JP2005210537A - 光fsk変調器を用いたuwb信号の発生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、光情報通信などに用いることができ、高速に情報を発信でき、波長分割多重(WDM)通信や、他の変調方式と同時変調が可能なUWB信号の発生装置を提供することなどを目的とする。
【解決手段】上記の課題は、レーザ光を発生するレーザ光源(2)と、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調する光強度変調器(3)と、前記光強度変調器へ伝達する信号を出力する光強度変調器の信号源(4)と、前記光強度変調器からの出力光が入力する光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、前記光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御する信号源(6)と、前記光FSK変調器のRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御する高周波電気信号源(7)と、前記光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)とを具備するUWB信号発生装置(1)などによって解決される。
【選択図】図1
【解決手段】上記の課題は、レーザ光を発生するレーザ光源(2)と、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調する光強度変調器(3)と、前記光強度変調器へ伝達する信号を出力する光強度変調器の信号源(4)と、前記光強度変調器からの出力光が入力する光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、前記光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御する信号源(6)と、前記光FSK変調器のRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御する高周波電気信号源(7)と、前記光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)とを具備するUWB信号発生装置(1)などによって解決される。
【選択図】図1
Description
本発明は、光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置などに関する。
無線LANなどの近距離ワイヤレス通信のさらなる高速化を目指し、UWB技術が最近注目を集めている。UWBとはウルトラワイドバンド(Ultra-WideBand)の略であり、UWB技術は、短パルスRF信号を利用した無線通信技術である。UWB技術は、信号の占有周波数帯域が極めて広いという特徴がある。現時点で米国ではFCCによるマイクロ波帯で周波数の割り当てが行われ、数GHz帯を中心として実用化を目指した開発が進められている。一方、各研究機関ではギガビット級無線LANを実現するためにミリ波帯UWB技術も検討が始められている。UWB信号の発生方法として、IR(Impulse Radio)方式と、DS-SS(Direct Sequence Spread Spectrum)方式とが知られている。
図10にIR方式に基づくUWB信号の発生装置の例を示す(たとえば、下記非特許文献1(2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 予稿集343頁)参照)。この例のUWB信号の発生装置(101)は、光パスル発生器(102)と、光強度変調器(103)と、UTC−PD(単一走行キャリア・フォトダイオード:Uni-Traveling-Carrier Photodiode )(104)と、アンテナ(105)とを具備する。以下、UWB信号の発生装置の動作を説明する。まず、光パルス発生器(102)が、1GHzの繰り返し周波数で出力された約400fsの半値幅を有する光パルス列が出力する。光強度変調器(103)は、この光パルス列に231−1のPRBS(擬似ランダム・ビット・シーケンス)信号を重畳する。UTC−PD(104)は、この光信号を約7psの半値幅を有する電気パルス信号に変換する。アンテナ(105)は、約120GHzの中心周波数と約49GHzの占有帯域を有しており、この電気パルス信号を放出する。
一方、受信器(106)は、アンテナ(107)と、ショットキー・バリア・ダイオード(Shottky Barrier Diode:SBD)(108)と、増幅器(109)と含んでおり、その出力はオシロスコープ(110)により観測される。UWB信号の発生装置から放出された電気パルス信号は、さきのアンテナと同じ特性を有するアンテナにより受信される。SBD(108)は、アンテナが受信した電気パルス信号を包絡線検波する。増幅器(109)は、SBDが検波した電気パルスを増幅する。オシロスコープは、増幅器によって増幅された電気パルスの波形を観測する。このようにして、1Gbit/sのデータ送信が可能とされる。
しかしながら、この装置では、アンテナの特性にあった電気パルスのみが出力されるので、他の信号との同時伝送を行うことはできないという問題がある。また、この装置では、パルス光を用いなければならいという問題がある。また、この装置では、出力パルスがもっぱらアンテナの特性に依存するので、中心周波数や帯域に制限があるという問題がある。さらにこの装置では、実際に送信されない周波数の光が多く発生するので、無駄が多いという問題がある。
DS-SS(Direct Sequence Spread Spectrum)方式に基づくUWB信号の発生装置では、光ヘテロダイン法によるマイクロ波・ミリ波のUWB信号を発生する。このUWB信号の発生装置は、信号源と2つのレーザと位相ロックループと、マッハツェンダー変調器とバイアス電源と、パルスパターン発生装置と、光検出器(フォトダイオード)と、スペクトル分析器とを具備する。この装置では、マッハツェンダー変調器でキャリア信号にデータを位相変調によって重畳し、位相ロックループによって2つのレーザを位相同期させ、ヘテロダイン抽出によってUWB信号を発生させる。この装置では、安定制御機構が複雑で高価になるなどの問題がある。
2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 予稿集343頁
2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 予稿集342頁
本発明は、光情報通信などに用いることのできる光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置を提供することを目的とする。
本発明は、光情報通信などに用いることができ、高速に情報を発信できる光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
本発明は、レーザ光としてCW(連続)光を用いることのできるUWB信号の発生装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
本発明は、波長分割多重(WDM)通信に用いることができるUWB信号の発生装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
本発明は、容易に出力帯域を制御できるUWB信号の発生装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
本発明は、UWB信号のパルス形状を制御できるUWB信号の発生装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
本発明は、強度変調信号およびUWB信号を同時に発生できる装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
本発明は、WDMを用いずに強度変調信号およびUWB信号を同時に発生できる装置を提供することを、上記とは別の目的とする。
[1]上記の課題をうちいずれかひとつ以上解決するため、本発明の光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置は、レーザ光を発生するレーザ光源(2)と、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調する光強度変調器(3)と、前記光強度変調器へ伝達する信号を出力する光強度変調器の信号源(4)と、前記光強度変調器からの出力光が入力する光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、前記光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御する信号源(6)と、前記光FSK変調器のRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御する高周波電気信号源(7)と、前記光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)とを具備する。
光FSK変調器では、平均出力光強度が、RFCの電圧に依存しない。それゆえ、光FSK変調器を用いる本発明のUSB信号発生装置は、平均出力が一定となる。よって、本発明のUSB信号発生装置は、UWB信号と、強度変調信号など平均出力を利用する他の変調方式(OOKなど)とを同時に行うことができる。
また、本発明のUWB信号の発生装置におけるUWB信号のキャリア周波数は、高周波電気信号源の周波数の2倍となるので、高い周波数成分を有する信号を生成でき、また周波数を容易に制御できる。本発明のUWB信号の発生装置におけるUWB信号のパルス波形は、RFC信号波形によって決まるので、例えば、立ち上がり時間などを調整することによってUWB信号のパルス形状を容易に制御できる。
[2]本発明の光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置は、好ましくは光FSK変調器が、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(12)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(13)と、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備するメインマッハツェンダー導波路(MZC)(14)と、前記MZAを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZAの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第1の直流または低周波用電極(DCA電極)(15)と、前記MZBを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZBの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第2の直流または低周波用電極(DCB電極)(16)と、前記MZAを構成する2つのアームにラジオ周波数(RF)信号を入力する第1のRF電極(RFA電極)(17)と、前記MZBを構成する2つのアームにRF信号を入力する第2のRF電極(RFB電極)(18)と、入力されるRF信号の周波数を制御することにより前記出力部から出力される光の周波数を制御する進行波型電極(RFC電極)(19)とを具備する。
[3]上記のUWB信号発生装置は、波長分割多重通信システムに用いる事ができる。
[4]上記の課題をうちいずれかひとつ以上解決するため、本発明の強度変調信号およびUWB信号発生装置は、レーザ光を発生するレーザ光源(2)と、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調する光強度変調器(3)と、前記光強度変調器へ伝達する信号を出力する光強度変調器の信号源(4)と、前記光強度変調器からの出力光が入力する光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、前記光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御する信号源(6)と、前記光FSK変調器のRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御する高周波電気信号源(7)と、光検波器(20)とを有する。
[5]本発明の強度変調信号およびUWB信号発生装置は、好ましくは、前記高速光検波器の出力を増強する光強度増幅器(21)を具備する。
[6]本発明の強度変調信号およびUWB信号発生装置は、好ましくは、光FSK変調器が、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(12)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(13)と、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備するメインマッハツェンダー導波路(MZC)(14)と、前記MZAを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZAの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第1の直流または低周波用電極(DCA電極)(15)と、前記MZBを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZBの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第2の直流または低周波用電極(DCB電極)(16)と、前記MZAを構成する2つのアームにラジオ周波数(RF)信号を入力する第1のRF電極(RFA電極)(17)と、前記MZBを構成する2つのアームにRF信号を入力する第2のRF電極(RFB電極)(18)と、入力されるRF信号の周波数を制御することにより前記出力部から出力される光の周波数を制御する進行波型電極(RFC電極)(19)とを具備する。
本発明によれば、光情報通信などに用いることのできる光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置を提供できる。
本発明によれば、光情報通信などに用いることができ、高速に情報を発信できる光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置を提供できる。
本発明によれば、フィルタ(アンテナ)を用いてUWB信号を発生する従来法と異なり、光FSK変調器を用いるので、レーザ光としてCW(連続)光を用いることのできるUWB信号の発生装置を提供できる。
本発明によれば、波長分割多重(WDM)通信に用いることができるUWB信号の発生装置を提供できる。
本発明によれば、UWB信号のキャリア周波数は、高周波電気信号源の周波数の2倍となるので、容易に出力帯域を制御できるUWB信号の発生装置を提供できる。
本発明によれば、UWB信号のパルス波形がRFC信号波形によって決まるので、UWB信号のパルス形状を制御できるUWB信号の発生装置を提供できる。
本発明によれば、その平均出力が一定なので、強度変調信号およびUWB信号を同時に発生できる装置を提供できる。
本発明によれば、WDMを用いずに強度変調信号およびUWB信号を同時に発生できる装置を提供できる。すなわち、本発明によれば、上記効果のうち少なくともひとつ以上を達成できる。
(1.UWB信号発生装置)
光FSK変調器では、スイッチング時に過渡的に同時に発生する上側波帯、および下側波帯が干渉しあい、光FSK変調器のRF信号周波数(fFSK)の2倍の成分が発生する。これらの2成分の周波数差(RFA電極及びRFB電極に入力するRF信号周波数の2倍)以上の周波数成分に応答できる光検出器(高速光検出器)に変調器の出力光を導くと、2成分が同時発生している間のみ周波数差に相当する周波数をもつRF信号が発生する。周波数切替え時の過渡的な現象であるので、光周波数切替えのための信号(RFC)を立ち上がり・立ち下がり時間の短い矩形パルスとすると、RF信号を発生させることができる。本発明の光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置(以下、単に「本発明のUWB信号発生装置」ともいう)は、このRF信号(ミリ波・マイクロ波パルス)をUSB信号として出力するものである。
光FSK変調器では、スイッチング時に過渡的に同時に発生する上側波帯、および下側波帯が干渉しあい、光FSK変調器のRF信号周波数(fFSK)の2倍の成分が発生する。これらの2成分の周波数差(RFA電極及びRFB電極に入力するRF信号周波数の2倍)以上の周波数成分に応答できる光検出器(高速光検出器)に変調器の出力光を導くと、2成分が同時発生している間のみ周波数差に相当する周波数をもつRF信号が発生する。周波数切替え時の過渡的な現象であるので、光周波数切替えのための信号(RFC)を立ち上がり・立ち下がり時間の短い矩形パルスとすると、RF信号を発生させることができる。本発明の光FSK変調器を用いたUWB信号の発生装置(以下、単に「本発明のUWB信号発生装置」ともいう)は、このRF信号(ミリ波・マイクロ波パルス)をUSB信号として出力するものである。
本発明のUWB信号発生装置の実現例を、図面を参照しつつ説明する。図1は、本発明のUWB信号発生装置の基本構成を示す概略図である。図1に示されるとおり、本発明のUWB信号発生装置(1)は、レーザ光源(2)と、光強度変調器(3)と、光強度変調器の信号源(4)と、光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、光FSK変調器の切換え信号源(6)と、光FSK変調器の高周波電気信号源(7)と、光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)とを具備する。図中、9は、ファイバである。以下、本発明のUWB信号発生装置の基本要素について説明する。
(1.1.レーザ光源)
レーザ光源(2)は、レーザ光を発生するためのデバイスである。レーザ光源としては、CW波長のレーザ光源を用いることもできる。従来のUWB信号発生装置では、その光源としてパルス光を採用しなければならなかった(2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 予稿集343頁(非特許文献1)参照)。しかしながら、本発明では、従来のUWB信号発生装置のようなアンテナによるUWB信号を発生する方式を採用せず、光FSK方式を採用するので、CW波長のレーザ光源を用いることができる。なお、本明細書では、レーザ光源から出力される光の振動数をf0として説明する。
レーザ光源(2)は、レーザ光を発生するためのデバイスである。レーザ光源としては、CW波長のレーザ光源を用いることもできる。従来のUWB信号発生装置では、その光源としてパルス光を採用しなければならなかった(2003年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 予稿集343頁(非特許文献1)参照)。しかしながら、本発明では、従来のUWB信号発生装置のようなアンテナによるUWB信号を発生する方式を採用せず、光FSK方式を採用するので、CW波長のレーザ光源を用いることができる。なお、本明細書では、レーザ光源から出力される光の振動数をf0として説明する。
レーザ光源としては、半導体レーザが挙げられる。なお、レーザ装置に後述の光強度変調器が組み込まれているものを用いても良い。
レーザ光源から出力される光の振動数であるf0としては、100THz以上であれば安定したレーザが利用できるので好ましく、170THz以上であれば既存のファイバが利用できるのでより好ましく、190〜250THzであればファイバで低損失で伝送できるので特に好ましい。
レーザ光源から出力される光の強度としては、0.1mW以上が挙げられ、好ましくは1mW以上であり、より好ましくは10mW以上である。
(1.2.光強度変調器)
光強度変調器(3)は、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調するためのデバイスであり、公知の光強度変調器を採用できる。このような光強度変調器としてはLN変調器などが挙げられる。光強度変調器によりレーザ光の振幅が変調される。この際の変調されたレーザ光の帯域幅を本明細書では、Δfsigとする。光強度変調器としては、レーザ装置に組み込まれレーザを直接変調するものであっても良いが、好ましくはレーザ光源と別に設けられている光強度変調器である。
(1.2.光強度変調器)
光強度変調器(3)は、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調するためのデバイスであり、公知の光強度変調器を採用できる。このような光強度変調器としてはLN変調器などが挙げられる。光強度変調器によりレーザ光の振幅が変調される。この際の変調されたレーザ光の帯域幅を本明細書では、Δfsigとする。光強度変調器としては、レーザ装置に組み込まれレーザを直接変調するものであっても良いが、好ましくはレーザ光源と別に設けられている光強度変調器である。
(1.3.強度変調信号源)
光強度変調器の信号源(4)は、光強度変調器へ伝達する信号を出力するためのデバイスであり、公知の強度変調信号源を採用できる。
光強度変調器の信号源(4)は、光強度変調器へ伝達する信号を出力するためのデバイスであり、公知の強度変調信号源を採用できる。
(1.4.光FSK変調器)
光FSK変調器(5)は、光の周波数に変調をかけ、周波数の違いを信号として伝えるための装置である。なお、従来の光SSB変調器に比べ出力周波数の高速な切り替えを達成できる[T. Kawanishi and M. Izutsu, “Optical FSK modulator usingan integrated lightwave circuit consisting of four optical phase modulator”, CPT 2004 G-2, Tokyo, Japan, 14-16 Jan.2004]。以下、本発明において用いられる光FSK変調器の例について、図面を参照しながら説明する。図2は、このような光FSK変調器の基本構成を表す図である。図2に示されるように光FSK変調器の基本構成(11)は、例えば、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(12)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(13)と、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備するメインマッハツェンダー導波路(MZC)(14)と、前記MZAを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZAの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第1の直流または低周波用電極(DCA電極)(15)と、前記MZBを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZBの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第2の直流または低周波用電極(DCB電極)(16)と、前記MZAを構成する2つのアームにラジオ周波数(RF)信号を入力する第1のRF電極(RFA電極)(17)と、前記MZBを構成する2つのアームにRF信号を入力する第2のRF電極(RFB電極)(18)と、入力されるRF信号の周波数を制御することにより前記出力部から出力される光の周波数を制御する進行波型電極(RFC電極)(19)とを具備する。
光FSK変調器(5)は、光の周波数に変調をかけ、周波数の違いを信号として伝えるための装置である。なお、従来の光SSB変調器に比べ出力周波数の高速な切り替えを達成できる[T. Kawanishi and M. Izutsu, “Optical FSK modulator usingan integrated lightwave circuit consisting of four optical phase modulator”, CPT 2004 G-2, Tokyo, Japan, 14-16 Jan.2004]。以下、本発明において用いられる光FSK変調器の例について、図面を参照しながら説明する。図2は、このような光FSK変調器の基本構成を表す図である。図2に示されるように光FSK変調器の基本構成(11)は、例えば、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(12)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(13)と、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備するメインマッハツェンダー導波路(MZC)(14)と、前記MZAを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZAの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第1の直流または低周波用電極(DCA電極)(15)と、前記MZBを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZBの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第2の直流または低周波用電極(DCB電極)(16)と、前記MZAを構成する2つのアームにラジオ周波数(RF)信号を入力する第1のRF電極(RFA電極)(17)と、前記MZBを構成する2つのアームにRF信号を入力する第2のRF電極(RFB電極)(18)と、入力されるRF信号の周波数を制御することにより前記出力部から出力される光の周波数を制御する進行波型電極(RFC電極)(19)とを具備する。
(1.4.1.マッハツェンダー導波路)
光FSK変調器を構成するそれぞれのマッハツェンダー導波路は、例えば、並列する2つの位相変調器を具備するようにして構成される。図2の例では、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)と、メインマッハツェンダー導波路(MZC)とを含む。MZCは、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備する。
光FSK変調器を構成するそれぞれのマッハツェンダー導波路は、例えば、並列する2つの位相変調器を具備するようにして構成される。図2の例では、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)と、メインマッハツェンダー導波路(MZC)とを含む。MZCは、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備する。
(1.4.2.基板)
光FSK変調器の基板の材質としては、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体等の電気光学結晶が好ましく、X−cut(X−カット)LiNbO3基板が特に好ましい。光導波路の形成方法としては、チタン拡散法等の内拡散法やプロトン交換法など公知の形成方法を利用できる。すなわち、本発明の光FSK変調器は、例えば以下のようにして製造できる。まず、ニオブ酸リチウムのウエハー上に、フォトリソグラフィー法によって、チタンをパターニングし、熱拡散法によってチタンを拡散させ、光導波路を形成する。この際の条件は、チタンの厚さを100〜2000オングストロームとし、拡散温度を500〜2000℃とし、拡散時間を10〜40時間としすればよい。基板の主面に、二酸化珪素の絶縁バッファー層(厚さ0.5−2μm)を形成する。次いで、これらの上に厚さ15−30μmの金属メッキからなる電極を形成する。次いでウエハーを切断する。このようして、チタン拡散導波路が形成された光変調器が形成される。
光FSK変調器の基板の材質としては、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体等の電気光学結晶が好ましく、X−cut(X−カット)LiNbO3基板が特に好ましい。光導波路の形成方法としては、チタン拡散法等の内拡散法やプロトン交換法など公知の形成方法を利用できる。すなわち、本発明の光FSK変調器は、例えば以下のようにして製造できる。まず、ニオブ酸リチウムのウエハー上に、フォトリソグラフィー法によって、チタンをパターニングし、熱拡散法によってチタンを拡散させ、光導波路を形成する。この際の条件は、チタンの厚さを100〜2000オングストロームとし、拡散温度を500〜2000℃とし、拡散時間を10〜40時間としすればよい。基板の主面に、二酸化珪素の絶縁バッファー層(厚さ0.5−2μm)を形成する。次いで、これらの上に厚さ15−30μmの金属メッキからなる電極を形成する。次いでウエハーを切断する。このようして、チタン拡散導波路が形成された光変調器が形成される。
(1.4.3.共振型電極)
共振型光電極(共振型光変調器)は、変調信号の共振を用いて変調を行う電極である。共振型電極としては、公知の共振型電極を採用でき、例えば特開2002−268025号公報に開示された共振型電極を採用できる。
共振型光電極(共振型光変調器)は、変調信号の共振を用いて変調を行う電極である。共振型電極としては、公知の共振型電極を採用でき、例えば特開2002−268025号公報に開示された共振型電極を採用できる。
(1.4.4.進行波型電極)
進行波型電極(進行波型光変調器)は、光波と電気信号を同方向に導波させ導波している間に光を変調する電極(変調器)である(例えば、西原浩、春名正光、栖原敏明著、「光集積回路」(改訂増補版)オーム社、119頁〜120頁)。進行波型電極としては、公知の進行波型電極を採用でき、例えば、特開平11−295674号公報、特開平11−295674号公報、特開2002−169133号公報、特開2002−40381号公報、特開2000−267056号公報、特開2000−47159号公報、特開平10−133159号公報などに開示された進行波型電極を用いることができる。
進行波型電極(進行波型光変調器)は、光波と電気信号を同方向に導波させ導波している間に光を変調する電極(変調器)である(例えば、西原浩、春名正光、栖原敏明著、「光集積回路」(改訂増補版)オーム社、119頁〜120頁)。進行波型電極としては、公知の進行波型電極を採用でき、例えば、特開平11−295674号公報、特開平11−295674号公報、特開2002−169133号公報、特開2002−40381号公報、特開2000−267056号公報、特開2000−47159号公報、特開平10−133159号公報などに開示された進行波型電極を用いることができる。
進行波型電極として好ましくは、いわゆる対称型の接地電極配置(進行波型の信号電極の両側に、少なくとも一対の接地電極が設けられているもの)を採用するものが挙げられる。このように、信号電極を挟んで接地電極を対称に配置することによって、信号電極から出力される高周波は、信号電極の左右に配置された接地電極に印加されやすくなるので、高周波の基板側への放射を、抑圧できる。進行波型電極を用いることで、数十ps以下の出力周波数切換えをも達成できる。
(1.4.5.光FSK変調器の動作)
光FSK変調器の動作を以下に説明する。並列する4つの光位相変調器に位相が90°ずつ異なる正弦波RF信号を入力する。また、光に関してもそれぞれの位相差が90°となるようにバイアス電圧DCA電極、DCB電極、RFC電極を調整する。すると、RF信号の周波数分だけ周波数がシフトした光が出力される。周波数シフトの方向(減少/増加)は、バイアス電圧を設定することにより選択できる。すなわち、各位相変調器で、電気・光とも90°ずつの位相差をもつ。なお、基板として、X−カット基板を用いるとRF信号用電極RFA電極、及びRFB電極に位相が90°異なる正弦波を供給するだけで、4つの位相変調器でそれぞれ位相が0°、90°、180°、270°のRF信号の変調を実現できる(日隅ら,Xカットリチウムニオブ光SSB変調器,エレクトロンレター,vol. 37, 515-516 (2001).)。
光FSK変調器の動作を以下に説明する。並列する4つの光位相変調器に位相が90°ずつ異なる正弦波RF信号を入力する。また、光に関してもそれぞれの位相差が90°となるようにバイアス電圧DCA電極、DCB電極、RFC電極を調整する。すると、RF信号の周波数分だけ周波数がシフトした光が出力される。周波数シフトの方向(減少/増加)は、バイアス電圧を設定することにより選択できる。すなわち、各位相変調器で、電気・光とも90°ずつの位相差をもつ。なお、基板として、X−カット基板を用いるとRF信号用電極RFA電極、及びRFB電極に位相が90°異なる正弦波を供給するだけで、4つの位相変調器でそれぞれ位相が0°、90°、180°、270°のRF信号の変調を実現できる(日隅ら,Xカットリチウムニオブ光SSB変調器,エレクトロンレター,vol. 37, 515-516 (2001).)。
図3に光FSK変調器の各点における光スペクトルを示す。図3は、上側波帯を発生する場合の例である。図2のそれぞれのMZ構造部分においてDCA電極、DCB電極のバイアス電圧を2つのPath(パス1とパス3、パス2とパス4)での光の位相差が180°となるように調整する。RFC電極のバイアス電圧を、2つのMZ構造部分の光位相差が90°となるように調整する。図2のP点、及びQ点においては、それぞれ両側波帯が存在する。しかしながら、P点とQ点とでは、下側波帯の位相が逆である。このため、これらの光を合波した出力光では、上側波成分のみが含まれるのである。
一方、RFC電極のバイアス電圧を、2つのMZ構造部分の光位相差が270°となるように調整すると、下側波成分のみが出力される。したがって、RFC電極の信号電圧を切り替えることで、上側波成分と下側波成分とを切り替えて出力できる。
この例では、RFC電極として、RF周波数に対応した進行波型電極を用いたので、上記の周波数シフトを高速に行うことができる。ただし、周波数シフトを高速に行わない場合には、RFC電極として、共振型電極を用いてもよい。
以下では、光FSK変調器の出力スペクトルについての数学的表現を説明する。光FSK変調器は符号切り替えを高速で実現するために、従来の光SSB変調器のDCC に相当する電極を、高速スイッチングに対応した、進行波型電極(RFC) に置き換えたものである。光FSK変調器の出力スペクトルは、基本的には光SSB変調器の出力スペクトルと同様に解釈でき、光SSB変調器の出力スペクトルについては報告例が多いので、以下では光SSB変調器の出力スペクトルについて説明する。
変調信号をARFsinωmt とすると、単体の位相変調器によるサイドバンドは、下記の式(1)で表される。
式(1)中、Jn(A)は、第1 種n 次ベッセル関数である。ここで入力光をALWexp[iω0t]とした。なお、ARFは、変調器での電気信号による光の位相変化の大きさを示す量であり、誘導位相量とよばれる。
同様に変調信号がARFcosωmtの場合に、単体の位相変調器によるサイドバンドは、下記の式(2)で表される。
よって、n 次側波帯:exp[i(ω0+nωm)t]成分の振幅はn 次ベッセル関数で表されることがわかる。図4は、位相変調によるサイドバンドが生成する様子を示すグラフである。図4には、第1種n次ベッセル関数のうち、Ji (i = 0, 1,・・・,5) が示されている。J1(A) はA = 1.841 のときに最大値0.583 となる。この最大値を与える誘導位相量を以下の式(3)、及び式(4)のように定義した。
光SSB 変調器による光周波数変換では±1次側波帯を利用するので、誘導位相量をAmを超える値としても変換効率が上がらず、また、不要な高調波の発生につながる。そこで、以下では、誘導位相量Aが0以上Am以下の範囲のみを考える。
図2のPath j (j = 1; 2; 3; 4) における光の振幅、位相をAj LW、φj LW、RF 電気信号により光導波路に誘起される電界の振幅、位相をAj RF、φj RFとして、式(1),(2) を用いると、光SSB変調器の出力光Eは以下の式(5)〜式(9)で表される。なお、位相は、4つのPathが合波する点を基準とする。
理想的なSSB変調は、光と電気の位相差がそれぞれπ/2、すなわちΔφj LW = Δφj REで、また、振幅のばらつきもないとき(Aj LW =ALW, Aj RF =ARF)に得られる[S. Shimotsu, S. Oikawa, T. Saitou, N. Mitsugi, K. Kubodera, T. Kawanishi, and M. Izutsu, “LiNbO3 Optical Single-Sideband Modulator,” OFC 2000, PD-16]。一方、出力光スペクトルは、下記式(10)〜式(12)で与えられる。
図4に示されるように、振幅がAmより小さい範囲では、5 次以上の高調波成分は十分小さいのでS × T = +1 の場合出力スペクトルは、式(13)となる。
J1 が J3 より大きいので、出力光では+1 次成分exp[i(ω0+ωm)t]が支配的で、入力光ALWexp[iω0t]に対して変調周波数分だけの光周波数シフトが実現できる。また、この際の変換効率は、J1 で表される。また、+1 次成分と不要な高調波の比をSNR[dB] で定義するとJ1 / J3 となる。なお、ここでは光および電気回路での位相、振幅のずれがないものとし、また、光導波路での損失をゼロとしているので、J1 、J 1 / J3がそれぞれ光SSB 変調器による光周波数変換の変換効率とSNRの理論限界を与える。
変換効率−10dB 以上、SNR30dB 以上を満たす範囲は0.67 < ARF < 0.85 である。同様にS × T = −1 の場合を考えると出力スペクトルは、式(14)となる。
式(14)から、S ×T = +1 のとき光周波数が増加する方向(上側波帯)へ、S ×T = −1 のとき光周波数が減少する方向(下側波帯)へ光周波数がシフトすることがわかる。従っ
て、T またはS の符号を変化させることで、光周波数の切り替えが実現できることがわかる。T の符号の変化は、DCC (したがって、光FSK変調器では、RFC)に印加する電圧を制御し、Path 1,3 とPath 2,4 間の光位相差を−π/2 からπ/2 に切り替えることで実現できる。一方、S の符号はRFA、RFBのRF 信号の位相差を、π/2 から−π/2 に切り替えることで、変化させることができる。
て、T またはS の符号を変化させることで、光周波数の切り替えが実現できることがわかる。T の符号の変化は、DCC (したがって、光FSK変調器では、RFC)に印加する電圧を制御し、Path 1,3 とPath 2,4 間の光位相差を−π/2 からπ/2 に切り替えることで実現できる。一方、S の符号はRFA、RFBのRF 信号の位相差を、π/2 から−π/2 に切り替えることで、変化させることができる。
先に説明したとおり、図2に示される光FSK 変調器は、T の符号切り替えを高速で実現するために、従来の光SSB変調器のDCCに相当する電極を、高速スイッチングに対応した、進行波型電極(RFC) に置き換えたものである。切り替え信号の振幅は、RFCの半波長電圧に一致する。
ここで、光FSK変調器による振動数変調の幅をΔfFSKとすると、ΔfFSK>Δfsigが成り立つ。たとえば、Δfsigが10GHzで、ΔfFSKが25GHzであれば、50GHzの周波数を有するUWB信号が発生する。なお、先に説明したとおり、Δfsigは、光強度変調器によって強度変調されたレーザ光の帯域幅である。
また、本発明のUWB信号発生装置は、波長分割多重(WDM)通信にも用いることができる。そして、本発明のUWB信号発生装置を用いてWDM通信を行う場合、それぞれの周波数間隔をΔfWDMとすると、ΔfWDM>(ΔfFSK+Δfsig)×2の関係を充たすようにすればよい。たとえば、Δfsigが10GHzで、ΔfFSKが25GHzであれば、ΔfWDMとして100GHzとすればよい。
上記のとおり、光FSK変調器によれば、平均出力光強度が、RFCの電圧に依存しない。それゆえ、光FSK変調器を用いる本発明のUSB信号発生装置は、平均出力が一定となり、UWB信号にあわせて、強度変調信号など平均出力を利用する他の変調方式(OOKなど)との同時変調を可能となる。
(1.5.信号源)
信号源(6)は、光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御するためのデバイスであり、公知の信号源を採用できる。信号源(FSK信号源)は、光FSK変調器の信号源として、複数の電圧レベルを設定して切り替えることのできるものを用いることは、多値変調可能な光FSK通信に関する態様である。信号源からRFC電極に入力される信号としては、好ましくは500MHz以上、300GHz以下の周波数成分をもつ信号が挙げられ、好ましくは500MHz〜10GHzである。なお、信号源が制御するRFC電極へ伝達される信号の周波数は、後述の高周波電気信号源が制御するRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号の周波数に比べて小さいことが好ましい。信号源が制御するRFC電極へ伝達される信号の周波数が、後述の高周波電気信号源が制御するRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号の周波数に比べて大きいと装置が複雑となるからである。
信号源(6)は、光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御するためのデバイスであり、公知の信号源を採用できる。信号源(FSK信号源)は、光FSK変調器の信号源として、複数の電圧レベルを設定して切り替えることのできるものを用いることは、多値変調可能な光FSK通信に関する態様である。信号源からRFC電極に入力される信号としては、好ましくは500MHz以上、300GHz以下の周波数成分をもつ信号が挙げられ、好ましくは500MHz〜10GHzである。なお、信号源が制御するRFC電極へ伝達される信号の周波数は、後述の高周波電気信号源が制御するRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号の周波数に比べて小さいことが好ましい。信号源が制御するRFC電極へ伝達される信号の周波数が、後述の高周波電気信号源が制御するRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号の周波数に比べて大きいと装置が複雑となるからである。
(1.6.高周波電気信号源)
高周波電気信号源(7)は、RFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御するためのデバイスであり、公知の高周波電気信号源を採用できる。高周波周波数としては、例えば1GHz〜100GHzが挙げられる。高周波電気信号源の出力としては、一定の周波数を有する正弦波が挙げられる。
高周波電気信号源(7)は、RFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御するためのデバイスであり、公知の高周波電気信号源を採用できる。高周波周波数としては、例えば1GHz〜100GHzが挙げられる。高周波電気信号源の出力としては、一定の周波数を有する正弦波が挙げられる。
(1.8.高速光検出器)
高速光検出器は、RFA電極及びRFB電極に入力するRF信号の周波数の2倍以上の周波数に応答できる光検出器である。*1
高速光検出器は、RFA電極及びRFB電極に入力するRF信号の周波数の2倍以上の周波数に応答できる光検出器である。*1
(2.UWB信号の発生装置の動作)
以下、本発明のUWB信号の発生装置を用いて、UWB信号が発生することについて説明する。先に説明した通り、電極RFC上の電圧変化により、光FSK変調器の出力を上側波帯と、下側波帯とを切り替えることができる。Path 1,3 とPath 2,4 の光信号の位相差をφFSK とすると、上側波帯、下側波帯の振幅はそれぞれ下記式(15)、及び式(16)で与えられる。
以下、本発明のUWB信号の発生装置を用いて、UWB信号が発生することについて説明する。先に説明した通り、電極RFC上の電圧変化により、光FSK変調器の出力を上側波帯と、下側波帯とを切り替えることができる。Path 1,3 とPath 2,4 の光信号の位相差をφFSK とすると、上側波帯、下側波帯の振幅はそれぞれ下記式(15)、及び式(16)で与えられる。
φFSK = 0 のときに上側波帯のみが出力される。一方、φFSK = πのときに下側波帯のみが出力される。いずれの場合も、平均出力光強度はJ1(ARF) で与えられ、φFSK に依存しない。図5は、光FSK変調によるUWB信号発生を説明するための図である。RFC 上の切り替えパルスの立ち上がり、立ち下がり時間の間は上側波帯、下側波帯が同時に存在する。これを高速光検出器で電気信号に変換すると、光ビートとして上側波帯と下側波帯の周波数の差(2fm) に相当するRF信号が得られる。立ち上がり、立ち下がり時間は電極およびドライブ回路の帯域で制限されている。しかし、進行波型電極(およびドライバー)を利用することで、立ち上がり、立ち下がり時間を10 ps 程度にできる。また、FSKの周波数変移の上限も同様に変調電極の帯域で制限されており、60 GHz 程度である。よって、本発明のUSB発声装置を用いれば、キャリア周波数120 GHz、パルス幅10 ps のUWB信号が発生できる。
本発明のUSB発生装置によるUSB信号出力方法は、FSK切り替え信号が平均出力光強度に影響を与えない。これは、FSK変調による強度変化の周波数軸上での広がりがUWB信号のキャリア付近に限定されていることを意味している。これまでに提案されたUWB発生技術では、一般に、短パルスを発生させた後に、フィルタ(アンテナ)で所望のスペクトル成分のみを取り出すという方法が用いられてきたが、ここで提案する光FSK変調器による方法では、上記の通り、不要なスペクトルは発生せず、UWB通信に必要な成分のみを選択的に得ることができる。すなわち、RF信号として必要な成分のみが生成され、光ベースバンド帯域に影響を与えない。また、スペクトル広がりがFSK切り替え信号の立ち上がり、立ち下がり時間できまるので、スペクトル広がりを容易に制御できる。キャリア周波数は電極RFA、RFB に供給する正弦波の周波数fm の2倍となる。
UWB信号のキャリア周波数は高周波電気信号源の周波数の2倍となるので、高い周波数成分を有する信号を生成でき、また周波数を容易に制御できる。UWB信号のパルス波形はRFC信号波形によって決まるので、例えば、立ち上がり時間などを調整することによってUWB信号のパルス形状を容易に制御できる。
(3.強度変調信号/UWB信号発生装置)
本発明の光FSK変調器を用いた強度変調信号およびUWB信号の発生装置(以下、単に「本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置」ともいう)は、本発明のUWB信号発生装置と光検出器とを組み合わせることで、強度変調信号とUWB信号とを出力できる装置である。本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置の実現例を、図面を参照しつつ説明する。図6は、本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置の基本構成を示す概略図である。図6に示されるとおり、本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置は、レーザ光源(2)と、光強度変調器(3)と、光強度変調器の信号源(4)と、光FSK変調器(5)と、光FSK変調器の切換え信号源(6)と、光FSK変調器の高周波電気信号源(7)と、光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)と、光検波器(20)と任意要素としての高速光検波器の出力を増強する光強度増幅器(21)とを有する。これらの要素のうち、本発明のUSB信号発生装置において説明した要素は、先に説明したと同様である。
本発明の光FSK変調器を用いた強度変調信号およびUWB信号の発生装置(以下、単に「本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置」ともいう)は、本発明のUWB信号発生装置と光検出器とを組み合わせることで、強度変調信号とUWB信号とを出力できる装置である。本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置の実現例を、図面を参照しつつ説明する。図6は、本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置の基本構成を示す概略図である。図6に示されるとおり、本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置は、レーザ光源(2)と、光強度変調器(3)と、光強度変調器の信号源(4)と、光FSK変調器(5)と、光FSK変調器の切換え信号源(6)と、光FSK変調器の高周波電気信号源(7)と、光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)と、光検波器(20)と任意要素としての高速光検波器の出力を増強する光強度増幅器(21)とを有する。これらの要素のうち、本発明のUSB信号発生装置において説明した要素は、先に説明したと同様である。
(3.1.光検出器)
光検出器は、光信号を検出するためのデバイスであり、公知の光検出器を採用できる。この光検出器としては、例えばフォトダイオードを含むデバイスを採用できる。光検出器は、例えば、光信号を検出し、電気信号に変換するものが挙げられる。光検出器によって、光信号の強度などを検出できる。光検出器の検出帯域は、Δfsigより大きく、ΔfFSKの2倍より小さければよい。
光検出器は、光信号を検出するためのデバイスであり、公知の光検出器を採用できる。この光検出器としては、例えばフォトダイオードを含むデバイスを採用できる。光検出器は、例えば、光信号を検出し、電気信号に変換するものが挙げられる。光検出器によって、光信号の強度などを検出できる。光検出器の検出帯域は、Δfsigより大きく、ΔfFSKの2倍より小さければよい。
(3.2.光増幅器)
光増幅器(たとえば、リミッティングアンプ)は、飽和現象を利用して強度変調成分を抑圧できる。この光増幅器を通過することで、強度変調成分が抑圧されたUWB信号を出力できる。したがって、光増幅器を用いることは、強度変調信号/UWB信号発生装置に有効である。なお、このように効果的に強度変調成分を抑圧するために、好ましくは強度変調信号のON/OFF消光比を20dB以下とする。このようなON/OFF消光比であれば、アンプの飽和特性を利用してほぼ一定のUWB信号出力を得ることができる。
光増幅器(たとえば、リミッティングアンプ)は、飽和現象を利用して強度変調成分を抑圧できる。この光増幅器を通過することで、強度変調成分が抑圧されたUWB信号を出力できる。したがって、光増幅器を用いることは、強度変調信号/UWB信号発生装置に有効である。なお、このように効果的に強度変調成分を抑圧するために、好ましくは強度変調信号のON/OFF消光比を20dB以下とする。このようなON/OFF消光比であれば、アンプの飽和特性を利用してほぼ一定のUWB信号出力を得ることができる。
(4.強度変調信号/UWB信号発生装置の動作)
光FSK 変調器は平均出力光強度を一定に保つので、入力が強度変調信号であった場合に、それへの影響を与えずにUWB 信号を同時に伝送できる。UWB信号の強度は、強度変調信号の影響を受けるが、これが問題となる場合には、光増幅器(リミッティングアンプなど)を用いて強度変動を抑圧することができる。
光FSK 変調器は平均出力光強度を一定に保つので、入力が強度変調信号であった場合に、それへの影響を与えずにUWB 信号を同時に伝送できる。UWB信号の強度は、強度変調信号の影響を受けるが、これが問題となる場合には、光増幅器(リミッティングアンプなど)を用いて強度変動を抑圧することができる。
(シミュレーション)
光通信システムシミュレータOptisystemTM 2.2 を用いて、光FSK変調によるUWB信号発生を解析した。FSK周波数変移(fm) を10 GHz とし、電極RFA;RFBによる誘導位相量を1.48 rad とした。FSK切り替え信号はくり返し周波数200 MHz、デューティ比50%の矩形パルスで立ち上がり・立ち下がり時間を100 ps とした。
光通信システムシミュレータOptisystemTM 2.2 を用いて、光FSK変調によるUWB信号発生を解析した。FSK周波数変移(fm) を10 GHz とし、電極RFA;RFBによる誘導位相量を1.48 rad とした。FSK切り替え信号はくり返し周波数200 MHz、デューティ比50%の矩形パルスで立ち上がり・立ち下がり時間を100 ps とした。
図7、及び図8は、実施例1において発生したUWB信号の時間波形を示す。図8は、図7の拡大図である。図7、及び図8から平均パワーが一定な、RFパルスが発生していることがわかる。UWB信号のパルス幅は110 ps であり、これは切り替え信号の立ち上がり時間とほぼ一致する。
(UWB信号発生実験)
実施例1の条件で実験を行い、UWB信号を発生した。図9に、発生したUWB信号のスペクトルを示す。図9から、本発明のUWB信号発生装置を用いれば、UWB信号を出力できることがわかる。なお、図9には、計算結果(マル点)も合わせて示した。数値計算では偶数次成分のUWB信号のみが発生するのに対して、実験で得られたスペクトルには奇数次成分(偶数次成分に比べて-10dB 以下)のUWB信号が存在する。これは変調器の消光比が有限の値を持つことによるものと考えられる。
実施例1の条件で実験を行い、UWB信号を発生した。図9に、発生したUWB信号のスペクトルを示す。図9から、本発明のUWB信号発生装置を用いれば、UWB信号を出力できることがわかる。なお、図9には、計算結果(マル点)も合わせて示した。数値計算では偶数次成分のUWB信号のみが発生するのに対して、実験で得られたスペクトルには奇数次成分(偶数次成分に比べて-10dB 以下)のUWB信号が存在する。これは変調器の消光比が有限の値を持つことによるものと考えられる。
本発明のUWB信号発生装置などは、新規なUWB信号発生装置などとして情報通信分野で利用できる。
本発明のUWB信号発生装置などによれば、信号帯域がUWB信号のキャリア周波数から十分離れている場合、波長多重なしで強度変調信号にUWBパルスを重畳できる。よって、本発明のUWB信号発生装置などによれば、既に普及しているFTTHシステムにUWB信号を利用したファイバ無線システムとしての機能を新たにもたせることができる。
本発明の強度変調信号/UWB信号発生装置では、既存のIMDDを用いたFTTH システムのために敷設された光ファイバを用いて、UWB信号ファイバ無線システムを実現できる。この方式は波長多重技術を用いていないので、送信側を同時伝送可能なシステムにアップグレードした際にも、FTTH 端末側に光フィルタの増設などが不要であり、既存のサービスに影響を与えることなく機能拡張を進めることができる。
1 UWB信号発生装置
2 レーザ光源
3 光強度変調器
4 光強度変調器の信号源
5 光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器
6 RFC電極へ伝達される信号を制御する信号源
7 高周波電気信号源
8 高速光検波器
12 第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)
13 第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)
14 メインマッハツェンダー導波路(MZC)
15 DCA電極
16 DCB電極
17 第1のRF電極(RFA電極)
18 第2のRF電極(RFB電極)
19 進行波型電極(RFC電極)
20 光検波器
21 光強度増幅器
101 従来のUWB信号の発生装置
102 光パスル発生器
103 光強度変調器
104 UTC−PD
105 アンテナ
106 受信器
107 アンテナ
108 ショットキー・バリア・ダイオード
109 増幅器
110 オシロスコープ
2 レーザ光源
3 光強度変調器
4 光強度変調器の信号源
5 光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器
6 RFC電極へ伝達される信号を制御する信号源
7 高周波電気信号源
8 高速光検波器
12 第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)
13 第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)
14 メインマッハツェンダー導波路(MZC)
15 DCA電極
16 DCB電極
17 第1のRF電極(RFA電極)
18 第2のRF電極(RFB電極)
19 進行波型電極(RFC電極)
20 光検波器
21 光強度増幅器
101 従来のUWB信号の発生装置
102 光パスル発生器
103 光強度変調器
104 UTC−PD
105 アンテナ
106 受信器
107 アンテナ
108 ショットキー・バリア・ダイオード
109 増幅器
110 オシロスコープ
Claims (6)
- レーザ光を発生するレーザ光源(2)と、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調する光強度変調器(3)と、前記光強度変調器へ伝達する信号を出力する光強度変調器の信号源(4)と、前記光強度変調器からの出力光が入力する光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、前記光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御する信号源(6)と、前記光FSK変調器のRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御する高周波電気信号源(7)と、前記光FSK変調器の出力を検波する高速光検波器(8)とを具備するUWB信号発生装置(1)。
- 前記光FSK変調器が、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(12)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(13)と、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備するメインマッハツェンダー導波路(MZC)(14)と、前記MZAを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZAの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第1の直流または低周波用電極(DCA電極)(15)と、前記MZBを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZBの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第2の直流または低周波用電極(DCB電極)(16)と、前記MZAを構成する2つのアームにラジオ周波数(RF)信号を入力する第1のRF電極(RFA電極)(17)と、前記MZBを構成する2つのアームにRF信号を入力する第2のRF電極(RFB電極)(18)と、入力されるRF信号の周波数を制御することにより前記出力部から出力される光の周波数を制御する進行波型電極(RFC電極)(19)とを具備する請求項1に記載のUWB信号発生装置(1)。
- 請求項1、又は請求項2に記載のUWB信号発生装置を用いた波長分割多重通信システム。
- レーザ光を発生するレーザ光源(2)と、レーザ光源からのレーザ光の強度を変調する光強度変調器(3)と、前記光強度変調器へ伝達する信号を出力する光強度変調器の信号源(4)と、前記光強度変調器からの出力光が入力する光周波数シフトキーイング(光FSK)変調器(5)と、前記光FSK変調器のRFC電極へ伝達される信号を制御する信号源(6)と、前記光FSK変調器のRFA電極及びRFB電極へ伝達される信号を制御する高周波電気信号源(7)と、光検波器(20)とを有する強度変調信号およびUWB信号発生装置。
- 前記高速光検波器の出力を増強する光強度増幅器(21)を具備する請求項に記載の強度変調信号およびUWB信号発生装置。
- 前記光FSK変調器が、第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(12)と、第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(13)と、前記MZA及び前記MZBとを含み、光の入力部と、変調された光の出力部とを具備するメインマッハツェンダー導波路(MZC)(14)と、前記MZAを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZAの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第1の直流または低周波用電極(DCA電極)(15)と、前記MZBを構成する2つのアーム間のバイアス電圧を制御することにより、前記MZBの2つのアームを伝播する光の位相を制御する第2の直流または低周波用電極(DCB電極)(16)と、前記MZAを構成する2つのアームにラジオ周波数(RF)信号を入力する第1のRF電極(RFA電極)(17)と、前記MZBを構成する2つのアームにRF信号を入力する第2のRF電極(RFB電極)(18)と、入力されるRF信号の周波数を制御することにより前記出力部から出力される光の周波数を制御する進行波型電極(RFC電極)(19)とを具備する請求項4、又は請求項5に記載の強度変調信号およびUWB信号発生装置(1)。
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