JP2009094988A - 直交振幅変調信号発生装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 本発明は,多レベルの電気信号を扱うことなく,QAM信号を得ることができる直交振幅変調信号発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は,基本的には,4つの並列したMZM(QPMZM)など並列した複数のMZMを用いることで,多レベルの電気信号を扱うことなく,直交振幅変調(QAM)信号を得ることができるQAM発生装置を提供できるという知見に基づくものである。具体的には,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備する,QAM信号発生装置などに関する。
【選択図】 図1

Description

本発明は,直交振幅変調(QAM)信号発生装置などに関する。
DQPSK(differential quadrature phase-shift−keying),コヒーレント検出系におけるQPSK(4相位相シフトキーイング:quadrature phase−shift−keying),APSK(amplitude− and phase−shift−keying),及びQAM(直交振幅変調:quadrature−amplitude−modulation)といった,様々な多レベルの光変調フォーマットが,光通信チャネルのスペクトル効率を向上させるために研究されている。
特に,2つの(dual)並列したマッハツェンダー変調器(DPMZM)を用いたDQPSKは,最も現実的であり,注目される。それは,変調器を用いることで,キャリア信号のI成分(in−phase components)と,Q成分(quadrature components)とを別々に変調することができるからである(下記非特許文献1)。DQPSK変調器として,変調速度が50Gbaud以上の高速二値データ信号により駆動され,100Gb/sを超えるものも開発されている。
QAMスキームは,QPSKよりもスペクトル効率が高いものである。そして,上記したDPMZMを用いたDQPSKを用いることで,QAMスキームの性能を高めることができる。しかし,そのような技術において,多レベルの電気信号を扱うことが容易ではないという問題がある。
従来は,入力2値データストリームを,多レベルの電気信号へと変換して用いていた。なお,現在では,この用途に高速任意波形整形器が一般的に用いられている。そして,電気回路は,非線形性が抑圧され,回路の周波数応答性については慎重に設計されている。このような理由から,QAM信号のレートは,数Gaud以下でしかない。
そこで,多レベルの電気信号を扱うことなく,QAM信号などの光信号を得ることができる装置や方法が望まれる。
T. Kawanishi et al, Optics Express., 14, 4469−4478 (2006)
本発明は,多レベルの電気信号を扱うことなく,QAM信号などの光信号を得ることができる直交振幅変調信号発生装置を提供することを目的とする。
本発明は,基本的には,4つの並列したMZM(QPMZM)など並列した複数のMZMを用いることで,多レベルの電気信号を扱うことなく,QAM信号などの光信号を得ることができる直交振幅変調信号発生装置などを提供できるという知見に基づくものである。
具体的には,以下の発明があげられる。
[1] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置。
[2] 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する, 上記[1]に記載の装置。
[3] 前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅を,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅より小さくなるように調整するための,振幅調整機構を有する, 上記いずれかに記載の装置。
[4] 前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅を,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となるように調整するための,振幅調整機構を有する,
上記いずれかに記載の装置。
[5] 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備する,
上記いずれかに記載の装置。
[6] 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,LiNbO3導波路(21)上に設けられ, 前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)との合波点(4)は,前記LiNbO3導波路(21)と光学的に接続された平面光導波路(PLC)(22)上に設けられる,
上記いずれかに記載の装置。
[7] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって, 前記第1のQPSK変調器からの出力信号と, 前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分である前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と, を合波する工程を含む, QAM信号の発生方法。
[8] 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備し, 前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり, 各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,90度又は270度となり, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように 前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御する, 上記いずれかに記載の方法。
[9] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備し, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって, 前記第1のメインマッハツェンダー導波路(7a)において4値の振幅シフトキーイング(ASK)信号である第1のASK信号を生成させ, 第2のメインマッハツェンダー導波路(7b)において,前記第1のASK信号と90度の位相差を有する,4値の振幅シフトキーイング(ASK)信号である第2のASK信号を生成させ, 前記第1のASK信号と前記第2のASK信号とを合波する工程を含む, QAM信号の発生方法。
[10] 前記第2のQPSK変調器は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する 上記いずれかに記載の方法。
[11] 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備し, 前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり, 各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,0度又は180度となり, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,90度又は270度となるように 前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御する, 上記いずれかに記載の方法。
[12] 第1の導波路(52)と, 前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と,前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,を具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置。
[13] 前記第1のQPSK変調器(53),前記第2のQPSK変調器(56)および前記第3のQPSK変調器(59)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路と, 前記メインマッハツェンダー導波路の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路とを具備する, 上記いずれかに記載の装置。
[14] 前記第2のQPSK変調器からの出力信号の振幅は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となり, 前記第3のQPSK変調器からの出力信号の振幅は,前記第2のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となるように調整するための,振幅調整機構を有する, 上記いずれかに記載の装置。
[15] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)と, 各バイアス電極にテスト信号を印加するためのテスト信号印加装置と, 前記テスト信号印加装置によりテスト信号が印加された導波路からの出力信号を検出するための光検出装置と, 前記光検出装置からの検出データを用い, 光検出装置が検出した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数の2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整する自動バイアス調整装置を有する, 直交振幅変調(QAM)信号発生装置。
[16] 前記テスト信号は,その周波数が10kHz以下である 上記いずれかに記載の装置。
[17] 各バイアスに印加するテスト信号は,概略90度または270度の位相差を持つ 上記いずれかに記載の装置。
[18] 第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備する, 信号発生装置を,複数個並列して設置し, 前記複数の信号発生装置からの出力が合波される合波部を有する,信号発生システム。
[19] 第1の導波路(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と, 前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と, “第n−1の導波路と合波点を有する第nの導波路と, 前記第nの導波路に設けられ,第n−1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第nのQPSK変調器“を, nを4以上の整数として,4以上n以下となる全ての組合せにつき具備する,信号発生装置。
[20] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と, 前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と, 前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,
を具備する, 信号発生装置。
[21]
第1の導波路(52)と, 前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と, 前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と, 前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と, 前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と, 前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,を具備する,信号発生装置。
[22] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって, 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ, メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し, 前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり, 各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,90度又は270度となり, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように 前記バイアス電極に印加されるバイアス信号を制御し,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と, 前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分である前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と, を合波する, QAM信号の発生方法。
[23] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備し, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって, 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ, メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し, 前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり, 各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,mを整数として(45+90m)度となり, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように 前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御し, 前記第1のQPSK変調器からの出力信号と, 前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と, を合波する工程を含む, QAM信号の発生方法。
[24] 第1の導波路(2)と, 前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備し, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって, 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は, それぞれ, メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し, 前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり, 各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,lを整数として(30+90l)度となり, 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように 前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御し, 前記第1のQPSK変調器からの出力信号と, 前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と, を合波する工程を含む,
QAM信号の発生方法。
[25] メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)と, 前記メインマッハツェンダー導波路,又は,前記2つのサブマッハツェンダー導波路のいずれか又は両方の,バイアス電極にテスト信号を印加するためのテスト信号印加装置と, 前記テスト信号印加装置によりテスト信号が印加された導波路からの出力信号を検出するための光検出装置と, 前記光検出装置からの検出データを用い, 光検出装置が検出した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数の2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整する自動バイアス調整装置を有する, QPSK変調器。
[26] 前記テスト信号は,その周波数が10kHz以下である上記いずれかに記載の装置。
[27] 前記テスト信号は前記2つのサブマッハツェンダー導波路の両方に印加され,2つのテスト信号が概略90度または270度の位相差を持つ上記いずれかに記載の装置。
本発明によれば,多レベルの電気信号を扱うことなく,QAM信号などの光信号を得ることができる直交振幅変調信号発生装置を提供できる。
以下,図面を用いて本発明を具体的に説明する。図1は,本発明の直交振幅変調(QAM)信号発生装置の概略図である。図1に示されるように,本発明のQAM信号発生装置は,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備する。このQAM信号発生装置は,一つの入力路から分岐されて前記第1の導波路(2)及び前記第2の導波路(5)へと光が伝播するものが好ましい。
振幅が大きなQPSK信号で,QAM信号が現れる象限(図2でいうと,各軸にはさまれたどの領域か)を決めて,小さなQPSK信号で,その象限における位置を決めるというものである。換言すると,図2の黒点の位置を振幅が大きなQPSK信号で決めて,白点の位置(QAM信号の位置)を,振幅が小さなQPSK信号で決める。そして,それぞれのQPSK信号は,多レベルの電気信号を用いることなく得ることができる。
導波路は,光信号が伝播する道であり,LiNbO基板上に設けられたチタン拡散導波路(LiNbO導波路)などがあげられる。
図1に示されるように,第1のQPSK変調器(3)及び第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備するものがあげられる。このQPSK変調器の構成は,光SSB変調器や光FSK変調器などとして,公知のものである。よって,このQPSK変調器も公知の方法を適宜採用することができる。光SSB(Single Slide−Band)変調器は,たとえば,特開2005−274806号公報を参照のこと。また,光SSB変調器を改良した光FSK変調器については特開2007−86207号公報,特開2007−57785号公報及び特開2005−134897号公報を参照のこと。これらの文献を参照することにより,本明細書に取り込むものとする。
第2のQPSK変調器(6)は,好ましくは,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力するものである。前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となるように調整されることが好ましい。このようにすることで,等間隔のQAM信号を得ることができる。なお,振幅が半分とは,厳密な意味での半分を意味するのではなく,QAM信号として実質的に区別できるような値であれば,構わない。具体的には,前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の30%以上70%以下があげられ,40%以上60%以下でもよく,45%以上55%以下でも良い。上記のような調整は,たとえば,振幅調整機構によって達成される。振幅調整機構は,具体的には,バイアス電極などに印加される電圧を制御するための電圧制御手段などにより達成される。また,適宜強度変調器を導波路に設け,強度変調器により所定の強度変調を行うことにより振幅を調整しても良い。
一方,QPSK信号,または,後述する4値のASK信号の位相差が45度(正確には45度+90n度(nは整数)。以下同様。),又は30度,22.5度,18度,15度など90度以外の場合は,第2のQPSK変調器(6)が,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と振幅が同じ信号を出力するものであっても構わない。以下では,QPSK信号の位相差が0度または180度であるものと、4値のASK信号の位相差が90度または270度であるものについて説明するが,QPSK信号,または,4値のASK信号の位相差がこれら以外の場合であっても同様にして調整することができる。
なお,前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅より小さくするためには,たとえば,第2のQPSK変調器としてアッテネータや強度変調器を組み合わせたものを用い,振幅を小さくするように駆動すればよい。また,アッテネータなどを用いなくても,たとえば,導波路の強度分岐の比を非対称にすればよい。たとえば,入力ポートから分岐点を経て,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)へ光信号が伝播される場合,その分岐比を4:1となるようにすればよい。このような分岐比の調整は,公知であってカプラや導波路を調整することで,容易に達成できる。
本発明の好ましい態様は,前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備する,上記いずれかに記載の装置があげられる。
このように多くのバイアス電極を具備することで,各アームを伝播する信号の位相差を効果的に調整することができ,それによって,様々な態様でQAM信号を得ることができることとなる。
本発明の好ましい態様は,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,LiNbO導波路(21)上に設けられ,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)との合波点(4)は,前記LiNbO導波路(21)と光学的に接続された平面光導波路(PLC)(22)上に設けられる,上記いずれかに記載の装置である。このように,ニオブ酸リチウム基板などの基板と,PLCとのハイブリッド集積を行うことで,比較的容易に複数のMZM(マッハツェンダー変調器)を含む信号発生装置を製造できることとなる。なお,PLCの製造方法等は,特開2006−195036号公報に開示されているとおりである。
すなわち,本発明のQAM信号発生装置は,光SSB変調器,光FSK変調器などの技術,PLCなどの技術に,当業者の有する通常の技術知識を組み合わせることにより,製造することができる。
上記のQAM信号発生装置を用いれば,QAM信号を得ることができる。具体的な,QAM信号の生成方法は,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分である前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,を合波する工程を含む,QAM信号の発生方法があげられる。
QAM信号の発生方法の好ましい態様として,前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備し,前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,90度,又は270度となり,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御する,方法があげられる。なお,位相差の制御については,たとえば,光SSB変調技術や光FSK変調技術などとして公知であり,公知の方法を適宜用いることで達成できる。
このように調整することで,QAM信号を得ることができる。
QAM信号の発生方法の好ましい態様として,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,前記第1のメインマッハツェンダー導波路(7a)において4値の振幅シフトキーイング(ASK)信号である第1のASK信号を生成させ,第2のメインマッハツェンダー導波路(7b)において,前記第1のASK信号と90度の位相差を有する,4値の振幅シフトキーイング(ASK)信号である第2のASK信号を生成させ,前記第1のASK信号と前記第2のASK信号とを合波する工程を含む,QAM信号の発生方法があげられる。
この態様の好ましい例は,前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備し,前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となり,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,90度,又は270度となるように前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御する方法があげられる。
すなわち,この方法では,4値ASK信号(+1, +1/3, −1/3. −1の4つのシンボルを持つ)を発生させ,これらを一番外側の干渉計で合成すればよい。この際,これらが90度の位相差を持つように一番外側の干渉計のバイアス電圧を調整すればよい。
図3は,QPSK変調器を3つ並列に並んだものを用いたQAM信号発生装置の概念図である。図3に示されるように,この態様のQAM信号発生装置は,第1の導波路(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と,前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,を具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置である。
この態様のQAM信号発生装置の各要素は,先に説明したものを適宜採用できる。先に説明したQAM信号発生装置では,基本的には4ASK信号を2つ重畳するか,又は2つのQAM信号を重畳することにより16QAM信号を得ることができるというものである。一方,図3に示されるQAM発生装置では,基本的には,上記と同様の原理に基づいて,さらに4倍の64QAM信号を得ることができる。すなわち,図2の白点に示されるそれぞれの位置から,さらに4つ移動させることで,新たなQAM信号を得ることができる。
すなわち,n個並列にならんだQPSK変調器を用いた場合,n番目のQPSK信号の振幅がn−1番目のQPSK信号の半分の振幅を有するとすると,22nQAM信号を発生できることとなる。すなわち,2QAM信号を2つ得て,それらを90度又は270度の位相差で足し合わせればよい。これは,それぞれn個のQPSK信号を0度又は180度の位相差で足し合わせることにより得ることができる。各QPSKの振幅は1, 1/2, 1/4, ... 1/(2)のように順次半分になるように調整すればよい。
ASK信号の各レベルは,(2−1)/(2−1), (2n−1−2x1)/(2−1),..(2n−1−2*k)/(2−1),...(2n−1−2*(2n−1))/(2−1)となる。具体的には,64QAM信号を得る場合のASK信号のレベルは,それぞれ1,5/7,3/7,1/7,−1/7,−3/7,−5/7,−1となる。各QPSKの強度比を調整するためには,上記に説明したと同様にして調整できる。具体的には,光回路内にアッテネータなどを設置して,適宜振幅を調整しても良い。また,入力信号を各QPSK変調器に分波する際に,分岐比率を調整しても良い。
バイアスの自動調整
QPSK発生などの時に90度,または270度の位相差を維持する必要がある。これはSSB変調信号発生の条件と同じであるので,伝送に影響を与えない低い周波数(例えば数キロヘルツ以下)で90度の位相差を与えたいバイアス電極にテスト用正弦波信号を入力する。SSB条件が満たされているときには側波帯成分が片側しか出ないが,ずれているときには両方が出力され,これらのビートから変調周波数の2倍成分が発生する。これを,最小にするように制御すればSSB条件=90度の位相差が得られる。サブマッハツェンダー導波路のバイアスは,正弦波信号を入力し,同じ周波数成分を最小,2倍成分を最大とすることで,設定できる。
具体的には,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)と,各バイアス電極にテスト信号を印加するためのテスト信号印加装置と,前記テスト信号印加装置によりテスト信号が印加された導波路からの出力信号を検出するための光検出装置と,前記光検出装置からの検出データを用い, 光検出装置が検出した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数の2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整する自動バイアス調整装置を有する,上記いずれかに記載の直交振幅変調(QAM)信号発生装置があげられる。このようにすることで,最適なバイアス状況に自動的に調整することができることとなる。
この態様のQAM信号発生装置において,好ましいものは,前記テスト信号は,その周波数が10kHz以下である上記いずれかに記載の装置に関する。すなわち,周波数が10kHzの信号であれば,情報伝送に影響を与えないので,情報通信をしつつ,バイアスを自動調整できることとなる。
具体的には,前記メインマッハツェンダー導波路に所定の信号を供給し,前記メインマッハツェンダー導波路の出力光の振幅を小さくするように前記第1のサブマッハツェンダー導波路と,前記第2のサブマッハツェンダー導波路とに供給するバイアス信号を調整する,バイアス調整方法であって,前記メインマッハツェンダー導波路に供給される所定の信号は,光信号の位相を180度変化させるのに要する電圧である半波長電圧と同じか,又はそれより大きな振幅を有する交流信号である,バイアス調整方法があげられる。
本発明のQAM信号発生装置として,好ましいものは,検出器,及び各バイアス電極でバイアス信号を供給する信号源と連結された制御装置を具備する。この制御装置は,検出器が検出した出力光に関する情報に基づいて,バイアス信号に関する情報を信号源に供給する。すなわち,この制御装置を具備することで,バイアス調整方法を自動的に行うことができる。
本発明の別の好ましい態様は,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備する,信号発生装置を,複数個並列して設置し,前記複数の信号発生装置からの出力が合波される合波部を有する,信号発生システムに関する。
すなわち,たとえば,先に説明した信号発生装置からの出力を,組み合わせることで,さらにバリエーションに富んだ光信号を得ることができることとなる。したがって,「第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号」の例として,第1のQPSK変調器からの出力信号の半分の振幅を有する信号があげられる。なお,この信号発生システムは,ひとつの入力部から複数の分岐部を経て,各信号発生装置へと信号が送られるものが好ましい。また,この信号発生システムとして,上記した信号発生装置の構成を適宜採用することができる。
本発明の別の好ましい態様は,第1の導波路(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と,前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,“第n−1の導波路と合波点を有する第nの導波路と,前記第nの導波路に設けられ,第n−1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第nのQPSK変調器“を,nを4以上の整数として,4以上n以下となる全ての組合せに付き具備する,信号発生装置である。
すなわち,図3に示されるように,複数の分岐を持たせることで様々な出力の信号を得ることができるところ,さらに小さなQPSK変調器を具備することで,より多様な信号を得ることができる。信号発生装置からの出力を,組み合わせることで,さらにバリエーションに富んだ光信号を得ることができることとなる。したがって,「第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号」の例として,第1のQPSK変調器からの出力信号の半分の振幅を有する信号があげられる。なお,この信号発生システムは,ひとつの入力部から複数の分岐部を経て,各信号発生装置へと信号が送られるものが好ましい。また,この信号発生装置として,上記した信号発生装置の構成を適宜採用することができる。
本発明の好ましい別の態様は,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備する,信号発生装置に関する。
「第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号」を,第1のQPSK変調器からの出力信号の半分の振幅を有する信号とすれば,先に説明したQAM信号発生装置をえることができる。一方,たとえば第1のQPSK変調器からの出力と,第2のQPSK変調器からの出力を同じとしても,それらの信号が重畳して,様々な変調信号をえることができる。なお,この信号発生システムは,ひとつの入力部から複数の分岐部を経て,各信号発生装置へと信号が送られるものが好ましい。また,この信号発生システムとして,上記した信号発生装置の構成を適宜採用することができる。
本発明の好ましい別の態様は,第1の導波路(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と,前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,を具備する,信号発生装置に関する。
「第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号」を,第1のQPSK変調器からの出力信号の半分の振幅を有する信号とすれば,先に説明したQAM信号発生装置をえることができる。一方,たとえば第1のQPSK変調器からの出力と,第2のQPSK変調器からの出力を同じとしても,それらの信号が重畳して,様々な変調信号をえることができる。なお,この信号発生システムは,ひとつの入力部から複数の分岐部を経て,各信号発生装置へと信号が送られるものが好ましい。また,この信号発生システムとして,上記した信号発生装置の構成を適宜採用することができる。
本発明の上記とは別の態様は,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,90度又は270度となり,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように前記バイアス電極に印加されるバイアス信号を制御し,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分である前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,を合波する,QAM信号の発生方法である。
すなわち,このQAM信号の発生方法では,いわゆる入れ子型のマッハツェンダー導波路を用いるが,バイアス電極はいずれのマッハツェンダー導波路に設けられていても構わない。このようなバイアス電極の調整法は,たとえば,光SSB変調器又は光FSK変調器におけるものを適宜活用することで達成できる。
QAM信号の発生方法として,好ましくは,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,mを整数として(45+90m)度となり,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御し, 前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,を合波する工程を含む,QAM信号の発生方法である。このQAM信号の発生方法においては,先に説明したQAM信号発生装置に関する構成を適宜採用することができる。
このQAM信号の発生方法として,好ましくは,第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,を具備し,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,それぞれ,メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,lを整数として(30+90l)度となり,前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御し,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,を合波する工程を含む,QAM信号の発生方法である。
本発明の好ましい別の態様は,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)と,前記メインマッハツェンダー導波路,又は,前記2つのサブマッハツェンダー導波路のいずれか又は両方の,バイアス電極にテスト信号を印加するためのテスト信号印加装置と,前記テスト信号印加装置によりテスト信号が印加された導波路からの出力信号を検出するための光検出装置と,前記光検出装置からの検出データを用い,光検出装置が検出した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数の2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整する自動バイアス調整装置を有する,QPSK変調器である。このQPSK変調器においては,先に説明したQAM信号発生装置に関する構成を適宜採用することができる。自動バイアス調整装置により,変調周波数の2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整するためには,バイアス電圧を大きくするか又は小さくしつつ,光検出装置からの検出データを監視すればよい。
このQPSK変調器として,好ましくは,前記テスト信号は,その周波数が10kHz以下である上記いずれかに記載の装置である。
このQPSK変調器として,好ましくは,前記テスト信号は前記2つのサブマッハツェンダー導波路の両方に印加され,2つのテスト信号が概略90度または270度の位相差を持つ上記いずれかに記載の装置である。
2つのQPMZMを用いた16QAMマッピング
図4に,本発明の16QAM変調器の原理図を示す。この例では,異なる振幅(強度)を有する2つのQPSK信号を重ね合わせることで,16QAM信号が得られる。2つのQPSK信号の強度差は,6dBとした。大きな振幅を有するQPSK信号(図4のQPSK2で示されるもの)は,四値(quadrant)がマッピングされる領域を決定する。一方,小さな振幅を有するQPSK信号(図4のQPSK1で示されるもの)は,それぞれの四値の位置を固定する。2つのQPSK信号を組み合わせることで,位相ダイアグラムにおいて,等間隔な16個のシンボルをマッピングすることができる。この16QAMマッピングは,多レベルの電気信号を用いることなく2値データを用いることにより得ることができることとなる。
16QAMのためのQPMZM
図5に示されるように,本実施例では,LiNbO導波路と,シリコンベースのPLC(planner lightwave circuit)を光学的に結合したものを用いて,16QAM変調用のQPMZM(4つの並列したMZM)を具備する変調器を製造した。このQPMZMは,4つのMZM(MZM−I,MZM−Q,MZM−i及びMZM−q)が,並列に結合されていた。換言すると,このQPMZMは,2つのDPMZM(2つの並列したMZM)を具備していた。そして,それぞれのMZMは進行波型の電極(RFa1,RFb1,RFa2,およびRFb2)を有していた。図5に示されるように,QPMZMは,MZM間の位相オフセット(Phase offset)を制御するため,さらに6つのバイアス電極を有していた。2つのDPMZMの入力及び出力は,その末端においてPLCベースの光カプラと結合された。
各電極における電気―光応答周波数レスポンスを図6に示す。なお,図6において,3dB及び6dBのバンド幅の変調電極は,それぞれ約10GHz及び25GHzであった。すなわち,この変調器25Gbaudまでの高速変調に用いることができることがわかった。それぞれのMZMの半波電圧(half wave voltage)は,直流電圧の場合は2.9Vであり,10GHzの場合は4.2Vであった。本実施例で用いた変調器のファイバーからファーバーへの挿入ロスは10dBであった。
50−Gb/s 16QAM変調用変調器
図7は,本実施例で用いた装置の概略構成図である。送信器側では,外部キャビティ半導体レーザからの連続光がQPMZMにより16QAM変調された。変調器のそれぞれのアームを,常用される4チャンネルパルスパターン発生器によって生成された,12.5Gb/sの2値NRZ(non-return−to−zero)のPRBS(pseudo random bit sequence)データであって,データ長が2−1のものを用いて,プッシュプル駆動した。ひと組のMZM(MZM−I及びMZM−Q)を,大きな振幅のQPSK信号が得られるように,−πからπの範囲で駆動した。残りのMZMの組を,振幅の小さなQPSK信号が得られるように,−π/2からπ/2の範囲で駆動した。
受信器側では,デジタルホモダイン検波器を用いて信号を復調した。このデジタルホモダイン検波器は,光学的90度のハイブリッドカプラを用いて,信号とローカルオシレータ(LO)光とを混合した。簡単のため,LOと信号光とを共通の半導体レーザを用いて生成した。ハイブリッドカプラは,その4つの出力ポートの間に90度の位相オフセットを与えた。そして,[0度,180度]及び[−90度,90度]の組のバランスト光検波により,LOに射影されたI成分とQ成分とを回復した。検出された光信号を高速ADコンバータに入力した。そして,QAM信号用に調整したデジタル信号プロセッサにより,信号とLOとの位相差を計算した。このようにして,I成分とQ成分とを回復した。
図8(a)は,MZM−IとMZM−Qとを駆動して得られるマップ(constellation map)である。図8(b)は,MZM−iとMZM−qとを駆動して得られるマップである。図8(a)と図8(b)とから,それぞれ大振幅及び小振幅のQPSK信号を生成できたことがわかる。図8(c)は,全てのMZMを駆動して得られるIQマップである。図8(c)から,16QAMが生成できたことが分かる。
受信されたI成分及びQ成分は,多レベルのシグナルである。多レベルのシグナルを,I−Q軸の分散を吸収する適切な閾値技術により復号化した。原データに比べBER(ビットエラーレート)は2×10−3になったと考えられ,FEC(Forward Error Correction)限界と同様のレベルに達したといえる。
図9に示される得られた変調スペクトルから,16QAMの占有帯域はDPSKやDQPSKの帯域と同じであることがわかる。よって,50Gb/sシグナルを12.5Gb/sの従来型WDMチャネルに収容することができることが示された。勿論,100GB/sの転送を達成するために,偏光多重化(polarization multiplexing)と共に用いることによって,2つのチャネルを多重化することができる。さらに,QPMZMの周波数応答は,25Gbaudを達成するために十分なレベルであり,それは100Gb/s 16QAMに相当するものであった。
上述したとおり,本実施例のQPMZMは,2つのQPSKを重畳することにより16QAM変調を行うことができる。そして,本実施例により,50Gb/sの16QAM変調が達成できたことが示された。
本発明は,直交振幅変調信号発生装置を提供できるので,光情報通信などの分野で好適に利用されうる。
図1は,本発明の直交振幅変調信号発生装置の概略図である。 図2は,直交振幅変調信号を説明するための図である。 図3は,QPSK変調器を3つ並列に並んだものを用いたQAM信号発生装置の概念図である。 図4に,本発明の16QAM変調器の原理図を示す。 図5は,実施例2における装置の概略図を示す。 図6は,実施例2における各電極における電気―光応答周波数レスポンスを示す。 図7は,実施例3で用いた装置の概略構成図である。 図8(a)は,MZM−IとMZM−Qとを駆動して得られるマップ(constellation map)である。図8(b)は,MZM−iとMZM−qとを駆動して得られるマップである。図8(a)と図8(b)とから,それぞれ大振幅及び小振幅のQPSK信号を生成できたことがわかる。図8(c)は,全てのMZMを駆動して得られるIQマップである。 図9は,実施例3によって得られた変調スペクトルを示す。
符号の説明
1 直交振幅変調信号発生装置; 2 第1の導波路; 3 第1の4相位相シフトキーイング変調器; 4 合波点; 5 第2の導波路; 6 第2のQPSK変調器

Claims (27)

  1. 第1の導波路(2)と,

    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,

    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,

    前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,

    を具備する,

    直交振幅変調(QAM)信号発生装置。
  2. 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,

    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,

    請求項1に記載の装置。
  3. 前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅を,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅より小さくなるように調整するための,振幅調整機構を有する,
    請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号の振幅を,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となるように調整するための,振幅調整機構を有する,
    請求項1又は2に記載の装置。
  5. 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,

    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備する,

    請求項2に記載の装置。
  6. 前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,LiNbO導波路(21)上に設けられ,

    前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)との合波点(4)は,前記LiNbO導波路(21)と光学的に接続された平面光導波路(PLC)(22)上に設けられる,

    請求項1に記載の装置。
  7. 第1の導波路(2)と,
    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,
    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,
    前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,
    を具備し,
    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,

    前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,
    前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分である前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,
    を合波する工程を含む,

    QAM信号の発生方法。
  8. 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備し,

    前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,

    各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,90度又は270度となり,

    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように

    前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御する,

    請求項6に記載の方法。
  9. 第1の導波路(2)と,
    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,
    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,
    前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,
    を具備し,
    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,

    前記第1のメインマッハツェンダー導波路(7a)において4値の振幅シフトキーイング(ASK)信号である第1のASK信号を生成させ,

    第2のメインマッハツェンダー導波路(7b)において,前記第1のASK信号と90度の位相差を有する,4値の振幅シフトキーイング(ASK)信号である第2のASK信号を生成させ,

    前記第1のASK信号と前記第2のASK信号とを合波する工程を含む,

    QAM信号の発生方法。
  10. 前記第2のQPSK変調器は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する請求項9に記載の方法。
  11. 前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)とを具備し,

    前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,

    各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,0度又は180度となり,

    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,90度又は270度となるように

    前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御する,

    請求項9に記載の方法。
  12. 第1の導波路(52)と,

    前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,

    前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,

    前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,

    前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と,

    前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,

    を具備する,

    直交振幅変調(QAM)信号発生装置。
  13. 前記第1のQPSK変調器(53),前記第2のQPSK変調器(56)および前記第3のQPSK変調器(59)は,

    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路と,
    前記メインマッハツェンダー導波路の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路とを具備する,

    請求項12に記載の装置。
  14. 前記第2のQPSK変調器からの出力信号の振幅は,前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となり,
    前記第3のQPSK変調器からの出力信号の振幅は,前記第2のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分となるように調整するための,振幅調整機構を有する,
    請求項12又は13に記載の装置。
  15. 第1の導波路(2)と,
    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,
    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,
    前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,
    を具備し,
    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)と,
    各バイアス電極にテスト信号を印加するためのテスト信号印加装置と,
    前記テスト信号印加装置によりテスト信号が印加された導波路からの出力信号を検出するための光検出装置と,
    前記光検出装置からの検出データを用い,
    光検出装置が検出した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数の
    2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整する自動バイアス調整装置を有する,
    直交振幅変調(QAM)信号発生装置。
  16. 前記テスト信号は,その周波数が10kHz以下である請求項15に記載の装置。
  17. 各バイアスに印加するテスト信号は,概略90度または270度の位相差を持つ請求項15に記載の装置。
  18. 第1の導波路(2)と,前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,を具備する, 信号発生装置を,複数個並列して設置し,
    前記複数の信号発生装置からの出力が合波される合波部を有する,
    信号発生システム。
  19. 第1の導波路(52)と,前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と, 前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,

    “第n−1の導波路と合波点を有する第nの導波路と,
    前記第nの導波路に設けられ,第n−1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第nのQPSK変調器“を,
    nを4以上の整数として,4以上n以下となる全ての組合せにつき具備する,

    信号発生装置。
  20. 第1の導波路(2)と,

    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,

    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,

    前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,

    を具備する,

    信号発生装置。
  21. 第1の導波路(52)と,

    前記第1の導波路(52)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(53)と,

    前記第1の導波路(53)と合波点(54)を有する第2の導波路(55)と,

    前記第2の導波路(55)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第2のQPSK変調器(56)と,

    前記第2の導波路(55)と合波点(57)を有する第3の導波路(58)と,

    前記第3の導波路(58)に設けられ,前記第2のQPSK変調器からの出力信号と合波される信号を出力する第3のQPSK変調器(59)と,

    を具備する,

    信号発生装置。
  22. 第1の導波路(2)と,
    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,
    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,
    前記第2の導波路(5)に設けられ,前記第1のQPSK変調器からの出力信号よりも振幅が小さな信号を出力する第2のQPSK変調器(6)と,
    を具備し,
    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,

    前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,

    前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,

    各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,90度又は270度となり,

    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように

    前記バイアス電極に印加されるバイアス信号を制御し,

    前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,
    前記第1のQPSK変調器からの出力信号の振幅の半分である前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,
    を合波する,
    QAM信号の発生方法。
  23. 第1の導波路(2)と,
    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,
    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,
    前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,
    を具備し,
    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,

    前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,

    前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,

    各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,mを整数として(45+90m)度となり,

    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように

    前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御し,

    前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,
    前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,
    を合波する工程を含む,

    QAM信号の発生方法。
  24. 第1の導波路(2)と,
    前記第1の導波路(2)に設けられた第1の4相位相シフトキーイング(QPSK)変調器(3)と,
    前記第1の導波路(2)と合波点(4)を有する第2の導波路(5)と,
    前記第2の導波路(5)に設けられた第2のQPSK変調器(6)と,
    を具備し,
    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)とを具備する,直交振幅変調(QAM)信号発生装置を用いたQAM信号の発生方法であって,

    前記第1のQPSK変調器(3)のメインマッハツェンダー導波路(7a)及び前記第2のQPSK変調器(6)のメインマッハツェンダー導波路(7b)は,
    それぞれ,
    メインマッハツェンダー導波路を構成する2つのアームのそれぞれに印加されるバイアス電圧を調整するための第1のバイアス電極(10a,10b)及び第2のバイアス電極(11a,11b)と,メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の合波部(12a,12b)で合波される両アームを伝播する信号にバイアス電圧を印加するための第3のバイアス電極(13a,13b)のうちいずれかひとつ以上のバイアス電極を具備し,

    前記4つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,180度となり,

    各メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)は,伝播信号が合波される前の,それぞれの両アームを伝播する信号の位相差が,lを整数として(30+90l)度となり,

    前記第1のQPSK変調器(3)及び前記第2のQPSK変調器(6)は,伝播信号が前記合波点(4)において合波される前の,前記第1の導波路(2)と第2の導波路(5)を伝播する信号の位相差が,0度,又は180度となるように

    前記第1のバイアス電極(10a,10b),前記第2のバイアス電極(11a,11b)及び前記第3のバイアス電極(13a,13b)に印加されるバイアス信号を制御し,

    前記第1のQPSK変調器からの出力信号と,
    前記第2のQPSK変調器(6)からの出力信号と,
    を合波する工程を含む,

    QAM信号の発生方法。
  25. メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)と,
    前記メインマッハツェンダー導波路(7a,7b)の両アームのそれぞれに設けられた2つのサブマッハツェンダー導波路(8a,9a,8b,9b)と,

    前記メインマッハツェンダー導波路,又は,前記2つのサブマッハツェンダー導波路のいずれか又は両方の,バイアス電極にテスト信号を印加するためのテスト信号印加装置と,
    前記テスト信号印加装置によりテスト信号が印加された導波路からの出力信号を検出するための光検出装置と,
    前記光検出装置からの検出データを用い,
    光検出装置が検出した出力スペクトルが,2つの側波帯成分を含む場合,変調周波数の
    2倍成分が小さくなるようにバイアス電圧を調整する自動バイアス調整装置を有する,
    QPSK変調器。
  26. 前記テスト信号は,その周波数が10kHz以下である請求項25に記載の装置。
  27. 前記テスト信号は前記2つのサブマッハツェンダー導波路の両方に印加され,2つのテスト信号が概略90度または270度の位相差を持つ請求項25に記載の装置。
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