JP2009099888A - Tft基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板上にN型及びP型のTFTが形成されているとともに、TFTと同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間にゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、第1及び第2のマスクをハーフトーンマスクとして、第1及び第2のマスクを用いて前記N型及びP型TFTのゲート及び上部容量電極を加工し、N型TFTのチャネルと、N型TFTのソース及びドレインと、P型TFTのチャネルと、P型TFTのソース及びドレインと、下部容量電極となる領域の半導体膜の不純物濃度を前記第1のマスクと第2のマスクのパターンにより作り分ける工程を含む。
【選択図】図1
Description
前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルと、N型TFTのソース及びドレインと、P型TFTのチャネルと、P型TFTのソース及びドレインと、下部容量電極となる領域の半導体膜の不純物濃度を前記第1のマスクと第2のマスクのパターンにより作り分ける工程を含み、
N型TFTのチャネルとN型TFTのソース及びドレインとの境界、及びP型TFTのチャネルとP型TFTのソース及びドレインとの境界が全て、前記ハーフトーンマスクの不透明領域と半透明領域及び不透明領域と透明領域の境界以外で定義されていることを特徴とする。
前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFT及びP型TFTのチャネルを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、
N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、
P型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、
下部容量電極を第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで露光された領域に形成することを特徴とする。
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第1のゲートを有し、前記第1のゲートに覆われた領域の前記半導体膜をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第2のゲートを有し、前記第2のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体膜のN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクでハーフ露光されかつ第二のマスクで露光された領域に形成し、P型TFTのチャネルを第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、P型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、下部容量電極を第一のマスクで未露光かつ第二のマスクで露光された領域に形成することを特徴とする。
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第1のゲートを有し、前記第1のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第2のゲートを有し、前記第2のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体層にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで露光される領域に形成し、P型TFTのチャネルを第一のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、P型TFTのソース及びドレインを第一のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、下部容量電極を第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成することを特徴とする。
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第1のゲートを有し、前記第1のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第2のゲートを有し、前記第2のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成され、
前記半導体膜と同層の半導体膜のN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、P型TFTのチャネルを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、P型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで露光される領域に形成し、下部容量電極を第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成することを特徴とする。
図1は、本発明による第1の実施例の製造方法に用いられるマスクパターンとそれによって得られるTFT基板の構成を示す図である。
図6は、本発明による第2の実施例の製造方法に用いられるマスクパターンとそれによって得られるTFT基板の構成を示す図である。また、図7はTFT基板上の部材の各領域とマスクパターンとの対応関係を示した表である。
図11は、本発明による第3の実施例の製造方法に用いられるマスクパターンとそれによって得られるTFT基板の構成を示す図である。また、図12はTFT基板上の部材の各領域とマスクパターンの対応関係を示した表である。
図15は、本発明による第3の実施例の製造方法に用いられるマスクパターンとそれによって得られるTFT基板の構成を示す図である。また、図16はTFT基板上の部材の各領域とマスクパターンの対応関係を示した表である。
Claims (5)
- 絶縁基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に積層されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなるゲートを有し、前記ゲートに覆われた領域の前記半導体膜をチャネルとするTFTであって、
前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルと、N型TFTのソース及びドレインと、P型TFTのチャネルと、P型TFTのソース及びドレインと、下部容量電極となる領域の半導体膜の不純物濃度を前記第1のマスクと第2のマスクのパターンにより作り分ける工程を含み、
N型TFTのチャネルとN型TFTのソース及びドレインとの境界、及びP型TFTのチャネルとP型TFTのソース及びドレインとの境界が全て、前記ハーフトーンマスクの不透明領域と半透明領域及び不透明領域と透明領域の境界以外で定義されていることを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 絶縁基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に積層されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなるゲートを有し、前記ゲートに覆われた領域の前記半導体膜をチャネルとするTFTであって、
前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFT及びP型TFTのチャネルを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、
N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、
P型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、
下部容量電極を第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで露光された領域に形成することを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 絶縁基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に積層されたゲート絶縁膜を有するTFTであって、
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第1のゲートを有し、前記第1のゲートに覆われた領域の前記半導体膜をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第2のゲートを有し、前記第2のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体膜のN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクでハーフ露光されかつ第二のマスクで露光された領域に形成し、P型TFTのチャネルを第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、P型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、下部容量電極を第一のマスクで未露光かつ第二のマスクで露光された領域に形成することを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 絶縁基板上に形成された半導体膜と、前記半導体層上に積層されたゲート絶縁膜を有するTFTであって、
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第1のゲートを有し、前記第1のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第2のゲートを有し、前記第2のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成されているとともに、
前記半導体膜と同層の半導体層にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで露光される領域に形成し、P型TFTのチャネルを第一のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、P型TFTのソース及びドレインを第一のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、下部容量電極を第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成することを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 絶縁基板上に形成された半導体膜と、前記半導体層上に積層されたゲート絶縁膜を有するTFTであって、
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第1のゲートを有し、前記第1のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のN型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするN型のTFTと、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜からなる第2のゲートを有し、前記第2のゲートに覆われた半導体膜の領域をチャネルとし、前記ゲートに覆われていない半導体膜のP型不純物がドープされた領域をソース及びドレインとするP型のTFTが形成され、
前記半導体膜と同層の半導体膜のN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間に前記ゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、
第1のマスクを透明な領域と不透明な領域と半透明な領域を有するハーフトーンマスクとし、第2のマスクを透明な領域と不透明な領域を有するマスクとして、
第1と第2のマスクを用いて前記N型及びP型のTFTのゲート及び上部容量電極を加工し、
N型TFTのチャネルを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、N型TFTのソース及びドレインを第1のマスクでハーフ露光されかつ第2のマスクで露光された領域に形成し、P型TFTのチャネルを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで未露光な領域に形成し、P型TFTのソース及びドレインを第1のマスクで未露光かつ第2のマスクで露光される領域に形成し、下部容量電極を第1のマスクで露光されかつ第2のマスクで未露光な領域に形成することを特徴とするTFT基板の製造方法。
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