JP2009094479A - 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】不揮発性メモリ装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのメインストリング及び電荷供給ラインを備える不揮発性メモリ装置。それぞれのメインストリングは、複数のメモリセルトランジスタをそれぞれ備える第1サブストリングと第2サブストリングとをそれぞれ備える。電荷供給ラインは、それぞれのメインストリングの第1及び第2サブストリングに電荷を供給または遮断する。それぞれのメインストリングは、第1サブストリングに連結される第1接地選択トランジスタと、第1接地選択トランジスタに連結される第1サブストリング選択トランジスタと、第2サブストリングに連結される第2接地選択トランジスタと、第2接地選択トランジスタに連結される第2サブストリング選択トランジスタと、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】少なくとも一つのメインストリング及び電荷供給ラインを備える不揮発性メモリ装置。それぞれのメインストリングは、複数のメモリセルトランジスタをそれぞれ備える第1サブストリングと第2サブストリングとをそれぞれ備える。電荷供給ラインは、それぞれのメインストリングの第1及び第2サブストリングに電荷を供給または遮断する。それぞれのメインストリングは、第1サブストリングに連結される第1接地選択トランジスタと、第1接地選択トランジスタに連結される第1サブストリング選択トランジスタと、第2サブストリングに連結される第2接地選択トランジスタと、第2接地選択トランジスタに連結される第2サブストリング選択トランジスタと、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、不揮発性メモリ装置に係り、特にチャンネルブースティングを利用せずに動作できる不揮発性メモリ装置に関する。
NAND型の不揮発性メモリ素子は、NANDストリングに配列されたメモリトランジスタを備えることができる。ワードラインは、NANDストリングを渡ってメモリトランジスタにカップリングされうる。したがって、かかるNAND型の不揮発性メモリ素子で、選択されていないNANDストリングに配列されたメモリトランジスタにデータがプログラムされることを防止する必要がある。
例えば、特許文献1及び2は、チャンネルブースティング技術を利用して一部のNANDストリングのプログラムを防止する技術を公開している。チャンネルブースティング技術によれば、選択されていないNANDストリングのチャンネルに高いブースティング電圧を印加して、メモリトランジスタに印加されるプログラム電位を低めることができる。
しかし、ブースティング電圧は最外側に位置したメモリトランジスタを損傷させて、不揮発性メモリ素子の動作信頼性を落とす恐れがある。例えば、GIDL(Gate Induced Drain Leakage)による熱電荷がメモリトランジスタを撹乱させる恐れがある。これにより、メモリトランジスタのプログラム及びパスウィンドウが減少し、読み取り動作時に短チャンネル効果が発生できる。
国際公開第WO05/078733号パンプレット
国際公開第WO06/124525号パンプレット
本発明が解決しようとする技術的課題は、チャンネルブースティングを利用せずに動作できる不揮発性メモリ装置を提供するところにある。
前記技術的課題を達成するための本発明による不揮発性メモリ装置は、少なくとも一つのメインストリング及び電荷供給ラインを備える。それぞれのメインストリングは、複数のメモリセルトランジスタをそれぞれ備える第1サブストリングと第2サブストリングとをそれぞれ備える。電荷供給ラインは、前記それぞれのメインストリングの第1及び第2サブストリングに電荷を供給または遮断する。それぞれのメインストリングは、前記第1サブストリングに連結される第1接地選択トランジスタと、前記第1接地選択トランジスタに連結される第1サブストリング選択トランジスタと、前記第2サブストリングに連結される第2接地選択トランジスタと、前記第2接地選択トランジスタに連結される第2サブストリング選択トランジスタと、を備える。
本発明による不揮発性メモリ装置は、前記第1サブストリング選択トランジスタのゲートに連結される第1サブストリング選択ラインと、前記第2サブストリング選択トランジスタのゲートに連結される第2サブストリング選択ラインと、をさらに備えることができる。
本発明による不揮発性メモリ装置は、前記メモリセルトランジスタ間の半導体基板に、フリンジフィールドによるソース及びドレイン領域を形成させることができる。前記フリンジフィールドは、前記メモリセルトランジスタのゲートに電圧を印加することによって、設けられうる。
前記第1サブストリング及び前記第2サブストリングは、垂直構造フラッシュメモリを形成できる。前記それぞれのメインストリングの第1及び第2サブストリングは、一つのビットラインを共有できる。
前記電荷供給ラインは、共通ソースラインでありうる。
本発明による不揮発性メモリ装置のプログラミング方法は、プログラミング対象メモリセルトランジスタをプログラミングするために、前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属するメインストリングに備えられる第1及び第2接地選択トランジスタをターンオンさせ、前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属するサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオンさせ、前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属していないサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオフさせる。
本発明による不揮発性メモリ装置の読み出し方法は、読み出し対象メモリセルトランジスタが属するメインストリングに備えられる第1及び第2接地選択トランジスタをターンオンさせ、読み出し対象メモリセルトランジスタが属するサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオンさせ、前記読み出し対象メモリセルトランジスタが属していないサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオフさせる。
本発明による不揮発性メモリセルプログラミング方法は、チャンネルブースティングを利用せずにプログラミング及び読み出し動作を行うことができる。それにより、高いチャンネルブースティング電圧を利用した場合に発生した最外側メモリセルトランジスタの損傷を抑制できる。
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び図面に記載された内容を参照せねばならない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
図1は、本発明の実施形態による不揮発性メモリ装置を示す回路図である。
図1を参照すれば、本発明による不揮発性メモリ装置は、少なくとも一つのメインストリングMS1、MS2及び電荷供給ラインCSLを備える。
それぞれのメインストリング(例えば、MS1)は、第1サブストリングTM1_1〜TMn_1と第2サブストリングTM1_2〜TMn_2とを備え、第1サブストリングTM1_1〜TMn_1と第2サブストリングTM1_2〜TMn_2とは、複数のメモリセルトランジスタTM1_1〜TMn_1、TM1_2〜TMn_2をそれぞれ備える。電荷供給ラインCSLは、それぞれのメインストリングMS1、MS2の第1及び第2サブストリングTM1_1〜TMn_1、TM1_2〜TMn_2に電荷を供給または遮断する。
それぞれのメインストリングMS1、MS2は、第1接地選択トランジスタTGS1、TGS3、第1サブストリング選択トランジスタTSI1、TSI3、第2接地選択トランジスタTGS2、TGS4及び第2サブストリング選択トランジスタTSI2、TSI4を備える。第1接地選択トランジスタTGS1、TGS3と第1サブストリング選択トランジスタTSI1、TSI3とは、第1サブストリングTM1_1〜TMn_1、TM1_3〜TMn_3に連結され、第2接地選択トランジスタTGS2、TGS4と第2サブストリング選択トランジスタTSI2、TSI4とは、第2サブストリングTM1_2〜TMn_2、TM1_4〜TMn_4に連結される。
本発明による不揮発性メモリ装置は、第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2、TGS3、TGS4を利用してメインストリングの選択性を確保でき、第1及び第2サブストリング選択トランジスタTSI1、TSI2を利用してサブストリングの選択性を確保できる。例えば、第1メインストリングMS1の第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2をターンオンさせることによって第1メインストリングMS1を選択してもよく、第2メインストリングMS2の第1及び第2接地選択トランジスタTGS3、TGS4をターンオフさせることによって第2メインストリングMS2を選択しなくてもよい。また、第1メインストリングMS1の第1サブストリング選択トランジスタTSI1をターンオンさせることによって第1サブストリングTM1_1〜TMn_1を選択してもよく、第1メインストリングMS1の第2サブストリング選択トランジスタTSI2をターンオフさせることによって第2サブストリングTM1_2〜TMn_2を選択しなくてもよい。それにより、本発明による不揮発性メモリ装置は特定サブストリングを個別的に選択できる長所がある。
サブストリングを個別的に選択するために、本発明による不揮発性メモリ装置は、第1サブストリング選択ラインSI1と第2サブストリング選択ラインSI2とを備えることができる。第1サブストリング選択ラインSI1は、第1サブストリング選択トランジスタTSI1のゲートに連結され、第2サブストリング選択ラインSI2は、第2サブストリング選択トランジスタTSI2のゲートに連結される。第1サブストリング選択ラインSI1と第2サブストリング選択ラインSI2とに印加される電圧レベルを調節して、第1サブストリング選択トランジスタTSI1と第2サブストリング選択トランジスタTSI2とを個別的にターンオンまたはターンオフさせることができる。それにより、第1サブストリングTM1_1〜TMn_1と第2サブストリングTM1_2〜TMn_2とを個別的に選択できる。例えば、第1サブストリング選択ラインSI1に0Vを印加し、第2サブストリング選択ラインSI2にVccを印加すれば、第1サブストリング選択トランジスタTSI1はターンオフされ、第2サブストリング選択トランジスタTSI2はターンオンされる。それにより、第2サブストリングTM1_2〜TMn_2が選択される。
第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2、TGS3、TGS4を制御するために、本発明による不揮発性メモリ装置は、接地選択ラインGSL1、GSL2を備えることができる。それぞれの接地選択ラインGSL1、GSL2は、第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2、TGS3、TGS4のゲートに連結される。それぞれの接地選択ラインGSL1、GSL2に印加される電圧レベルを調節して、第1メインストリングMS1の第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2をターンオンさせるか、または第2メインストリングMS1の第1及び第2接地選択トランジスタTGS3、TGS4をターンオンさせることができる。それにより、メインストリングを個別的に選択できる。
本発明による不揮発性メモリ装置で、それぞれの接地選択ラインGSL1、GSL2は対応するビットラインBL1、BL2に連結されうる。この場合、ビットラインBL1、BL2に印加される電圧は、対応する接地選択ラインGSL1、GSL2にそのまま伝えられて、接地選択ラインGSL1、GSL2の電圧レベルは、それに対応するビットラインBL1、BL2の電圧レベルと同じくなる。それにより、ビットラインBL1、BL2に印加する電圧レベルを調節することによって、接地選択ラインGSL1、GSL2に連結される接地選択トランジスタTGS1、TGS2、TGS3、TGS4を制御できる。
本発明による不揮発性メモリ装置は、第1ストリング選択トランジスタTSS1、TSS3と第2ストリング選択トランジスタTSS2、TSS4を備えることができる。第1ストリング選択トランジスタTSS1、TSS3は第1サブストリングTM1_1〜TMn_1、TM1_3〜TMn_3に連結され、第2ストリング選択トランジスタTSS2、TSS4は第2サブストリングTM1_2〜TMn_2、TM1_4〜TMn_4に連結されうる。
本発明による不揮発性メモリ装置で、第1サブストリングTM1_1〜TMn_1と第2サブストリングTM1_2〜TMn_2とは垂直構造フラッシュメモリを形成できる。それにより、それぞれのビットライン(例えば、BL1)は、第1及び第2サブストリングTM1_1〜TMn_1、TM1_2〜TMn_2によって共有されうる。垂直構造フラッシュメモリに関しては、韓国登録特許第0707200号明細書をさらに参照でき、その内容は本願に含まれうる。
本発明による不揮発性メモリ装置が垂直構造フラッシュメモリ構造を備える場合、一つのビットライン(例えば、BL1)を利用して、2個のサブストリング(第1サブストリングと第2サブストリング)に連結される接地選択トランジスタTGS1、TGS2を制御できる。また、前述したように、第1及び第2サブストリング選択トランジスタTSI1、TSI2を利用して、一つのビットライン(例えば、BL1)に連結される2個のサブストリングのうち、一つのサブストリングを選択できる。
本発明による不揮発性メモリ装置で、電荷供給ラインCSLは共通ソースラインでありうる。
図2は、図1の不揮発性メモリ装置の一部分を示す回路図である。
図3は、図1の不揮発性メモリ装置の一部分を示す断面図である。
図4は、図1の不揮発性メモリ装置の一部分を示す平面図である。
図2ないし図4には、図1の一つのサブストリングTM1_1〜TMn_1とそれに連結されるトランジスタTSS1、TGS1、TSI1とが図示される。
図3及び図4を参照すれば、サブストリングTM1_1〜TMn_1とそれに連結されるトランジスタTSS1、TGS1、TSI1とは、半導体基板SUB上に形成されうる。半導体基板SUBの一部分は電荷の導電通路を提供できる。半導体基板SUBは、例えば、シリコン、ゲルマニウムまたはシリコン−ゲルマニウムを含むことができる。
メモリセルトランジスタTM1_1〜TMn_1は、半導体基板SUB上の電荷保存層SN1〜SNn及び制御ゲート電極CG1〜CGnの積層構造を備えることができる。例えば、制御ゲート電極CG1〜CGnは、電荷保存層SN1〜SNn上にブロッキング絶縁層(図示せず)によって離隔配置されうる。電荷保存層SN1〜SNnは、フローティングゲート層または電荷トラップ層として利用できる。さらに、半導体基板SUBと電荷保存層SN1〜SNnとの間にはトンネリング絶縁層(図示せず)が介在されうる。
制御ゲート電極CG1〜CGnは、ワードラインパターンWLP0〜WLPnの一部でありうる。さらに、ワードラインパターンWLP0〜WLPnは、図1及び図2に示したワードラインWL0、WL1、WL2…WL29、WL30、WL31の役割を行える。
図2のストリング選択トランジスタTSS1は、半導体基板SUB上のゲート電極CGTSSを備えることができる。ゲート電極CGTSSは、ストリング選択ラインSSLを構成するストリング選択ラインパターンSSLPの一部でありうる。図2の接地選択トランジスタTGS1は、半導体基板SUB上のゲート電極CGTGSを備えることができる。図2のサブストリング選択トランジスタTSI1は、半導体基板SUB上のゲート電極CGTSI1を備えることができる。ゲート電極CGTSI1は、サブストリング選択ラインSI1を構成するサブストリング選択ラインパターンSIP1の一部でありうる。
ストリング選択トランジスタTSS1及び接地選択トランジスタTGS1は、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ構造を持つことができる。
本発明による不揮発性メモリ装置は、第1ダミーサブストリング選択トランジスタ(図示せず)と第2ダミーサブストリング選択トランジスタ(図示せず)とを備えることができる。第2サブストリング選択トランジスタTSI2のゲートの役割を行うサブストリング選択ラインパターンSIP2は、第1サブストリング選択トランジスタTSI1と第1接地選択トランジスタTGS1との間の空いている空間を通る。このような空間を通るサブストリング選択ラインパターンSIP2の一部分で、第1ダミーサブストリング選択トランジスタ(図示せず)のゲートを形成できる。第2サブストリング選択トランジスタTSI2と共通ソースラインCSLとの間の空いている空間を通るサブストリング選択ラインパターンSIP1の一部分で、第2ダミーサブストリング選択トランジスタ(図示せず)のゲートを形成できる。
本発明による不揮発性メモリ装置は、第1ソース及びドレイン領域310、312を備えることができる。第1ソース及びドレイン領域(図示せず)は、半導体基板SUBに不純物をドーピングして形成できる。例えば、半導体基板SUBが第1導電型を持つならば、第1ソース及びドレイン領域310、312は、第1導電型と反対の第2導電型の不純物でドーピングされうる。したがって、第1ソース及びドレイン領域310、312は、半導体基板SUBとダイオード接合を形成できる。
ビットラインBL1は、コンタクトプラグDCを利用して半導体基板SUBの第1ソース及びドレイン領域310に連結されうる。共通ソースラインCSLは、半導体基板上の第1ソース及びドレイン領域312に電気的に連結されうる。
第1ソース及びドレイン領域310、312は、トランジスタの外側に配置された半導体基板SUBのみに形成されうる。したがって、メモリセルトランジスタTM1〜TMnの制御ゲート電極CG1〜CGnの間、メモリセルトランジスタTM1〜TMnの制御ゲート電極CG1〜CGnとストリング選択トランジスタTSS1のストリング選択ラインパターンSSLPとの間、及びメモリセルトランジスタTM1〜TMnの制御ゲート電極CG1〜CGnと第1及び第2サブストリング選択トランジスタTSS1のサブストリング選択ラインパターンSIP1のとの間に配置された半導体基板SUBには、第1ソース及びドレイン領域が形成されない。
第1ソース及びドレイン領域が形成されていない領域には、第2ソース及びドレイン領域320〜327が形成されうる。第2ソース及びドレイン領域320〜327は、メモリセルトランジスタTM1〜TMnの制御ゲート電極CG1〜CGn間の半導体基板SUBに形成できる。
第2ソース及びドレイン領域320〜327は、不揮発性メモリ装置の動作モードによって選択的に形成されうる。例えば、不揮発性メモリ装置のプログラム及び読み出しモードで第2ソース及びドレイン領域320〜327が形成され、残りのモードで第2ソース及びドレイン領域320〜327が形成されない。第2ソース及びドレイン領域320〜327が選択的に形成されるという意味を表すために、図3には、第2ソース及びドレイン領域320〜327が点線で表示されている。
第2ソース及びドレイン領域320〜327は、制御ゲート電極CG1〜CGnに印加された電圧によるフリンジフィールドによって形成されうる。
図7は、図1の不揮発性メモリ装置でフリンジフィールドが発生する態様を示す図面である。図7には、フリンジフィールドFFによって第2ソース及びドレイン領域320〜323が形成される態様が図示される。第2ソース及びドレイン領域320〜327は、電界効果によって形成された反転層であり、チャンネルと類似している。第2ソース及びドレイン領域320〜327は、制御ゲート電極CG1〜CGnに電圧が印加された場合のみに形成されうる。このような点で、電界効果により形成された第2ソース及びドレイン領域320〜327は、不純物ドーピングにより形成された第1ソース及びドレイン領域310、312と区分されうる。電界効果により形成された第2ソース及びドレイン領域320〜327は韓国登録特許第0673020号明細書をさらに参照でき、その内容は本願に含まれうる。
第2ソース及びドレイン領域320〜327は、制御ゲート電極CG1〜CGnとストリング選択トランジスタTSS1のストリング選択ラインパターンSSLPとの間、及び制御ゲート電極CG1〜CGnと第1及び第2サブストリング選択トランジスタTSS1のサブストリング選択ラインパターンSIP1との間にさらに形成されうる。第2ソース及びドレイン領域(図示せず)は、不揮発性メモリ素子のプログラム及び読み出し動作時に電荷の導電通路になりうる。
図8は、フリンジフィールドが発生する場合に図1の不揮発性メモリ装置の動作特性を示すグラフである。
図8を参照すれば、第2ソース及びドレイン領域320〜327に自由電子がない場合Aと自由電子がある場合Bとのプログラム特性の差が分かる。通例的なNAND構造の不揮発性メモリ素子は、ステップパルスプログラム方式を利用できる。この場合、ステップパルスは約15ないし20μsの維持時間を持つことができる。
Aの場合、約100μsの書き込み時間までフラットバンド電圧V_FLATの変化がほとんどないことが分かる。しかし、約100μsの書き込み時間でBの場合は、Aの場合に比べて約3V以上のフラットバンド電圧V_FLATの変化が観察されるということが分かる。フラットバンド電圧V_FLATの変化はしきい電圧の変化を意味し、したがって、プログラム如何に影響を及ぼすことができる。したがって、15ないし20μsの通例的な書き込み時間のステップパルスプログラムを利用した場合、Aの場合にほとんどプログラムされず、Bの場合にはプログラムが実行されるということがわかる。
したがって、第2ソース及びドレイン領域320〜327に自由電子が供給された場合にはプログラム動作ができるが、自由電子が供給されない場合にはプログラムが防止されるということが分かる。このような原理を利用すれば、高いチャンネルブースティング電圧を印加しなくてもプログラム防止動作を具現できる。
例えば、図1ないし図4で、メモリセルトランジスタTM1_1〜TMn_1にデータプログラムを行おうとする時は、第1接地選択トランジスタTGS1をターンオンさせて、共通ソースラインCSLから第2ソース及びドレイン領域320〜327に自由電子を供給できる。一方、メモリトランジスタTM1_1〜TMn_1にデータがプログラムされることを防止しようとする時は、第1ストリング選択トランジスタTSS1及び第1接地選択トランジスタTGS1をいずれもターンオフさせることによって、第2ソース及びドレイン領域320〜327に自由電子を注入させないことができる。
図5は、図1の不揮発性メモリ装置のプログラミング動作を説明するための図面である。
以下では、メモリセルトランジスタTMn−2_2をプログラミング対象メモリセルトランジスタと仮定して説明する。プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2をプログラミングするために、プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属するメインストリングMS1に含まれる第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2をターンオンさせる。また、プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属するサブストリングTM1_2〜TMn_2に連結されるサブストリング選択トランジスタTSI2をターンオンさせ、プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属していないサブストリングTM1_1〜TMn_1に連結されるサブストリング選択トランジスタTSI1をターンオフさせる。
一方、プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属するメインストリングMS1以外の残りのメインストリングMS2に対するプログラミングを禁止するために、残りのメインストリングMS2に含まれる第1及び第2接地選択トランジスタTGS3、TGS4をターンオフさせることができる。
プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属するメインストリングMS1に連結されるビットラインBL1にはVccを印加し、残りのメインストリングMS2に連結されるビットラインBL2には接地電圧を印加することによって、メインストリングMS1が選択され、メインストリングMS2が選択されないようにすることができる。
かかるプログラミングモードで、電荷供給ラインCSLに接地電圧を印加できる。それにより、電荷供給ラインCSLからプログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2に電荷を供給することによってプログラミング動作を行える。
プログラミングモードで、プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2にプログラミング電圧Vpgmを印加し、残りのメモリセルトランジスタTM1_2〜TM3_2、TMn−1_2〜TMn_2にパス電圧Vpassを印加できる。パス電圧Vpassは、メモリセルトランジスタをターンオンさせる電圧であり、プログラミング電圧Vpgmは、パス電圧Vpassより高い電圧でありうる。
プログラミング対象メモリセルトランジスタTMn−2_2と第2接地選択トランジスタTGS2との間に位置しないメモリセルトランジスタTMn−1_2〜TMn_2には、パス電圧Vpassを印加する代わりに接地電圧を印加するか、またはフローティングさせることができる。
図6は、図1の不揮発性メモリ装置の読み出し動作を説明するための図面である。
以下では、メモリセルトランジスタTMn−2_2を読み出し対象メモリセルトランジスタと仮定して説明する。読み出し対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属するメインストリングMS1に含まれる第1及び第2接地選択トランジスタTGS1、TGS2をターンオンさせ、読み出し対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属するサブストリングTM1_2〜TMn_2に連結されるサブストリング選択トランジスタTSI2をターンオンさせ、読み出し対象メモリセルトランジスタTMn−2_2が属していないサブストリングTM1_1〜TMn_1に連結されるサブストリング選択トランジスタTSI1をターンオフさせる。
かかるプログラミングモードで、電荷供給ラインCSLに接地電圧を印加できる。また、読み出し対象メモリセルトランジスタTMn−2_2に読み出し電圧Vreadを印加し、残りのメモリセルトランジスタTM1_2〜TM3_2、TMn−1_2〜TMn_2にパス電圧Vpassを印加できる。パス電圧Vpassは、メモリセルトランジスタをターンオンさせる電圧であり、読み出し電圧Vreadは、読み出し対象メモリセルトランジスタTMn−2_2のしきい電圧レベルによって読み出し対象メモリセルトランジスタTMn−2_2をターンオンまたはターンオフさせる電圧である。
図1には、サブストリング選択トランジスタ(例えば、TSI1)とメモリセルトランジスタTM1_1〜TMn_1との間に接地選択トランジスタTGS1が配置されていることが示されている。しかし、サブストリング選択トランジスタTSI1と接地選択トランジスタTGS1との位置は互いに入れ替わりうる。すなわち、接地選択トランジスタTGS1とメモリセルトランジスタTM1_1〜TMn_1との間にサブストリング選択トランジスタTSI1が配置されうる。このように構造が変更された場合の不揮発性メモリ装置の動作は、図1に示した不揮発性メモリ装置の動作に対応するため、それについての詳細な説明は省略される。
以上のように図面と明細書で最適の実施形態が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により定められねばならない。
本発明は、不揮発性メモリ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
MS1、MS2 メインストリング
CSL 電荷供給ライン
GSL1 接地選択ライン
BL1、BL2 ビットライン
TM1_1〜TMn_1 第1サブストリング
TM1_2〜TMn_2 第2サブストリング
TGS1、TGS3 第1接地選択トランジスタ
TGS2、TGS4 第2接地選択トランジスタ
TSI1、TSI3 第1サブストリング選択トランジスタ
TSI2、TSI4 第2サブストリング選択トランジスタ
TSS1、TSS3 第1ストリング選択トランジスタ
TSS2、TSS4 第2ストリング選択トランジスタ
CSL 電荷供給ライン
GSL1 接地選択ライン
BL1、BL2 ビットライン
TM1_1〜TMn_1 第1サブストリング
TM1_2〜TMn_2 第2サブストリング
TGS1、TGS3 第1接地選択トランジスタ
TGS2、TGS4 第2接地選択トランジスタ
TSI1、TSI3 第1サブストリング選択トランジスタ
TSI2、TSI4 第2サブストリング選択トランジスタ
TSS1、TSS3 第1ストリング選択トランジスタ
TSS2、TSS4 第2ストリング選択トランジスタ
Claims (22)
- 複数のメモリセルトランジスタをそれぞれ備える第1サブストリングと第2サブストリングとをそれぞれ備える少なくとも一つのメインストリングと、
前記それぞれのメインストリングの第1及び第2サブストリングに電荷を供給または遮断する電荷供給ラインと、を備え、
前記それぞれのメインストリングは、
前記第1サブストリングに連結される第1トランジスタと、
前記第1トランジスタに連結される第2トランジスタと、
前記第2サブストリングに連結される第3トランジスタと、
前記第3トランジスタに連結される第4トランジスタと、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1トランジスタは、第1接地選択トランジスタであり、
前記第2トランジスタは、第1サブストリング選択トランジスタであり、
前記第3トランジスタは、第2接地選択トランジスタであり、
前記第4トランジスタは、第2サブストリング選択トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1サブストリング選択トランジスタのゲートに連結される第1サブストリング選択ラインと、
前記第2サブストリング選択トランジスタのゲートに連結される第2サブストリング選択ラインと、をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1接地選択トランジスタと前記第1サブストリング選択トランジスタとの間に連結され、前記第2サブストリング選択ラインに連結されるゲートを備える第1ダミーサブストリング選択トランジスタと、
前記第2サブストリング選択トランジスタに連結され、前記第1サブストリング選択ラインに連結されるゲートを備える第2ダミーサブストリング選択トランジスタと、をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1及び第2接地選択トランジスタのゲートに連結される接地選択ラインをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- ビットラインをさらに備え、
前記接地選択ラインは、
前記ビットラインに連結されることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記それぞれのメインストリングの第1及び第2サブストリングによって共有されるビットラインをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記電荷供給ラインは、
共通ソースラインであることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1サブストリングに連結される第1ストリング選択トランジスタと、
前記第2サブストリングに連結される第2ストリング選択トランジスタと、をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - フリンジフィールドによって、前記メモリセルトランジスタ間の半導体基板にソース及びドレイン領域を形成させることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記フリンジフィールドは、
前記メモリセルトランジスタのゲートに電圧を印加することによって形成されることを特徴とする請求項10に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1サブストリングと前記第2サブストリングとは、
垂直構造NANDフラッシュメモリを形成することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1トランジスタは第1サブストリング選択トランジスタであり、
前記第2トランジスタは第1接地選択トランジスタであり、
前記第3トランジスタは第2サブストリング選択トランジスタであり、
前記第4トランジスタは第2接地選択トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1接地選択トランジスタのゲート及び前記第2接地選択トランジスタのゲートに連結される接地選択ラインと、
前記第1サブストリング選択トランジスタのゲートに連結される第1サブストリング選択ラインと、
前記第2サブストリング選択トランジスタのゲートに連結される第2サブストリング選択ラインと、をさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。 - 請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラミング方法において、
プログラミング対象メモリセルトランジスタをプログラミングするために、
前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属するメインストリングに備えられる第1及び第2接地選択トランジスタをターンオンさせ、
前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属するサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオンさせ、前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属していないサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオフさせることを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラミング方法。 - 前記プログラミング対象メモリセルトランジスタが属するメインストリング以外の残りのメインストリングに対するプログラミングを禁止するために、
前記残りのメインストリングに備えられる第1及び第2接地選択トランジスタをターンオフさせることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置のプログラミング方法。 - 前記電荷供給ラインに接地電圧を印加することを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置のプログラミング方法。
- 前記プログラミングモードで、
前記プログラミング対象メモリセルトランジスタにプログラミング電圧を印加し、残りのメモリセルトランジスタにパス電圧を印加し、
前記パス電圧は、前記メモリセルトランジスタをターンオンさせる電圧であり、前記プログラミング電圧は、前記パス電圧より高い電圧であることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置のプログラミング方法。 - 前記プログラミング対象メモリセルトランジスタと前記第1または第2接地選択トランジスタとの間に位置しないメモリセルトランジスタには、接地電圧を印加するか、フローティングさせることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置のプログラミング方法。
- 請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の読み出し方法において、
読み出し対象メモリセルトランジスタが属するメインストリングに備えられる第1及び第2接地選択トランジスタをターンオンさせ、
読み出し対象メモリセルトランジスタが属するサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオンさせ、前記読み出し対象メモリセルトランジスタが属していないサブストリングに連結されるサブストリング選択トランジスタをターンオフさせることを特徴とする不揮発性メモリ装置の読み出し方法。 - 前記電荷供給ラインに接地電圧を印加することを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置の読み出し方法。
- 前記読み出し対象メモリセルトランジスタに読み出し電圧を印加し、残りのメモリセルトランジスタにパス電圧を印加し、
前記パス電圧は、前記メモリセルトランジスタをターンオンさせる電圧であり、前記読み出し電圧は、前記読み出し対象メモリセルトランジスタのしきい電圧レベルによって前記読み出し対象メモリセルトランジスタをターンオンまたはターンオフさせる電圧であることを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置の読み出し方法。
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