JP2009094433A - 炭化珪素装置 - Google Patents
炭化珪素装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009094433A JP2009094433A JP2007266312A JP2007266312A JP2009094433A JP 2009094433 A JP2009094433 A JP 2009094433A JP 2007266312 A JP2007266312 A JP 2007266312A JP 2007266312 A JP2007266312 A JP 2007266312A JP 2009094433 A JP2009094433 A JP 2009094433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- silicon carbide
- schottky
- schottky barrier
- carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] Chemical compound [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Abstract
【解決手段】炭化珪素と金属とのショットキー電極界面が炭化金属と金属シリサイド、金属とシリコンと炭素の3元系化合物又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS(Junction Barrier controlled Schottky diode:接合障壁ショットキーダイオード)構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオードである。
【選択図】図3
Description
また、炭化珪素には、シリコン等の半導体と同様に、金属を表面に堆積させることにより整流特性のあるショットキーバリアダイオードを製造できる。これらの理由から、炭化珪素を基板材料とした高耐圧で低オン抵抗のショットキーバリアダイオードが実現できることが知られている。
Mater. Sci. Forum, 556-557(2007)873 J. Mater. Res., Vol. 10(1994)668 Microelectronic Enginneering 60(2002)269
(1)炭化珪素と金属とのショットキー電極界面が炭化金属と金属シリサイド、金属とシリコンと炭素の3元系化合物又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
(2)上記金属としてIVa、Va、VIa族の金属を用いることを特徴とする(1)に記載のJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
(3)炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面がIVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属とIVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイドであることを特徴とする炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
(4)炭化珪素とチタンとのショットキー電極界面が炭化チタンとチタンシリサイド、チタンとシリコンと炭素の3元系化合物(TixSiyCz)又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
(5)(3)に記載のショットキーバリアダイオードにおいて、炭化珪素とニッケルとのショットキー電極界面が炭化チタンとニッケルシリサイドであることを特徴とする炭化珪素ショットキーバリアダイオード
また炭化珪素上にチタンを堆積し400℃、500℃、600℃、700℃でアニールした後、ショットキーバリアハイトを測定し、X線回折(X-ray Diffraction;XRD)によって結晶構造の変化を調べた。
IVa、Va、VIa族の金属は、炭化物を形成しやすい金属であるとされている(特開2000-208438号公報)。これらの金属を用いることで、同様の効果が得られると考えられる。
ショットキー電極8がチタンシリサイドと炭化チタンで形成されていることから、形成されたショットキー界面に特性劣化を起こすと懸念される炭素原子が存在せず、特性の安定したショットキーバリアダイオードを提供することができる。
従来例として示した図1の炭化珪素ショットキーバリアダイオード構造の低濃度第一導電型のエピタキシャル層2表面のショットキー電極領域に、例えば高濃度のアルミニウムがドーピングされた幅2μmの幅が2μmの間隔を持ってストライプ状に配置されているp型の領域11が形成されている。
ショットキー電極8がチタンシリサイドと炭化チタンで形成されていることから、特性劣化を起こすと懸念される炭素原子が存在せず、特性の安定したショットキーバリアダイオードを提供することができる。
図4Aにおいて、1×1018cm−3の窒素がドーピングされた厚さ300μmの(0001)面を有する高濃度n型基板1表面上には、1.8×1016cm−3の窒素がドーピングされた厚さ6μmの低濃度n型ドリフト層2が堆積される。
2 低濃度第一導電型炭化珪素ドリフト層
3 第一導電型不純物イオン注入領域
4 第二導電型不純物イオン注入領域(終端)
5 第二導電型不純物イオン注入領域(FLR)
6 オーミック電極
7 層間絶縁膜
8 ショットキー電極
9 電極パッド
10 パッシベーション膜
11 第二導電型不純物イオン注入領域(JBS)
Claims (5)
- 炭化珪素と金属とのショットキー電極界面が炭化金属と金属シリサイド、金属とシリコンと炭素の3元系化合物又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
- 上記金属としてIVa、Va、VIa族の金属を用いることを特徴とする請求項1に記載のJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
- 炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面がIVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属とIVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイドであることを特徴とする炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
- 炭化珪素とチタンとのショットキー電極界面が炭化チタンとチタンシリサイド、チタンとシリコンと炭素の3元系化合物(TixSiyCz)又はこれらの混合物であることを特徴とするJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
- 請求項3記載のショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキー電極界面が炭化チタンとニッケルシリサイドであることを特徴とする炭化珪素ショットキーバリアダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007266312A JP2009094433A (ja) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 炭化珪素装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007266312A JP2009094433A (ja) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 炭化珪素装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094433A true JP2009094433A (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=40666084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007266312A Pending JP2009094433A (ja) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 炭化珪素装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009094433A (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258662A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2012231019A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Hitachi Ltd | 炭化珪素ダイオード |
WO2013121532A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
WO2013146326A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体デバイス |
JP2015207780A (ja) * | 2015-06-16 | 2015-11-19 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
CN105322027A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-02-10 | 东部Hitek株式会社 | 肖特基二极管及其制造方法 |
DE102016105041A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Diode und Verfahren zum Herstellen einer Diode |
JP6065154B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-01-25 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
WO2017046868A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車並びに鉄道車両 |
US9825123B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and method for manufacturing the same |
WO2018034127A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2018074170A (ja) * | 2011-05-18 | 2018-05-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US9972674B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-05-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and manufacturing method thereof |
US10832922B2 (en) | 2015-12-11 | 2020-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2022190269A1 (ja) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置とその製造方法、および、電力変換装置 |
JP2022191488A (ja) * | 2020-02-25 | 2022-12-27 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
CN115799065A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-14 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种TiSi势垒的制备方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11243215A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000101100A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2000164528A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Sanyo Electric Co Ltd | ショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置 |
JP2000208438A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス |
US6410460B1 (en) | 2000-05-15 | 2002-06-25 | Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development Ltd. | Technology for thermodynamically stable contacts for binary wide band gap semiconductors |
JP2003158259A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006032456A (ja) | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
WO2006122252A2 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Cree, Inc. | Silicon carbide junction barrier schottky diodes with suppressed minority carrier injection |
JP2006344688A (ja) | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007235162A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-09-13 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | ショットキー接合型半導体装置 |
-
2007
- 2007-10-12 JP JP2007266312A patent/JP2009094433A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11243215A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000101100A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2000164528A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Sanyo Electric Co Ltd | ショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置 |
JP2000208438A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス |
US6410460B1 (en) | 2000-05-15 | 2002-06-25 | Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development Ltd. | Technology for thermodynamically stable contacts for binary wide band gap semiconductors |
JP2003158259A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007235162A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-09-13 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | ショットキー接合型半導体装置 |
JP2006032456A (ja) | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
WO2006122252A2 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Cree, Inc. | Silicon carbide junction barrier schottky diodes with suppressed minority carrier injection |
JP2006344688A (ja) | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6012051002; R.Perez et al: 'Analysis of 1.2kV JBS rectifiers fabricated in 4H-SiC' Semiconductor Science and Technology Vol.21, No.5, 2006, p.670-676 * |
JPN6012051004; R.Perez et al: 'Ni/Ti ohmic and Schottky contacts on 4H-SiC formed with a single thermal treatment' Diamond & Related Materials Vol.14, No.3, 2005, p.1146-1149 * |
JPN7012003964; F.Roccaforte et al: 'Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal anne' JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol96, No.8, 20041015, p.4313-4318 * |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258662A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2012231019A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Hitachi Ltd | 炭化珪素ダイオード |
JP2018074170A (ja) * | 2011-05-18 | 2018-05-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2013121532A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
US9455326B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-09-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wide bandgap semiconductor device |
WO2013146326A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体デバイス |
JP2013211503A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fuji Electric Co Ltd | SiC半導体デバイス |
CN104247024A (zh) * | 2012-03-30 | 2014-12-24 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体器件 |
US9240451B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-01-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
JP6065154B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-01-25 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
US10020367B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-07-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
CN105322027A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-02-10 | 东部Hitek株式会社 | 肖特基二极管及其制造方法 |
CN105322027B (zh) * | 2014-07-17 | 2018-09-11 | DB HiTek株式会社 | 肖特基二极管及其制造方法 |
US9972674B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-05-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and manufacturing method thereof |
US9825123B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and method for manufacturing the same |
DE102016105041A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Diode und Verfahren zum Herstellen einer Diode |
JP2015207780A (ja) * | 2015-06-16 | 2015-11-19 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
WO2017046868A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車並びに鉄道車両 |
JPWO2017046868A1 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-04-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車並びに鉄道車両 |
US10236370B2 (en) | 2015-09-15 | 2019-03-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same, power converter, three-phase motor system, automobile and railway vehicle |
US10832922B2 (en) | 2015-12-11 | 2020-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN109643728A (zh) * | 2016-08-19 | 2019-04-16 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
KR20190039217A (ko) * | 2016-08-19 | 2019-04-10 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
JPWO2018034127A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2019-06-13 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2018034127A1 (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
KR102185158B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2020-12-01 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
US10892319B2 (en) | 2016-08-19 | 2021-01-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7018394B2 (ja) | 2016-08-19 | 2022-02-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2022191488A (ja) * | 2020-02-25 | 2022-12-27 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP7455925B2 (ja) | 2020-02-25 | 2024-03-26 | ローム株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
WO2022190269A1 (ja) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置とその製造方法、および、電力変換装置 |
CN115799065A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-14 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种TiSi势垒的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009094433A (ja) | 炭化珪素装置 | |
JP6052481B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2013161449A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6505466B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2010116575A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20160247884A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP6194779B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6478862B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6197957B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6479615B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013201308A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015207780A (ja) | ワイドバンドギャップ半導体装置 | |
JP2017168602A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPWO2011061918A1 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP6384944B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4844125B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017152732A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPWO2012172988A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6399161B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPWO2016114055A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2020181967A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6233537B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2017092364A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2016058691A (ja) | 半導体装置 | |
JP2020150242A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100930 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121128 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130610 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130617 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130816 |