JP2000122015A - 光変調器 - Google Patents

光変調器

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ファイバを用いて高周波信号を伝送するマ
ッハツェンダ型光変調器に関し、光合成位相差の温度ド
リフトを防ぐこと。 【解決手段】 不平衡マッハツェンダ型外部光変調器3
は、光源1からの光搬送波に周波数fの高周波信号で搬
送波を抑圧した両側波帯変調を施して光ファイバ伝送路
7に出力する。光変調器3からの出力光は光分岐器10
により一部分岐して受光器11で電気信号に変換され、
バンドパス・フィルタ12により周波数fの高周波信号
が抽出される。ミキサ13は、抽出されたこの高周波信
号を信号源14からの周波数fの高周波信号を遅延線1
5で遅延したものと同期検波し、検波出力をローパス・
フィルタ16で平滑して制御信号を生成する。この制御
信号は、直流電源7のDC電圧でバイアスされてバイア
スT回路18により信号源14からの高周波信号に重畳
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光変調器に関し、特
に、光ファイバを用いた高周波信号の伝送に好適に構成
したマッハツェンダ型光変調器に関する。
【0002】
【従来の技術】分散のある光ファイバを用いて強度変調
方式により高周波信号を伝送すると、伝送信号は周期的
な伝送距離間隔で消失することが知られている。そこ
で、分散の影響を受けにくい変調方式として、単側波帯
変調方式(Single Side Band)(G.H.Smith:“No
vel Technique for Generation of Optical SSB wit
hCarrier using a Single MZM to Overcome Fiber
Chromatic Dispersion”,Microwave Photonics Con
f.,MWP′96,PDP−2,1996.)、およ
び抑圧搬送波両側波帯変調方式(Double Side Band Sup
pressed Carrier:以下、DSB−SCと記す)(H.Sc
hmuck R.Heidemann and R.Hofstter:“Distributi
on of 60GHz signals to more than 1000 bas
e stations”,Electron.Lett .,Vol .30,No.
1,pp.59−60,1994.)がこれまでに提案さ
れている。
【0003】マッハツェンダ型外部光変調器は、上記の
変調方式を実現する光デバイスとして一般的に用いられ
ている。このマッハツェンダ型外部光変調器は、2分岐
した光導波路の一方に変調信号で位相変調して光合成す
る(不平衡)か、または両方に互いに逆相の変調信号
(電気信号)で位相変調して光合成する(平衡)もの
で、上記のDSB−SC方式では無変調時の光合成位相
差がπ(光出力なし)となるようにDCバイアスが選ば
れる。
【0004】この位相差条件を保って光搬送波を周波数
fの高周波信号(RF信号)で変調すると、搬送波が抑
圧されている。このため、分散のある光ファイバを用い
て伝送したときに任意の伝送距離における受信点で受光
しても、信号の消失のない周波数2fの高周波信号を得
ることができる。
【0005】また外部光変調器には、電気光学定数が比
較的大きく、かつ高速変調が可能なニオブ酸リチウム
(LiNbO3 )結晶が一般的に用いられている。しか
し、この結晶は温度変化により光合成位相差がドリフト
するという特性を有している。そこで、デバイス構造に
工夫を凝らすことでこの温度ドリフトを低減する手法が
報告されている(中島:“ニオブ酸リチウム(LN)導
波路デバイス”、OPTR0NICS,N0.10,pp
157−163,1996.)。
【0006】中島による上記手法では電気的な帰還を用
いていないが、電気的な帰還により光合成位相差の温度
ドリフトを制御する手法も報告されている(相澤、宮
尾、高知尾、桑野:“低周波信号重畳によるLN変調器
のドリフト制御”、97信学総大、C3180,199
7.)。
【0007】相澤らの手法は、デジタル・ベースバンド
信号を光ファイバを用いて伝送する場合に、送信信号に
微少振幅の低周波正弦波信号を重畳してマッハツェンダ
型外部光変調器に印加し、送信光信号の一部を電気信号
に変換し、自乗した後、重畳する正弦波信号と同期検波
して直流バイアス電圧に負帰還することで光合成位相差
をπ/2に保とうとするものであり、高周波信号ではな
くベースバンド信号を伝送する手法である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】温度が変化しても光合
成位相差を一定値に保つためには、送出光信号の一部を
電気信号に変換して光合成位相差を検出し、これをDC
バイアス電圧に負帰還する必要がある。しかしながら上
記従来技術では、光ファイバ伝送後に受信される周波数
2f成分の振幅からは光合成位相差を検出することがで
きないという課題があった。
【0009】また相澤らの手法には、光位相差検出用の
信号が必要であること、光変調度が浅い場合には光位相
差の検出が難しいこと、送信信号に妨害を与えないよう
に正弦波信号の振幅が制限されること、等の課題があっ
た。
【0010】そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされ
たものであって、光合成位相差に対応した制御電圧を生
成することで、上記の課題を解決した抑圧搬送波両側波
帯方式の安定な光変調器を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに請求項1の発明は、光搬送波に所定周波数の送信用
高周波信号で搬送波を抑圧した両側波帯変調を施して光
ファイバ伝送路に出力する光変調手段と、前記光変調手
段からの分岐出力光を電気信号に変換して前記所定周波
数の別の高周波信号を抽出する抽出手段と、前記別の高
周波信号を前記送信用高周波信号と同期検波して、前記
光変調手段の光合成位相差を制御する制御信号を生成す
る制御信号生成手段と、前記制御信号を前記光変調手段
の直流バイアスに重畳して前記光変調手段に負帰還する
ことで、前記光変調手段からの出力光の光合成位相差を
一定に補償する補償手段とを備えたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の具体的な実施の形態につ
いて説明するにあたり、まず周波数fの正弦波信号を送
信する場合を例に、図1を参照して本発明の原理を開示
し、その詳細を説明する。
【0013】図1に示す原理構成において、光源1は光
周波数νのスペクトラム特性を有し、光源1からの光は
電極4を備えた不平衡マッハツェンダ型外部光変調器3
に入力されて変調を受ける。光源1のスペクトラム特性
を図2(a)に示す。
【0014】光変調器3からの出力光は光合成点5を介
して光分岐器10に入力される。光分岐器10の本線出
力光は、光ファイバ伝送路7上を伝送されて任意の伝送
距離に設けられた受光器8に達して電気段に導かれる。
光分岐器10からの分岐出力光は、受光器11で電気信
号に変換された後バンドパス・フィルタ(BPF)12
に入力され、ここでその周波数f成分を抽出され、当該
成分はバンドパス・フィルタ12を通過してミキサ13
に達する。
【0015】一方、信号源14からは搬送周波数fの正
弦波信号が出力され、これはバイアスT回路18を介し
て電極4より不平衡マッハツェンダ型外部光変調器3に
印加される。信号源14からの正弦波信号はまたバンド
パスフィルタ12の出力信号と同一の遅延時間となるよ
うに、遅延線15を通過して所定時間遅延されてミキサ
13に達する。これによりミキサ13は、バンドパス・
フィルタ12からの周波数fの出力高周波信号を同期検
波する。
【0016】この検波出力はローパス・フィルタ(LP
F)16に供給されて高域を遮断されることで平滑さ
れ、直流の制御信号が生成される。この制御信号は直流
電源17からの一定値のDC電圧に重畳され、バイアス
T回路18を介して電極4より不平衡マッハツェンダ型
外部光変調器3に負帰還入力される。
【0017】上記した通りに不平衡マッハツェンダ型外
部光変調器3に入力光と周波数fの正弦波信号を印加す
ると、光変調器3の出力における光スペクトラムは周知
の如く図2(b)に示す通りとなる。すなわち出力光
は、光周波数νと、当該周波数に対してfだけ高い周波
数(ν+f)と低い周波数(ν−f)に成分を有する。
【0018】また、同図(c)は電気段での周波数スペ
クトラムを示すもので、光ファイバ伝送路7上を任意の
距離伝送された後に受信され、自己ヘテロダインにより
得られる2倍の周波数2fの信号を示している。
【0019】上記の構成において、光合成点5での二つ
の導波路の光合成位相差をψとする。本発明は、温度が
変化しても正弦波信号を電極4に印加しない時のψをD
SB−SCの位相差条件であるπ(逆相)に保つように
DCバイアス電圧を制御することで、前述した従来技術
の課題を解決するものであり、以下に詳述する原理にし
たがって動作する。
【0020】ここで、不平衡マッハツェンダ型外部光変
調器3に周波数fの正弦波信号を印加した時の光の位相
変調指数をmとすると、受光器11により得られる周波
数f成分の電流If は、比例定数をα、1次のベッセル
関数をJ1 として以下の式(1)で与えられる。
【0021】
【数1】 If =αJ1 (m)sinψsin(2πft+φ) (1) 信号源14から出力する変調しようとする周波数fの正
弦波信号はsin(2πft)と表すことができるの
で、正弦波信号に遅延線15によって位相φで表される
遅延を与えてミキサ13によって同期検波することで、
sinψに比例した検波出力をミキサ13より得ること
ができる。
【0022】図3はミキサ13の検波出力電圧特性を示
す特性図である。縦軸の検波出力電圧は、横軸の位相差
ψに対して正弦波特性で変化する。同図の特性の検波出
力を制御電圧として用いることで、温度ドリフトに対し
て光合成位相差ψを一定値に保つことができる。
【0023】図4は、電極4に印加するDC電圧と光合
成位相差ψの関係を示している。同図において、直線4
1は温度Tのときの関係、直線42は温度T+ΔTのと
きの関係である。同図に示す関係を利用することで、以
下に説明する通りの光合成位相補償を行うことができ
る。
【0024】図4中、温度Tにおいて光合成位相差ψが
πとなるように直流電源17の出力DC電圧が一定値V
0 に設定されているものとする(直線41上のA点)。
温度がドリフトしてT+ΔTになると、出力DC電圧が
0 のままでは光合成位相差ψはπに対してたとえば位
相差が増大する方向にずれてしまう(直線42上のB
点)。そこで、ミキサ13からの検波出力電圧ΔVをバ
イアスT回路18で出力DC電圧V0 に重畳して電極4
に印加する電圧をたとえば低くすることで、光合成位相
差ψをπに保つことができる(直線42上のC点)。
【0025】なお、ミキサ13の検波出力電圧特性(図
3)において、光合成位相差ψがπに対して増大する近
傍で検波出力電圧は減少傾向を示しており、電極4への
印加電圧を低下させることができる。
【0026】上述した通り、図1に示した通りの本発明
の原理構成、光合成位相差をπとするマッハツェンダ型
光変調器3において光搬送波に周波数fの正弦波高周波
信号で搬送波を抑圧した両側波帯変調を施して光ファイ
バ伝送し、受光した時に2倍の周波数2fの高周波信号
を得る高周波信号の光ファイバ伝送方式の光変調器にお
いて、光変調器3の出力光の一部を電気信号に変換し、
周波数fの高周波信号を抽出し、送信する周波数fの正
弦波高周波信号と同期検波を行なって生成した制御電圧
を光変調器3のDCバイアス電圧に帰還するようにした
構成を採ることにより、温度が変化した場合にも、光合
成位相差ψのドリフトを防いで一定値πに制御すること
ができる。すなわち、抑圧搬送波両側波帯方式の条件を
保つようにマッハツェンダ型光変調器3を安定化するこ
とができる。
【0027】なお、図1は不平衡型マッハツェンダ型外
部光変調器3を含む構成を記載したが、平衡型光変調器
についても上記した本発明の原理構成を適用して安定化
する次に、本発明の実施の形態について図5および図6
を参照して説明する。
【0028】図5は本発明の一実施の形態の構成を示す
ブロック図であり、同図は、本発明を周波数偏移方式に
よる高周波FSK(Frequency-shift keying)信号の光
ファイバ伝送に適用した光位相差安定化方式の実施例を
示している。
【0029】図5に示す構成は、図1中の信号源14を
デジタル信号源22に置き換え、正弦波信号の代わりに
デジタル信号源22からのベースバンド・デジタル信号
をFSK変調器23により搬送周波数fの周波数偏移し
たFSK信号60(図6(a))として送信するように
し、かつ、光合成位相差検出/制御部21を設けて上述
した原理構成により同期検波による制御電圧の生成、D
Cバイアスの重畳、負帰還を行うようにしたものであ
り、その他の図1中の構成要素と同一のものには同一符
号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【0030】したがって、図5中の光源1のスペクトラ
ム特性は図6(b)に示される。また、上記した通りに
搬送周波数fのFSK信号を用いて不平衡マッハツェン
ダ型外部光変調器3に印加すると、光変調器3の出力に
おける光スペクトラムは周知の如く図6(c)に示す通
りとなる。すなわち出力光は、光周波数νの成分と、当
該周波数に対してfだけ高い周波数(ν+f)と低い周
波数(ν−f)の周波数偏移した成分を有する。
【0031】上述の構成により、光合成位相差ψのドリ
フトを防いで一定値πとなるように安定に制御し、光フ
ァイバ伝送路7上を任意の距離伝送された後に搬送波周
波数2fで周波数偏移が送信信号60の2倍のFSK信
号61を図6(d)に示す通りに得ることができる。
【0032】高周波信号(RF信号)を伝送する本実施
の形態の方式は[従来の技術]において説明した相澤ら
の手法と同期検波および直流バイアス電圧への負帰還は
同じであるが、送信するFSK信号を利用して光位相変
調度が小さな場合でも光合成位相差を高精度に検出する
ことができる点で異なる。
【0033】なお、上記の実施の形態では送信するFS
K信号を利用して光合成位相差を一定条件に制御する例
について説明したが、この他に、FSK信号の搬送波周
波数fとは異なる周波数gの正弦波信号を周波数多重し
て光変調器に印加し、周波数gの成分を抽出して同期検
波をする手法も考えられる。周波数多重を行うこの手法
は、周波数多重する正弦波信号の振幅を低く設定して、
FSK信号の伝送に妨害を与えないように考慮する必要
があり、これにより、電気の受信帯域幅の小さな受光器
でも検出部を構成することができる効果がある。
【0034】
【発明の効果】以上説明した通り本発明光変調器によれ
ば、温度が変化しても変調手段の光合成位相差を一定値
πに補償するように制御できるという効果がある。ま
た、異なる周波数の信号を周波数多重して変調手段に印
加するようにした光変調器によれば、周波数多重する信
号の周波数を低く選ぶことで、受信帯域幅の小さな受光
器で検出部を構成することができるという効果があ。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の原理構成における各部のスペクトラム
特性を示す特性図である。
【図3】本発明の原理構成におけるミキサの検波出力電
圧特性を示す特性図である。
【図4】本発明の原理構成における光合成位相差の制御
原理を説明する特性図である。
【図5】本発明の一実施の形態の構成を示すブロック図
である。
【図6】本発明の一実施の形態の構成における各部のス
ペクトラム特性を示す特性図である。
【符号の説明】
1 光源 3 不平衡マッハツェンダ型外部光変調器 4 電極 5 光合成点 7 光ファイバ伝送路 8 受光器 10 光分岐器 11 受光器 12 バンドパス・フィルタ 13 ミキサ 14 信号源 15 遅延線 16 ローパス・フィルタ 17 直流電源 18 バイアス回路 21 光合成位相差検出/制御部 22 デジタル信号源 23 FSK変調器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光搬送波に所定周波数の送信用高周波信
    号で搬送波を抑圧した両側波帯変調を施して光ファイバ
    伝送路に出力する光変調手段と、 前記光変調手段からの分岐出力光を電気信号に変換して
    前記所定周波数の別の高周波信号を抽出する抽出手段
    と、 前記別の高周波信号を前記送信用高周波信号と同期検波
    して、前記光変調手段の光合成位相差を制御する制御信
    号を生成する制御信号生成手段と、 前記制御信号を前記光変調手段の直流バイアスに重畳し
    て前記光変調手段に負帰還することで、前記光変調手段
    からの出力光の光合成位相差を一定に補償する補償手段
    とを備えたことを特徴とする光変調器。
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