JP2007094100A - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
主マッハツェンダ型導波路の2つの各主分岐導波路に副マッハツェンダ型導波路を組み込む構成を有する光変調器においても、バイアス自動制御回路を用いて高精度なバイアス設定が可能であり、スプリアスの劣化を防止した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板1と、該基板上に形成された導波路であり、主マッハツェンダ型導波路MMZの2つの各主分岐導波路に副マッハツェンダ型導波路SMZ1,2を組み込む構造を有する導波路と、該導波路を伝搬する光波を制御する制御用電極とを有する光変調器において、各副マッハツェンダ型導波路における光波の位相条件をπ/2とし、2つの主分岐導波路の合波部における光波の位相条件をπ又は0となるように制御することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
光周波数の切り替えは、光源の発振周波数を制御することで実現可能であるが、内部の基準エタロンを温度制御する方法やエタロンフィルタの回転を厳密制御する方法(非特許文献1参照)など、極めて高精度な技術が要求されると同時に、応答性が悪いという課題がある。
A.FRENKEL et al.,"INLINE TUNABLE ETALON FILTER",ELECTRON LETTERS,4th Feb.1988,Vol.24,No.3
T.Sakamono et al.,"Novel modulation scheme for optical continuous-phase frequency-shift keying",OFG2,Optical Fiber Communication & Exposition 2005 橋本他,"ミリ波自己ヘテロダイン伝送方式を用いるRoFリンクにおけるRFチャネル切り替えに関する一検討",C-14-1,電子情報通信学会,2004年総合大会 日隈他,"光SSB変調器を利用した高精度光スペクトル測定",C-14-14,電子情報通信学会,2003年総合大会
橋本他,"光ミリ波ビート信号生成法を用いた自己ヘテロダイン方式によるリモートアンテナシステムに関する検討",MWP03-6,電子情報通信学会第二種時限研究会,第1回MWP研究会,2003年
非特許文献6又は7には、マッハツェンダ型(MZ)変調器を2電極駆動してLSB(USB)のみ抑圧した光信号の生成方法について開示されている。しかしながら、当該文献に提案されている光変調方式では、長距離ファイバ伝送させると不要な高調波成分(偶数次)が抑圧できないため、生成された電波は高スプリアス(不要な変調成分が高い電力レベルで生成されていること。「スプリアスの劣化」ともいう。)なものとなる。
このため、すなわちLSB(USB)と高調波成分(偶数次)とを同時に抑圧した光変調方式を実現するため、非特許文献8にトリプル・マッハツェンダ型のLN変調器が提案されている。
W.H.Chen et al.,"Multichannel Single-Sideband SCM/DWDM Transmission Systems",Journal of Lightwave Tech.,Vol.22,No.7,July 2004 G.H.Smith et al.,"Technique for optical SSB generation",Electron Lett.,Vol33,No1,2nd January 1997 橋本他,"ミリ波自己ヘテロダイン/光ヘテロダイン検波方式デジタル地上波配信システム",CS-11-7,電子情報通信学会,2005年総合大会
LN変調器などの多くの光変調器には、このバイアス電圧を自動的に設定するため、バイアス自動制御回路(ABC)が設けられている。
また、SMZの位相条件がπである場合には、SMZからの光出力強度が最小となるため、MMZの位相条件であるπ/2を調整するための十分な光強度が確保できず、MMZのバイアス設定も困難となるという問題を生じていた。
本発明に係る光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された導波路であり、主マッハツェンダ型導波路(MMZ)の2つの各主分岐導波路に副マッハツェンダ型導波路(SMZ)を組み込む構造を有する導波路と、該導波路を伝搬する光波を制御する制御用電極とを有する光変調器において、各副マッハツェンダ型導波路における光波の位相条件をπ/2とし、2つの主分岐導波路の合波部における光波の位相条件をπ又は0となるように制御することを特徴とする。
特に、合波部における位相条件がπの場合には、光周波数シフタに好適に利用可能な光変調器が提供でき、該位相条件が0の場合には、ヘテロダイン検波を用いる光ファイバ無線システムに好適に使用可能な光変調器を提供することができる。
図3は、本発明に係る光変調器の第1の実施例であり、図3(a)のように、LNなどの電気光学効果を有する基板上に、MMZ及びMMZの主分岐導波路に形成されたSMZを有する光導波路が形成されている。基板としてZカット基板を用いる場合には、SMZの各副分岐導波路の一部には、変調電極EL1〜EL4が形成されている。
また、図3の網掛けで表示した基板領域には、分極反転領域が形成され、各SMZにおける一方の副分岐導波路の一部(変調電極EL2及びEL3により電界が作用する部分)が、分極反転領域に含まれるように設定されている。
ただし、Einは入力光の光強度、ω0は入力光の周波数、mは光の誘導位相量(あるいは光変調度)、ωmは変調信号の周波数、Jnはn次のベッセル関数を各々意味する。
図5(a)は光変調器の平面図、図5(b)は図5(a)の一点鎖線dにおける断面図、そして図5(c)は、変調電極EL1〜EL3に印加する変調信号を発生する回路を示す概略図である。
図7は、本発明に係る光変調器の第4の実施例であり、図7(a)のように、LNなどの電気光学効果を有する基板上に、MMZ及びMMZの主分岐導波路に形成されたSMZを有する光導波路が形成されている。基板としてZカット基板を用いる場合には、SMZの各副分岐導波路の一部には、変調電極EL1〜EL4が形成されている。
また、図7の網掛けで表示した基板領域には、分極反転領域11が形成され、SMZ1における一方の副分岐導波路の一部(変調電極EL2により電界が作用する部分)が、分極反転領域に含まれるように設定されている。
図7(b)は、図7(a)の一点鎖線eにおける光変調器の断面図を示すものであり、図の網掛け部分は上述した分極反転領域を示している。
変調信号4は、90°ハイブリッド位相器5により0°と90°の位相差を有する信号に変換され、0°の変調信号は分配器6により2つの同相の変調信号に分けられる。また、90°の変調信号は、アッテネータ(3dB)8により信号強度が調整される。その結果、変調電極EL1には位相差0°の変調信号、変調電極EL2には信号強度が調整された位相差90°の変調信号、及び変調電極EL3には位相差0°の変調信号が、各々印加されることとなる。
2 バッファ層
3 光導波路
4 変調信号源
5 90°ハイブリッド位相器
6 分配器
7 180°ハイブリッド位相器
8 アッテネータ
10,11 分極反転領域
Claims (12)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された導波路であり、主マッハツェンダ型導波路の2つの各主分岐導波路に副マッハツェンダ型導波路を組み込む構造を有する導波路と、該導波路を伝搬する光波を制御する制御用電極とを有する光変調器において、
各副マッハツェンダ型導波路における光波の位相条件をπ/2とし、
2つの主分岐導波路の合波部における光波の位相条件をπとなるように制御することを特徴とする光変調器。 - 請求項1に記載の光変調器において、該基板はZカット基板であり、該制御用電極のうち変調電極を副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路毎に設け、各副マッハツェンダ型導波路における一方の副分岐導波路の一部に分極反転領域が形成され、変調信号の位相差を0°及び90°となるように調整し、各副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と90°の変調信号を印加すると共に、該分極反転領域が形成された2つの副分岐導波路に設けられた変調電極には0°と90°の異なる変調信号を印加することを特徴とする光変調器。
- 請求項1に記載の光変調器において、該基板はZカット基板であり、該制御用電極のうち変調電極を副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路毎に設け、変調信号の位相差を0°,90°,180°及び270°となるように調整し、一方の副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と270°の変調信号を、他方の副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に90°と180°の変調信号を、各々印加することを特徴とする光変調器。
- 請求項1に記載の光変調器において、該基板はXカット基板であり、該制御用電極のうち変調電極を副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路毎に設け、各副マッハツェンダ型導波路における2つの副分岐導波路に対する変調電極による電界の印加方向が異なるように変調電極を配置し、変調信号の位相差を0°及び90°となるように調整し、各副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と90°の変調信号を印加することを特徴とする光変調器。
- 請求項4に記載の光変調器において、各副マッハツェンダ型導波路における位相差0°又は90°の変調信号が印加される変調電極を共用することを特徴とする光変調器。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の光変調器において、該光変調器は光周波数シフタを構成することを特徴とする光変調器。
- 電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された導波路であり、主マッハツェンダ型導波路の2つの各主分岐導波路に副マッハツェンダ型導波路を組み込む構造を有する導波路と、該導波路を伝搬する光波を制御する制御用電極とを有する光変調器において、
各副マッハツェンダ型導波路における光波の位相条件をπ/2とし、
2つの主分岐導波路の合波部における光波の位相条件を0となるように制御することを特徴とする光変調器。 - 請求項7に記載の光変調器において、該基板はZカット基板であり、該制御用電極のうち変調電極を副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路毎に設け、一方の副マッハツェンダ型導波路における一つの副分岐導波路の一部に分極反転領域が形成され、変調信号の位相差を0°及び90°となるように調整し、各副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と90°の変調信号を印加することを特徴とする光変調器。
- 請求項7に記載の光変調器において、該基板はZカット基板であり、該制御用電極のうち変調電極を副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路毎に設け、変調信号の位相差を0°,90°及び270°となるように調整し、一方の副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と270°の変調信号を、他方の副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と90°の変調信号を、各々印加することを特徴とする光変調器。
- 請求項7に記載の光変調器において、該基板はXカット基板であり、該制御用電極のうち変調電極を副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路毎に設け、一方の副マッハツェンダ型導波路における2つの副分岐導波路に対する変調電極による電界の印加方向が異なるように変調電極を配置し、変調信号の位相差を0°及び90°となるように調整し、各副マッハツェンダ型導波路の2つの変調電極に0°と90°の変調信号を印加することを特徴とする光変調器。
- 請求項10に記載の光変調器において、各副マッハツェンダ型導波路における位相差0°又は90°の変調信号が印加される変調電極を共用することを特徴とする光変調器。
- 請求項7乃至11のいずれかに記載の光変調器において、該光変調器は、光ファイバ無線システムに使用されることを特徴とする光変調器。
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