JP2009164152A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. それぞれが間隔をおいて積層された複数の基板を備える積層型半導体装置であって、前記各基板間には、該各基板間における熱伝導率を向上させるための熱伝導性部材が配置されていることを特徴とする積層型半導体装置。
2. 前記熱伝導性部材はダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
3. 前記熱伝導性部材は、複数の筒状のカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
4. 前記熱伝導性部材は、複数の筒状のカーボンナノチューブが混入された合成樹脂材料であることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
5. 前記複数のカーボンナノチューブは、それぞれに与えられる誘電泳動力により、それぞれの軸線が前記各基板の板厚方向に直交する方向を向くように配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の積層型半導体装置。
6. 前記熱伝導性部材は、電気伝導性を有しない合成樹脂材料でカーボンナノチューブを包んだ複数の粒状部材であることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
7. 前記各基板及び該各基板間に配置された前記熱伝導性部材には、前記各基板及び前記熱伝導性部材を前記基板の積層方向に連続して貫通する貫通孔が形成されており、該貫通孔内には、該貫通孔内における熱伝導率を向上させるための貫通孔用熱伝導性部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の積層型半導体装置。
8. 前記貫通孔用熱伝導性部材は複数の金属粒子であることを特徴とする請求項７に記載の積層型半導体装置。
9. 前記貫通孔用熱伝導性部材は複数の筒状のカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項７に記載の積層型半導体装置。
10. 前記複数のカーボンナノチューブは、それぞれに与えられる誘電泳動力により、それぞれの軸線が前記貫通孔の伸長方向を向くように該貫通孔内に配置されることを特徴とする請求項９に記載の積層型半導体装置。
11. 前記複数のカーボンナノチューブは、前記貫通孔の一端からその他端に向けて成長することにより、それぞれの軸線が前記貫通孔の伸長方向を向くように該貫通孔内に配置されることを特徴とする請求項９に記載の積層型半導体装置。
12. 積層された複数の基板を備える積層型半導体装置であって、前記各基板には、該各基板をその積層方向に連続して貫通する貫通孔が形成されており、該貫通孔内には、該貫通孔内における熱伝導率を向上させるための熱伝導性部材が配置されていることを特徴とする積層型半導体装置。
13. 前記熱伝導性部材は複数の金属粒子であることを特徴とする請求項１２に記載の積層型半導体装置。
14. 前記熱伝導性部材は複数の筒状のカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１２に記載の積層型半導体装置。
15. 前記複数のカーボンナノチューブは、それぞれに与えられる誘電泳動力により、それぞれの軸線が前記貫通孔の伸長方向を向くように該貫通孔内に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の積層型半導体装置。
16. 前記複数のカーボンナノチューブは、前記貫通孔の一端からその他端に向けて成長することにより、それぞれの軸線が前記貫通孔の伸長方向を向くように該貫通孔内に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の積層型半導体装置。
17. 前記熱伝導性部材は、複数のカーボンナノチューブと、前記複数のカーボンナノチューブと前記各基板との間を電気的に絶縁する絶縁部とを有することを特徴する請求項１又は請求項１２に記載の積層型半導体装置。