JP2009124121A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の多階調フォトマスク(グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク)を用いた露光により第1のレジストパターンを形成し、第1の導電層、第1の絶縁層、第1の半導体層及び第2の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。ここで、島状の単層および島状の積層の側面に、サイドウォールを形成する。さらに、第2の多階調フォトマスクを用いた露光により第2のレジストパターンを形成し、第2の導電層および第2の半導体層をエッチングし、薄膜トランジスタ、画素電極、および接続端子を形成する。その後、第1の導電層と第2の導電層の金属層とをマスクとした裏面からの露光により、第3のレジストパターンを形成し、第3の絶縁層をエッチングし、保護絶縁層を形成する。
【選択図】図8
Description
図1は本発明のアモルファス半導体TFTを有するアクティブマトリクス基板の平面図の一例であり、ここでは簡略化のため、マトリックス上に配置された複数の画素のうち1つの画素の構成を示している。
実施の形態1では、非晶質半導体層を用いたTFTを示したが、本実施の形態では、微結晶半導体層を用いたTFTの例を示す。微結晶半導体を用いるTFTの模式図を図9に示す。本実施の形態では、実施の形態1における第1の非晶質半導体層106を、第1の微結晶半導体層126と第1の非晶質半導体層127の積層とする。
本実施の形態では、実施の形態1における第3のフォトリソグラフィ工程において、第3のフォトレジストパターン124a〜124dの代わりにポジ型の感光性樹脂を用いる例を示す。また、ポジ型感光性樹脂を用いるTFTの模式図を図10に示す。
図11はCOG(chip on glass)方式を用いて、電気光学装置の組み立てる様子を模式的に示す図である。第1の基板1100には画素領域1103、外部入出力端子1104、接続配線1105が形成されている。点線で囲まれた領域は、走査線側のICチップ貼り合わせ領域1101とデータ線側のICチップ貼り合わせ領域1102である。第2の基板1108には対向電極1109が形成され、シール材1110で第1の基板1100と貼り合わせる。シール材1110の内側には液晶が封入され液晶層1111を形成する。第1の基板1100と第2の基板1108とは所定の間隔を持って貼り合わせるが、ネマチック液晶の場合には3〜8μm、スメクチック液晶の場合には1〜4μmとする。
本発明の半導体装置、及び電子機器として、液晶TV、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置。例えば、ポータブルDVDプレイヤー。)などが挙げられる。それら電子機器のうち、一部の電子製品の具体例を図13および図14に示す。
20 容量部
30 端子部
101 基板
102 第1の導電層
103a ゲート配線
103b 容量線
103c 電極
104 第1の絶縁層
105a ゲート絶縁層
105b 絶縁層
106 第1の非晶質半導体層
107a 島状の第1の非晶質半導体層
107b 島状の第1の非晶質半導体層
108 一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体層
109a 島状の一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体層
109b 島状の一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体層
110a フォトレジストパターン
110b フォトレジストパターン
110c フォトレジストパターン
110d フォトレジストパターン
111a フォトレジストパターン
111b フォトレジストパターン
111c フォトレジストパターン
112 第2の絶縁層
113a サイドウォール
113b サイドウォール
113c サイドウォール
113d サイドウォール
113e サイドウォール
113f サイドウォール
113g サイドウォール
114 透明導電層
115a 透明導電層
115b 透明導電層
115c 電極
115d 電極
115e 電極
115f 画素電極
116 金属層
117a 金属層
117b 金属層
117c 金属層
117d 金属層
117e 金属層
118 第2の導電層
119a ソース配線
119b ソース電極又はドレイン電極
120a フォトレジストパターン
120b フォトレジストパターン
120c フォトレジストパターン
120d フォトレジストパターン
120e フォトレジストパターン
121a フォトレジストパターン
121b フォトレジストパターン
121c フォトレジストパターン
121d フォトレジストパターン
121e フォトレジストパターン
122 第3の絶縁層
123a 保護絶縁層
123b 保護絶縁層
123c 保護絶縁層
123d 保護絶縁層
124a フォトレジストパターン
124b フォトレジストパターン
124c フォトレジストパターン
124d フォトレジストパターン
125a フォトレジストパターン
125b フォトレジストパターン
125c フォトレジストパターン
125d フォトレジストパターン
126 第1の微結晶半導体層
127 第1の非晶質半導体層
128 一導電型の不純物元素を含有させた微結晶半導体層
129 ポジ型感光性材料パターン
1100 第1の基板
1101 ICチップ貼り合わせ領域
1102 ICチップ貼り合わせ領域
1103 画素領域
1104 外部入出力端子
1105 接続配線
1106 ICチップ
1107 ICチップ
1108 第2の基板
1109 対向電極
1110 シール材
1111 液晶層
1112 FPC
1113 補強板
1201 第1の基板
1202 第2の基板
1203 シール材
1204 液晶層
1205 引出線
1206 接続配線及び入出力端子
1207 ICチップ
1208 入出力端子
1209 導電性粒子
1210 樹脂
1211 FPC
1212 配線
1213 導電性粒子
1214 樹脂
1215 接着材
1216 Auワイヤ
1217 樹脂
1311 本体
1312 表示部
1314 操作キー
1316 シャッターボタン
1321 本体
1322 筐体
1323 表示部
1324 キーボード
1325 外部接続ポート
1326 ポインティングデバイス
1331 本体
1332 筐体
1333 第1の表示部
1334 第2の表示部
1335 記録媒体(DVD等)読込部
1336 操作キー
1337 スピーカ部
1341 筐体
1342 支持台
1343 表示部
1344 スピーカ
1345 ビデオ入力端子
1400 携帯電話機
1401 本体(A)
1402 本体(B)
1403 筐体
1404 操作スイッチ類
1405 マイクロフォン
1406 スピーカ
1407 回路基板
1408 表示パネル(A)
1409 表示パネル(B)
1410 蝶番
Claims (13)
- 基板上に半導体素子を備えた半導体装置であって、
前記半導体素子は、
前記基板上の第1の導電層、前記第1の導電層上の第1の絶縁層、前記第1の絶縁層上の第1の半導体層、及び前記第1の半導体層上の一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体層を含む島状の積層と、
前記島状の積層の側面に接するサイドウォールと、を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に薄膜トランジスタ及び容量素子を有する画素を備えた半導体装置であって、
前記容量素子は、
前記基板上の第1の導電層、前記第1の導電層上の第1の絶縁層、前記第1の絶縁層上の第1の半導体層、及び前記第1の半導体層上の一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体層を含む島状の積層と、
前記島状の積層の側面に接するサイドウォールと、
前記島状の積層及び前記サイドウォール上の第2の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に薄膜トランジスタ及び容量素子を有する画素を備えた半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上の第1の導電層、前記第1の導電層上の第1の絶縁層、前記第1の絶縁層上の第1の半導体層、及び前記第1の半導体層上の一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体層を含む島状の積層と、
前記島状の積層の側面に接するサイドウォールと、
前記島状の積層及び前記サイドウォール上の第2の導電層と、を有し、
前記第2の導電層は、少なくとも透明導電層を含む積層構造であり、
前記透明導電層の一部は、画素電極であり、
前記画素電極は、前記基板に接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、非晶質半導体層であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において
前記第1の半導体層又は前記第2の半導体層は、少なくとも微結晶半導体層を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に薄膜トランジスタ及び容量素子を有する画素、並びに接続端子を備えた半導体装置であって、
前記接続端子は、
前記基板上の第1の導電層を有する島状の単層と、
前記島状の単層の側面に接するサイドウォールと、
前記島状の単層及び前記サイドウォール上の第2の導電層と、を有し、
前記第2の導電層は、少なくとも透明導電層を含む積層構造であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記半導体装置は、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ポータブルDVDプレイヤー、テレビジョン、又は携帯電話機であることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に半導体素子を備えた半導体装置を作製する方法であって、
基板上に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体層を形成し、
一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層上に第1のレジストパターンを形成し、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第1の半導体層、及び一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層を加工し、前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第1の半導体層、及び一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層を有する島状の積層を形成し、
前記基板及び前記島状の積層上に第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層を加工し、前記島状の積層の側面に接するサイドウォールを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に薄膜トランジスタ及び容量素子を有する画素を備えた半導体装置を作製する方法であって、
基板上に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体層を形成し、
一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層上に、第1のレジストパターンを形成し、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第1の半導体層、及び一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層を加工し、前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第1の半導体層、及び一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層を有する島状の積層を形成し、
前記基板及び前記島状の積層上に、第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層を加工し、前記島状の積層の側面に接するサイドウォールを形成し、
前記基板、前記島状の積層、及び前記サイドウォール上に、第2の導電層となる透明導電層及び金属層の積層を形成し、
前記第2の導電層上に、第1の膜厚及び第2の膜厚を有する第2のレジストパターンを形成し、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層及び前記金属層を加工し、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域、並びに前記透明導電層からなる画素電極を形成し、
前記金属層、前記透明導電層、及び前記第1の半導体層上に、第3の絶縁層を形成し、
前記第3の絶縁層上に、第3のレジストパターンを形成し、
前記第3のレジストパターンをマスクとして、前記第3の絶縁層を加工し、前記透明導電層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9において、
前記第2のレジストパターンは、多階調フォトマスクを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に薄膜トランジスタ及び容量素子を有する画素、並びに接続端子を備えた半導体装置を作製する方法であって、
基板上に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に一導電型の不純物元素を含有する第2の半導体層を形成し、
一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層上に、第1の膜厚及び第2の膜厚を有する第1のレジストパターンを形成し、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第1の半導体層、及び一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層を加工し、前記第1の導電層を有する島状の単層、並びに前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第1の半導体層、及び一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層を有する島状の積層を形成し、
前記基板、前記島状の単層、及び前記島状の積層上に、第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層を加工し、前記島状の単層、及び前記島状の積層の側面に接するサイドウォールを形成し、
前記基板、前記島状の単層、前記島状の積層、及び前記サイドウォール上に、第2の導電層となる透明導電層及び金属層の積層を形成し、
前記第2の導電層上に、第1の膜厚及び第2の膜厚を有する第2のレジストパターンを形成し、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、一導電型の不純物元素を含有する前記第2の半導体層及び前記金属層を加工し、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域、前記透明導電層からなる画素電極、並びに接続端子を形成し、
前記金属層、前記透明導電層、前記第1の半導体層、及び前記第1の導電層上に、第3の絶縁層を形成し、
前記第3の絶縁層上に、第3のレジストパターンを形成し、
前記第3のレジストパターンをマスクとして、前記第3の絶縁層を加工し、前記透明導電層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、
前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンは、多階調フォトマスクを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至12のいずれか一において、
前記第3のレジストパターンは、前記第1の導電層及び前記金属層をマスクとした裏面露光を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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