JP2008263128A - 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008263128A JP2008263128A JP2007106012A JP2007106012A JP2008263128A JP 2008263128 A JP2008263128 A JP 2008263128A JP 2007106012 A JP2007106012 A JP 2007106012A JP 2007106012 A JP2007106012 A JP 2007106012A JP 2008263128 A JP2008263128 A JP 2008263128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- semiconductor layer
- source
- film
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板1上に形成され、ソース/ドレイン領域31a、及びチャネル領域32aを有し、ソース/ドレイン領域31aのチャネル幅方向の寸法がチャネル領域32aのチャネル幅よりも小さく形成された半導体層3aと、半導体層3a上に形成されたゲート絶縁膜4aと、ゲート絶縁膜4aを介してチャネル領域32aの対面に配置されるゲート電極5と、ゲート電極5及びゲート絶縁膜4aを覆う層間絶縁膜6と、層間絶縁膜6及びゲート絶縁膜4aを貫通するコンタクトホール7a、7bを介してソース/ドレイン領域31aと接続するメタル電極8と、を備えるものである。
【選択図】 図2
Description
目的とする。
4、4a ゲート絶縁膜、5 ゲート電極、6 層間絶縁膜、
7a、7b、7c コンタクトホール、8 メタル電極、
9 パッシベーション膜、10、11 レジストパターン、
15 遮光部、16 中間露光部、17 露光部、
21 第1側壁面、22 第2側壁面、
31、31a ソース/ドレイン領域、32、32a チャネル領域、
35 通常膜厚部、36 テーパー部、
41 表示領域、42 額縁領域、
43 ゲート配線、43a 共通配線、44 ソース配線、
45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、
47 画素、48、49 外部配線、50 TFT、
51 導電膜
Claims (9)
- 基板上に形成され、ソース/ドレイン領域、及び前記ソース/ドレイン領域間に配置されたチャネル領域を有し、前記ソース/ドレイン領域のチャネル幅方向の寸法が前記チャネル領域のチャネル幅よりも小さく形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の対面に配置されるゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記ソース/ドレイン領域と接続する電極と、を備える薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記チャネル領域のチャネル幅方向と交差する第1側壁面と、前記ソース/ドレイン領域のチャネル幅方向と交差する第2側壁面とは、異なるテーパー角度を有する請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第1側壁面は、テーパー角度10度以上20度以下のテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第2側壁面は、テーパー角度75度以上90度未満に形成されていることを特徴とする請求項2、又は3に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ基板を有する表示装置。
- 基板上に、側壁面がテーパー状に形成されたテーパー部を有する島状の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極となる導電膜を形成し、前記半導体層の前記テーパー部のうち、ソース/ドレイン領域となる領域のチャネル長方向に沿ったテーパー部を除去して前記半導体層を変形する工程と、
前記テーパー部が除去された前記半導体層に不純物を導入し、ソース/ドレイン領域、及びチャネル領域を形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して、前記ソース/ドレイン領域と接続する電極を形成する工程と、を備える薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記半導体層を形成する工程では、側壁面をテーパー角度10度以上20度以下のテーパー状に形成することを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体層を変形する工程では、前記ソース/ドレイン領域となる領域のチャネル長方向に沿ったテーパー部を除去して、テーパー角度75度以上90度未満の側壁面を形成することを特徴とする請求項6、又は7に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体層を変形する工程は、
前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極となる導電膜を成膜するステップと、
複数階調露光を用いて膜厚差を有するレジストパターンを前記導電膜上に形成するステップと、
前記膜厚差を有するレジストパターンを介して、前記ゲート電極となる導電膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層をエッチングし、前記半導体層のソース/ドレイン領域となる領域のチャネル長方向に沿ったテーパー部を除去するステップと、
前記膜厚差を有するレジストパターンをアッシングして、レジストパターンの薄膜部を除去するステップと、
前記薄膜部が除去されたレジストパターンを介して、前記ゲート電極となる導電膜をエッチングし、前記ゲート電極を形成するステップと、を備える請求項6乃至8のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106012A JP2008263128A (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106012A JP2008263128A (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008263128A true JP2008263128A (ja) | 2008-10-30 |
Family
ID=39985366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007106012A Pending JP2008263128A (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008263128A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013168639A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN110993695A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Gsd tft器件及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005228819A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005317851A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007053263A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびそれらの製造方法 |
-
2007
- 2007-04-13 JP JP2007106012A patent/JP2008263128A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005228819A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005317851A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007053263A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびそれらの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013168639A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9608124B2 (en) | 2012-01-20 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10326026B2 (en) | 2012-01-20 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN110993695A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Gsd tft器件及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5044273B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 | |
JP4967631B2 (ja) | 表示装置 | |
KR101226974B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
US6608658B1 (en) | Top gate TFT structure having light shielding layer and method to fabricate the same | |
JP4872591B2 (ja) | Tft基板とその製法、ならびに該tft基板を備えた表示装置 | |
US20060081946A1 (en) | Method of manufacturing a thin film transistor device | |
US8624256B2 (en) | Display device | |
JP5111802B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法 | |
US20090225251A1 (en) | Liquid Crystal Display Device | |
WO2010032386A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5266645B2 (ja) | 薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタを用いた表示装置 | |
US20080299693A1 (en) | Manufacturing method for display device | |
JP2007329298A (ja) | Tftアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 | |
KR20090039623A (ko) | 박막 트랜지스터 장치 및 그 제조방법과, 표시장치 | |
US20060065894A1 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
JP5324758B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、表示装置、およびその製造方法 | |
JP5221082B2 (ja) | Tft基板 | |
JP2008263128A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 | |
JP2011222688A (ja) | 薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法 | |
US7960728B2 (en) | Method of manufacturing TFT substrate and TFT substrate | |
JP2007324534A (ja) | 薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法 | |
JPH10209452A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2009210681A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2008288269A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 | |
JP2009224396A (ja) | 薄膜トランジスタ基板、およびその製造方法、並びに表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121024 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130122 |