JP2009124187A - デバイス製造方法、トップコート材料、及び基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 浸漬リソグラフィにおいて、投影システムの最終要素、浸漬流体及びトップコート中で内部反射が起こらないようにするために、浸漬流体、トップコート及びレジストの厚さdl、dtc及びdr、及び屈折率nl、ntc及びnrは、次の条件を満たす。
nl≦ntc≦nr
dl>約5.λ
dtc≦約5.λ
【選択図】図6
Description
パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影することを備えるデバイス製造方法が提供され、この製造方法では、
レジストと液体の間にトップコート層が設けられ、そのトップコート層はパターン形成されたビームの放射の波長の約5倍以下の厚さを有し、
その液体はパターン形成されたビームの放射の波長の約5倍以上の厚さを有し、さらに、
液体、トップコート及びレジストは、第1、第2及び第3の屈折率をそれぞれ有し、第1の屈折率は第2の屈折率以下であり、且つ第2の屈折率は第3の屈折率以下である。
レジストと液体の間にトップコート層が設けられ、そのトップコート層は
その液体は、λの約5倍以上の厚さを有し、
そのレジストは、λの1/2倍から1倍までの範囲の厚さを有し、さらに、
nlはntc以下であり、ntcはnr以下であり、且つntcはnlとnrの積の二乗根にほぼ等しい。
パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影することを備えるデバイス製造方法が提供され、この製造方法では、レジストと液体の間にトップコート層が設けられ、トップコートはナノ粒子の懸濁を含む。
パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影することを備えるデバイス製造方法が提供され、この製造方法では、レジストと液体の間にトップコート層が設けられ、且つレジストとトップコートの間にプライマ層が設けられ、そのプライマ層はパターン形成されたビームの放射の波長よりも小さな厚さを有する。
放射で露光することができるレジストで実質的に覆われた表面と、
レジストを実質的に覆うトップコート層であって、放射の波長の約5倍以下の厚さを有するトップコート層と、を備える基板が提供され、
トップコート及びレジストは第1及び第2の屈折率をそれぞれ有し、第1の屈折率は第2の屈折率以下である。
放射で露光することができるレジストで実質的に覆われた表面と、
レジストを実質的に覆うトップコート層と、
レジストとトップコート層の間に設けられたプライマ層であって、放射の波長よりも小さな厚さを有するプライマ層と、を備える基板が提供される。
放射で露光することができるレジストで実質的に覆われた表面であって、そのレジストが波長の1/2倍から1倍までの範囲の厚さを有するものである表面と、
レジストを実質的に覆うトップコート層であって、波長の約1/4の厚さを有するトップコート層と、を備える基板が提供され、
ここで、トップコート及びレジストが第1及び第2の屈折率をそれぞれ有し、第1の屈折率は第2の屈折率以下である。
放射で露光することができるレジストで実質的に覆われた表面と、
レジストを実質的に覆うトップコート層と、を備える基板が提供され、そのトップコートはナノ粒子の懸濁を含んでいる。
− 放射ビームPB(例えば、UV放射又はDUV放射)を条件付けするように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターン形成デバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、且つ特定のパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置付けするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
− 基板(例えば、レジスト被覆ウェハ)Wを保持するように構築され、且つ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WTと、
− パターン形成デバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つ又は複数のチップを備える)に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズ・システム)PLと、を備えている。
1.ステップ・モードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度に目標部分Cに投影される(すなわち、単一静的露光)。次に、異なる目標部分Cが露光されるように、基板テーブルWTはX方向及び/又はY方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間に、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査される(すなわち、単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光での目標部分の(非走査方向の)幅が制限されるが、走査移動の長さによって目標部分の(走査方向の)高さが決定される。
3.他のモードでは、支持構造MTは、プログラム可能パターン形成デバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTは、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間に、動かされる、すなわち走査される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラム可能パターン形成デバイスは、基板テーブルWTの各移動の後で、又は走査中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラム可能ミラー・アレイのようなプログラム可能パターン形成デバイスを使用するマスクレス・リソグラフィに容易に応用することができる。
nfle≦nl≦ntc≦nr (1)
dl≧約5.λ (2)
dtc≦約5.λ (3)
nl≦ntc≦nr (4)
dl≧約5.λ (5)
1/2.λ≦dr≦λ (6)
2.ntc.dtc.(1−sin2β)=(m−1/2)λ (8)
ここで、
IL 照明システム(イルミネータ)
PL 投影システム
FLE 投影システムPLの最終要素
MA パターン形成デバイス(マスク、レチクル)
PB 放射ビーム
W 基板(ウェハ)
TC トップコート
R レジスト
11 浸漬液
12 液体閉じ込め構造
20 プライマ層
Claims (27)
- パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影するステップを備えるデバイス製造方法であって、
前記レジストと前記液体の間にトップコート層が設けられ、前記トップコート層が前記パターン形成されたビームの前記放射の波長の約5倍以下の厚さを有し、
前記液体が、前記パターン形成されたビームの前記放射の波長の約5倍以上の厚さを有し、さらに、
前記液体、前記トップコート層及び前記レジストが、第1、第2及び第3の屈折率をそれぞれ有し、前記第1の屈折率が前記第2の屈折率以下であり、且つ前記第2の屈折率が前記第3の屈折率以下である、デバイス製造方法。 - 前記パターン形成されたビームが投影システムを使用して投影され、前記投影システムが第4の屈折率を有する最終要素を有し、前記第1の屈折率が前記第4の屈折率以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の屈折率が約1.6よりも大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の屈折率が約1.7よりも大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記トップコート層が、前記パターン形成されたビームの前記放射の波長よりも小さな寸法を有する誘電体ナノ粒子の懸濁を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、約10から20ナノメートルまでの範囲の寸法を有する、請求項5に記載の方法。
- パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影するステップを備えるデバイス製造方法であって、
前記レジストと前記液体の間にトップコート層が設けられ、前記トップコートが
前記液体が、λの約5倍以上の厚さを有し、
前記レジストが、λの1/2倍から1倍までの範囲の厚さを有し、さらに、
nlがntc以下であり、ntcがnr以下であり、且つntcがnlとnrの積の二乗根にほぼ等しい、デバイス製造方法。 - 前記パターン形成されたビームが投影システムを使用して投影され、前記投影システムがnl以下の屈折率を有する最終要素を有している、請求項7に記載の方法。
- nlが約1.6よりも大きい、請求項7に記載の方法。
- nlが約1.7よりも大きい、請求項7に記載の方法。
- 前記トップコートが、λよりも小さな寸法を有する誘電体ナノ粒子の懸濁を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、約10から20ナノメートルまでの範囲の寸法を有する、請求項11に記載の方法。
- パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影するステップを備えるデバイス製造方法であって、
前記レジストと前記液体の間にトップコート層が設けられ、前記トップコートがナノ粒子の懸濁を含む、デバイス製造方法。 - 前記ナノ粒子が、約10から20ナノメートルまでの範囲の寸法を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記トップコート層が約1.6以上の屈折率を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記トップコート層が約1.7以上の屈折率を有する、請求項13に記載の方法。
- パターン形成された放射ビームを液体を通して基板上に設けられたレジストに投影するステップを備えるデバイス製造方法であって、
前記レジストと前記液体の間にトップコート層が設けられ、且つ前記レジストと前記トップコート層の間にプライマ層が設けられ、前記プライマ層が前記パターン形成されたビームの前記放射の波長よりも小さな厚さを有する、デバイス製造方法。 - 前記プライマ層が、前記トップコート層の前記レジストへの付着力を高める、請求項17に記載の方法。
- 放射で露光することができるレジストで実質的に覆われた表面と、
前記レジストを実質的に覆うトップコート層であって、前記放射の波長の約5倍以下の厚さを有するトップコート層と、を備える基板であって、
前記トップコート及び前記レジストが、第1及び第2の屈折率をそれぞれ有し、前記第1の屈折率が前記第2の屈折率以下である、基板。 - 前記トップコート層が、前記放射の波長よりも小さな寸法を有する誘電体ナノ粒子の懸濁を含む、請求項19に記載の基板。
- 前記ナノ粒子が、約10から20ナノメートルまでの範囲の寸法を有する、請求項20に記載の基板。
- 前記トップコート層が約1.6以上の屈折率を有する、請求項19に記載の基板。
- 前記トップコート層が約1.7以上の屈折率を有する、請求項19に記載の基板。
- 前記トップコート層がナノ粒子の懸濁を含む、請求項19に記載の基板。
- 放射で露光することができるレジストで実質的に覆われた表面と、
前記レジストを実質的に覆うトップコート層と、
前記レジストと前記トップコート層の間に設けられたプライマ層であって、前記放射の波長よりも小さな厚さを有するプライマ層と、を備える基板。 - 前記プライマ層が前記トップコート層の前記レジストへの付着力を高める、請求項25に記載の基板。
- 前記トップコート層がナノ粒子の懸濁を含む、請求項25に記載の基板。
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