WO2021124523A1 - 光送信装置 - Google Patents

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WO2021124523A1
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bias
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modulated
light
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PCT/JP2019/049890
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浩志 三浦
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三菱電機株式会社
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    • G—PHYSICS
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
    • H04B10/075—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal
    • H04B10/079—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal using measurements of the data signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/516—Details of coding or modulation

Definitions

  • the present disclosure relates to an optical transmitter including an orthogonal light modulator.
  • Patent Document 1 discloses an optical transmitter having an optical modulator that modulates incident light using a drive signal and an automatic bias control circuit that controls the phase bias of the optical modulator.
  • the automatic bias control circuit includes a photodetector that converts the light output from the light modulator into an electric signal, and a synchronous detection unit that performs synchronous detection of the electric signal and the dither signal. Further, the automatic bias control circuit includes a control unit that controls the phase bias of the optical modulator so that the result of the synchronous detection by the synchronous detection unit becomes zero.
  • the result of synchronous detection may be discontinuous in time due to a situation such as a change in the modulation format of the drive signal during operation. If the results of the synchronous detection become discontinuous in time, the phase bias by the control unit is controlled in the wrong direction, and there is a problem that the output signal of the optical modulator may be deteriorated.
  • the present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and even if the results of synchronous detection become discontinuous in time, deterioration of the modulated light after phase adjustment by the orthogonal light modulator is suppressed.
  • the purpose is to obtain an optical transmitter that can be used.
  • the incident light is modulated by a modulation signal, and then the phase of the modulated light, which is the modulated light, is adjusted by the phase bias indicated by the bias signal, and the modulated light after phase adjustment.
  • the phase of the incident light is adjusted by the phase bias indicated by the bias signal, and then the phase-adjusted light is modulated by the modulated signal to output the modulated light, which is the modulated light.
  • a synchronous detection circuit that outputs a synchronous detection signal indicating the result of synchronous detection, and a synchronous detection circuit that monitors changes in the amplitude of the modulated signal, and if the range of change is equal to or less than the first threshold value, is output from the synchronous detection circuit. If a bias signal is generated according to the synchronous detection signal and the range of change is larger than the first threshold value, the phase bias before the range of change becomes larger than the first threshold value as the bias signal output to the orthogonal optical modulator. It is provided with a bias signal generation unit that generates a bias signal that maintains the above.
  • a change in the amplitude of the modulated signal is monitored, and if the range of change is equal to or less than the first threshold value, a bias signal is generated according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit, and the range of change is set. If it is larger than the first threshold value, the bias signal output to the orthogonal light modulator includes a bias signal generation unit that generates a bias signal that maintains the phase bias before the range of change becomes larger than the first threshold value.
  • the optical transmitter was configured. Therefore, the optical transmitter according to the present disclosure can suppress deterioration of the modulated light after phase adjustment by the orthogonal light modulator even if the results of synchronous detection become discontinuous in time.
  • FIG. FIG. 5 is a hardware configuration diagram of a computer when the bias signal generation unit 8 is realized by software, firmware, or the like. It is a flowchart which shows the processing procedure of the bias signal generation part 8. It is a block diagram which shows the optical transmission apparatus which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. It is a flowchart which shows the processing procedure of the bias signal generation part 14.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing an optical transmission device according to the first embodiment.
  • the orthogonal light modulator (hereinafter referred to as “IQ optical modulator”) 1 includes a branch portion 2, a first Mach-Zehnder interferometer 3, a second Mach-Zehnder interferometer 4, and phase adjustment. It includes an electrode portion 5.
  • the IQ light modulator 1 modulates the incident light with a modulated signal, and adjusts the phase of the modulated light, which is the modulated light, with the phase bias indicated by the bias signal.
  • the IQ light modulator 1 modulates the incident light with a modulated signal, and then adjusts the phase of the modulated light, which is the modulated light, with the phase bias indicated by the bias signal.
  • the IQ light modulator 1 adjusts the phase of the incident light by the phase bias indicated by the bias signal, and then modulates the phase-adjusted light by the modulated signal.
  • the light incident on the IQ light modulator continuous light or the like emitted from a light source such as an LD (Laser Diode) is used.
  • the branching portion 2 splits the incident light into two, outputs one of the two lights after the branch to the first Mach-Zehnder interferometer 3, and of the two lights after the branching. The other light is output to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 is a Mach-Zehnder type interferometer for Ich, which is an in-phase channel, and one of the two lights after branching by the branching portion 2 is output from the driver 13, which will be described later. It is modulated by the modulation signal for Ich.
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 adjusts the phase of the modulated light, which is the modulated light, by the phase bias ⁇ I indicated by the bias signal for Ich output from the bias signal generation circuit 12 described later.
  • the modulated light after the phase adjustment is output to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 modulates one light with a modulated signal for Ich, and then changes the phase of the modulated light, which is the modulated light, with a phase bias ⁇ I. I'm adjusting.
  • the second Mach-Zehnder interferometer 4 is a Mach-Zehnder type interferometer for Qch, which is a channel orthogonal to the in-phase channel, and drives the other light out of the two lights after branching by the branching portion 2. It is modulated by the Qch modulation signal output from 13. Further, the second Mach-Zehnder interferometer 4 adjusts the phase of the modulated light, which is the modulated light, by the phase bias ⁇ Q indicated by the Qch bias signal output from the bias signal generation circuit 12, and adjusts the phase. The subsequent modulated light is output to the phase adjustment electrode unit 5.
  • Qch Mach-Zehnder type interferometer for Qch
  • the second Mach-Zehnder interferometer 4 modulates the other light with a modulated signal for Qch, and then changes the phase of the modulated light, which is the modulated light, with a phase bias ⁇ Q. I'm adjusting. However, this is only an example, and the second Mach-Zehnder interferometer 4 adjusts the phase of the other light by the phase bias ⁇ Q , and then modulates the phase-adjusted light by the Qch modulation signal. It may be.
  • the phase adjustment electrode unit 5 is a bias signal generation circuit described later for the phase of the modulated light output from the first Mach-Zehnder interferometer 3 and the phase of the modulated light output from the second Mach-Zehnder interferometer 4. It is adjusted by the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal output from 11.
  • the light intensity detector 6 is realized by, for example, a photo detector.
  • the light intensity detector 6 detects the light intensity of the modulated light after the phase adjustment by the IQ light modulator 1, that is, the modulated light after the combined wave output from the phase adjustment electrode unit 5, and determines the light intensity of the modulated light.
  • the indicated light intensity signal is output to the synchronous detection circuit 7 described later.
  • the light intensity signal is an electrical signal.
  • the synchronous detection circuit 7 is realized by, for example, an automatic bias control circuit.
  • the synchronous detection circuit 7 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the light intensity detector 6 and the dither signal.
  • the synchronous detection circuit 7 outputs a synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection to the bias signal generation unit 8 described later.
  • the dither signal is a regular signal such as a sine wave or a triangular wave.
  • the dither signal source that oscillates the dither signal may be provided outside the synchronous detection circuit 7, or may be built in the synchronous detection circuit 7.
  • the bias signal generation unit 8 includes a change detection circuit 9, a comparator 10, a bias signal generation circuit 11, and a bias signal generation circuit 12.
  • the bias signal generation unit 8 monitors a change in the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13. If the range of change is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the bias signal generation unit 8 generates a bias signal according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 7.
  • Bias signal generator 8 the larger the range of change than the first threshold value Th DerutaVp1, range of variation to generate a bias signal to maintain phase bias phi P before is larger than the first threshold value Th DerutaVp1 ..
  • the phase bias ⁇ P before the range of change becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 is, for example, one or more phase bias ⁇ P when the range of change is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1. It is the phase bias ⁇ P immediately before the range of change becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. However, this is only an example, and if there is no practical problem, for example, the phase before one sampling or two samplings before the phase bias ⁇ P immediately before the range of change becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the bias ⁇ P may be used. If the range of change is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the bias signal generation unit 8 outputs an alarm to the outside. The bias signal generation unit 8 outputs the generated bias signal to the IQ light modulator 1.
  • the first threshold value Th ⁇ Vp1 may be stored in the internal memory of the bias signal generation unit 8 or may be given from the outside of the bias signal generation unit 8.
  • the change detection circuit 9 is realized by, for example, a differentiating circuit.
  • the change detection circuit 9 monitors the change in the amplitude V peak of the modulated signal, and outputs a signal indicating the amount of change ⁇ V peak , which is the range of the change, to the comparator 10.
  • the comparator 10 compares the change amount ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the first threshold value Th ⁇ Vp1 , and compares the change amount ⁇ V peak with the first threshold value Th ⁇ Vp1 to obtain a bias signal generation circuit. Output to 11.
  • the bias signal generation circuit 11 follows the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 7. To generate. In the bias signal generation circuit 11, if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. Generates a bias signal that maintains the phase bias before it becomes. The bias signal generation circuit 11 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5. The bias signal generation circuit 11 outputs an alarm to the outside if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the bias signal generation circuit 12 generates a bias signal for Ich indicating the phase bias ⁇ I, and outputs the bias signal for Ich to the first Mach-Zehnder interferometer 3. Further, the bias signal generation circuit 12 generates a bias signal for Qch indicating the phase bias ⁇ Q, and outputs the bias signal for Qch to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the driver 13 amplifies the modulated signal when the modulated signal is given from the outside.
  • the modulation signal given from the outside includes a modulation signal for Ich and a modulation signal for Qch.
  • the driver 13 outputs the amplified modulation signal for Ich to the first Mach-Zehnder interferometer 3, and outputs the amplified Qch modulation signal to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the driver 13, the amplitude V peak of the modulation signal for Ich, I, or the amplitude V peak of the modulation signal for Qch monitors the Q amplitude V peak, I or amplitude V peak, the Q, the amplitude V As a peak , it is output to the change detection circuit 9 of the bias signal generation unit 8.
  • each of the change detection circuit 9, the comparator 10, the bias signal generation circuit 11, and the bias signal generation circuit 12, which are the components of the bias signal generation unit 8, is realized by dedicated hardware. ing. That is, each of the change detection circuit 9, the comparator 10, the bias signal generation circuit 11, and the bias signal generation circuit 12 is, for example, a single circuit, a composite circuit, a programmed processor, a parallel programmed processor, or an ASIC (Application Specific). Integrated Circuit), FPGA (Field-Programmable Gate Array), or a combination thereof is applicable.
  • the components of the bias signal generation unit 8 are not limited to those realized by dedicated hardware, and the bias signal generation unit 8 is realized by software, firmware, or a combination of software and firmware. There may be.
  • the software or firmware is stored as a program in the memory of the computer.
  • a computer means hardware that executes a program, and corresponds to, for example, a CPU (Central Processing Unit), a central processing unit, a processing unit, a computing device, a microprocessor, a microcomputer, a processor, or a DSP (Digital Signal Processor).
  • FIG. 2 is a hardware configuration diagram of a computer when the bias signal generation unit 8 is realized by software, firmware, or the like.
  • the bias signal generation unit 8 When the bias signal generation unit 8 is realized by software, firmware, or the like, a program for causing a computer to execute the processing procedures of the change detection circuit 9, the comparator 10, the bias signal generation circuit 11, and the bias signal generation circuit 12 is stored in the memory. It is stored in 21. Then, the processor 22 of the computer executes the program stored in the memory 21.
  • FIG. 2 shows an example in which each of the components of the bias signal generation unit 8 is realized by dedicated hardware
  • FIG. 3 shows an example in which the bias signal generation unit 8 is realized by software, firmware, or the like. Shown. However, this is only an example, and some components in the bias signal generation unit 8 may be realized by dedicated hardware, and the remaining components may be realized by software, firmware, or the like.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure of the bias signal generation unit 8.
  • a light source such as an LD (not shown) is incident on the branch portion 2 of the IQ light modulator 1.
  • the driver 13 amplifies the modulated signal for Ich included in the modulated signal, and the amplified modulated signal for Ich is interfered with by the first Mach-Zehnder of the IQ optical modulator 1. Output to a total of 3.
  • the driver 13 amplifies the qch modulation signal included in the modulation signal, and outputs the amplified Qch modulation signal to the second Mach-Zehnder interferometer 4 of the IQ light modulator 1. Further, the driver 13 monitors the amplitude V peak, I of the modulated signal for Ich , or the amplitude V peak, Q of the modulated signal for Qch. The driver 13 outputs the amplitude V peak, I or the amplitude V peak, Q as the amplitude V peak to the change detection circuit 9 of the bias signal generation unit 8.
  • the bias signal generation circuit 12 generates a bias signal for Ich indicating the phase bias ⁇ I, and outputs the bias signal for Ich to the first Mach-Zehnder interferometer 3. Further, the bias signal generation circuit 12 generates a bias signal for Qch indicating the phase bias ⁇ Q, and outputs the bias signal for Qch to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the branching portion 2 branches the incident light into two, and outputs one of the two lights after the branching to the first Mach-Zehnder interferometer 3. Further, the branching portion 2 outputs the other light of the two lights after branching to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 further branches one of the two lights after the branching by the branching portion 2 into two.
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 modulates each of the further branched lights by the modulation signal for Ich output from the driver 13. Further, the first Mach-Zehnder interferometer 3 adjusts the phase of the modulated light, which is each of the modulated lights, by the phase bias ⁇ I indicated by the bias signal for Ich output from the bias signal generation circuit 12.
  • the bias signal generation circuit 12 outputs a bias signal indicating a phase bias ⁇ I such that the phase difference of each modulated light after phase adjustment by the first Mach-Zehnder interferometer 3 is ⁇ .
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 combines the modulated light after the phase adjustment with each other, and outputs the modulated light after the combined wave to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the second Mach-Zehnder interferometer 4 further branches the other light out of the two lights after the branching by the branching portion 2.
  • the second Mach-Zehnder interferometer 4 modulates each of the further branched lights by the Qch modulation signal output from the driver 13. Further, the second Mach-Zehnder interferometer 4 adjusts the phase of the modulated light, which is each of the modulated lights, by the phase bias ⁇ Q indicated by the Qch bias signal output from the bias signal generation circuit 12.
  • the bias signal generation circuit 12 outputs a bias signal indicating a phase bias ⁇ Q such that the phase difference of each modulated light after phase adjustment by the second Mach-Zehnder interferometer 4 is ⁇ .
  • the second Mach-Zehnder interferometer 4 combines the modulated light after the phase adjustment with each other, and outputs the modulated light after the combined wave to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the phase adjustment electrode unit 5 sets a bias signal generation circuit for the phase of the modulated light after the combined wave by the first Mach-Zehnder interferometer 3 and the phase of the modulated light after the combined wave by the second Mach-Zehnder interferometer 4. It is adjusted by the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal output from 11.
  • the bias signal generation circuit 11 outputs a bias signal showing a phase bias ⁇ P such that the phase difference of each modulated light after the phase adjustment by the phase adjustment electrode unit 5 is ⁇ / 2.
  • the phase adjusting electrode unit 5 combines the modulated light after the phase adjustment with each other, and outputs the modulated light after the combined wave to the outside.
  • the phase difference of each modulated light after phase adjustment is ⁇ / 2, and when the phase difference is ⁇ / 2, the synchronous detection circuit 7 detects that they are synchronized, and synchronous detection is performed.
  • the synchronous detection signal output from the circuit 7 becomes 0.
  • the light intensity detector 6 acquires a part of the modulated light after the combined wave output from the phase adjusting electrode unit 5, and detects the light intensity of the modulated light after the combined wave.
  • the light intensity detector 6 outputs a light intensity signal indicating the detected light intensity to the synchronous detection circuit 7.
  • the synchronous detection circuit 7 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the light intensity detector 6 and the dither signal. Since the process itself for performing synchronous detection of the light intensity signal and the dither signal is a known technique, detailed description thereof will be omitted, but for example, synchronous detection can be performed by the following method.
  • the synchronous detection circuit 7 multiplies, for example, a signal corresponding to the amplitude of the light intensity signal or a signal corresponding to RMS which is the root mean square of the light intensity signal and a dither signal.
  • the synchronous detection circuit 7 passes the multiplication result through a filter and removes each of the high frequency component and the DC component from the multiplication result to obtain a synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection.
  • the synchronous detection signal becomes 0, and in the non-synchronized state, the synchronous detection signal becomes other than 0.
  • the synchronous detection circuit 7 outputs a synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection to the bias signal generation circuit 11 of the bias signal generation unit 8.
  • the change detection circuit 9 of the bias signal generation unit 8 monitors the change in the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 (step ST1 in FIG. 3).
  • the change detection circuit 9 outputs a signal indicating the amount of change ⁇ V peak , which is the range of change of the amplitude V peak, to the comparator 10.
  • the comparator 10 compares the amount of change ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the first threshold value Th ⁇ Vp1 .
  • the modulation format of the modulation signal is changed from, for example, QPSK (Quadrature Phase Shift Keying) to 16QAM (Quadrature Amplitude Modulation)
  • the amount of change ⁇ V peak is expected to be about 300 mV. Therefore, when it is assumed that the modulation format of the modulation signal is changed from QPSK to 16QAM, a value of about 80% of about 300 mV is used as the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the amount of change ⁇ V peak is about 200 mV. Therefore, when it is assumed that the modulation format of the modulated signal is changed from QPSK to 8QAM, a value of about 80% of about 200 mV is used as the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the comparator 10 outputs the comparison result of the change amount ⁇ V peak and the first threshold value Th ⁇ Vp1 to the bias signal generation circuit 11.
  • the bias signal generation circuit 11 is a synchronous detection circuit if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1 (step ST2 in FIG. 3: YES). in accordance with the sync detection signal output from the 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P (step ST3 in FIG. 3). The bias signal generation circuit 11 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5. Any method may be used as a bias signal generation method as long as a bias signal such that the synchronous detection signal becomes 0 can be generated based on the synchronous detection signal. A method of generating a bias signal can be used by adding the synchronous detection signal and the dither signal.
  • the phase adjustment electrode unit 5 sets a bias signal generation circuit for the phase of the modulated light after the combined wave by the first Mach-Zehnder interferometer 3 and the phase of the modulated light after the combined wave by the second Mach-Zehnder interferometer 4. It is adjusted by the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal output from 11. If the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal output from the bias signal generation circuit 11 is an appropriate phase bias, the phase difference of each modulated light after the phase adjustment by the phase adjustment electrode unit 5 becomes ⁇ / 2.
  • the bias signal generation circuit 11 changes the change amount ⁇ V.
  • a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the peak becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 is generated (step ST4 in FIG. 3).
  • the bias signal generation circuit 11 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the result of the synchronous detection by the synchronous detection circuit 7 becomes discontinuous in time, and as a result, the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal generated according to the synchronous detection signal by the bias signal generation circuit 11 is in the wrong direction.
  • the adjustment may cause deterioration of the output signal of the IQ optical modulator 1.
  • the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1
  • the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal generated by the bias signal generation circuit 11 has a change amount ⁇ V peak larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. It is the same as the phase bias before it becomes large. Therefore, deterioration of the output signal of the IQ optical modulator 1 due to the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal generated by the bias signal generation circuit 11 being adjusted in an erroneous direction can be suppressed.
  • the bias signal generation circuit 11 outputs an alarm to the outside if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 (step ST5 in FIG. 3). ).
  • the user of the optical transmitter shown in FIG. 1 or the external device of the optical transmitter shown in FIG. 1 is stopped from the automatic bias control that generates a bias signal according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 7. It is possible to recognize that it is in the state of being.
  • Bias signal generating circuit 11 after generating the bias signal to maintain phase bias phi P, from the outside, and starts the reception process of the instruction to generate the bias signal in accordance with synchronous detection signal (step ST6 of FIG. 3).
  • the bias signal generation circuit 11 stops the alarm output (step in FIG. 3).
  • ST8 the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal is restarted.
  • the bias signal generation circuit 11 performs a process of generating a bias signal according to the synchronous detection signal unless an instruction to generate a bias signal according to the synchronous detection signal is given from the outside (in the case of step ST7: NO in FIG. 3).
  • the instruction acceptance process is continued without restarting (step ST6 in FIG. 3).
  • the incident light is modulated by the modulated signal, and then the phase of the modulated light, which is the modulated light, is adjusted by the phase bias indicated by the bias signal to obtain the modulated light after the phase adjustment.
  • IQ light that outputs or adjusts the phase of the incident light by the phase bias indicated by the bias signal, then modulates the phase-adjusted light with the modulated signal, and outputs the modulated light that is the modulated light.
  • a modulator 1 a light intensity detector 6 that detects the light intensity of the modulated light output from the IQ light modulator 1, and a light intensity signal and a dither signal that indicate the light intensity detected by the light intensity detector 6.
  • a synchronous detection circuit 7 that performs synchronous detection and outputs a synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection, and a synchronous detection circuit that monitors changes in the amplitude of the modulated signal and if the range of change is equal to or less than the first threshold value. If a bias signal is generated according to the synchronous detection signal output from No. 7 and the range of change is larger than the first threshold value, the range of change is larger than the first threshold value as the bias signal output to the IQ optical modulator 1.
  • the optical transmission device is configured to include a bias signal generation unit 8 that generates a bias signal that maintains the phase bias before the increase. Therefore, the optical transmitter can suppress the deterioration of the modulated light after the phase adjustment by the IQ optical modulator 1 even if the result of the synchronous detection becomes discontinuous in time.
  • the bias signal generation unit 14 monitors the change in the amplitude V peak , and if the range of the change is smaller than the second threshold value Th ⁇ Vp 2, the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal is restarted.
  • the optical transmitter will be described.
  • FIG. 4 is a configuration diagram showing an optical transmission device according to the second embodiment.
  • the bias signal generation unit 14 includes a change detection circuit 9, a comparator 15, a bias signal generation circuit 12, and a bias signal generation circuit 16. If the range of change of the bias signal generation unit 14 is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the range of change of the amplitude V peak of the modulated signal is the first threshold value, similarly to the bias signal generation unit 8 shown in FIG. A bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before becoming larger than Th ⁇ Vp1 is generated.
  • Bias signal generator 14 when generating a bias signal to maintain phase bias phi P before the range of change in the amplitude V peak of the modulated signal becomes larger than the first threshold value Th DerutaVp1, of the modulation signal amplitude V peak Monitor changes. Bias signal generator 14, the smaller range of variation than the second threshold value Th DerutaVp2, according to the synchronization detection signals, resumes the process of generating a bias signal indicative of the phase bias phi P.
  • Each of the first threshold value Th ⁇ Vp1 and the second threshold value Th ⁇ Vp2 may be stored in the internal memory of the bias signal generation unit 14 or may be given from the outside of the bias signal generation unit 14. ..
  • the magnitude relationship between the first threshold value Th ⁇ Vp1 and the second threshold value Th ⁇ Vp2 is determined, for example, by the degree of demand for control stability. If it is necessary to increase the stability of the control, it is desirable that the first threshold value Th DerutaVp1 is larger than the second threshold value Th ⁇ Vp2. Unlike the bias signal generation unit 8 shown in FIG. 1, the bias signal generation unit 14 does not output an alarm to the outside, but the bias signal generation unit 14 may output the alarm to the outside as in the bias signal generation unit 8 shown in FIG. Good.
  • the comparator 15 compares the change amount ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the first threshold value Th ⁇ Vp1 , and compares the change amount ⁇ V peak with the first threshold value Th ⁇ Vp1 to obtain the first threshold value. As a comparison result, it is output to the bias signal generation circuit 16. Further, the comparator 15 compares the change amount ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the second threshold value Th ⁇ Vp2 , and compares the change amount ⁇ V peak with the second threshold value Th ⁇ Vp2 . As a comparison result of 2, it is output to the bias signal generation circuit 16.
  • the bias signal generation circuit 16 If the first comparison result of the comparator 15 indicates that the amount of change ⁇ V peak is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the bias signal generation circuit 16 outputs the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 7. Therefore, a bias signal indicating a phase bias ⁇ P is generated.
  • the bias signal generation circuit 16 if the first comparison result of the comparator 15 indicates that the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the change amount ⁇ V peak is the first threshold value Th ⁇ Vp1. Generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before it becomes greater than. The bias signal generation circuit 16 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • Bias signal generating circuit 16 after generating a bias signal to maintain phase bias phi P, a second comparison result of the comparator 15, the change amount [Delta] V peak amplitude V peak is smaller than the second threshold value Th DerutaVp2 If so, the process of generating the bias signal indicating the phase bias ⁇ P is restarted according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 7.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a processing procedure of the bias signal generation unit 14.
  • the change detection circuit 9 of the bias signal generation unit 14 monitors the change in the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 (step ST11 in FIG. 5).
  • the change detection circuit 9 outputs a signal indicating the amount of change ⁇ V peak , which is the range of change of the amplitude V peak, to the comparator 15.
  • the comparator 15 compares the amount of change ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the first threshold value Th ⁇ Vp1 .
  • the comparator 15 outputs the comparison result of the change amount ⁇ V peak and the first threshold value Th ⁇ Vp1 to the bias signal generation circuit 16 as the first comparison result.
  • the bias signal generation circuit 16 is used. Like the bias signal generating circuit 11 shown in FIG. 1, in accordance with synchronous detection signal outputted from the synchronous detection circuit 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P (step ST13 in FIG. 5). The bias signal generation circuit 16 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the bias signal generation circuit 16 is used. Like the bias signal generating circuit 11 shown in FIG. 1, the variation [Delta] V peak to generate a bias signal to maintain phase bias phi P before it is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 (step ST14 in FIG. 5). The bias signal generation circuit 16 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • Change detection circuit 9 a bias signal generation circuit 16, even after generating a bias signal to maintain phase bias phi P, monitoring changes in the amplitude V peak of the output modulated signal from the driver 13 (step of Fig. 5 ST15).
  • the change detection circuit 9 outputs a signal indicating the amount of change ⁇ V peak of the amplitude V peak to the comparator 15.
  • the comparator 15 compares the amount of change ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the second threshold value Th ⁇ Vp2 .
  • the comparator 15 outputs the comparison result of the change amount ⁇ V peak and the second threshold value Th ⁇ Vp2 to the bias signal generation circuit 16 as the second comparison result.
  • the bias signal generation circuit 16 indicates that the second comparison result of the comparator 15 indicates that the change amount ⁇ V peak of the amplitude V peak is smaller than the second threshold value Th ⁇ Vp2 (step ST16: YES in FIG. 5). cases), in accordance with synchronous detection signal outputted from the synchronous detection circuit 7, resumes the process of generating a bias signal indicative of the phase bias phi P. If the second comparison result of the comparator 15 indicates that the change amount ⁇ V peak of the amplitude V peak is equal to or greater than the second threshold value Th ⁇ Vp2, the bias signal generation circuit 16 (step ST16: NO in FIG. 5). In the case of), the process of generating the bias signal indicating the phase bias ⁇ P is not restarted according to the synchronous detection signal. The change detection circuit 9 subsequently monitors the change in the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 (step ST15 in FIG. 5).
  • the bias signal generation unit 14 generates a bias signal that maintains the phase bias before the range of change in the amplitude of the modulated signal becomes larger than the first threshold value, and then the amplitude of the modulated signal.
  • the optical transmitter shown in FIG. 4 was configured so as to monitor the change in the above and restart the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal if the range of the change is smaller than the second threshold value. Therefore, the optical transmitter shown in FIG. 4 has the same phase-adjusted modulated light by the IQ optical modulator 1 even if the results of synchronous detection become discontinuous in time, similar to the optical transmitter shown in FIG. Deterioration can be suppressed. Further, the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal can be automatically restarted.
  • Embodiment 3 an optical transmission device having a bias signal generation unit 30 for comparing the amplitude V peak of the modulated signal with each of the lower amplitude value L lim1 and the upper limit amplitude value Ulim 1 will be described.
  • FIG. 6 is a configuration diagram showing an optical transmission device according to the third embodiment.
  • the bias signal generation unit 30 includes a first comparator 31, a second comparator 32, a bias signal generation circuit 12, and a bias signal generation circuit 33.
  • the bias signal generation unit 30 monitors a change in the amplitude V peak of the modulated signal, and if the range of change is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp 1, the phase bias ⁇ is according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 7. Generates a bias signal indicating P.
  • the first comparator 31 compares the amplitude V peak of the modulated signal with the amplitude lower limit value L lim1, and outputs the comparison result between the amplitude V peak and the amplitude lower limit value L lim1 to the bias signal generation circuit 33.
  • the second comparator 32 the amplitude V peak of the modulation signal, than the amplitude limit value L lim1 compares the first threshold value Th DerutaVp1 only large amplitude upper limit U lim1, amplitude V peak and the amplitude upper limit value U lim1 The comparison result with is output to the bias signal generation circuit 33.
  • L lim1 + Th ⁇ Vp1 U lim1 .
  • Each of the lower limit amplitude value L lim1 and the upper limit amplitude value UL lim1 may be stored in the internal memory of the bias signal generation unit 30, or may be given from the outside of the bias signal generation unit 30.
  • the bias signal generation circuit 33 indicates that the comparison result of the first comparer 31 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or more than the lower limit of the amplitude L lim1, and the comparison result of the second comparer 32 is. if shows the effect amplitude V peak of the modulation signal is equal to or less than the amplitude upper limit value U lim1, in accordance with the sync detection signal output from the synchronous detection circuit 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P.
  • Bias signal generating circuit 33 the comparison result of the first comparator 31, if the amplitude V peak of the modulation signal indicate the fact smaller than the amplitude limit value L lim1, amplitude V peak amplitude lower limit value of the modulation signal A bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before becoming smaller than L lim1 is generated.
  • Bias signal generating circuit 33, the comparison result of the second comparator 32, if the amplitude V peak of the modulation signal indicate the fact greater than the amplitude upper limit value U lim1, amplitude V peak amplitude upper limit of the modulation signal Generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before it becomes larger than the Amplitude 1.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure of the bias signal generation unit 30.
  • the first comparator 31 of the bias signal generation unit 30 compares the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 with the lower limit of the amplitude L lim1 (step ST21 in FIG. 7).
  • the first comparator 31 outputs the comparison result between the amplitude V peak and the lower limit amplitude L lim1 to the bias signal generation circuit 33.
  • the second comparator 32 compares the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 with the amplitude upper limit value ULim1 (step ST22 in FIG. 7). The second comparator 32 outputs the comparison result between the amplitude V peak and the upper limit amplitude value ULim 1 to the bias signal generation circuit 33.
  • the bias signal generation circuit 33 indicates that the comparison result of the first comparator 31 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or greater than the lower limit of the amplitude L lim1 (in the case of step ST23: YES in FIG. 7), and If the comparison result of the second comparator 32 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or less than the amplitude upper limit value ULim1 (in the case of step ST24: YES in FIG. 7), the output is output from the synchronous detection circuit 7.
  • a bias signal indicating a phase bias ⁇ P is generated according to the synchronous detection signal (step ST25 in FIG. 7).
  • the bias signal generating circuit 33 if L lim1 ⁇ V peak ⁇ U lim1 , in accordance with the sync detection signal output from the synchronous detection circuit 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P.
  • the bias signal generation circuit 33 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • step ST26 A bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes smaller than the lower limit of amplitude L lim1 is generated (step ST26 in FIG. 7). That is, if V peak ⁇ L lim1 , the bias signal generation circuit 33 generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes smaller than the lower limit of amplitude L lim1. The bias signal generation circuit 33 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5. Further, the bias signal generation circuit 33 outputs an alarm to the outside (step ST27 in FIG. 7).
  • step ST26 A bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes larger than the amplitude upper limit value ULim1 is generated (step ST26 in FIG. 7). That is, if V peak > Ulim 1 , the bias signal generation circuit 33 generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes larger than the amplitude upper limit value UL l1. The bias signal generation circuit 33 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5. Further, the bias signal generation circuit 33 outputs an alarm to the outside (step ST27 in FIG. 7).
  • Bias signal generating circuit 33 after generating a bias signal to maintain phase bias phi P, from the outside, and starts the reception process of the instruction to generate the bias signal in accordance with synchronous detection signal (step ST28 in FIG. 7).
  • the bias signal generation circuit 33 stops the alarm output (step in FIG. 7).
  • ST30) the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal is restarted.
  • the bias signal generation circuit 33 performs a process of generating a bias signal according to the synchronous detection signal unless an instruction to generate a bias signal according to the synchronous detection signal is given from the outside (step ST29 in FIG. 7: NO).
  • the instruction acceptance process is continued without restarting (step ST28 in FIG. 7).
  • the bias signal generation unit 34 generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes smaller than the lower limit of the amplitude L lim1 , or the amplitude V peak is the amplitude.
  • a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before becoming larger than the upper limit value Amplitude 1 is generated.
  • the bias signal generation unit 34 monitors the change in the amplitude V peak , and if the range of change is smaller than the second threshold value Th ⁇ Vp 2, the optical transmission device restarts the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal. explain.
  • FIG. 8 is a configuration diagram showing an optical transmission device according to the fourth embodiment.
  • the bias signal generation unit 34 includes a first comparator 31, a second comparator 32, a bias signal generation circuit 12, and a bias signal generation circuit 37.
  • Bias signal generator 34 if the amplitude V peak of the modulation signal is smaller than the amplitude limit value L lim1, similarly to the bias signal generator 30 shown in FIG. 6, the amplitude V peak of the modulation signal from the amplitude limit value L lim1 Generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before it becomes smaller.
  • Bias signal generator 34 if the amplitude V peak of the modulation signal is greater than the amplitude upper limit value U lim1, similarly to the bias signal generator 30 shown in FIG. 6, the amplitude V peak of the modulation signal from the amplitude upper limit value U lim1 Generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before it becomes large.
  • the bias signal generation unit 34 generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak becomes smaller than the lower limit of amplitude L lim 1 , or before the amplitude V peak becomes larger than the upper limit of amplitude UL lim 1.
  • the change in the amplitude V peak of the modulated signal is monitored.
  • Bias signal generator 34 the smaller range of variation than the second threshold value Th DerutaVp2, according to the synchronization detection signals, resumes the process of generating a bias signal indicative of the phase bias phi P.
  • the bias signal generation unit 34 does not output an alarm to the outside.
  • the bias signal generation unit 34 may output an alarm to the outside in the same manner as the bias signal generation unit 30 shown in FIG.
  • the first comparator 35 compares the amplitude V peak of the modulating signal and the amplitude lower limit value L lim1, as a result of comparison between the amplitude V peak and the amplitude lower limit value L lim1, bias signal generating circuit a first comparison result Output to 37. Further, the first comparator 35 compares the amplitude V peak of the modulated signal with the lower limit amplitude L lim2, and uses the second comparison result as a bias signal as a comparison result between the amplitude V peak and the lower limit of amplitude L lim2. Output to the generation circuit 37.
  • Each of the lower limit amplitude value L lim1 and the lower limit amplitude value L lim2 may be stored in the internal memory of the bias signal generation unit 34, or may be given from the outside of the bias signal generation unit 34. Further, the magnitude relationship between the lower limit amplitude value L lim1 and the lower limit amplitude value L lim2 is determined by the degree of demand for control stability. When it is necessary to improve the stability of control, it is desirable that the lower limit of amplitude L lim1 is smaller than the lower limit of amplitude L lim2.
  • the second comparator 36 compares the amplitude V peak of the modulated signal with the amplitude upper limit value U lim1 which is larger than the amplitude lower limit value L lim1 by the first threshold Th ⁇ Vp1 , and compares the amplitude V peak and the amplitude upper limit value U lim1. As a comparison result with, the third comparison result is output to the bias signal generation circuit 37.
  • L lim1 + Th ⁇ Vp1 U lim1 .
  • the second comparator 36 compares the amplitude V peak of the modulated signal with the amplitude upper limit value ULim2 which is larger than the amplitude lower limit value L lim2 by the second threshold Th ⁇ Vp2 , and compares the amplitude V peak and the amplitude upper limit value.
  • the fourth comparison result is output to the bias signal generation circuit 37.
  • L lim2 + Th ⁇ Vp2 U lim2 .
  • Each amplitude upper limit U lim1 and amplitude upper limit U lim2 may be stored in the internal memory of the bias signal generator 34, or may be externally applied bias signal generator 34.
  • the magnitude relation between the amplitude upper limit value U lim1 and amplitude upper limit U lim2 is determined by the stability requirements of the control. If it is necessary to increase the stability of the control, it is desirable that the amplitude upper limit value U lim1 is larger than the amplitude upper limit value U lim2.
  • the bias signal generation circuit 37 indicates that the comparison result of the first comparator 35 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or more than the lower limit of the amplitude L lim1, and the comparison result of the second comparator 36 is if shows the effect amplitude V peak of the modulation signal is equal to or less than the amplitude upper limit value U lim1, in accordance with the sync detection signal output from the synchronous detection circuit 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P.
  • Bias signal generating circuit 37 the comparison result of the first comparator 35, if the amplitude V peak of the modulation signal indicate the fact smaller than the amplitude limit value L lim1, amplitude V peak amplitude lower limit value of the modulation signal A bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before becoming smaller than L lim1 is generated.
  • Bias signal generating circuit 37, the comparison result of the second comparator 36, if the amplitude V peak of the modulation signal indicate the fact greater than the amplitude upper limit value U lim1, amplitude V peak amplitude upper limit of the modulation signal Generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before it becomes larger than the Amplitude 1.
  • the comparison result of the first comparator 35 shows that the amplitude V peak of the modulated signal is larger than the lower limit amplitude L lim 2. If the comparison result of the second comparator 36 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is smaller than the amplitude upper limit value ULim2 , the bias signal indicating the phase bias ⁇ P is generated according to the synchronous detection signal. Resume the generation process.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a processing procedure of the bias signal generation unit 34.
  • the first comparator 35 of the bias signal generation unit 34 compares the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 with the lower limit of amplitude L lim1 (step ST31 in FIG. 9).
  • the first comparator 35 outputs the first comparison result to the bias signal generation circuit 37 as the comparison result between the amplitude V peak and the lower limit amplitude L lim1.
  • the second comparator 36 compares the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 with the amplitude upper limit value ULim1 (step ST32 in FIG. 9). The second comparator 36 outputs the third comparison result to the bias signal generation circuit 37 as the comparison result between the amplitude V peak and the amplitude upper limit value ULim1.
  • the bias signal generation circuit 37 indicates that the first comparison result of the first comparator 35 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or more than the lower limit of the amplitude L lim1 (in the case of step ST33: YES in FIG. 9). And, if the third comparison result of the second comparator 36 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or less than the amplitude upper limit value ULim1 (in the case of step ST34: YES in FIG. 9). in accordance with the sync detection signal output from the synchronous detection circuit 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P (step ST35 in FIG. 9).
  • the bias signal generating circuit 37 if L lim1 ⁇ V peak ⁇ U lim1 , in accordance with the sync detection signal output from the synchronous detection circuit 7 generates a bias signal indicative of the phase bias phi P.
  • the bias signal generation circuit 37 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the bias signal generation circuit 37 indicates that the first comparison result of the first comparator 35 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is smaller than the lower limit amplitude L lim1 (step ST33: NO in FIG. 9). In the case of), a bias signal is generated that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes smaller than the lower limit of amplitude L lim1 (step ST36 in FIG. 9). That is, if V peak ⁇ L lim1 , the bias signal generation circuit 37 generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes smaller than the lower limit of amplitude L lim1. The bias signal generation circuit 37 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • step ST34 If the comparison result of the second comparator 36 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is larger than the amplitude upper limit value ULim1 of the bias signal generation circuit 37 (in the case of step ST34: NO in FIG. 9). , A bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes larger than the amplitude upper limit value ULim1 is generated (step ST36 in FIG. 9). That is, if V peak > Ulim 1 , the bias signal generation circuit 33 generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before the amplitude V peak of the modulated signal becomes larger than the amplitude upper limit value UL l1. The bias signal generation circuit 37 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode unit 5.
  • the first comparator 35 compares the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 with the lower limit of amplitude L lim 2 .
  • the first comparator 35 outputs the second comparison result to the bias signal generation circuit 37 as the comparison result between the amplitude V peak and the lower limit amplitude L lim2.
  • the second comparator 36 compares the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13 with the amplitude upper limit value ULim2 .
  • the second comparator 36 outputs the fourth comparison result to the bias signal generation circuit 37 as the comparison result between the amplitude V peak and the amplitude upper limit value ULim 2.
  • the second comparison result of the first comparator 35 shows that the amplitude V peak of the modulated signal is larger than the lower limit amplitude L lim 2. If this is indicated and the fourth comparison result of the second comparator 36 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is smaller than the amplitude upper limit value ULim2 (step ST37: YES in FIG. 9). Case), the process of generating the bias signal indicating the phase bias ⁇ P is restarted according to the synchronous detection signal.
  • the second comparison result of the first comparator 35 shows that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or less than the lower limit of amplitude L lim 2. If this is indicated, or if the fourth comparison result of the second comparator 36 indicates that the amplitude V peak of the modulated signal is equal to or greater than the amplitude upper limit value ULim2 (step ST37: NO in FIG. 9). Case), the process of generating the bias signal indicating the phase bias ⁇ P is not restarted according to the synchronous detection signal.
  • the bias signal generation unit 34 generates a bias signal that maintains the phase bias before the range of change in the amplitude of the modulated signal becomes larger than the first threshold value, and then the amplitude of the modulated signal.
  • the optical transmitter shown in FIG. 8 was configured so as to monitor the change in the above and restart the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal if the range of the change is smaller than the second threshold value. Therefore, the optical transmitter shown in FIG. 8 has the same phase-adjusted modulated light by the IQ optical modulator 1 even if the results of synchronous detection become discontinuous in time, similar to the optical transmitter shown in FIG. Deterioration can be suppressed. Further, the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal can be automatically restarted.
  • Embodiment 5 in the bias signal generation circuit 45, the first bias signal indicating the phase bias ⁇ I used by the first Mach-Zehnder interferometer 3 for phase adjustment and the second Mach-Zehnder interferometer 4 are in phase.
  • An optical transmitter for generating each of the second bias signals indicating the phase bias ⁇ Q used for adjustment will be described.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing an optical transmission device according to a fifth embodiment.
  • the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same or corresponding parts, and thus the description thereof will be omitted.
  • the light intensity detector 6 is the first light intensity detector
  • the synchronous detection circuit 7 is the first synchronous detection circuit.
  • the second light intensity detector 41 is realized by, for example, a photodetector.
  • the second light intensity detector 41 detects the light intensity of the modulated light output from the first Mach-Zehnder interferometer 3, and a second synchronous detection circuit described later for a light intensity signal indicating the light intensity of the modulated light. Output to 43.
  • the light intensity signal is an electrical signal.
  • the third light intensity detector 42 is realized by, for example, a photodetector.
  • the third light intensity detector 42 detects the light intensity of the modulated light output from the second Mach-Zehnder interferometer 4, and transmits a light intensity signal indicating the light intensity of the modulated light to the second synchronous detection circuit 43. Output.
  • the light intensity signal is an electrical signal.
  • the second synchronous detection circuit 43 is realized by, for example, an automatic bias control circuit.
  • the second synchronous detection circuit 43 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the second light intensity detector 41 and the dither signal oscillated from the first dither signal source.
  • the first synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection is output to the bias signal generation circuit 45.
  • the first dither signal source may be built in, for example, the second synchronous detection circuit 43, or may be provided outside the second synchronous detection circuit 43. Further, the first dither signal source may be, for example, the same dither signal source as the dither signal source built in the synchronous detection circuit 7.
  • the second synchronous detection circuit 43 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the third light intensity detector 42 and the dither signal oscillated from the second dither signal source. Then, the second synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection is output to the bias signal generation circuit 45.
  • the second dither signal source may be built in, for example, the second synchronous detection circuit 43, or may be provided outside the second synchronous detection circuit 43.
  • the bias signal generation unit 44 includes a change detection circuit 9, a comparator 10, a bias signal generation circuit 11, and a bias signal generation circuit 45.
  • the bias signal generation circuit 45 is the first output from the second synchronous detection circuit 43 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the first Mach-Zehnder interferometer 3 According to the synchronous detection signal, the first Mach-Zehnder interferometer 3 generates a first bias signal indicating the phase bias ⁇ I used for phase adjustment.
  • the bias signal generation circuit 45 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • Phase bias phi I before the change amount [Delta] V peak is larger than the first threshold value Th DerutaVp1, among the one or more phase bias phi I when the change amount [Delta] V peak is equal to or less than the first threshold value Th DerutaVp1,
  • it is a phase bias ⁇ I immediately before the amount of change ⁇ V peak becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the phase bias ⁇ I immediately before the change amount ⁇ V peak becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 is, for example, one sampling before or two sampling before.
  • the phase bias ⁇ I may be used.
  • the bias signal generation circuit 45 outputs the generated first bias signal to the first Mach-Zehnder interferometer 3.
  • the bias signal generation circuit 45 is a second synchronous detection circuit 43 output from the second synchronous detection circuit 43 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1. According to the synchronous detection signal, the second Mach-Zehnder interferometer 4 generates a second bias signal indicating the phase bias ⁇ Q used for phase adjustment. In the bias signal generation circuit 45, if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. A second bias signal is generated that maintains the phase bias ⁇ Q before becoming.
  • Phase bias phi Q before the change amount [Delta] V peak is larger than the first threshold value Th DerutaVp1, among the one or more phase bias phi Q when the amount of change [Delta] V peak is equal to or less than the first threshold value Th DerutaVp1,
  • Th DerutaVp1 it is a phase bias ⁇ Q immediately before the amount of change ⁇ V peak becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the phase bias ⁇ Q immediately before the change amount ⁇ V peak becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 is, for example, one sampling before or two sampling before.
  • the phase bias ⁇ Q may be used.
  • the bias signal generation circuit 45 outputs the generated second bias signal to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the bias signal generation circuit 45 outputs an alarm to the outside if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the second light intensity detector 41, the third light intensity detector 42, the second synchronous detection circuit 43, and the bias signal generation unit 44 are attached to the optical transmitter shown in FIG. It has been applied.
  • the second light intensity detector 41, the third light intensity detector 42, the second synchronous detection circuit 43, and the bias signal generation unit 44 are the optical transmitters shown in FIG. It may be applied to the optical transmitter shown in FIG. 6 or the optical transmitter shown in FIG.
  • the light transmission device is the same as that shown in FIG. 1, and is shown in FIG. The operation different from that of the optical transmitter will be described.
  • the second light intensity detector 41 acquires a part of the modulated light after the combined wave output from the first Mach-Zehnder interferometer 3 and detects the light intensity of the modulated light after the combined wave.
  • the second light intensity detector 41 outputs a light intensity signal indicating the detected light intensity to the second synchronous detection circuit 43.
  • the second synchronous detection circuit 43 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the second light intensity detector 41 and the dither signal oscillated from the first dither signal source.
  • the first synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection is output to the bias signal generation circuit 45.
  • the synchronous detection process of the second synchronous detection circuit 43 is the same synchronous detection process as that of the synchronous detection circuit 7.
  • the third light intensity detector 42 acquires a part of the modulated light after the combined wave output from the second Mach-Zehnder interferometer 4 and detects the light intensity of the modulated light after the combined wave.
  • the third light intensity detector 42 outputs a light intensity signal indicating the detected light intensity to the second synchronous detection circuit 43.
  • the second synchronous detection circuit 43 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the third light intensity detector 42 and the dither signal oscillated from the second dither signal source.
  • a second synchronous detection signal indicating the result of synchronous detection is output to the bias signal generation circuit 45.
  • the bias signal generation circuit 45 is the first output from the second synchronous detection circuit 43 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • a first bias signal indicating a phase bias ⁇ I is generated according to the synchronous detection signal.
  • the bias signal generation circuit 45 outputs the generated first bias signal to the first Mach-Zehnder interferometer 3. Further, if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the bias signal generation circuit 45 outputs the second synchronous detection circuit 43.
  • a second bias signal indicating a phase bias ⁇ Q is generated according to the synchronous detection signal of 2.
  • the bias signal generation circuit 45 outputs the generated second bias signal to the second Mach-Zehnder interferometer 4. Any method may be used as a bias signal generation method as long as a bias signal such that the synchronous detection signal becomes 0 can be generated based on the synchronous detection signal. A method of generating a bias signal can be used by adding the synchronous detection signal and the dither signal.
  • the bias signal generation circuit 45 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. Generates a first bias signal that maintains the pre-phase bias ⁇ I. The bias signal generation circuit 45 outputs the generated first bias signal to the first Mach-Zehnder interferometer 3. Further, in the bias signal generation circuit 45, if the comparison result of the comparator 10 indicates that the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. Generates a second bias signal that maintains the phase bias ⁇ Q before it also increases. The bias signal generation circuit 45 outputs the generated second bias signal to the second Mach-Zehnder interferometer 4.
  • the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1
  • the result of the synchronous detection by the second synchronous detection circuit 43 becomes discontinuous in time.
  • the phase bias ⁇ I indicated by the first bias signal generated according to the first synchronous detection signal and the phase indicated by the second bias signal generated according to the second synchronous detection signal by the bias signal generation circuit 45 There is a possibility that each of the bias ⁇ Q is adjusted in the wrong direction, and the output signal of the IQ optical modulator 1 is deteriorated.
  • the phase bias ⁇ I indicated by the first bias signal generated by the bias signal generation circuit 45 and the phase bias ⁇ Q indicated by the second bias signal are the same as the phase bias before the amount of change ⁇ V peak becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. Therefore, IQ is caused by adjusting each of the phase bias ⁇ I indicated by the first bias signal and the phase bias ⁇ Q indicated by the second bias signal in the wrong directions generated by the bias signal generation circuit 45. Deterioration of the output signal of the optical modulator 1 can be suppressed.
  • the bias signal generation circuit 45 outputs an alarm to the outside if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the user of the optical transmitter shown in FIG. 10 or the external device of the optical transmitter shown in FIG. 10 can receive the first bias signal and the second bias signal output from the second synchronous detection circuit 43. It can be recognized that the automatic bias control for generating each of the first bias signal and the second bias signal is stopped according to each.
  • the bias signal generation circuit 45 generates a bias signal that maintains each of the phase bias ⁇ I and the phase bias ⁇ Q , and then externally follows the first synchronous detection signal and the second synchronous detection signal. The process of accepting the instruction to generate each of the bias signal of the above and the second bias signal is started.
  • the bias signal generation circuit 45 stops the output of the alarm and stops the output of the alarm, respectively, of the first synchronous detection signal and the second synchronous detection signal. Therefore, the process of generating each of the first bias signal and the second bias signal is restarted.
  • the bias signal generation circuit 45 follows the first synchronous detection signal and the second synchronous detection signal, respectively, unless an external instruction is given to generate a bias signal according to the synchronous detection signal. The process of receiving the instruction is continued without restarting the process of generating each of the second bias signal.
  • the bias signal generation circuit 45 follows the first synchronous detection signal output from the second synchronous detection circuit 43.
  • the Mach Zender interferometer 3 generates a first bias signal indicating the phase bias used for phase adjustment, and a second Mach Zender interferometer according to the second synchronous detection signal output from the second synchronous detection circuit 43. 4 generates a second bias signal indicating the phase bias used for phase adjustment, and if the range of change is larger than the first threshold, the range of change is larger than the first threshold as the first bias signal.
  • a first bias signal that maintains the phase bias before it becomes large is generated, and as a second bias signal, a second bias signal that maintains the phase bias before the range of change becomes larger than the first threshold is used.
  • the optical transmitter was configured to generate. Therefore, the optical transmitter can suppress the deterioration of the modulated light after the phase adjustment by the IQ optical modulator 1 even if the result of the synchronous detection becomes discontinuous in time.
  • Embodiment 6 the first orthogonal light modulator (hereinafter, referred to as “first IQ light modulator”) 1-1 and the second orthogonal light modulator (hereinafter, “second IQ optical modulation”) An optical transmitter in which 1-2 are connected in parallel will be described.
  • FIG. 11 is a configuration diagram showing an optical transmission device according to the sixth embodiment.
  • the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same or corresponding parts, and thus the description thereof will be omitted.
  • Each of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 is an IQ light modulator having the same configuration as the IQ light modulator 1 shown in FIG.
  • the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 are connected in parallel with each other.
  • the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 are applied to the optical transmitter shown in FIG.
  • the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 are the optical transmitter shown in FIG. 4, the optical transmitter shown in FIG. 6, and FIG. It may be applied to the optical transmission device shown in FIG. 10 or the optical transmission device shown in FIG.
  • the branching portion 51 branches the incident light into two, outputs one of the two light after the branch to the first IQ light modulator 1-1, and outputs the other light to the second IQ light modulator 1-1. Output to IQ light modulator 1-2.
  • the combiner 52 combines the modulated light output from the first IQ light modulator 1-1 and the modulated light output from the second IQ light modulator 1-2, and after the combined wave, Output the modulated light to the outside.
  • the light intensity detector 53 is realized by, for example, a photo detector.
  • the light intensity detector 53 detects the light intensity of the modulated light after the combined wave by the combining unit 52, and outputs a light intensity signal indicating the light intensity of the modulated light to the synchronous detection circuit 54 described later.
  • the light intensity signal is an electrical signal.
  • the synchronous detection circuit 54 is realized by, for example, an automatic bias control circuit.
  • the synchronous detection circuit 54 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the light intensity detector 53 and the dither signal.
  • the synchronous detection circuit 54 outputs a synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection to the bias signal generation unit 55, which will be described later.
  • the dither signal is a regular signal such as a sine wave or a triangular wave.
  • the dither signal source that oscillates the dither signal may be provided outside the synchronous detection circuit 54, or may be built in the synchronous detection circuit 54.
  • the bias signal generation unit 55 includes a change detection circuit 9, a comparator 10, a bias signal generation circuit 56, and a bias signal generation circuit 57.
  • the bias signal generation unit 55 monitors a change in the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13. If the range of change is equal to or less than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the bias signal generation unit 55 generates a bias signal according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 54. If the range of change is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the bias signal generation unit 55 generates a bias signal that maintains the phase bias before the range of change becomes larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the bias signal generation unit 55 If the range of change is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1 , the bias signal generation unit 55 outputs an alarm to the outside.
  • the bias signal generation unit 55 outputs the generated bias signal to each of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2.
  • the first threshold value Th ⁇ Vp1 may be stored in the internal memory of the bias signal generation unit 55, or may be given from the outside of the bias signal generation unit 55.
  • the bias signal generation circuit 56 will follow the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 54. To generate.
  • the bias signal generation circuit 56 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. Generates a bias signal that maintains the phase bias before it becomes.
  • the bias signal generation circuit 56 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode units 5 of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2, respectively.
  • the bias signal generation circuit 56 outputs an alarm to the outside if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the bias signal generation circuit 57 generates a bias signal for Ich indicating a phase bias ⁇ I, and uses the bias signal for Ich as the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2. Output to each first Mach-Zehnder interferometer 3 in. Further, the bias signal generation circuit 57 generates a bias signal for Qch indicating the phase bias ⁇ Q, and uses the bias signal for Qch as the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1. Output to each second Mach-Zehnder interferometer 4 in -2.
  • the branching portion 51 branches the incident light into two, outputs one of the two light after the branch to the first IQ light modulator 1-1, and outputs the other light to the second IQ light modulator 1-1. Output to IQ light modulator 1-2.
  • the first IQ light modulator 1-1 operates in the same manner as the IQ light modulator 1 shown in FIG. 1, and is the modulated light which is the light after phase adjustment. Is output to the combiner 52.
  • the second IQ light modulator 1-2 operates in the same manner as the IQ light modulator 1 shown in FIG.
  • the combiner 52 combines the modulated light output from the first IQ light modulator 1-1 and the modulated light output from the second IQ light modulator 1-2, and after the combined wave, Output the modulated light to the outside.
  • the light intensity detector 53 acquires a part of the modulated light after the combined wave by the combined wave unit 52, and detects the light intensity of the modulated light after the combined wave.
  • the light intensity detector 53 outputs a light intensity signal indicating the detected light intensity to the synchronous detection circuit 54.
  • the synchronous detection circuit 54 performs synchronous detection of the light intensity signal indicating the light intensity detected by the light intensity detector 53 and the dither signal.
  • the synchronous detection circuit 54 outputs a synchronous detection signal indicating the result of the synchronous detection to the bias signal generation circuit 56 of the bias signal generation unit 55.
  • the synchronous detection process of the synchronous detection circuit 54 is the same synchronous detection process as that of the synchronous detection circuit 7 shown in FIG.
  • the change detection circuit 9 of the bias signal generation unit 8 monitors the change in the amplitude V peak of the modulated signal output from the driver 13.
  • the change detection circuit 9 outputs a signal indicating the amount of change ⁇ V peak , which is the range of change of the amplitude V peak, to the comparator 10.
  • the comparator 10 compares the amount of change ⁇ V peak indicated by the output signal of the change detection circuit 9 with the first threshold value Th ⁇ Vp1 .
  • the comparator 10 outputs the comparison result of the change amount ⁇ V peak and the first threshold value Th ⁇ Vp1 to the bias signal generation circuit 56.
  • the bias signal generation circuit 56 has a phase according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 54. A bias signal indicating a bias ⁇ P is generated. The bias signal generation circuit 56 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode units 5 of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2, respectively.
  • the phase adjustment electrode portions 5 of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 have the phase of the modulated light output from the first Mach Zender interferometer 3 and the first phase of the modulated light.
  • the phase of the modulated light output from the Mach Zender interferometer 4 of 2 is adjusted by the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal output from the bias signal generation circuit 11. If the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal output from the bias signal generation circuit 56 is an appropriate phase bias, the phase difference of each modulated light after the phase adjustment by the phase adjustment electrode unit 5 becomes ⁇ / 2.
  • the bias signal generation circuit 56 if the comparison result of the comparator 10 indicates that the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, the change amount ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. Generates a bias signal that maintains the phase bias ⁇ P before it becomes.
  • the bias signal generation circuit 56 outputs the generated bias signal to the phase adjustment electrode units 5 of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2, respectively.
  • the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1, there is a possibility that a situation such as a change in the modulation format of the modulation signal has occurred.
  • the result of the synchronous detection by the synchronous detection circuit 54 becomes discontinuous in time, and as a result, the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal generated according to the synchronous detection signal by the bias signal generation circuit 56 is in the wrong direction. It is possible that the output signals of the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 are deteriorated due to the adjustment.
  • the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal generated by the bias signal generation circuit 56 has a change amount ⁇ V peak larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1. It is the same as the phase bias before it becomes large.
  • the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator are accompanied by the phase bias ⁇ P indicated by the bias signal generated by the bias signal generation circuit 56 being adjusted in the wrong direction. Deterioration of each output signal in 1-2 can be suppressed.
  • the bias signal generation circuit 56 outputs an alarm to the outside if the comparison result of the comparator 10 indicates that the amount of change ⁇ V peak is larger than the first threshold value Th ⁇ Vp1.
  • the user of the optical transmitter shown in FIG. 11 or the external device of the optical transmitter shown in FIG. 11 is stopped from the automatic bias control that generates a bias signal according to the synchronous detection signal output from the synchronous detection circuit 54. It is possible to recognize that it is in the state of being.
  • Bias signal generating circuit 56 after generating a bias signal to maintain phase bias phi P, from outside, to start reception processing to the effect of an instruction for generating the bias signal according to the synchronization detection signal.
  • the bias signal generation circuit 56 stops the output of the alarm and restarts the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal.
  • the bias signal generation circuit 56 continues the instruction acceptance process without restarting the process of generating the bias signal according to the synchronous detection signal unless an instruction to generate the bias signal according to the synchronous detection signal is given from the outside. To do.
  • the result of synchronous detection is temporally inconsistent. Even if they are continuous, deterioration of the modulated light after each phase adjustment in the first IQ light modulator 1-1 and the second IQ light modulator 1-2 can be suppressed.
  • the present disclosure is suitable for an optical transmitter including an orthogonal light modulator.

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Abstract

入射された光を変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、入射された光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力するＩＱ光変調器（１）と、ＩＱ光変調器（１）から出力された変調光の光強度を検出する光強度検出器（６）と、光強度検出器（６）により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す同期検波信号を出力する同期検波回路（７）と、変調信号の振幅の変化を監視し、変化の範囲が第１の閾値以下であれば、同期検波回路（７）から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成し、変化の範囲が第１の閾値よりも大きければ、光強度検出器（６）に出力するバイアス信号として、変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成部（８）とを備えるように、光送信装置を構成した。

Description

光送信装置
　本開示は、直交光変調器を備える光送信装置に関するものである。
　例えば、以下の特許文献１には、駆動信号を用いて、入射された光を変調する光変調器と、光変調器の位相バイアスを制御する自動バイアス制御回路とを有する光送信器が開示されている。
　当該自動バイアス制御回路は、当該光変調器から出力された光を電気信号に変換するフォトデテクタと、当該電気信号とディザ信号との同期検波を実施する同期検波部とを有している。
　また、当該自動バイアス制御回路は、同期検波部による同期検波の結果が０になるように、当該光変調器の位相バイアスを制御する制御部を備えている。
国際公開２０１７－１４５９８１号公報
　特許文献１に開示されている光送信器では、駆動信号の変調フォーマットが運用中に変更される等の状況が発生することによって、同期検波の結果が時間的に不連続になることがある。同期検波の結果が時間的に不連続になると、制御部による位相バイアスが誤った方向に制御されてしまい、光変調器の出力信号に劣化が生じてしまうことがある等の課題があった。
　本開示は、上記のような課題を解決するためになされたもので、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、直交光変調器による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる光送信装置を得ることを目的とする。
　本開示に係る光送信装置は、入射された光を変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、入射された光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力する直交光変調器と、直交光変調器から出力された変調光の光強度を検出する光強度検出器と、光強度検出器により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す同期検波信号を出力する同期検波回路と、変調信号の振幅の変化を監視し、変化の範囲が第１の閾値以下であれば、同期検波回路から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成し、変化の範囲が第１の閾値よりも大きければ、直交光変調器に出力するバイアス信号として、変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成部とを備えるようにしたものである。
　本開示によれば、変調信号の振幅の変化を監視し、変化の範囲が第１の閾値以下であれば、同期検波回路から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成し、変化の範囲が第１の閾値よりも大きければ、直交光変調器に出力するバイアス信号として、変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成部を備えるように、光送信装置を構成した。したがって、本開示に係る光送信装置は、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、直交光変調器による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。
実施の形態１に係る光送信装置を示す構成図である。 バイアス信号生成部８が、ソフトウェア又はファームウェア等によって実現される場合のコンピュータのハードウェア構成図である。 バイアス信号生成部８の処理手順を示すフローチャートである。 実施の形態２に係る光送信装置を示す構成図である。 バイアス信号生成部１４の処理手順を示すフローチャートである。 実施の形態３に係る光送信装置を示す構成図である。 バイアス信号生成部３０の処理手順を示すフローチャートである。 実施の形態４に係る光送信装置を示す構成図である。 バイアス信号生成部３４の処理手順を示すフローチャートである。 実施の形態５に係る光送信装置を示す構成図である。 実施の形態６に係る光送信装置を示す構成図である。
　以下、本開示をより詳細に説明するために、本開示を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
　図１は、実施の形態１に係る光送信装置を示す構成図である。
　図１において、直交光変調器（以下、「ＩＱ光変調器」と称する）１は、分岐部２と、第１のマッハツェンダー干渉計３と、第２のマッハツェンダー干渉計４と、位相調整電極部５とを備えている。
　ＩＱ光変調器１は、入射された光を変調信号によって変調し、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整する。
　図１に示す光送信装置では、ＩＱ光変調器１が、入射された光を変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整している。しかし、これは一例に過ぎず、ＩＱ光変調器１が、入射された光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を変調信号によって変調するようにしてもよい。
　ＩＱ光変調器１に入射される光としては、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）等の光源から出射される連続光等が用いられる。
　分岐部２は、入射された光を２つに分岐し、分岐後の２つの光のうち、一方の光を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力し、分岐後の２つの光のうち、他方の光を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　第１のマッハツェンダー干渉計３は、同相チャネルであるＩｃｈ用のマッハツェンダー型干渉計であり、分岐部２による分岐後の２つの光のうち、一方の光を、後述するドライバ１３から出力されたＩｃｈ用の変調信号によって変調する。
　また、第１のマッハツェンダー干渉計３は、変調後の光である変調光の位相を、後述するバイアス信号生成回路１２から出力されたＩｃｈ用のバイアス信号が示す位相バイアスφＩによって調整し、位相調整後の変調光を位相調整電極部５に出力する。
　図１に示す光送信装置では、第１のマッハツェンダー干渉計３が、一方の光をＩｃｈ用の変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相を位相バイアスφＩによって調整している。しかし、これは一例に過ぎず、第１のマッハツェンダー干渉計３が、一方の光の位相を位相バイアスφＩによって調整してから、位相調整後の光をＩｃｈ用の変調信号によって変調するようにしてもよい。
　第２のマッハツェンダー干渉計４は、同相チャネルと直交しているチャネルであるＱｃｈ用のマッハツェンダー型干渉計であり、分岐部２による分岐後の２つの光のうち、他方の光を、ドライバ１３から出力されたＱｃｈ用の変調信号によって変調する。
　また、第２のマッハツェンダー干渉計４は、変調後の光である変調光の位相を、バイアス信号生成回路１２から出力されたＱｃｈ用のバイアス信号が示す位相バイアスφＱによって調整し、位相調整後の変調光を位相調整電極部５に出力する。
　図１に示す光送信装置では、第２のマッハツェンダー干渉計４が、他方の光をＱｃｈ用の変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相を位相バイアスφＱによって調整している。しかし、これは一例に過ぎず、第２のマッハツェンダー干渉計４が、他方の光の位相を位相バイアスφＱによって調整してから、位相調整後の光をＱｃｈ用の変調信号によって変調するようにしてもよい。
　位相調整電極部５は、第１のマッハツェンダー干渉計３から出力された変調光の位相と、第２のマッハツェンダー干渉計４から出力された変調光の位相とを、後述するバイアス信号生成回路１１から出力されたバイアス信号が示す位相バイアスφＰによって調整する。
　位相調整電極部５は、位相バイアスφＰによる２つの位相調整後の変調光を合波し、合波後の変調光を外部に出力する。
　光強度検出器６は、例えば、フォトデテクタによって実現される。
　光強度検出器６は、ＩＱ光変調器１による位相調整後の変調光、即ち、位相調整電極部５から出力された合波後の変調光の光強度を検出し、変調光の光強度を示す光強度信号を後述する同期検波回路７に出力する。光強度信号は、電気信号である。
　同期検波回路７は、例えば、自動バイアス制御回路によって実現される。
　同期検波回路７は、光強度検出器６により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施する。
　同期検波回路７は、同期検波の結果を示す同期検波信号を後述するバイアス信号生成部８に出力する。
　ディザ信号は、正弦波又は三角波等の規則的な信号である。ディザ信号を発振するディザ信号源は、同期検波回路７の外部に設けられていてもよいし、同期検波回路７に内蔵されていてもよい。
　バイアス信号生成部８は、変化検出回路９と、比較器１０と、バイアス信号生成回路１１と、バイアス信号生成回路１２とを備えている。
　バイアス信号生成部８は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する。
　バイアス信号生成部８は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下であれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部８は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きければ、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰは、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下であるときの１つ以上の位相バイアスφＰのうち、例えば、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる直前の位相バイアスφＰである。ただし、これは一例に過ぎず、実用上問題がなければ、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる直前の位相バイアスφＰよりも、例えば、１サンプリング前又は２サンプリング前の位相バイアスφＰであってもよい。
　バイアス信号生成部８は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きければ、アラームを外部に出力する。
　バイアス信号生成部８は、生成したバイアス信号をＩＱ光変調器１に出力する。
　第１の閾値ＴｈΔＶｐ１は、バイアス信号生成部８の内部メモリに格納されていてもよいし、バイアス信号生成部８の外部から与えられるものであってもよい。
　変化検出回路９は、例えば、微分回路によって実現される。
　変化検出回路９は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視し、変化の範囲である変化量ΔＶｐｅａｋを示す信号を比較器１０に出力する。
　比較器１０は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１とを比較し、変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１との比較結果をバイアス信号生成回路１１に出力する。
　バイアス信号生成回路１１は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路１１は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路１１は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路１１は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、アラームを外部に出力する。
　バイアス信号生成回路１２は、位相バイアスφＩを示すＩｃｈ用のバイアス信号を生成し、Ｉｃｈ用のバイアス信号を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　また、バイアス信号生成回路１２は、位相バイアスφＱを示すＱｃｈ用のバイアス信号を生成し、Ｑｃｈ用のバイアス信号を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　ドライバ１３は、外部から変調信号が与えられると、変調信号を増幅する。外部から与えられる変調信号は、Ｉｃｈ用の変調信号とＱｃｈ用の変調信号とを含んでいる。
　ドライバ１３は、増幅後のＩｃｈ用の変調信号を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力し、増幅後のＱｃｈ用の変調信号を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　また、ドライバ１３は、Ｉｃｈ用の変調信号の振幅Ｖｐｅａｋ，Ｉ、又は、Ｑｃｈ用の変調信号の振幅Ｖｐｅａｋ，Ｑを監視し、振幅Ｖｐｅａｋ，Ｉ又は振幅Ｖｐｅａｋ，Ｑを、振幅Ｖｐｅａｋとして、バイアス信号生成部８の変化検出回路９に出力する。
　図１では、バイアス信号生成部８の構成要素である変化検出回路９、比較器１０、バイアス信号生成回路１１及びバイアス信号生成回路１２のそれぞれが、専用のハードウェアによって実現されるものを想定している。
　即ち、変化検出回路９、比較器１０、バイアス信号生成回路１１及びバイアス信号生成回路１２のそれぞれは、例えば、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）、又は、これらを組み合わせたものが該当する。
　バイアス信号生成部８の構成要素は、専用のハードウェアによって実現されるものに限るものではなく、バイアス信号生成部８が、ソフトウェア、ファームウェア、又は、ソフトウェアとファームウェアとの組み合わせによって実現されるものであってもよい。
　ソフトウェア又はファームウェアは、プログラムとして、コンピュータのメモリに格納される。コンピュータは、プログラムを実行するハードウェアを意味し、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、中央処理装置、処理装置、演算装置、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、プロセッサ、あるいは、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）が該当する。
　図２は、バイアス信号生成部８が、ソフトウェア又はファームウェア等によって実現される場合のコンピュータのハードウェア構成図である。
　バイアス信号生成部８が、ソフトウェア又はファームウェア等によって実現される場合、変化検出回路９、比較器１０、バイアス信号生成回路１１及びバイアス信号生成回路１２の処理手順をコンピュータに実行させるためのプログラムがメモリ２１に格納される。そして、コンピュータのプロセッサ２２がメモリ２１に格納されているプログラムを実行する。
　また、図２では、バイアス信号生成部８の構成要素のそれぞれが専用のハードウェアによって実現される例を示し、図３では、バイアス信号生成部８が、ソフトウェア又はファームウェア等によって実現される例を示している。しかし、これは一例に過ぎず、バイアス信号生成部８における一部の構成要素が専用のハードウェアによって実現され、残りの構成要素がソフトウェア又はファームウェア等によって実現されるものであってもよい。
　次に、図１に示す光送信装置の動作について説明する。
　図３は、バイアス信号生成部８の処理手順を示すフローチャートである。
　図示せぬＬＤ等の光源から出射された光は、ＩＱ光変調器１の分岐部２に入射される。
　ドライバ１３は、外部から変調信号が与えられると、変調信号に含まれているＩｃｈ用の変調信号を増幅し、増幅後のＩｃｈ用の変調信号をＩＱ光変調器１の第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　ドライバ１３は、変調信号に含まれているｑｃｈ用の変調信号を増幅し、増幅後のＱｃｈ用の変調信号をＩＱ光変調器１の第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　また、ドライバ１３は、Ｉｃｈ用の変調信号の振幅Ｖｐｅａｋ，Ｉ、又は、Ｑｃｈ用の変調信号の振幅Ｖｐｅａｋ，Ｑを監視する。
　ドライバ１３は、振幅Ｖｐｅａｋ，Ｉ又は振幅Ｖｐｅａｋ，Ｑを、振幅Ｖｐｅａｋとして、バイアス信号生成部８の変化検出回路９に出力する。
　バイアス信号生成回路１２は、位相バイアスφＩを示すＩｃｈ用のバイアス信号を生成し、Ｉｃｈ用のバイアス信号を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　また、バイアス信号生成回路１２は、位相バイアスφＱを示すＱｃｈ用のバイアス信号を生成し、Ｑｃｈ用のバイアス信号を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　分岐部２は、入射された光を２つに分岐し、分岐後の２つの光のうち、一方の光を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　また、分岐部２は、分岐後の２つの光のうち、他方の光を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　第１のマッハツェンダー干渉計３は、分岐部２による分岐後の２つの光のうち、一方の光を更に２つに分岐する。
　第１のマッハツェンダー干渉計３は、更に分岐したそれぞれの光を、ドライバ１３から出力されたＩｃｈ用の変調信号によって変調する。
　また、第１のマッハツェンダー干渉計３は、変調後のそれぞれの光である変調光の位相を、バイアス信号生成回路１２から出力されたＩｃｈ用のバイアス信号が示す位相バイアスφＩによって調整する。
　バイアス信号生成回路１２からは、第１のマッハツェンダー干渉計３による位相調整後のそれぞれの変調光の位相差がπになるような位相バイアスφＩを示すバイアス信号が出力される。
　第１のマッハツェンダー干渉計３は、位相調整後のそれぞれの変調光を互いに合波し、合波後の変調光を位相調整電極部５に出力する。
　第２のマッハツェンダー干渉計４は、分岐部２による分岐後の２つの光のうち、他方の光を更に２つに分岐する。
　第２のマッハツェンダー干渉計４は、更に分岐したそれぞれの光を、ドライバ１３から出力されたＱｃｈ用の変調信号によって変調する。
　また、第２のマッハツェンダー干渉計４は、変調後のそれぞれの光である変調光の位相を、バイアス信号生成回路１２から出力されたＱｃｈ用のバイアス信号が示す位相バイアスφＱによって調整する。
　バイアス信号生成回路１２からは、第２のマッハツェンダー干渉計４による位相調整後のそれぞれの変調光の位相差がπになるような位相バイアスφＱを示すバイアス信号が出力される。
　第２のマッハツェンダー干渉計４は、位相調整後のそれぞれの変調光を互いに合波し、合波後の変調光を位相調整電極部５に出力する。
　位相調整電極部５は、第１のマッハツェンダー干渉計３による合波後の変調光の位相と、第２のマッハツェンダー干渉計４による合波後の変調光の位相とを、バイアス信号生成回路１１から出力されたバイアス信号が示す位相バイアスφＰによって調整する。
　バイアス信号生成回路１１からは、位相調整電極部５による位相調整後のそれぞれの変調光の位相差がπ／２になるような位相バイアスφＰを示すバイアス信号が出力される。
　位相調整電極部５は、位相調整後のそれぞれの変調光を互いに合波し、合波後の変調光を外部に出力する。
　位相調整後のそれぞれの変調光の位相差がπ／２になる状態が理想であり、位相差がπ／２になるとき、同期検波回路７において、同期していることが検波され、同期検波回路７から出力される同期検波信号が０になる。
　光強度検出器６は、位相調整電極部５から出力された合波後の変調光の一部を取得し、合波後の変調光の光強度を検出する。
　光強度検出器６は、検出した光強度を示す光強度信号を同期検波回路７に出力する。
　同期検波回路７は、光強度検出器６により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施する。
　光強度信号とディザ信号との同期検波を実施する処理自体は、公知の技術であるため、詳細な説明を省略するが、例えば、以下の方法で、同期検波を実施することができる。
　同期検波回路７は、例えば、光強度信号の振幅に相当する信号、又は、光強度信号の二乗平均平方根であるＲＭＳに相当する信号と、ディザ信号とを乗算する。そして、同期検波回路７は、乗算の結果をフィルタに通すことによって、乗算の結果から、高周波成分及び直流成分のそれぞれを除去することにより、同期検波の結果を示す同期検波信号が得られる。同期している状態では、同期検波信号が０になり、同期していない状態では、同期検波信号が０以外になる。
　同期検波回路７は、同期検波の結果を示す同期検波信号をバイアス信号生成部８のバイアス信号生成回路１１に出力する。
　バイアス信号生成部８の変化検出回路９は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する（図３のステップＳＴ１）。
　変化検出回路９は、振幅Ｖｐｅａｋの変化の範囲である変化量ΔＶｐｅａｋを示す信号を比較器１０に出力する。
　比較器１０は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１とを比較する。
　変調信号の変調フォーマットが、例えば、ＱＰＳＫ （Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ　Ｐｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｋｅｙｉｎｇ）から、１６ＱＡＭ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ　Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）に変更される場合、変化量ΔＶｐｅａｋが、約３００ｍＶになることが想定される。したがって、変調信号の変調フォーマットが、ＱＰＳＫから１６ＱＡＭに変更されることが想定される場合、第１の閾値ＴｈΔＶｐ１としては、例えば、約３００ｍＶの８０％程度の値が用いられる。
　また、変調信号の変調フォーマットが、例えば、ＱＰＳＫから８ＱＡＭに変更される場合、変化量ΔＶｐｅａｋが、約２００ｍＶになることが想定される。したがって、変調信号の変調フォーマットが、ＱＰＳＫから８ＱＡＭに変更されることが想定される場合、第１の閾値ＴｈΔＶｐ１としては、例えば、約２００ｍＶの８０％程度の値が用いられる。
　比較器１０は、変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１との比較結果をバイアス信号生成回路１１に出力する。
　バイアス信号生成回路１１は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば（図３のステップＳＴ２：ＹＥＳの場合）、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する（図３のステップＳＴ３）。
　バイアス信号生成回路１１は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　同期検波信号に基づいて、同期検波信号が０になるようなバイアス信号を生成することができれば、バイアス信号の生成方法としては、どのような方法でもよいが、バイアス信号生成回路１１が、例えば、同期検波信号とディザ信号とを加算することにより、バイアス信号を生成する方法を用いることができる。
　位相調整電極部５は、第１のマッハツェンダー干渉計３による合波後の変調光の位相と、第２のマッハツェンダー干渉計４による合波後の変調光の位相とを、バイアス信号生成回路１１から出力されたバイアス信号が示す位相バイアスφＰによって調整する。
　バイアス信号生成回路１１から出力されたバイアス信号が示す位相バイアスφＰが適正な位相バイアスであれば、位相調整電極部５による位相調整後のそれぞれの変調光の位相差がπ／２になる。
　バイアス信号生成回路１１は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば（図３のステップＳＴ２：ＮＯの場合）、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する（図３のステップＳＴ４）。
　バイアス信号生成回路１１は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい場合、変調信号の変調フォーマットが変更されている等の状況が発生している可能性がある。したがって、同期検波回路７による同期検波の結果が時間的に不連続になり、その結果、バイアス信号生成回路１１によって、同期検波信号に従って生成されるバイアス信号が示す位相バイアスφＰが誤った方向に調整されて、ＩＱ光変調器１の出力信号に劣化が生じてしまう可能性がある。
　しかし、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい場合、バイアス信号生成回路１１により生成されるバイアス信号が示す位相バイアスφＰが、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスと同じである。このため、バイアス信号生成回路１１により生成されるバイアス信号が示す位相バイアスφＰが誤った方向に調整されることに伴う、ＩＱ光変調器１の出力信号に劣化を抑えることができる。
　また、バイアス信号生成回路１１は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、アラームを外部に出力する（図３のステップＳＴ５）。
　これにより、図１に示す光送信装置のユーザ、又は、図１に示す光送信装置の外部装置は、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する自動バイアス制御が停止されている状態であることを認識することができる。
　バイアス信号生成回路１１は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示の受け付け処理を開始する（図３のステップＳＴ６）。
　バイアス信号生成回路１１は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられると（図３のステップＳＴ７：ＹＥＳの場合）、アラームの出力を停止して（図３のステップＳＴ８）、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成回路１１は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられなければ（図３のステップＳＴ７：ＮＯの場合）、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開せずに、指示の受け付け処理を継続する（図３のステップＳＴ６）。
　以上の実施の形態１では、入射された光を変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、入射された光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力するＩＱ光変調器１と、ＩＱ光変調器１から出力された変調光の光強度を検出する光強度検出器６と、光強度検出器６により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す同期検波信号を出力する同期検波回路７と、変調信号の振幅の変化を監視し、変化の範囲が第１の閾値以下であれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成し、変化の範囲が第１の閾値よりも大きければ、ＩＱ光変調器１に出力するバイアス信号として、変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成部８とを備えるように、光送信装置を構成した。したがって、光送信装置は、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、ＩＱ光変調器１による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。
実施の形態２．
　実施の形態２では、バイアス信号生成部１４が、振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視し、変化の範囲が第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも小さければ、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開する光送信装置について説明する。
　図４は、実施の形態２に係る光送信装置を示す構成図である。図４において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
　バイアス信号生成部１４は、変化検出回路９と、比較器１５と、バイアス信号生成回路１２と、バイアス信号生成回路１６とを備えている。
　バイアス信号生成部１４は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きければ、図１に示すバイアス信号生成部８と同様に、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部１４は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成すると、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する。
　バイアス信号生成部１４は、変化の範囲が第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも小さければ、同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開する。
　第１の閾値ＴｈΔＶｐ１及び第２の閾値ＴｈΔＶｐ２のそれぞれは、バイアス信号生成部１４の内部メモリに格納されていてもよいし、バイアス信号生成部１４の外部から与えられるものであってもよい。
　また、第１の閾値ＴｈΔＶｐ１と第２の閾値ＴｈΔＶｐ２との大小関係は、例えば、制御の安定性の要求度によって決められる。制御の安定性を高める必要がある場合には、第１の閾値ＴｈΔＶｐ１が第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも大きい値であることが望ましい。
　バイアス信号生成部１４は、図１に示すバイアス信号生成部８と異なり、アラームを外部に出力しないが、図１に示すバイアス信号生成部８と同様に、アラームを外部に出力するようにしてもよい。
　比較器１５は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１とを比較し、変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１との比較結果を、第１の比較結果としてバイアス信号生成回路１６に出力する。
　また、比較器１５は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第２の閾値ＴｈΔＶｐ２とを比較し、変化量ΔＶｐｅａｋと第２の閾値ＴｈΔＶｐ２との比較結果を、第２の比較結果としてバイアス信号生成回路１６に出力する。
　バイアス信号生成回路１６は、比較器１５の第１の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路１６は、比較器１５の第１の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路１６は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路１６は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、比較器１５の第２の比較結果が、振幅Ｖｐｅａｋの変化量ΔＶｐｅａｋが第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも小さい旨を示していれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開する。
　次に、図４に示す光送信装置の動作について説明する。
　バイアス信号生成部１４以外は、図１に示す光送信装置と同様であり、図１に示す光送信装置と異なる動作を説明する。
　図５は、バイアス信号生成部１４の処理手順を示すフローチャートである。
　バイアス信号生成部１４の変化検出回路９は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する（図５のステップＳＴ１１）。
　変化検出回路９は、振幅Ｖｐｅａｋの変化の範囲である変化量ΔＶｐｅａｋを示す信号を比較器１５に出力する。
　比較器１５は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１とを比較する。
　比較器１５は、変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１との比較結果を、第１の比較結果としてバイアス信号生成回路１６に出力する。
　バイアス信号生成回路１６は、比較器１５の第１の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば（図５のステップＳＴ１２：ＹＥＳの場合）、図１に示すバイアス信号生成回路１１と同様に、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する（図５のステップＳＴ１３）。
　バイアス信号生成回路１６は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路１６は、比較器１５の第１の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば（図５のステップＳＴ１２：ＮＯの場合）、図１に示すバイアス信号生成回路１１と同様に、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する（図５のステップＳＴ１４）。
　バイアス信号生成回路１６は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　変化検出回路９は、バイアス信号生成回路１６が、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成した後も、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する（図５のステップＳＴ１５）。
　変化検出回路９は、振幅Ｖｐｅａｋの変化量ΔＶｐｅａｋを示す信号を比較器１５に出力する。
　比較器１５は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第２の閾値ＴｈΔＶｐ２とを比較する。
　比較器１５は、変化量ΔＶｐｅａｋと第２の閾値ＴｈΔＶｐ２との比較結果を、第２の比較結果としてバイアス信号生成回路１６に出力する。
　バイアス信号生成回路１６は、比較器１５の第２の比較結果が、振幅Ｖｐｅａｋの変化量ΔＶｐｅａｋが第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも小さい旨を示していれば（図５のステップＳＴ１６：ＹＥＳの場合）、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成回路１６は、比較器１５の第２の比較結果が、振幅Ｖｐｅａｋの変化量ΔＶｐｅａｋが第２の閾値ＴｈΔＶｐ２以上である旨を示していれば（図５のステップＳＴ１６：ＮＯの場合）、同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開しない。変化検出回路９は、引き続き、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する（図５のステップＳＴ１５）。
　以上の実施の形態２では、バイアス信号生成部１４が、変調信号の振幅の変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成したのち、変調信号の振幅の変化を監視し、当該変化の範囲が第２の閾値よりも小さければ、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開するように、図４に示す光送信装置を構成した。したがって、図４に示す光送信装置は、図１に示す光送信装置と同様に、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、ＩＱ光変調器１による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。また、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を自動的に再開することができる。
実施の形態３．
　実施の形態３では、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと、振幅下限値Ｌｌｉｍ１及び振幅上限値Ｕｌｉｍ１のそれぞれと比較するバイアス信号生成部３０を有する光送信装置について説明する。
　図６は、実施の形態３に係る光送信装置を示す構成図である。図６において、図１及び図４と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
　バイアス信号生成部３０は、第１の比較器３１と、第２の比較器３２と、バイアス信号生成回路１２と、バイアス信号生成回路３３とを備えている。
　バイアス信号生成部３０は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視し、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下であれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部３０は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きければ、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　第１の比較器３１は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１とを比較し、振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１との比較結果をバイアス信号生成回路３３に出力する。
　第２の比較器３２は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと、振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも第１の閾値ＴｈΔＶｐ１だけ大きい振幅上限値Ｕｌｉｍ１とを比較し、振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ１との比較結果をバイアス信号生成回路３３に出力する。Ｌｌｉｍ１＋ＴｈΔＶｐ１＝Ｕｌｉｍ１である。
　振幅下限値Ｌｌｉｍ１及び振幅上限値Ｕｌｉｍ１のそれぞれは、バイアス信号生成部３０の内部メモリに格納されていてもよいし、バイアス信号生成部３０の外部から与えられるものであってもよい。
　バイアス信号生成回路３３は、第１の比較器３１の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１以上である旨を示し、かつ、第２の比較器３２の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１以下である旨を示していれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３３は、第１の比較器３１の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さい旨を示していれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３３は、第２の比較器３２の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きい旨を示していれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　次に、図６に示す光送信装置の動作について説明する。
　バイアス信号生成部３０以外は、図１に示す光送信装置と同様であり、図１に示す光送信装置と異なる動作を説明する。
　図７は、バイアス信号生成部３０の処理手順を示すフローチャートである。
　バイアス信号生成部３０の第１の比較器３１は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１とを比較する（図７のステップＳＴ２１）。
　第１の比較器３１は、振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１との比較結果をバイアス信号生成回路３３に出力する。
　第２の比較器３２は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ１とを比較する（図７のステップＳＴ２２）。
　第２の比較器３２は、振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ１との比較結果をバイアス信号生成回路３３に出力する。
　バイアス信号生成回路３３は、第１の比較器３１の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１以上である旨を示し（図７のステップＳＴ２３：ＹＥＳの場合）、かつ、第２の比較器３２の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１以下である旨を示していれば（図７のステップＳＴ２４：ＹＥＳの場合）、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する（図７のステップＳＴ２５）。
　即ち、バイアス信号生成回路３３は、Ｌｌｉｍ１≦Ｖｐｅａｋ≦Ｕｌｉｍ１であれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３３は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路３３は、第１の比較器３１の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さい旨を示していれば（図７のステップＳＴ２３：ＮＯの場合）、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する（図７のステップＳＴ２６）。
　即ち、バイアス信号生成回路３３は、Ｖｐｅａｋ＜Ｌｌｉｍ１であれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３３は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　また、バイアス信号生成回路３３は、アラームを外部に出力する（図７のステップＳＴ２７）。
　バイアス信号生成回路３３は、第２の比較器３２の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きい旨を示していれば（図７のステップＳＴ２４：ＮＯの場合）、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する（図７のステップＳＴ２６）。
　即ち、バイアス信号生成回路３３は、Ｖｐｅａｋ＞Ｕｌｉｍ１であれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３３は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　また、バイアス信号生成回路３３は、アラームを外部に出力する（図７のステップＳＴ２７）。
　バイアス信号生成回路３３は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示の受け付け処理を開始する（図７のステップＳＴ２８）。
　バイアス信号生成回路３３は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられると（図７のステップＳＴ２９：ＹＥＳの場合）、アラームの出力を停止して（図７のステップＳＴ３０）、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成回路３３は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられなければ（図７のステップＳＴ２９：ＮＯの場合）、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開せずに、指示の受け付け処理を継続する（図７のステップＳＴ２８）。
　以上より、図６に示す光送信装置でも、図１に示す光送信装置と同様に、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、ＩＱ光変調器１による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。
実施の形態４．
　実施の形態４では、バイアス信号生成部３４が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成、又は、振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。その後、バイアス信号生成部３４が、振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視し、変化の範囲が第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも小さければ、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開する光送信装置について説明する。
　図８は、実施の形態４に係る光送信装置を示す構成図である。図８において、図１及び図６と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
　バイアス信号生成部３４は、第１の比較器３１と、第２の比較器３２と、バイアス信号生成回路１２と、バイアス信号生成回路３７とを備えている。
　バイアス信号生成部３４は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さければ、図６に示すバイアス信号生成部３０と同様に、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部３４は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きければ、図６に示すバイアス信号生成部３０と同様に、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部３４は、振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成、又は、振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成すると、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する。
　バイアス信号生成部３４は、変化の範囲が第２の閾値ＴｈΔＶｐ２よりも小さければ、同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成部３４は、図６に示すバイアス信号生成部３０と異なり、アラームを外部に出力しない。しかし、これは一例に過ぎず、バイアス信号生成部３４は、図６に示すバイアス信号生成部３０と同様に、アラームを外部に出力するようにしてもよい。
　第１の比較器３５は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１とを比較し、振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１との比較結果として、第１の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。
　また、第１の比較器３５は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ２とを比較し、振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ２との比較結果として、第２の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。
　振幅下限値Ｌｌｉｍ１及び振幅下限値Ｌｌｉｍ２のそれぞれは、バイアス信号生成部３４の内部メモリに格納されていてもよいし、バイアス信号生成部３４の外部から与えられるものであってもよい。
　また、振幅下限値Ｌｌｉｍ１と振幅下限値Ｌｌｉｍ２との大小関係は、制御の安定性の要求度によって決められる。制御の安定性を高める必要がある場合には、振幅下限値Ｌｌｉｍ１が振幅下限値Ｌｌｉｍ２よりも小さい値であることが望ましい。
　第２の比較器３６は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと、振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも第１の閾値ＴｈΔＶｐ１だけ大きい振幅上限値Ｕｌｉｍ１とを比較し、振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ１との比較結果として、第３の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。Ｌｌｉｍ１＋ＴｈΔＶｐ１＝Ｕｌｉｍ１である。
　また、第２の比較器３６は、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと、振幅下限値Ｌｌｉｍ２よりも第２の閾値ＴｈΔＶｐ２だけ大きい振幅上限値Ｕｌｉｍ２とを比較し、振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ２との比較結果として、第４の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。Ｌｌｉｍ２＋ＴｈΔＶｐ２＝Ｕｌｉｍ２である。
　振幅上限値Ｕｌｉｍ１及び振幅上限値Ｕｌｉｍ２のそれぞれは、バイアス信号生成部３４の内部メモリに格納されていてもよいし、バイアス信号生成部３４の外部から与えられるものであってもよい。
　また、振幅上限値Ｕｌｉｍ１と振幅上限値Ｕｌｉｍ２との大小関係は、制御の安定性の要求度によって決められる。制御の安定性を高める必要がある場合には、振幅上限値Ｕｌｉｍ１が振幅上限値Ｕｌｉｍ２よりも大きい値であることが望ましい。
　バイアス信号生成回路３７は、第１の比較器３５の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１以上である旨を示し、かつ、第２の比較器３６の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１以下である旨を示していれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３７は、第１の比較器３５の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さい旨を示していれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３７は、第２の比較器３６の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きい旨を示していれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３７は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、第１の比較器３５の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ２よりも大きい旨を示し、かつ、第２の比較器３６の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ２よりも小さい旨を示していれば、同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開する。
　次に、図８に示す光送信装置の動作について説明する。
　バイアス信号生成部３４以外は、図６に示す光送信装置と同様であり、図６に示す光送信装置と異なる動作を説明する。
　図９は、バイアス信号生成部３４の処理手順を示すフローチャートである。
　バイアス信号生成部３４の第１の比較器３５は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１とを比較する（図９のステップＳＴ３１）。
　第１の比較器３５は、振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ１との比較結果として、第１の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。
　第２の比較器３６は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ１とを比較する（図９のステップＳＴ３２）。
　第２の比較器３６は、振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ１との比較結果として、第３の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。
　バイアス信号生成回路３７は、第１の比較器３５の第１の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１以上である旨を示し（図９のステップＳＴ３３：ＹＥＳの場合）、かつ、第２の比較器３６の第３の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１以下である旨を示していれば（図９のステップＳＴ３４：ＹＥＳの場合）、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する（図９のステップＳＴ３５）。
　即ち、バイアス信号生成回路３７は、Ｌｌｉｍ１≦Ｖｐｅａｋ≦Ｕｌｉｍ１であれば、同期検波回路７から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３７は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路３７は、第１の比較器３５の第１の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さい旨を示していれば（図９のステップＳＴ３３：ＮＯの場合）、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する（図９のステップＳＴ３６）。
　即ち、バイアス信号生成回路３７は、Ｖｐｅａｋ＜Ｌｌｉｍ１であれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ１よりも小さくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３７は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路３７は、第２の比較器３６の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きい旨を示していれば（図９のステップＳＴ３４：ＮＯの場合）、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する（図９のステップＳＴ３６）。
　即ち、バイアス信号生成回路３３は、Ｖｐｅａｋ＞Ｕｌｉｍ１であれば、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路３７は、生成したバイアス信号を位相調整電極部５に出力する。
　第１の比較器３５は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ２とを比較する。
　第１の比較器３５は、振幅Ｖｐｅａｋと振幅下限値Ｌｌｉｍ２との比較結果として、第２の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。
　第２の比較器３６は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ２とを比較する。
　第２の比較器３６は、振幅Ｖｐｅａｋと振幅上限値Ｕｌｉｍ２との比較結果として、第４の比較結果をバイアス信号生成回路３７に出力する。
　バイアス信号生成回路３７は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、第１の比較器３５の第２の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ２よりも大きい旨を示し、かつ、第２の比較器３６の第４の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ２よりも小さい旨を示していれば（図９のステップＳＴ３７：ＹＥＳの場合）、同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成回路３７は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、第１の比較器３５の第２の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅下限値Ｌｌｉｍ２以下である旨を示し、あるいは、第２の比較器３６の第４の比較結果が、変調信号の振幅Ｖｐｅａｋが振幅上限値Ｕｌｉｍ２以上である旨を示していれば（図９のステップＳＴ３７：ＮＯの場合）、同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する処理を再開しない。
　以上の実施の形態４では、バイアス信号生成部３４が、変調信号の振幅の変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成したのち、変調信号の振幅の変化を監視し、当該変化の範囲が第２の閾値よりも小さければ、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開するように、図８に示す光送信装置を構成した。したがって、図８に示す光送信装置は、図１に示す光送信装置と同様に、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、ＩＱ光変調器１による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。また、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を自動的に再開することができる。
実施の形態５．
　実施の形態５では、バイアス信号生成回路４５が、第１のマッハツェンダー干渉計３が位相の調整に用いる位相バイアスφＩを示す第１のバイアス信号及び第２のマッハツェンダー干渉計４が位相の調整に用いる位相バイアスφＱを示す第２のバイアス信号のそれぞれを生成する光送信装置について説明する。
　図１０は、実施の形態５に係る光送信装置を示す構成図である。図１０において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
　図１０に示す光送信装置では、光強度検出器６が第１の光強度検出器であり、同期検波回路７が第１の同期検波回路である。
　第２の光強度検出器４１は、例えば、フォトデテクタによって実現される。
　第２の光強度検出器４１は、第１のマッハツェンダー干渉計３から出力された変調光の光強度を検出し、変調光の光強度を示す光強度信号を後述する第２の同期検波回路４３に出力する。光強度信号は、電気信号である。
　第３の光強度検出器４２は、例えば、フォトデテクタによって実現される。
　第３の光強度検出器４２は、第２のマッハツェンダー干渉計４から出力された変調光の光強度を検出し、変調光の光強度を示す光強度信号を第２の同期検波回路４３に出力する。光強度信号は、電気信号である。
　第２の同期検波回路４３は、例えば、自動バイアス制御回路によって実現される。
　第２の同期検波回路４３は、第２の光強度検出器４１により検出された光強度を示す光強度信号と、第１のディザ信号源から発振されたディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す第１の同期検波信号をバイアス信号生成回路４５に出力する。
　第１のディザ信号源は、例えば、第２の同期検波回路４３に内蔵されていてもよいし、第２の同期検波回路４３の外部に設けられていてもよい。また、第１のディザ信号源は、例えば、同期検波回路７に内蔵されているディザ信号源と同じディザ信号源であってもよい。
　また、第２の同期検波回路４３は、第３の光強度検出器４２により検出された光強度を示す光強度信号と、第２のディザ信号源から発振されたディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す第２の同期検波信号をバイアス信号生成回路４５に出力する。
　第２のディザ信号源は、例えば、第２の同期検波回路４３に内蔵されていてもよいし、第２の同期検波回路４３の外部に設けられていてもよい。
　バイアス信号生成部４４は、変化検出回路９と、比較器１０と、バイアス信号生成回路１１と、バイアス信号生成回路４５とを備えている。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、第２の同期検波回路４３から出力された第１の同期検波信号に従って、第１のマッハツェンダー干渉計３が位相の調整に用いる位相バイアスφＩを示す第１のバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＩを維持する第１のバイアス信号を生成する。変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＩは、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下であるときの１つ以上の位相バイアスφＩのうち、例えば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる直前の位相バイアスφＩである。ただし、これは一例に過ぎず、実用上問題がなければ、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる直前の位相バイアスφＩよりも、例えば、１サンプリング前又は２サンプリング前の位相バイアスφＩであってもよい。
　バイアス信号生成回路４５は、生成した第１のバイアス信号を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、第２の同期検波回路４３から出力された第２の同期検波信号に従って、第２のマッハツェンダー干渉計４が位相の調整に用いる位相バイアスφＱを示す第２のバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＱを維持する第２のバイアス信号を生成する。変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＱは、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下であるときの１つ以上の位相バイアスφＱのうち、例えば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる直前の位相バイアスφＱである。ただし、これは一例に過ぎず、実用上問題がなければ、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる直前の位相バイアスφＱよりも、例えば、１サンプリング前又は２サンプリング前の位相バイアスφＱであってもよい。
　バイアス信号生成回路４５は、生成した第２のバイアス信号を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、アラームを外部に出力する。
　図１０に示す光送信装置では、第２の光強度検出器４１、第３の光強度検出器４２、第２の同期検波回路４３及びバイアス信号生成部４４が、図１に示す光送信装置に適用されている。しかし、これは一例に過ぎず、第２の光強度検出器４１、第３の光強度検出器４２、第２の同期検波回路４３及びバイアス信号生成部４４が、図４に示す光送信装置、図６に示す光送信装置、又は、図８に示す光送信装置に適用されていてもよい。
　次に、図１０に示す光送信装置の動作について説明する。
　第２の光強度検出器４１、第３の光強度検出器４２、第２の同期検波回路４３及びバイアス信号生成回路４５以外は、図１に示す光送信装置と同様であり、図１に示す光送信装置と異なる動作を説明する。
　第２の光強度検出器４１は、第１のマッハツェンダー干渉計３から出力された合波後の変調光の一部を取得し、合波後の変調光の光強度を検出する。
　第２の光強度検出器４１は、検出した光強度を示す光強度信号を第２の同期検波回路４３に出力する。
　第２の同期検波回路４３は、第２の光強度検出器４１により検出された光強度を示す光強度信号と、第１のディザ信号源から発振されたディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す第１の同期検波信号をバイアス信号生成回路４５に出力する。
　第２の同期検波回路４３の同期検波処理は、同期検波回路７と同様の同期検波処理である。
　第３の光強度検出器４２は、第２のマッハツェンダー干渉計４から出力された合波後の変調光の一部を取得し、合波後の変調光の光強度を検出する。
　第３の光強度検出器４２は、検出した光強度を示す光強度信号を第２の同期検波回路４３に出力する。
　第２の同期検波回路４３は、第３の光強度検出器４２により検出された光強度を示す光強度信号と、第２のディザ信号源から発振されたディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す第２の同期検波信号をバイアス信号生成回路４５に出力する。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、第２の同期検波回路４３から出力された第１の同期検波信号に従って、位相バイアスφＩを示す第１のバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路４５は、生成した第１のバイアス信号を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　また、バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、第２の同期検波回路４３から出力された第２の同期検波信号に従って、位相バイアスφＱを示す第２のバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路４５は、生成した第２のバイアス信号を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　同期検波信号に基づいて、同期検波信号が０になるようなバイアス信号を生成することができれば、バイアス信号の生成方法としては、どのような方法でもよいが、バイアス信号生成回路４５が、例えば、同期検波信号とディザ信号とを加算することにより、バイアス信号を生成する方法を用いることができる。
　バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＩを維持する第１のバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路４５は、生成した第１のバイアス信号を第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　また、バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＱを維持する第２のバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路４５は、生成した第２のバイアス信号を第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい場合、変調信号の変調フォーマットが変更されている等の状況が発生している可能性がある。したがって、第２の同期検波回路４３による同期検波の結果が時間的に不連続になる。その結果、バイアス信号生成回路４５によって、第１の同期検波信号に従って生成される第１のバイアス信号が示す位相バイアスφＩ及び第２の同期検波信号に従って生成される第２のバイアス信号が示す位相バイアスφＱのそれぞれが誤った方向に調整されて、ＩＱ光変調器１の出力信号に劣化が生じてしまう可能性がある。
　しかし、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい場合、バイアス信号生成回路４５により生成される第１のバイアス信号が示す位相バイアスφＩ及び第２のバイアス信号が示す位相バイアスφＱのそれぞれが、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスと同じである。このため、バイアス信号生成回路４５により生成される第１のバイアス信号が示す位相バイアスφＩ及び第２のバイアス信号が示す位相バイアスφＱのそれぞれが誤った方向に調整されることに伴う、ＩＱ光変調器１の出力信号に劣化を抑えることができる。
　また、バイアス信号生成回路４５は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、アラームを外部に出力する。
　これにより、図１０に示す光送信装置のユーザ、又は、図１０に示す光送信装置の外部装置は、第２の同期検波回路４３から出力された第１のバイアス信号及び第２のバイアス信号のそれぞれに従って第１のバイアス信号及び第２のバイアス信号のそれぞれを生成する自動バイアス制御が停止されている状態であることを認識することができる。
　バイアス信号生成回路４５は、位相バイアスφＩ及び位相バイアスφＱのそれぞれを維持するバイアス信号を生成したのち、外部から、第１の同期検波信号及び第２の同期検波信号のそれぞれに従って、第１のバイアス信号及び第２のバイアス信号のそれぞれを生成する旨の指示の受け付け処理を開始する。
　バイアス信号生成回路４５は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられると、アラームの出力を停止して、第１の同期検波信号及び第２の同期検波信号のそれぞれに従って、第１のバイアス信号及び第２のバイアス信号のそれぞれを生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成回路４５は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられなければ、第１の同期検波信号及び第２の同期検波信号のそれぞれに従って、第１のバイアス信号及び第２のバイアス信号のそれぞれを生成する処理を再開せずに、指示の受け付け処理を継続する。
　以上の実施の形態５では、バイアス信号生成回路４５が、変化の範囲が第１の閾値以下であれば、第２の同期検波回路４３から出力された第１の同期検波信号に従って、第１のマッハツェンダー干渉計３が位相の調整に用いる位相バイアスを示す第１のバイアス信号を生成し、第２の同期検波回路４３から出力された第２の同期検波信号に従って、第２のマッハツェンダー干渉計４が位相の調整に用いる位相バイアスを示す第２のバイアス信号を生成し、変化の範囲が第１の閾値よりも大きければ、第１のバイアス信号として、変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持する第１のバイアス信号を生成し、第２のバイアス信号として、変化の範囲が第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持する第２のバイアス信号を生成するように、光送信装置を構成した。したがって、光送信装置は、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、ＩＱ光変調器１による位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。
実施の形態６．
　実施の形態６では、第１の直交光変調器（以下、「第１のＩＱ光変調器」と称する）１－１と、第２の直交光変調器（以下、「第２のＩＱ光変調器」と称する）１－２とが並列に接続されている光送信装置について説明する。
　図１１は、実施の形態６に係る光送信装置を示す構成図である。図１１において、図１と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
　第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２のそれぞれは、図１に示すＩＱ光変調器１と同一構成のＩＱ光変調器である。
　第１のＩＱ光変調器１－１と第２のＩＱ光変調器１－２とは、互いに並列に接続されている。
　図１１に示す光送信装置では、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２が、図１に示す光送信装置に適用されている。しかし、これは一例に過ぎず、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２が、図４に示す光送信装置、図６に示す光送信装置、図８に示す光送信装置、又は、図１０に示す光送信装置に適用されていてもよい。
　分岐部５１は、入射された光を２つに分岐し、分岐後の２つの光のうち、一方の光を第１のＩＱ光変調器１－１に出力し、他方の光を第２のＩＱ光変調器１－２に出力する。
　合波部５２は、第１のＩＱ光変調器１－１から出力された変調光と、第２のＩＱ光変調器１－２から出力された変調光とを合波し、合波後の変調光を外部に出力する。
　光強度検出器５３は、例えば、フォトデテクタによって実現される。
　光強度検出器５３は、合波部５２による合波後の変調光の光強度を検出し、変調光の光強度を示す光強度信号を後述する同期検波回路５４に出力する。光強度信号は、電気信号である。
　同期検波回路５４は、例えば、自動バイアス制御回路によって実現される。
　同期検波回路５４は、光強度検出器５３により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施する。
　同期検波回路５４は、同期検波の結果を示す同期検波信号を後述するバイアス信号生成部５５に出力する。
　ディザ信号は、正弦波又は三角波等の規則的な信号である。ディザ信号を発振するディザ信号源は、同期検波回路５４の外部に設けられていてもよいし、同期検波回路５４に内蔵されていてもよい。
　バイアス信号生成部５５は、変化検出回路９と、比較器１０と、バイアス信号生成回路５６と、バイアス信号生成回路５７とを備えている。
　バイアス信号生成部５５は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する。
　バイアス信号生成部５５は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下であれば、同期検波回路５４から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部５５は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きければ、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成部５５は、変化の範囲が第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きければ、アラームを外部に出力する。
　バイアス信号生成部５５は、生成したバイアス信号を第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２のそれぞれに出力する。
　第１の閾値ＴｈΔＶｐ１は、バイアス信号生成部５５の内部メモリに格納されていてもよいし、バイアス信号生成部５５の外部から与えられるものであってもよい。
　バイアス信号生成回路５６は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、同期検波回路５４から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路５６は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路５６は、生成したバイアス信号を、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの位相調整電極部５に出力する。
　バイアス信号生成回路５６は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、アラームを外部に出力する。
　バイアス信号生成回路５７は、位相バイアスφＩを示すＩｃｈ用のバイアス信号を生成し、Ｉｃｈ用のバイアス信号を、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの第１のマッハツェンダー干渉計３に出力する。
　また、バイアス信号生成回路５７は、位相バイアスφＱを示すＱｃｈ用のバイアス信号を生成し、Ｑｃｈ用のバイアス信号を、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの第２のマッハツェンダー干渉計４に出力する。
　次に、図１１に示す光送信装置の動作について説明する。
　分岐部５１は、入射された光を２つに分岐し、分岐後の２つの光のうち、一方の光を第１のＩＱ光変調器１－１に出力し、他方の光を第２のＩＱ光変調器１－２に出力する。
　第１のＩＱ光変調器１－１は、分岐部５１から出力された光が入射されると、図１に示すＩＱ光変調器１と同様に動作し、位相調整後の光である変調光を合波部５２に出力する。
　第２のＩＱ光変調器１－２は、分岐部５１から出力された光が入射されると、図１に示すＩＱ光変調器１と同様に動作し、位相調整後の光である変調光を合波部５２に出力する。
　合波部５２は、第１のＩＱ光変調器１－１から出力された変調光と、第２のＩＱ光変調器１－２から出力された変調光とを合波し、合波後の変調光を外部に出力する。
　光強度検出器５３は、合波部５２による合波後の変調光の一部を取得し、合波後の変調光の光強度を検出する。
　光強度検出器５３は、検出した光強度を示す光強度信号を同期検波回路５４に出力する。
　同期検波回路５４は、光強度検出器５３により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施する。
　同期検波回路５４は、同期検波の結果を示す同期検波信号をバイアス信号生成部５５のバイアス信号生成回路５６に出力する。
　同期検波回路５４の同期検波処理は、図１に示す同期検波回路７と同様の同期検波処理である。
　バイアス信号生成部８の変化検出回路９は、ドライバ１３から出力された変調信号の振幅Ｖｐｅａｋの変化を監視する。
　変化検出回路９は、振幅Ｖｐｅａｋの変化の範囲である変化量ΔＶｐｅａｋを示す信号を比較器１０に出力する。
　比較器１０は、変化検出回路９の出力信号が示す変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１とを比較する。
　比較器１０は、変化量ΔＶｐｅａｋと第１の閾値ＴｈΔＶｐ１との比較結果をバイアス信号生成回路５６に出力する。
　バイアス信号生成回路５６は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１以下である旨を示していれば、同期検波回路５４から出力された同期検波信号に従って、位相バイアスφＰを示すバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路５６は、生成したバイアス信号を、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの位相調整電極部５に出力する。
　第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの位相調整電極部５は、第１のマッハツェンダー干渉計３から出力された変調光の位相と、第２のマッハツェンダー干渉計４から出力された変調光の位相とを、バイアス信号生成回路１１から出力されたバイアス信号が示す位相バイアスφＰによって調整する。
　バイアス信号生成回路５６から出力されたバイアス信号が示す位相バイアスφＰが適正な位相バイアスであれば、位相調整電極部５による位相調整後のそれぞれの変調光の位相差がπ／２になる。
　バイアス信号生成回路５６は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成する。
　バイアス信号生成回路５６は、生成したバイアス信号を、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの位相調整電極部５に出力する。
　変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい場合、変調信号の変調フォーマットが変更されている等の状況が発生している可能性がある。したがって、同期検波回路５４による同期検波の結果が時間的に不連続になり、その結果、バイアス信号生成回路５６によって、同期検波信号に従って生成されるバイアス信号が示す位相バイアスφＰが誤った方向に調整されて、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの出力信号に劣化が生じてしまう可能性がある。
　しかし、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい場合、バイアス信号生成回路５６により生成されるバイアス信号が示す位相バイアスφＰが、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きくなる前の位相バイアスと同じである。このため、バイアス信号生成回路５６により生成されるバイアス信号が示す位相バイアスφＰが誤った方向に調整されることに伴う、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの出力信号に劣化を抑えることができる。
　また、バイアス信号生成回路５６は、比較器１０の比較結果が、変化量ΔＶｐｅａｋが第１の閾値ＴｈΔＶｐ１よりも大きい旨を示していれば、アラームを外部に出力する。
　これにより、図１１に示す光送信装置のユーザ、又は、図１１に示す光送信装置の外部装置は、同期検波回路５４から出力された同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する自動バイアス制御が停止されている状態であることを認識することができる。
　バイアス信号生成回路５６は、位相バイアスφＰを維持するバイアス信号を生成したのち、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示の受け付け処理を開始する。
　バイアス信号生成回路５６は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられると、アラームの出力を停止して、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開する。
　バイアス信号生成回路５６は、外部から、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する旨の指示が与えられなければ、同期検波信号に従ってバイアス信号を生成する処理を再開せずに、指示の受け付け処理を継続する。
　以上より、第１のＩＱ光変調器１－１と、第２のＩＱ光変調器１－２とが並列に接続されている光送信装置であっても、同期検波の結果が時間的に不連続になっても、第１のＩＱ光変調器１－１及び第２のＩＱ光変調器１－２におけるそれぞれの位相調整後の変調光の劣化を抑えることができる。
　なお、本開示は、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
　本開示は、直交光変調器を備える光送信装置に適している。
　１　ＩＱ光変調器、１－１　第１のＩＱ光変調器、１－２　第２のＩＱ光変調器、２　分岐部、３　第１のマッハツェンダー干渉計、４　第２のマッハツェンダー干渉計、５　位相調整電極部、６　光強度検出器、７　同期検波回路、８　バイアス信号生成部、９　変化検出回路、１０　比較器、１１　バイアス信号生成回路、１２　バイアス信号生成回路、１３　ドライバ、１４　バイアス信号生成部、１５　比較器、１６　バイアス信号生成回路、２１　メモリ、２２　プロセッサ、３０　バイアス信号生成部、３１　第１の比較器、３２　第２の比較器、３３　バイアス信号生成回路、３４　バイアス信号生成部、３５　第１の比較器、３６　第２の比較器、３７　バイアス信号生成回路、４１　第２の光強度検出器、４２　第３の光強度検出器、４３　第２の同期検波回路、４４　バイアス信号生成部、４５　バイアス信号生成回路、５１　分岐部、５２　合波部、５３　光強度検出器、５４　同期検波回路、５５　バイアス信号生成部、５６　バイアス信号生成回路、５７　バイアス信号生成回路。

Claims (10)

  1. 　入射された光を変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、前記入射された光の位相を前記バイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を前記変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力する直交光変調器と、
    　前記直交光変調器から出力された変調光の光強度を検出する光強度検出器と、
    　前記光強度検出器により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す同期検波信号を出力する同期検波回路と、
    　前記変調信号の振幅の変化を監視し、前記変化の範囲が第１の閾値以下であれば、前記同期検波回路から出力された同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成し、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きければ、前記バイアス信号として、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成部と
    　を備えた光送信装置。
  2. 　前記バイアス信号生成部は、
    　前記変調信号の振幅の変化を検出する変化検出回路と、
    　前記変化検出回路により検出された変化の範囲と前記第１の閾値とを比較する比較器と、
    　前記比較器の比較結果が、前記変化の範囲が前記第１の閾値以下である旨を示していれば、前記同期検波回路から出力された同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成し、前記比較器の比較結果が、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きい旨を示していれば、前記バイアス信号として、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成回路と
    　を備えていることを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
  3. 　前記バイアス信号生成部は、
    　前記変調信号の振幅と振幅下限値とを比較する第１の比較器と、
    　前記変調信号の振幅と、前記振幅下限値よりも前記第１の閾値だけ大きい振幅上限値とを比較する第２の比較器と、
    　前記第１の比較器の比較結果が、前記変調信号の振幅が前記振幅下限値以上である旨を示し、かつ、前記第２の比較器の比較結果が、前記変調信号の振幅が前記振幅上限値以下である旨を示していれば、前記同期検波回路から出力された同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成し、前記変調信号の振幅が前記振幅下限値よりも小さい旨を示していれば、前記バイアス信号として、前記変調信号の振幅が前記振幅下限値よりも小さくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成し、前記第２の比較器の比較結果が、前記変調信号の振幅が前記振幅上限値よりも大きい旨を示していれば、前記バイアス信号として、前記変調信号の振幅が前記振幅上限値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成回路と
    　を備えていることを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
  4. 　前記バイアス信号生成部は、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きければ、アラームを出力することを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
  5. 　前記バイアス信号生成部は、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成したのち、外部から、前記同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成する旨の指示が与えられると、前記同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成する処理を再開することを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
  6. 　前記バイアス信号生成部は、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成したのち、前記変調信号の振幅の変化を監視し、当該変化の範囲が第２の閾値よりも小さければ、前記同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成する処理を再開することを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
  7. 　前記直交光変調器は、
    　前記入射された光を２つに分岐する分岐部と、
    　前記分岐部による分岐後の２つの光のうち、一方の光を前記変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相を調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、前記一方の光の位相を調整してから、位相調整後の光を前記変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力する第１のマッハツェンダー干渉計と、
    　前記分岐部による分岐後の２つの光のうち、他方の光を前記変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相を調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、前記他方の光の位相を調整してから、位相調整後の光を前記変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力する第２のマッハツェンダー干渉計と、
    　前記第１のマッハツェンダー干渉計から出力された変調光の位相と、前記第２のマッハツェンダー干渉計から出力された変調光の位相とを前記バイアス信号が示す位相バイアスによって調整し、当該位相バイアスによる２つの位相調整後の変調光を合波する位相調整電極部と
    　を備えていることを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
  8. 　前記光強度検出器は、前記位相調整電極部による合波後の変調光の光強度を検出し、
    　前記同期検波回路は、前記光強度検出器により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す同期検波信号を出力し、
    　前記バイアス信号生成部は、前記変調信号の振幅の変化を監視し、前記変化の範囲が第１の閾値以下であれば、前記バイアス信号として、前記同期検波回路から出力された同期検波信号に従って、前記位相調整電極部が位相の調整に用いる位相バイアスを示すバイアス信号を生成し、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きければ、前記バイアス信号として、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成することを特徴とする請求項７記載の光送信装置。
  9. 　前記光強度検出器が第１の光強度検出器、前記同期検波回路が第１の同期検波回路であり、
    　前記第１のマッハツェンダー干渉計から出力された変調光の光強度を検出する第２の光強度検出器と、
    　前記第２のマッハツェンダー干渉計から出力された変調光の光強度を検出する第３の光強度検出器と、
    　前記第２の光強度検出器により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す第１の同期検波信号を出力し、前記第３の光強度検出器により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、当該同期検波の結果を示す第２の同期検波信号を出力する第２の同期検波回路とを備え、
    　前記バイアス信号生成部は、前記変化の範囲が第１の閾値以下であれば、前記第２の同期検波回路から出力された第１の同期検波信号に従って、前記第１のマッハツェンダー干渉計が位相の調整に用いる位相バイアスを示す第１のバイアス信号を生成し、前記第２の同期検波回路から出力された第２の同期検波信号に従って、前記第２のマッハツェンダー干渉計が位相の調整に用いる位相バイアスを示す第２のバイアス信号を生成し、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きければ、前記第１のバイアス信号として、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持する第１のバイアス信号を生成し、前記第２のバイアス信号として、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持する第２のバイアス信号を生成することを特徴とする請求項８記載の光送信装置。
  10. 　入射された光を２つに分岐する分岐部と、
    　前記分岐部による分岐後の２つの光のうち、一方の光を変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相をバイアス信号が示す位相バイアスによって調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、前記一方の光の位相を前記バイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を前記変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力する第１の直交光変調器と、
    　前記分岐部による分岐後の２つの光のうち、他方の光を前記変調信号によって変調してから、変調後の光である変調光の位相を前記バイアス信号が示す位相バイアスによって調整して、位相調整後の変調光を出力し、又は、前記他方の光の位相を前記バイアス信号が示す位相バイアスによって調整してから、位相調整後の光を前記変調信号によって変調して、変調後の光である変調光を出力する第２の直交光変調器と、
    　前記第１の直交光変調器から出力された変調光と前記第２の直交光変調器から出力された変調光とを合波する合波部と、
    　前記合波部による合波後の変調光の光強度を検出する光強度検出器と、
    　前記光強度検出器により検出された光強度を示す光強度信号とディザ信号との同期検波を実施し、同期検波の結果を示す同期検波信号を出力する同期検波回路と、
    　前記変調信号の振幅の変化を監視し、前記変化の範囲が第１の閾値以下であれば、前記同期検波回路から出力された同期検波信号に従って前記バイアス信号を生成し、前記変化の範囲が第１の閾値よりも大きければ、前記バイアス信号として、前記変化の範囲が前記第１の閾値よりも大きくなる前の位相バイアスを維持するバイアス信号を生成するバイアス信号生成部と
    　を備えた光送信装置。
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