわちゲート電極膜の側壁を保護膜で包むことにより、後続の熱工程、洗浄工程およびエッチング工程の際にゲート電極膜の酸化を防止することが可能な半導体素子およびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の一実施例に係る半導体素子は、半導体基板上に順次積層されたトンネル絶縁膜、フローティングゲート用導電膜、誘電体膜、コントロールゲート用導電膜、およびゲート電極膜、並びに前記ゲート電極膜の側壁に形成された保護膜を含むことを特徴とする。
前記保護膜は窒化膜である。前記保護膜は窒化膜および酸化膜からなる二重膜で形成することができる。前記窒化膜の厚さは20Å〜100Åである。前記酸化膜の厚さは20Å〜150Åである。前記ゲート電極膜はタングステン(W)から構成される。
本発明の一実施例に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上にトンネル絶縁膜、第1導電膜、誘電体膜、第2導電膜、およびゲート電極膜を順次積層する段階と、前記ゲート電極膜をパターニングして前記第2導電膜を露出させる段階と、前記ゲート電極膜の側壁に保護膜を形成する段階と、露出した前記第2導電膜、誘電体膜、および第1導電膜をエッチングしてゲートパターンを形成する段階とを含む。
前記保護膜は窒化膜および酸化膜の二重膜で形成する。前記窒化膜の厚さは20Å〜100Åとし、前記酸化膜の厚さは20Å〜150Åとする。
前記ゲート電極膜を形成した後、ハードマスクパターンを形成する段階をさらに含む。
前記第1導電膜および第2導電膜はポリシリコン膜で形成する。前記誘電体膜は、第1酸化膜、窒化膜および第2酸化膜からなるONO構造で形成する。
前記ゲート電極膜はタングステン(W)で形成する。
また、本発明の一実施例に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上にトンネル絶縁膜、第1導電膜、誘電体膜、第2導電膜、ゲート電極膜、およびハードマスクパターンを順次積層する段階と、前記ハードマスクパターンを用いたエッチング工程を行い、前記ゲート電極膜をパターニングする段階と、後続の工程による前記ゲート電極膜の酸化および水素イオン浸透を抑制するために、前記ゲート電極膜の側壁に第1保護膜を形成する段階と、前記誘電体膜のエッチング工程の際に前記第1保護膜のエッチング損傷を防止するために、前記第1保護膜の表面に第2保護膜を形成する段階と、露出した前記第2導電膜、誘電体膜、および第1導電膜をエッチングしてゲートパターンを形成する段階とを含む。
前記第1保護膜は窒化膜で形成する。前記第2保護膜は酸化膜で形成する。
前記第1保護膜の厚さは20Å〜100Åとし、前記第2保護膜の厚さは20Å〜150Åとする。
本発明は、半導体素子のゲートパターン形成工程の際にゲート電極膜をパターニングした後、ゲート電極膜の露出した表面、すなわちゲート電極膜の側壁を保護膜で包むことにより、後続の熱工程、洗浄工程およびエッチング工程の際にゲート電極膜の酸化を防止することが可能な半導体素子およびその製造方法を提供する。
また、本発明は、保護膜を窒化膜および酸化膜からなる二重膜で形成することにより、後続の誘電体膜エッチング工程の際に保護膜のエッチング損傷を抑制することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。ところが、これらの実施例は様々な形に変形できるが、本発明の範囲を限定するものではない。これらの実施例は、本発明の開示を完全たるものにし且つ当該技術分野における通常の知識を有する者に本発明の範疇をより完全に知らせるために提供されるものである。なお、本発明の範囲は特許請求の範囲によって理解されるべきである。
図2〜図6は本発明の一実施例に係る半導体素子の製造方法を説明するための素子の断面図である。
図2を参照すると、半導体基板100上にトンネル絶縁膜101、第1導電膜となるフローティングゲート用導電膜102、誘電体膜103、第2導電膜となるコントロールゲート用導電膜104、ゲート電極膜105、およびハードマスク膜106を順次積層して形成する。
この際、フローティングゲート用導電膜102およびコントロールゲート用導電膜104はポリシリコン膜を用いて形成することができ、誘電体膜103は第1酸化膜103a、窒化膜103b、および第2酸化膜103cからなるONO構造で形成することが好ましい。ゲート電極膜105はタングステン(W)膜で形成することが好ましい。
フローティングゲート用導電膜102は、不純物が含有されていない非晶質ポリシリコン膜と、不純物が含有されたポリシリコン膜とからなる二重膜で形成することが好ましい。
図面には示していないが、コントロールゲート用導電膜104を形成した後、ゲート電極膜105を形成する前に拡散防止膜を形成することが好ましい。
図3を参照すると、ハードディスク膜上にフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンを用いたエッチング工程を行う。すなわち、ハードマスク膜をパターニングしてハードマスクパターン106aを形成する。
その後、ハードマスクパターン106aをエッチングマスクとして用いるエッチング工程を行ってゲート電極膜105をパターニングする。この際、エッチング工程の際に第2導電膜となるコントロールゲート用導電膜104の上部が露出するように行うことが好ましい。
図4を参照すると、パターニングされたゲート電極膜105およびハードマスクパターン106aを含んだ全体構造上に保護膜107を形成する。保護膜107は、窒化膜のみからなる単一膜で形成可能であるが、窒化膜107aおよび酸化膜107bからなる二重膜で形成することが好ましい。
窒化膜107aは、20Å〜100Åの厚さに形成することが好ましい。酸化膜107bは、20Å〜150Åの厚さに形成することが好ましい。
図5(a)および図5(b)は窒化膜の厚さによるタングステン膜の酸化度および浸透度の増減を示すグラフである。
図5(a)および図5(b)を参照すると、図4の保護膜107を窒化膜で形成する場合、窒化膜は後続の熱工程によるゲート電極膜(タングステン)の酸化および水素イオン(H+)の浸透を効果的に防止するためには一定の厚さ以上に蒸着されなければならない。また、窒化膜は後続の誘電体膜103エッチング工程の際にエッチング選択比が高くてエッチング損傷を受け、これを防止するために厚さを増加させなければならない。これにより、ゲートパターン間の距離が狭くなって素子の集積度が減少するおそれがある。このために、図4に示したように、保護膜107を第1保護膜となる窒化膜107aおよび第2保護膜となる酸化膜107bからなる二重膜で形成することが好ましい。すなわち、第2保護膜となる酸化膜107bが第1保護膜となる窒化膜107aのエッチング損傷を防止して窒化膜107aの厚さを維持することができる。
図6を参照すると、エッチング工程を行い、コントロールゲート用導電膜104の上部およびハードマスクパターン106aの上部に形成された保護膜107を除去する。すなわち、ゲート電極105の側壁に第1保護膜となる保護膜107を残留させる。
その後、露出するコントロールゲート用導電膜104、誘電体膜103、およびフローティングゲート用導電膜101をエッチングして半導体素子のゲートパターンを形成する。
本発明の技術思想は前記好適な実施例によって具体的に記述されたが、前述した実施例は、本発明を説明するためのもので、制限するものではないことに留意すべきである。また、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な実施が可能であることを理解することができるであろう。
本発明の活用例として、半導体素子およびその製造方法に適用出来、特に、ゲートパターンを形成するための半導体素子およびその製造方法に適用出来る。
100…半導体基板
101…トンネル絶縁膜
102…フローティングゲート用導電膜
103…誘電体膜
104…コントロールゲート用導電膜
105…ゲート電極膜
106…ハードマスク膜
107…保護膜
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Claims (19)
- 半導体基板上に順次積層されたトンネル絶縁膜、フローティングゲート用導電膜、誘電体膜、コントロールゲート用導電膜、およびゲート電極膜、並びに前記ゲート電極膜の側壁に形成された保護膜を含むことを特徴とする、半導体素子。
- 前記保護膜は窒化膜であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子。
- 前記保護膜は窒化膜および酸化膜からなる二重膜であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子。
- 前記窒化膜の厚さは20Å〜100Åであることを特徴とする、請求項3に記載の半導体素子。
- 前記酸化膜の厚さは20Å〜150Åであることを特徴とする、請求項3に記載の半導体素子。
- 前記ゲート電極膜はタングステン(W)から構成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子。
- 半導体基板上にトンネル絶縁膜、第1導電膜、誘電体膜、第2導電膜、およびゲート電極膜を順次積層する段階と、
前記ゲート電極膜をパターニングして前記第2導電膜を露出させる段階と、
前記ゲート電極膜の側壁に保護膜を形成する段階と、
露出した前記第2導電膜、前記誘電体膜、および前記第1導電膜をエッチングしてゲートパターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする、半導体素子の製造方法。 - 前記保護膜は窒化膜および酸化膜の二重膜で形成することを特徴とする、請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記窒化膜の厚さは20Å〜100Åとすることを特徴とする、請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記酸化膜の厚さは20Å〜150Åとすることを特徴とする、請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ゲート電極膜を形成した後、ハードマスクパターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1導電膜および前記第2導電膜はポリシリコン膜で形成することを特徴とする、請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記誘電体膜は、第1酸化膜、窒化膜および第2酸化膜からなるONO構造で形成することを特徴とする、請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ゲート電極膜はタングステン(W)で形成することを特徴とする、請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 半導体基板上にトンネル絶縁膜、第1導電膜、誘電体膜、第2導電膜、ゲート電極膜、およびハードマスクパターンを順次積層する段階と、
前記ハードマスクパターンを用いたエッチング工程を行い、前記ゲート電極膜をパターニングする段階と、
後続の工程による前記ゲート電極膜の酸化および水素イオン浸透を抑制するために、前記ゲート電極膜の側壁に第1保護膜を形成する段階と、
前記誘電体膜のエッチング工程の際に前記第1保護膜のエッチング損傷を防止するために、前記第1保護膜の表面に第2保護膜を形成する段階と、
露出した前記第2導電膜、前記誘電体膜、および前記第1導電膜をエッチングしてゲートパターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする、半導体素子の製造方法。 - 前記第1保護膜は窒化膜で形成することを特徴とする、請求項15に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2保護膜は酸化膜で形成することを特徴とする、請求項15に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1保護膜の厚さは20Å〜100Åとすることを特徴とする、請求項15に記載の半導体素子の製造方法、
- 前記第2保護膜の厚さは20Å〜150Åとすることを特徴とする、請求項15に記載の半導体素子の製造方法。
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