JP2009084264A - フラーレン誘導体 - Google Patents

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Abstract

【課題】変換効率が高い有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表されるフラーレン誘導体を含む層を有する有機光電変換素子を提供する。
Figure 2009084264

(1)[式中、mは1〜6の整数を、nは1〜4の整数を、pは0〜5の整数を、rは0〜4の整数を表す。Qは置換基を表す。mが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
【選択図】なし

Description

本発明は、フラーレン誘導体およびそれを用いた有機光電変換素子に関する。
電荷(電子、ホール)輸送性を有する有機半導体材料は、有機光電変換素子(有機太陽電池、光センサー等)等への適用が検討されており、例えば、フラーレン誘導体を用いた有機太陽電池が検討されている。フラーレン誘導体としては、例えば、[6,6]−フェニルC61−酪酸メチルエステル(以下、[60]−PCBMということがある。)が知られている(非特許文献1参照)。
Advanced Functional Materials Vol.13 (2003) 85p
しかし、[60]−PCBMを含む有機光電変換素子は、変換効率が必ずしも十分でないという問題点がある。
そこで、本発明は、変換効率が高い有機光電変換素子を提供することを目的とする。また、本発明は、有機溶媒に対する溶解性が優れたフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
本発明は第一に、下記式(1)で表されるフラーレン誘導体を含む層を有する有機光電変換素子を提供する。
Figure 2009084264
(1)
[式中、mは1〜6の整数を、nは1〜4の整数を、pは0〜5の整数を、rは0〜4の整数を表す。Qは下記式(2)または(3)で表される基を表す。mが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2009084264
(2) (3)
[式中、R1、R2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。qは0〜7の整数を、vは0〜5の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、R2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
本発明は第二に、下記式(1)で表されるフラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む組成物を提供する。
Figure 2009084264
(1)
[式中、mは1〜6の整数を、nは1〜4の整数を、pは0〜5の整数を、rは0〜4の整数を表す。Qは下記式(2)または(3)で表される基を表す。mが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2009084264
(2) (3)
[式中、R1、R2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。qは0〜7の整数を、vは0〜5の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、R2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
本発明は第三に、前記組成物を含む層を有する有機光電変換素子を提供する。
本発明は第四に、下記式(4)で表されるフラーレン誘導体を提供する。
Figure 2009084264
(4)
[式中、cは1〜6の整数を、dは1〜4の整数を、eは0〜5の整数を、fは0〜4の整数を表す。Tは下記式(5)または(6)で表される基を表す。cが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 2009084264
(5) (6)
[式中、R3、R4は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。gは0〜7の整数を、hは0〜5の整数を表す。ただし、hが0の場合は、fは1〜4の整数である。R3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、R4が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
本発明の有機光電変換素子は、変換効率が高くなる。
以下、本発明を詳細に説明する。
<有機光電変換素子に用いられるフラーレン誘導体>
本発明の有機光電変換素子は、前記式(1)で表されるフラーレン誘導体を含む層を有する。該フラーレン誘導体は、C60フラーレン誘導体である。前記式(1)中、Qは前記式(2)または(3)で表される基である。
本発明の有機光電変換素子に用いられるフラーレン誘導体が前記式(2)で表される基を有する場合、前記式(2)中のR1はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。また、R1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
前記式(2)中、R1で表されるアルキル基は、炭素数が通常1〜20であり、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、s−ブチル基、3−メチルブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ラウリル基等が挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、モノハロメチル基、ジハロメチル基、トリハロメチル基、ペンタハロエチル基等があげられる。ハロゲン原子の中では、フッ素原子で置換されていることが好ましい。フッ素原子で水素原子が置換されたアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。
前記式(2)中、R1で表されるアルコキシ基は、炭素数が通常1〜20であり、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、n−ラウリルオキシ基等が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子の中では、フッ素原子で置換されていることが好ましい。フッ素原子で水素原子が置換されたアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。
前記式(2)中、R1で表されるアリール基は、炭素数が通常6〜60であり、置換基を有していてもよい。アリール基が有している置換基としては、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状のアルキル基又は炭素数1〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状のアルキル基又は炭素数1〜20のシクロアルキル基をその構造中に含むアルコキシ基があげられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は、炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等が挙げられ、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基がより好ましい。前記アリール基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子の中では、フッ素原子で置換されていることが好ましい。
前記式(2)中、R1で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。変換効率の観点からは、フッ素原子が好ましい。
前記式(1)中、mは1〜6の整数を表す。mが複数個ある場合は、それらは同一でも異なっていてもよい。原料の入手の行いやすさの観点からは、mは2が好ましい。pは0〜5の整数を表す。電荷輸送性の観点からは、pは0〜3の整数が好ましい。nは1〜4の整数を表し、rは0〜4の整数を表す。
前記式(2)中、qは0〜7の整数を表す。
前記式(2)で表される基を有するフラーレン誘導体の具体例としては、下記化合物があげられる。
Figure 2009084264
前記式(2)で表される基を有するフラーレン誘導体の中では、変換効率の観点からは、下記式(7)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure 2009084264
(7)
[式中、R1、m、n、pおよびqは前述と同じ意味を表す。]
前記式(7)において、変換効率の観点からは、mは2であることが好ましく、nは2であることが好ましく、pは0であることが好ましく、qは0または1であることが好ましい。R1は、フッ素原子または炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。該アルキル基はフッ素原子で置換されていてもよい。
本発明の有機光電変換素子に用いられるフラーレン誘導体が前記式(3)で表される基を有する場合、前記式(3)中のR2はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。また、R2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
前記式(3)中、R2で表されるアルキル基は、炭素数が通常1〜20であり、前述のR1で説明したアルキル基と同様の基があげられる。
前記式(3)中、R2で表されるアルコキシ基は、炭素数が通常1〜20であり、前述のR1で説明したアルコキシ基と同様の基があげられる。
前記式(3)中、R2で表されるアリール基は、炭素数が通常6〜60であり、置換基を有していてもよい。アリール基としては、前述のR1で説明したアリール基と同様の基があげられる。
前記式(3)中、R2で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。変換効率の観点からは、フッ素原子が好ましい。
前記式(3)中、vは0〜5の整数を表す。変換効率の観点からは、vは0または1が好ましい。
変換効率の観点からは、R2はアルキル基またはハロゲン原子であることが好ましく、メチル基またはフッ素原子であることがより好ましい。
前記式(3)で表される基を有するフラーレン誘導体の具体例としては、下記化合物があげられる。
Figure 2009084264
前記式(3)で表される基を有するフラーレン誘導体の中では、変換効率の観点からは、下記式(8)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure 2009084264
(8)
[式中、R2、m、n、pおよびvは前述と同じ意味を表す。]
前記式(8)において、変換効率の観点からは、mは2であることが好ましく、nは2であることが好ましく、pは0であることが好ましく、vは0または1であることが好ましい。R2は、ハロゲン原子またはアルキル基であることが好ましい。
前記式(8)で表されるフラーレン誘導体の中では、変換効率の観点からは、下記式(9)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure 2009084264
(9)
[式中、m、nおよびpは前述と同じ意味を表す。R5は、フッ素原子または炭素数1〜4のアルキル基を表す。]
前記式(9)において、変換効率の観点からは、mは2であることが好ましく、nは2であることが好ましく、pは0であることが好ましい。R5は、フッ素原子またはメチル基が好ましい。
前記式(1)で表されるフラーレン誘導体の合成方法は、例えば、グリシン誘導体とアルデヒドで生成するイミンから脱炭酸して生じるイミニウムカチオンとC60フラーレンとの1,3-双極子環化付加反応(Prato反応、Accounts of Chemical Research Vol.31 1998 519-526ページ)で合成することができる。
ここで用いられるグリシン誘導体の例としては、N−メトキシメチルグリシン、N−(2−(2−メトキシエトキシ)エチル)グリシンなどが例示される。
これらのグリシン誘導体の使用量はフラーレン1モルに対して、通常0.1〜10モル、好ましくは0.5〜3モルの範囲である。
もう一つの置換基の原料であるアルデヒドとしては、例えば、ベンズアルデヒド、ナフトアルデヒドなどが例示される。
これらのアルデヒド類使用量はフラーレン1モルに対して、通常0.1〜10モル、好ましくは0.5〜4モルの範囲である。
通常この反応は、溶媒中で行なわれる。この場合溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、オクタン、クロルベンゼンなど、この反応に対して不活性な溶媒が用いられる。その使用量は、フラーレンに対して通常1〜100000重量倍の範囲である。
反応に際しては、例えば溶媒中でグリシン誘導体とアルデヒド類とフラーレンとを混合し加熱反応させればよく、反応温度は、通常50〜350℃の範囲で行なわれる。反応時間は、通常、30分間から50時間行なわれる。
加熱反応後、反応混合物を室温まで放冷し,溶媒をロータリーエバポレーターで減圧留去し,得られた固形物をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製目的とするフラーレン誘導体を得ることができる。
<有機光電変換素子>
本発明の有機光電変換素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む層を有する。本発明に用いられるフラーレン誘導体は、電子受容性化合物として用いることも電子供与性化合物として用いることもできるが、電子受容性化合物として用いることが好ましい。
次に、有機光電変換素子の動作機構を説明する。透明又は半透明の電極から入射した光エネルギーが電子受容性化合物及び/又は電子供与性化合物で吸収され、電子とホールの結合した励起子を生成する。生成した励起子が移動して、電子受容性化合物と電子供与性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると界面でのそれぞれのHOMOエネルギー及びLUMOエネルギーの違いにより電子とホールが分離し、独立に動くことができる電荷(電子とホール)が発生する。発生した電荷は、それぞれ電極へ移動することにより外部へ電気エネルギー(電流)として取り出すことができる。
本発明の有機光電変換素子の具体的としては、
1.少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に設けられ電子受容性化合物として本発明に用いられるフラーレン誘導体を含有する第一の層と、該第一の層に隣接して設けられた電子供与性化合物を含有する第二の層とを有する有機光電変換素子であることを特徴とするもの、
2.少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に設けられ電子受容性化合物として本発明に用いられるフラーレン誘導体および電子供与性化合物を含有する層を少なくとも一層有する有機光電変換素子であることを特徴とするもの、
のいずれかが好ましい。
ヘテロ接合界面を多く含むという観点からは、前記2の有機光電変換素子が好ましい。また、本発明の有機光電変換素子には、少なくとも一方の電極と本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む層との間に付加的な層を設けてもよい。付加的な層としては、例えば、ホール又は電子を輸送する電荷輸送層が挙げられる。
前記2の有機光電変換素子おいて、フラーレン誘導体及び電子供与性化合物を含有する有機層におけるフラーレン誘導体の割合が、電子供与性化合物100重量部に対して、10〜1000重量部であることが好ましく、50〜500重量部であることがより好ましい。
本発明の有機光電変換素子に用いられるフラーレン誘導体を含む層は、該フラーレン誘導体を含む有機薄膜から形成されていることが好ましい。該有機薄膜の厚さは、通常、1nm〜100μmであり、好ましくは2nm〜1000nmであり、より好ましくは5nm〜500nmであり、さらに好ましくは20nm〜200nmである。
前記電子供与性化合物は、塗布性の観点からは、高分子化合物であることが好ましい。例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。
有機光電変換素子に用いる電子供与性化合物は、変換効率の観点からは、下記式(10)および下記式(11)からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する高分子化合物であることが好ましく、下記式(10)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であることがより好ましい。
Figure 2009084264

(10) (11)
[式中、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14およびR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。]
前記式(10)中、R6およびR7がアルキル基である場合の具体例としては、前述のR1の例示と同じアルキル基があげられる。R6およびR7がアルコキシ基である場合の具体例としては、前述のR1の例示と同じアルコキシ基があげられる。R6およびR7がアリール基である場合の具体例としては、前述のR1の例示と同じアリール基があげられる。
前記式(10)中、変換効率の観点からは、R6およびR7の少なくとも一方が、炭素数1〜20のアルキル基であることが好ましく、炭素数4〜8のアルキル基であることがより好ましい。
前記式(11)中、R8〜R15がアルキル基である場合の具体例としては、前述のR1の例示と同じアルキル基があげられる。R8〜R15がアルコキシ基である場合の具体例としては、前述のR1の例示と同じアルコキシ基があげられる。R8〜R15がアリール基である場合の具体例としては、前述のR1の例示と同じアリール基があげられる。
前記式(11)中、モノマーの合成の行いやすさの観点からは、R10〜R15は水素原子であることが好ましい。また、変換効率の観点からは、R8およびR9は炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であることが好ましく、炭素数5〜8のアルキル基または炭素数6〜15のアリール基であることがより好ましい。
本発明の有機光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明又は半透明であることが好ましい。
前記の透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜(NESA等)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。さらに電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができ、好ましくは一対の電極のうち一方の電極は仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
付加的な層としてのバッファ層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物等を用いることができる。また、酸化チタン等無機半導体の微粒子を用いることもできる。
<有機薄膜の製造方法>
前記有機薄膜の製造方法は、特に制限されず、例えば、本発明に用いられるフラーレン誘導体を含む溶液からの成膜による方法が挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明に用いられるフラーレン誘導体を溶解させるものであれば特に制限はない。この溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、n−ブチルベンゼン、s−ブチルベゼン、t−ブチルベンゼン等の炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類系溶媒等が挙げられる。前記フラーレン誘導体は、通常、前記溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。
前記溶液は、さらに高分子化合物を含んでいてもよい。該溶液に用いられる溶媒の具体例としては、前述の溶媒があげられるが、高分子化合物の溶解性の観点からは、芳香族の炭化水素系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレンがより好ましい。
溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましい。
有機光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
また、電極間に電圧を印加した状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
<フラーレン誘導体>
本発明のフラーレン誘導体は、前記式(4)で表される。前記式(4)中、Tは前記式(5)または(6)で表される基である。該フラーレン誘導体は、有機溶媒に対する溶解性に優れ、特に、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族の炭化水素系溶媒に対する溶解性に優れる。
本発明のフラーレン誘導体が前記式(5)で表される基を有する場合、前記式(5)中のR3はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。また、R3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
前記式(5)中、R3で表されるアルキル基は、炭素数が通常1〜20であり、前述のR1で説明したアルキル基と同様の基があげられる。
前記式(5)中、R3で表されるアルコキシ基は、炭素数が通常1〜20であり、前述のR1で説明したアルコキシ基と同様の基があげられる。
前記式(5)中、R3で表されるアリール基は、炭素数が通常6〜60であり、置換基を有していてもよい。アリール基としては、前述のR1で説明したアリール基と同様の基があげられる。
前記式(5)中、R3で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、フッ素原子が好ましい。
前記式(4)中、cは1〜6の整数を表す。cが複数個ある場合は、それらは同一でも異なっていてもよい。原料の入手の行いやすさの観点からは、2が好ましい。dは0〜5の整数を表す。電荷輸送性の観点からは、0〜3が好ましい。eは1〜4の整数を表し、fは0〜4の整数を表す。
前記式(5)中、gは0〜7の整数を表す。
前記式(5)で表される基を有するフラーレン誘導体の中では、有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、下記式(12)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure 2009084264
(12)
[式中、R3、c、d、eおよびgは前述と同じ意味を表す。]
前記式(12)において、有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、cは2であることが好ましく、dは2であることが好ましく、eは0であることが好ましく、gは0または1であることが好ましい。R3は、フッ素原子または炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。該アルキル基はフッ素原子で置換されていてもよい。
本発明のフラーレン誘導体が前記式(6)で表される基を有する場合、前記式(6)中のR4はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。また、R4が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
前記式(6)中、R4で表されるアルキル基は、炭素数が通常1〜20であり、前述のR1で説明したアルキル基と同様の基があげられる。
前記式(6)中、R4で表されるアルコキシ基は、炭素数が通常1〜20であり、前述のR1で説明したアルコキシ基と同様の基があげられる。
前記式(6)中、R4で表されるアリール基は、炭素数が通常6〜60であり、置換基を有していてもよい。アリール基としては、前述のR1で説明したアリール基と同様の基があげられる。
前記式(6)中、R4で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、フッ素原子が好ましい。
前記式(6)中、hは0〜5の整数を表す。ただし、hが0の場合は、fは1〜4の整数である。有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、hは0または1が好ましい。
前記式(6)で表される基を有するフラーレン誘導体の中では、有機溶媒に対する溶解性の観点からは、下記式(13)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure 2009084264
(13)
[式中、jは1〜4の整数を表す。R4、c、dおよびeは前述と同じ意味を表す。]
前記式(13)において、有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、cは2であることが好ましく、dは2であることが好ましく、eは0であることが好ましく、jは1であることが好ましい。R4は、ハロゲン原子またはアルキル基であることが好ましい。
前記式(13)で表されるフラーレン誘導体の中では、有機光電変換素子に用いた場合の変換効率の観点からは、下記式(14)で表されるフラーレン誘導体が好ましい。
Figure 2009084264
(14)
[式中、c、dおよびeは前述と同じ意味を表す。R16は、フッ素原子または炭素数1〜4のアルキル基を表す。]
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
合成に用いた試薬および溶媒は、市販品をそのまま使用するか、乾燥剤存在下蒸留精製した品を使用した。C60フラーレンはフロンティアカーボン社製を使用した。NMRスペクトルはJEOL社製 MH500を用いて測定し、テトラメチルシラン(TMS)を内部標準に使用した。赤外吸収スペクトルは島津製作所者製 FT−IR 8000を用いて測定した。 MALDI−TOF MSスペクトルはBRUKER社製 AutoFLEX−T2を用いて測定した。
実施例1(フラーレン誘導体Aの合成)
ベンジル(2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルアミノ)アセテートの合成
Figure 2009084264
[第1ステップ]: Dean-Stark トラップを装着した2口フラスコにブロモ酢酸 (20.8 g, 150 mmol)、ベンジルアルコール(16.2 g, 150 mmol)、パラートルエンスルホン酸 (258 mg, 1.5 mmol)、ベンゼン (300 mL)を加え120 ℃ で 24 時間脱水縮合した。溶媒をエバポレーターで減圧留去し、ついでシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー (ヘキサン/エチルアセテート=10/1, 5/1)で精製してブロモ酢酸ベンジルエステル(34.3 g, 150 mmol) を黄色油状物として定量的に得た。: Rf 0.71 (hexane/ethyl acetate=4/1); 1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J=Hz) δ 3.81 (s, 2H), 5.14 (s, 2H), 7.31 (s, 5H); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 25.74, 67.79, 128.27, 128.48, 128.54, 134.88, 166.91; IR (neat, cm-1) 2959, 1751, 1458, 1412, 1377, 1167, 972, 750, 698.
[第2ステップ]: アルゴン雰囲気下ブロモ酢酸ベンジルエステル (13.7 g, 60 mmol) のジクロロメタン(90 mL) 溶液にトリエチルアミン (17 mL, 120 mmol)を0 ℃で加え、得られた混合液を20分同温度で攪拌し、ついで, 2−(2−アミノエトキシ)エタノール (12 mL, 120 mmol) のジクロロメタン (40 mL) 溶液を加え、室温で4時間攪拌した。ついで、有機層を水洗(3回)後,無水硫酸マグネシウムで乾燥し、エバポレーターで溶媒を減圧留去後,シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー (展開溶媒:酢酸エチル /メタノール =1/0, 10/1, 5/1) 精製しグリシンエステル 2 (12.2 g, 48.0 mmol) を収率 80 % で無色油状物として得た。: Rf 0.48 (エチルアセテート/メタノール=2/1); 1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J=Hz) δ 2.83 (t, 2H, J=5.1 Hz), 3.50 (s, 2H), 3.52 (t, 2H, J= 4.6 Hz), 3.58 (t, 2H, J= 5.0 Hz), 3.65 (t, 2H, J= 4.6 Hz), 5.11 (s, 2H), 7.28-7.30 (m, 5H); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 48.46, 50.25, 61.29, 66.38, 69.80, 72.23, 126.63, 128.12, 128.37, 135.30, 171.78; IR (neat, cm-1) 3412, 2880, 1719, 1638, 1560, 1508, 1458, 1067, 669.
(2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ)酢酸(1)の合成
Figure 2009084264
[第1ステップ]: アルゴン雰囲気下ベンジル2−(2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルアミノ)アセテート(2) (6.58 g, 26 mmol) のジクロロメタン (50 mL) 溶液にトリエチルアミン (4.3 mL, 31 mmol)を0℃で加え、ついで4−(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン (DMAP) (32 mg, 0.26 mmol) を加え、得られた混合液を20分攪拌後、これにジ-tert-ブチルジカルボネート (6.77 g, 31 mmol) のジクロロメタン(10 mL)溶液を滴下した。反応混合液を室温で4時間攪拌後、水を入れた3角フラスコ中に注ぎ入れて反応を停止しジエチルエーテル抽出(3回)を行った。有機層を乾燥後、減圧濃縮、ついでシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー (展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル= 3/1, 2.5/1, 2/1) 精製を行い、ベンジル{tert-ブトキシカルボニル−[2−(2−ヒドロキシ−エトキシ)エチル]アミノ}アセテート(5.83 g, 16.5 mmol) を収率 63 % で無色油状物として得た。: Rf 0.58 (エチルアセテート/メタノール=20/1); 1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J=Hz) δ 1.34 (d, 9H, J= 54.5 Hz), 2.19 (brs, 1H), 3.38-3.45 (m, 4H), 3.50-3.60 (m, 4H), 3.99 (d, 2H, J= 41.3 Hz), 5.09 (d, 2H, J= 4.1 Hz), 7.25-7.30 (m, 5H); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 27.82, 28.05, 47.90, 48.20, 49.81, 50.39, 61.23, 66.42, 69.92, 72.12, 80.08, 127.93, 128.14, 135.25, 154.99, 155.19, 169.94, 170.07; IR (neat, cm-1) 3449, 2934, 2872, 1751, 1701, 1458, 1400, 1367, 1252, 1143; Anal. Calcd for C18H27NO6: C, 61.17; H, 7.70; N, 3.96. Found: C, 60.01; H, 7.75; N, 4.13.
[第2ステップ]: アルゴンガス雰囲気下,水素化ナトリウム (1.2 g, 24.8 mmol, 50% in meneral oil) のテトラヒドロフラン(THF) (10 mL)溶液にベンジル{tert-ブトキシカルボニル−[2−(2−ヒドロキシ−エトキシ)エチル]アミノ}アセテート(5.83 g, 16.5 mmol)のTHF (20 mL) 溶液を 0 ℃ で滴下し、同温度で20分攪拌後、ヨードメタン(1.6 mL, 24.8 mmol) を0 ℃で加えた。 反応混合液を室温で 20 時間攪拌し、ついでアイスバスで冷却しながら水を加えて反応を停止した.エーテル抽出(3回)し、有機層を乾燥後、減圧濃縮、シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー (展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=5/1, 3/1)精製して ベンジル{tert-ブトキシカルボニル−[2−(2−メトキシ−エトキシ)エチル]アミノ}アセテート(3.02 g, 8.21 mmol) を収率50 %で無色油状物として得た。: Rf 0.54 (ヘキサン/エチルアセテート=1/1); 1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J=Hz) δ 1.34 (d, 9H, J= 51.8 Hz), 3.28 (d, 3H, J= 2.7 Hz), 3.37-3.46 (m, 6H), 3.52 (dt, 2H, J= 5.4Hz, 16.5 Hz), 4.02 (d, 2H, J= 34.8 Hz), 5.09 (d, 2H, J=4.5 Hz), 7.24-7.30 (m, 5H); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 24.93, 25.16, 44.68, 45.00, 46.70, 47.40, 55.78, 63.30, 67.22, 68.60, 76.95, 124.98, 125.14, 125.36, 132.49, 151.99, 152.31, 166.84, 166.96; IR (neat, cm-1) 2880, 1751, 1701, 1560, 1458, 1400, 1366, 1117, 698, 617; Anal. Calcd for C19H29NO6: C, 62.11; H, 7.96; N, 3.81. Found: C, 62.15; H, 8.16; N, 3.83.
[第3ステップ]: アルゴン雰囲気下、ベンジル{tert-ブトキシカルボニル−[2−(2−メトキシ−エトキシ)エチル]アミノ}アセテート (3.02 g, 8.21 mmol) のジクロロメタン (17 mL) 溶液にトリフルオロ酢酸 (TFA) (9.0 mL)を加え室温で7時間攪拌した。ついで、10% 炭酸ナトリウム水溶液を加えて pH10に調整し、ジクロロメタン抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮してベンジル[2−(2−メトキシ−エトキシ)エチルアミノ]アセテート (2.18 g, 8.19 mmol) を黄色油状物として定量的に得た。: Rf 0.32 (エチルアセテート/メタノール=20/1); 1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J=Hz) δ 1.99 (brs, 1H), 2.83 (t, 2H, J= 5.3 Hz), 3.38 (s, 3H), 3.50 (s, 2H), 3.54 (t, 2H, J= 4.6 Hz), 3.60-3.62 (m, 4H), 5.17 (s, 2H), 7.32-7.38 (m, 5H); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 48.46, 50.66, 58.76, 66.20, 70.00, 70.44, 71.64, 128.09, 128.33, 135.44, 171.84; IR (neat, cm-1) 3350, 2876, 1736, 1560, 1458, 1117, 1030, 698, 619; Anal. Calcd for C14H21NO4: C, 62.90; H, 7.92; N, 5.24. Found: C, 62.28; H, 8.20; N, 5.05.
[第4ステップ]: ベンジル[2−(2−メトキシ−エトキシ)エチルアミノ]アセテート(2.19 g, 8.19 mmol) のメタノール (27 mL) 溶液に、パラジウムを10重量%担持させた活性炭 (219 mg) を室温で加え,水素ガスをパージした後,水素雰囲気下,室温で7時間攪拌した。セライトパッドをしきつめたグラスフィルターでPd/Cを除去し,セライト層をメタノールで洗浄し,濾液を減圧濃縮し [2−(2−メトキシエトキシ)エチルアミノ]酢酸 (1) (1.38 g, 7.78 mmol) を収率95%で黄色油状物として得た。: 1H NMR (500 MHz, ppm, MeOD, J=Hz) δ 3.21 (t, 2H, J= 5.1 Hz), 3.38 (s, 3H), 3.51 (s, 2H), 3.57 (t, 2H, J= 4.4 Hz), 3.65 (t, 2H, J= 4.6 Hz), 3.73 (t, 2H, J= 5.1 Hz); 13C NMR (125 MHz, ppm, MeOD) δ 48.13, 50.49, 59.16, 67.08, 71.05, 72.85, 171.10; IR (neat, cm-1) 3414, 2827, 1751, 1630, 1369, 1111, 1028, 851, 799; Anal. Calcd for C7H15NO4: C, 47.45; H, 8.53; N, 7.90. Found: C, 46.20; H, 8.49; N, 7.43.
N-メトキシエトキシエチル-2-(1-ナフチル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体A)の合成

Figure 2009084264

フラーレン誘導体Aはグリシン誘導体1と1−ナフトアルデヒドで生成するイミンから脱炭酸して生じるイミニウムカチオンとフラーレンとの1,3-双極子環化付加反応(Prato反応)で合成した。
系内で発生させたアルゴン雰囲気下、ジムロートコンデンサーを装着した3口フラスコにC60 (500 mg, 0.69 mmol)、グリシン誘導体 1 (185 mg, 1.04 mmol)、および 1−ナフチルアルデヒド(217 mg, 1.39 mmol) 、クロロベンゼン(100 mL)を混合し、150℃で3時間加熱還流を行った。室温まで放冷し、溶媒をロータリーエバポレーターで減圧留去し、得られた固形物をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し(展開溶媒: 二硫化炭素 / 酢酸エチル = 1/0 to 20/1 )、目的とするフラーレン誘導体A(356 mg,0.36 mmol, 収率52 %)を褐色粉末として得た。得られた粉末は、メタノールで5回洗浄後、減圧下で乾燥させた。
1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 2.89-2.94 (1H, m), 3.43 (3H, s), 3.43-3.50 (1H, m), 3.62-3.65 (2H, m), 3.76-3.78 (2H, m), 3.96-4.00 (1H, m), 4.05-4.10 (1H, m), 4.49 (1H, d, J= 10.0 Hz), 5.31 (1H, d, J= 10.0 Hz), 6.16 (1H, s), 7.44-7.45 (2H, m), 7.62 (1H, t, J= 8.0 Hz), 7.83 (1H, d, J= 9.0 Hz), 7.87 (1H, d, J= 8.0 Hz), 8.39 (1H, d, J= 6.0 Hz), 8.52 (1H, d, J= 8.0 Hz); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 51.98, 59.19, 67.71, 69.50, 70.51, 72.04, 76.29, 123.91, 125.52, 125.81, 126.11, 128.07, 128.63, 129.16, 132.65, 133.19, 133.99, 135.47, 135.87, 136.13, 136.66, 139.26, 139.49, 140.14, 140.34, 141.56, 141.64, 141.77, 141.97, 142.04, 142.11, 142.24, 142.27, 142.30, 142.56, 142.66, 142.93, 143.10, 144.23, 144.39, 144.57, 144.64, 145.09, 145.20, 145.25, 145.29, 145.44, 145.55, 145.68, 145.74, 145.92, 146.07, 146.20, 146.73, 147.04, 147.25, 147.31, 153.70, 154.17, 154.26, 156.81; IR (KBr, cm-1) 2808, 1508, 1456, 1425, 1178, 1107, 773, 527; MALDI-TOF-MS (matrix: SA) found 991.203 (calcd for C77H21NO2, exact mass: 991.173).
<実施例2>
N-メトキシエトキシエチル-2-(パーフルオロフェニル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体B)の合成
Figure 2009084264
フラーレンC60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol)、ペンタフルオロベンズアルデヒド(136 mg, 0.69 mmol)を 50 mLのクロロベンゼン中2時間加熱還流を行い、実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体B を179 mg (0.17 mmol, 収率50 %) 得た。
1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 3.08-3.14 (1H, m), 3.37-3.42 (1H, m), 3.45 (3H, s), 3.65-3.68 (2H, m), 3.80-3.82 (2H, m), 3.95-3.99 (1H, m), 4.12-4.17 (1H, m), 4.35 (1H, dd, J= 10.0 Hz, 3.0 Hz), 5.18 (1H, d, J= 19.0 Hz), 5.79 (1H, s); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ51.85, 58.70, 66.68, 69.06, 69.57, 70.59, 71.90, 72.86, 72.89, 74.57, 125.13, 128.03, 128.77, 135.26, 135.63, 136.37, 137.82, 139.33, 139.97, 140.00, 140.04, 141.37, 141.41, 141.44, 141.67, 141.69, 141.83, 141.90, 141.99, 142.38, 142.47, 142.81, 142.87, 144.05, 144.17, 144.24, 144.49, 144.96, 145.02, 145.10, 145.13, 145.18, 145.28, 145.32, 145.41, 145.73, 145.83, 145.86, 145.94, 146.06, 146.09, 147.06, 147.08, 150.76, 152.02, 153.14, 155.40; 19F NMR (470 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 9.24 (1F, d, J= 23.0 Hz), 21.68 (2F, d, J= 23.0 Hz), 28.48 (2F, d, J= 17.0 Hz); IR (Neat, cm-1) 2873, 1523, 1501, 1107, 997, 754, 527; MALDI-TOF-MS (Neat) found 1031.234 (calcd for C73H14F5NO2, exact mass: 1031.094).
<実施例3>
N-メトキシエトキシエチル-2-(4-フルオロフェニル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体C)の合成

Figure 2009084264
フラーレン C60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol)、4−フルオロベンズアルデヒド (86 mg, 0.69 mmol)をクロロベンゼン50mL中2時間加熱還流した。実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体Cを 192 mg (0.20 mmol, 収率58 %) 得た。
1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 2.82-2.85 (1H, m), 3.37 (3H, s), 3.59-3.61 (2H, m), 3.71-3.74 (2H, m), 3.92-3.94 (1H, m), 3.97-4.00 (1H, m), 4.27 (1H, d, J= 19.0 Hz), 5.19 (1H, s), 5.20 (1H, d, J= 19.0 Hz), 7.04 (2H, t, J= 17.0 Hz), 7.75 (2H, br); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 52.01, 59.19, 67.63, 69.11, 70.41, 70.59, 72.07, 76.21, 81.62, 115.59, 115.74, 131.03, 131.09, 132.98, 135.63, 135.90, 136.45, 136.91, 139.47, 139.90, 140.14, 140.19, 141.53, 141.68, 141.82, 141.87, 141.98, 142.02, 142.05, 142.10, 142.13, 142.17, 142.27, 142.55, 142.57, 142.69, 143.00, 143.17, 144.36, 144.42, 144.59, 144.72, 145.15, 145.21, 145.26, 145.33, 145.52, 145.72, 145.94, 145.95, 146.04, 146.11, 146.14, 146.17, 146.21, 146.28, 146.30, 146.46, 146.61 147.32, 153.16, 153.29, 154.13, 156.47, 161.72; 19F NMR (470 MHz, ppm, CDCl3) δ 49.55 (1F, s); IR (Neat, cm-1) 2880, 1508, 1225, 1109, 754, 527; MALDI-TOF-MS (matrix: SA) found 958.476 (calcd for C73H18FNO2, exact mass: 959.132).
<実施例4>
N-メトキシエトキシエチル-2-(4-メチルフェニル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体D)の合成

Figure 2009084264
フラーレン C60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol), 4−フルオロベンズアルデヒド (83 mg, 0.69 mmol)、をクロロベンゼン50mL中2時間加熱還流した。実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体Dを133 mg (0.14 mmol, 収率40 %)得た。
<合成例1>
N-メトキシエトキシエチル-2-フェニル-フレロピロリジン(フラーレン誘導体E)の合成

Figure 2009084264
フラーレン C60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol)、4−フルオロベンズアルデヒド (83 mg, 0.69 mmol)をクロロベンゼン50mL中2時間加熱還流した。実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体Eを 133 mg (0.14 mmol, 収率40 %)得た。
<実施例5>
フラーレン誘導体Fの合成
Figure 2009084264
フラーレン C60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol)、4−トリフルオロメチルベンズアルデヒド (121 mg, 0.69 mmol)をクロロベンゼン50mL中2時間加熱還流した。実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体Fを 170 mg (0.17 mmol, 収率49 %) 得た。
<実施例6>
N-メトキシエトキシエチル-2-(2-フェニルエチル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体G)の合成

Figure 2009084264
フラーレン C60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol)、3−フェニルプロピオンアルデヒド (93 mg, 0.69 mmol)をクロロベンゼン50mL中2時間加熱還流した。実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体Gを 164 mg (0.17 mmol, 収率48 %) 得た。
<実施例7>
N-メトキシエトキシエチル-2-(2-ナフチル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体H)の合成

Figure 2009084264
フラーレン C60 (500 mg, 0.69 mmol)、 グリシン誘導体 1 (185 mg, 1.04 mmol)、2−ナフトアルデヒド (217 mg, 1.39 mmol)をクロロベンゼン100mL中3時間加熱還流した。実施例1と同様の操作で精製し、フラーレン誘導体Hを 262 mg (0.26 mmol, 収率38 %) 得た。
1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 2.90-2.95 (1H, m), 3.44 (3H, s), 3.65-3.67 (2H, m), 3.76-3.80 (2H, m), 3.97-4.02 (1H, m), 4.05-4.10 (1H, m), 4.36 (1H, d, J= 19.0 Hz), 5.26 (1H, d, J= 20.0 Hz), 5.34 (1H, s), 7.47-7.49 (3H, m), 7.83-7.90 (4H, m); 13C NMR (125 MHz, ppm, CDCl3) δ 52.12, 59.17, 67.73, 69.38, 70.49, 72.06, 76.39, 126.18, 126.25, 127.79, 128.09, 128.50, 133.47, 134.81, 135.66, 136.56, 136.92, 139.48, 139.87, 140.14, 141.47, 141.67, 141.75, 141.86, 141.92, 142.01, 142.64, 142.11, 142.14, 142.28, 142.48, 142.52, 142.65, 142.97, 143.11, 144.36, 144.39, 144.54, 144.70, 145.12, 145.17, 145.23, 145.32, 145.51, 145.55, 145.58, 145.73, 145.90, 146.10, 146.14, 146.19, 146.29, 146.48, 146.78, 147.27, 153.32, 153.57, 154.38, 156.51; IR (Neat, cm-1) 2922, 1215, 1184, 1109, 752, 669, 527; MALDI-TOF-MS (matrix: SA) found 990.629 (calcd for C77H21NO2, exact mass: 991.173).
評価例1〜8
(キシレンへの溶解性評価)
表1に示されるフラーレン誘導体に1wt%の濃度となるようキシレン溶媒を加え、マグネチックスターラーで10分間攪拌した。その後のキシレン溶媒への溶解性を目視で観察した。結果を表1に示す。
Figure 2009084264
(有機薄膜太陽電池の作製、評価)
電子供与体としてレジオレギュラーポリ3−ヘキシルチオフェン(アルドリッチ社製、ロット番号:15409BE、Mw=41000、Mn=22000)を1%(重量%)の濃度でo−ジクロロベンゼンに溶解させた。その後、表2に示されるフラーレン誘導体を電子供与体の重量に対して等倍重量電子受容体として溶液に混合した。ついで、1.0μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、塗布溶液を作製した。
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板をオゾンUV処理して表面処理を行った。次に、前記塗布溶液を用い、スピンコートにより塗布し、有機薄膜太陽電池の活性層(膜厚約100nm)を得た。その後、真空中90℃の条件で60分間ベークを行った。その後、真空蒸着機によりフッ化リチウムを4nmの厚さで蒸着し、次いでAlを100nmの厚さで蒸着した。蒸着のときの真空度は、すべて1〜9×10-3Paであった。また、得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。得られた有機薄膜太陽電池の光電変換効率は、ソーラシミュレーター(分光計器製、商品名OTENTO-SUNII:AM1.5Gフィルター、放射照度100mW/cm2)を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して求めた。結果を表2に示す。
Figure 2009084264
[60]PCBM(Phenyl C61-butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製、商品名E100)
<実施例13>
N-メトキシエトキシエチル-2-(4-ビフェニル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体I)の合成

Figure 2009084264
ジムロートコンデンサーを装着した2口フラスコ(100mL)にフラーレン C60 (250 mg, 0.35 mmol)、グリシン誘導体 1 (92 mg, 0.52 mmol)、ビフェニル-4-カルボキサアルデヒド (126 mg, 0.69 mmol)を入れ、クロロベンゼン(50 mL) を加えて3時間加熱還流した。 室温まで放冷後,ロータリーエバポレータで溶媒を除去し、ついでシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィーを用いて精製し(展開溶媒:二硫化炭素/ 酢酸エチル = 1/0 to 20/1 ) フラーレン誘導体Iを150 mg (0.15 mmol, 42 %) 得た(褐色粉末)。この粉末をメタノールで5回洗浄した後、減圧乾燥した。

1H NMR (400 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 2.84-2.90 (1H, m), 3.36-3.48 (2H, m), 3.40 (3H, s), 3.57-3.66 (2H, m), 3.71-3.80 (2H, m), 3.93-3.98 (1H, m), 4.00-4.06 (1H, m), 4.29 (1H, d, J= 9.5 Hz), 5.17 (1H, s), 5.22 (1H, d, J= 9.9 Hz), 7.26 (1H, dt, J1=1.1 Hz, J2= 7.7 Hz), 7.35 (2H, dd, J1= 8.4 Hz, J2= 7.0 Hz), 7.52 (2H, dd, J1= 1.1 Hz, J2= 8.2 Hz), 7.58 (2H, d, J= 8.4 Hz), 7.82 (d, 2H, J= 7.82 Hz); 13C NMR (100 MHz, ppm, CDCl3) δ 41.83, 48.49, 57.29, 58.66, 60.22, 61.67, 65.70, 71.72, 116.45, 116.51, 116.82, 116.92, 117.73, 118.29, 118.49, 119.39, 125.12, 125.58, 126.01, 126.38, 129.02, 129.41, 129.61, 129.61, 129.86, 130.69, 130.99, 131.12, 131.35, 131.42, 131.47, 131.52, 131.60, 131.73, 132.01, 132.44, 132.59, 133.80, 133.84, 134.07, 134.15, 134.56, 134.63, 134.68, 134.74, 134.81, 134.94, 135.01, 135.20, 135.35, 135.52, 135.55, 135.60, 135.63, 135.70, 135.70, 135.75, 135.89, 136.21, 136.70, 142.74, 142.90, 143.63, 145,88; IR (KBr, cm-1) 3435, 2864, 2803, 1485, 1462, 1427, 1337, 1304, 1179, 1107, 1007, 843, 762, 694, 527; MALDI-TOF-MS (matrix: SA) found 1016.3050 (calcd for C79H23NO2 +, exact Mass: 1017.1729)。
<実施例14>
N-メトキシエトキシエチル-2-(4-メトキシフェニル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体J)の合成

Figure 2009084264
フラーレン C60 (500 mg, 0.69 mmol)、グリシン誘導体 1 (185 mg, 1.04 mmol)、4-メトキシベンズアルデヒド(189 mg, 1.39 mmol)に100 mLのクロロベンゼンを加え、2時間加熱還流を行った。溶媒を減圧留去したのち、シリカゲルフラッシュカラムクロマト(展開溶媒:二硫化炭素/ トルエン/ 酢酸エチル = 1/0/0 to 0/40/1 )を用いて精製を行い、フラーレン誘導体Jを312 mg (0.321 mmol, 42 %) 得た。この粉末をメタノールで5回洗浄した後、減圧乾燥した。
1H NMR (400 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 2.78-2.84 (1H, m), 3.39 (3H, s), 3.35-3.45 (1H, m), 3.56-3.63 (2H, m), 3.69-3.79 (2H, m), 3.75 (3H, s), 3.89-3.94 (1H, m), 3.96-4.02 (1H, m), 4.24 (1H, d, J= 9.8 Hz), 5.06 (1H, s), 5.17 (1H, d, J= 9.7 Hz), 6.86 (2H, d, J= 8.3 Hz), 7.64 (2H, d, J= 6.9 Hz); 13C NMR (100 MHz, ppm, CDCl3) δ 51.99, 54.62, 58.74, 67.49, 68.77, 70.47, 70.52, 71.95, 76.14, 81.76, 113.84, 128.01, 128.62, 130.23, 135.41, 135.53, 136.28, 136.53, 139.25, 139.66, 139.84, 139.90, 141.24, 141.37, 141.52, 141.63, 141.68, 141.80, 141.83, 141.86, 141.99, 142.26, 142.29, 142.37, 142.70, 142.85, 144.07, 144.35, 144.41, 144.81, 144.89, 144.89, 144.99, 145.05, 145.19, 145.27, 145.47, 145.60, 145.76, 145.80, 145.84, 145.94, 145.99, 146.07, 146.21, 146.50, 146.96, 153.30, 153.35, 153.94, 156.28, 159.27; IR (KBr, cm-1) 3460, 3893, 2866, 2828, 1609, 1508, 1456, 1429, 1302, 1246, 1180, 1171, 1107, 1034, 831, 573, 527; MALDI-TOF-MS (matrix: SA) found 971.1522 (calcd for C74H21NO3 +, exact Mass: 971.1521)。
<実施例15>
N-メトキシエトキシエチル-2-(4-クロロフェニル)フレロピロリジン(フラーレン誘導体K)の合成

Figure 2009084264

ジムロートコンデンサーを装着した2口フラスコ(200mL)にフラーレン C60 (500 mg, 0.69 mmol)、グリシン誘導体 1 (184 mg, 1.04 mmol)、4-クロロベンズアルデヒド(196 mg, 1.39 mmol) を入れ、クロロベンゼン(100 mL)を加えて2時間加熱還流した。室温まで放冷後、ロータリーエバポレータで溶媒を除去し、ついでシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィーを用いて精製し(展開溶媒:二硫化炭素/ 酢酸エチル = 1/0 to 20/1 ) フラーレン誘導体Kを254 mg (0.26 mmol, 38 %) 得た(褐色粉末)。この粉末をメタノールで5回洗浄した後、減圧乾燥した。

1H NMR (500 MHz, ppm, CDCl3, J= Hz) δ 2.85-2.90 (1H, m), 3.37-3.47 (1H, m), 3.42 (3H, s), 3.62-3.65 (2H, m), 3.71-3.80 (2H, m), 3.94-3.98 (1H, m), 4.01-4.05 (1H, m), 4.29 (1H, d, J= 9.6 Hz), 5.14 (1H, s), 5.21 (1H, d, J= 9.6 Hz), 7.37 (2H, d, J= 8.8 Hz), 7.75 (2H, d, J= 4.6 Hz); 13C NMR (100 MHz, ppm, CDCl3) δ52.02, 58.98, 67.51, 68.94, 70.34, 70.53, 71.98, 75.90, 81.52, 128.83, 130.58, 134.26, 135.48, 135.63, 135.79, 136.30, 136.83, 139.43, 139.81, 140.04, 140.07, 141.42, 141.55, 141.70, 141.83, 141.88, 141.93, 141.93, 141.98, 142.01, 142.11, 142.42, 142.55, 142.87, 142.87, 143.01, 144.20, 144.26, 144.45, 144.56, 145.01, 145.05, 145.05, 145.10, 145.14, 145.19, 145.29, 145.33, 145.40, 145.56, 145.81, 145.94, 145.99, 146.03, 146.06, 146.12, 146.16, 146.24, 146.39, 147.14, 152.71, 152.94, 153.84, 156.13; IR (KBr, cm-1) 2862, 2803, 1489, 1458, 1420, 1180, 1107, 1090, 1015, 839, 829, 598, 573, 527; MALDI-TOF-MS (matrix: SA) found 975.1024 (calcd for C73H18ClNO2 + Exact Mass: 975.1026 )
(有機薄膜太陽電池の作製、評価)
電子供与体としてレジオレギュラーポリ3−ヘキシルチオフェン(アルドリッチ社製、ロット番号:01004AH、Mw=43000、Mn=22000)を1%(重量%)の濃度でo−ジクロロベンゼンに溶解させた。その後、表3に示されるフラーレン誘導体を電子供与体の重量に対して等倍重量電子受容体として溶液に混合した。ついで、孔径1.0μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、塗布溶液を作製した。
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板をオゾンUV処理して表面処理を行った。次に、前記塗布溶液を用い、スピンコートにより塗布し、有機薄膜太陽電池の活性層(膜厚約100nm)を得た。その後、真空中90℃の条件で60分間ベークを行った。その後、真空蒸着機によりフッ化リチウムを4nmの厚さで蒸着し、次いでAlを100nmの厚さで蒸着した。蒸着のときの真空度は、すべて1〜9×10-3Paであった。また、得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。得られた有機薄膜太陽電池の光電変換効率は、ソーラシミュレーター(分光計器製、商品名OTENTO-SUNII:AM1.5Gフィルター、放射照度100mW/cm2)を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して求めた。結果を表3に示す。
Figure 2009084264
[60]PCBM(Phenyl C61-butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製、商品名E100)
−評価−
表1から分かるように、フラーレン誘導体A〜Gは、[60]PCBMに比べてキシレンへの溶解性が優れていた。また、フラーレン誘導体A、C、D、E、H、I、J、Kを用いて形成した有機薄膜太陽電池(実施例8〜12、16〜18)は、高い光電変換効率を示した。

Claims (5)

  1. 下記式(1)で表されるフラーレン誘導体を含む層を有する有機光電変換素子。
    Figure 2009084264
    (1)
    [式中、mは1〜6の整数を、nは1〜4の整数を、pは0〜5の整数を、rは0〜4の整数を表す。Qは下記式(2)または(3)で表される基を表す。mが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
    Figure 2009084264
    (2) (3)
    [式中、R1、R2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。qは0〜7の整数を、vは0〜5の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、R2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
  2. 下記式(1)で表されるフラーレン誘導体と電子供与性化合物とを含む組成物。
    Figure 2009084264
    (1)
    [式中、mは1〜6の整数を、nは1〜4の整数を、pは0〜5の整数を、rは0〜4の整数を表す。Qは下記式(2)または(3)で表される基を表す。mが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
    Figure 2009084264
    (2) (3)
    [式中、R1、R2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。qは0〜7の整数を、vは0〜5の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、R2が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
  3. 電子供与性化合物が高分子化合物である請求項2に記載の組成物。
  4. 請求項2または3に記載の組成物を含む層を有する有機光電変換素子。
  5. 下記式(4)で表されるフラーレン誘導体。
    Figure 2009084264
    (4)
    [式中、cは1〜6の整数を、dは1〜4の整数を、eは0〜5の整数を、fは0〜4の整数を表す。Tは下記式(5)または(6)で表される基を表す。cが複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
    Figure 2009084264
    (5) (6)
    [式中、R3、R4は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。gは0〜7の整数を、hは0〜5の整数を表す。ただし、hが0の場合は、fは1〜4の整数である。R3が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、R4が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。]
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011052535A1 (ja) 2009-10-30 2011-05-05 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP2011155104A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ
WO2011132573A1 (ja) * 2010-04-22 2011-10-27 住友化学株式会社 フラーレン誘導体及びその製造方法
JP2013216638A (ja) * 2012-04-12 2013-10-24 Nissan Chem Ind Ltd フラーレン誘導体およびこれを用いた有機太陽電池
WO2014185536A1 (ja) 2013-05-16 2014-11-20 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
WO2014185535A1 (ja) 2013-05-16 2014-11-20 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
JP2015013844A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP2015113301A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 株式会社リコー フラーレン誘導体およびその製造方法
WO2017061543A1 (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
JPWO2016158698A1 (ja) * 2015-03-30 2018-03-08 住友化学株式会社 光電変換素子
JP2019212763A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 住友化学株式会社 光電変換素子

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009188373A (ja) * 2008-01-09 2009-08-20 Sumitomo Chemical Co Ltd フラーレン誘導体を含む組成物およびそれを用いた有機光電変換素子
CN101971383B (zh) * 2008-03-12 2013-01-09 住友化学株式会社 有机光电转换元件
JP5425438B2 (ja) * 2008-10-06 2014-02-26 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP5229150B2 (ja) 2009-07-31 2013-07-03 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
CN102827150B (zh) * 2012-09-06 2014-10-01 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 富勒烯单大环多胺衍生物及其制备方法
CN102827149B (zh) * 2012-09-06 2014-10-01 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 富勒烯单大环多胺衍生物中间体及其制备方法
CN102911002A (zh) * 2012-10-23 2013-02-06 中国科学院化学研究所 含萘环富勒烯衍生物及其制备方法与应用
KR101573611B1 (ko) 2013-04-17 2015-12-01 주식회사 엘지화학 플러렌 유도체, 이를 이용한 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법
US9502658B2 (en) 2013-04-22 2016-11-22 Nano-C, Inc. Fullerene derivatives and related materials, methods, and devices
CN103589788B (zh) * 2013-10-18 2015-02-25 华美生物工程有限公司 富勒烯及其衍生物在多重pcr检测中的应用
EP2905277A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-12 LANXESS Deutschland GmbH 1',2',5'-trisubstituted Fulleropyrrolidines

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116617A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Sharp Corp 光電変換素子及び太陽電池
JP2006290788A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラーレン誘導体ならびにそれを用いたフラーレン膜の製造方法および電界効果トランジスタの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665955A (en) * 1970-07-20 1972-05-30 George Eugene Conner Sr Self-contained valve control system
US3630640A (en) * 1970-09-04 1971-12-28 Mcmurry Oil Tools Inc Method and apparatus for gas-lift operations in oil wells
US6162926A (en) * 1995-07-31 2000-12-19 Sphere Biosystems, Inc. Multi-substituted fullerenes and methods for their preparation and characterization
US6949660B2 (en) * 1995-10-26 2005-09-27 Seth Nanotechnology, Incorporated Chiral (1pyrrolino) fullerene derivatives
JP2000290278A (ja) * 1999-04-02 2000-10-17 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性を有する二本鎖dna断片および水溶性フラーレン誘導体
US6523613B2 (en) * 2000-10-20 2003-02-25 Schlumberger Technology Corp. Hydraulically actuated valve
US6644412B2 (en) * 2001-04-25 2003-11-11 Weatherford/Lamb, Inc. Flow control apparatus for use in a wellbore
AU2004225541B2 (en) * 2003-03-28 2008-03-13 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Surface flow controlled valve and screen
US6924717B2 (en) * 2003-06-30 2005-08-02 Intel Corporation Tapered electrode in an acoustic resonator
US20050263287A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-01 Schlumberger Technology Corporation Flow Control in Conduits from Multiple Zones of a Well
US7387165B2 (en) * 2004-12-14 2008-06-17 Schlumberger Technology Corporation System for completing multiple well intervals
US20060289058A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-28 The University Of Manchester Photoconductive polymer
US7467665B2 (en) * 2005-11-08 2008-12-23 Baker Hughes Incorporated Autonomous circulation, fill-up, and equalization valve
WO2008004635A1 (fr) * 2006-07-05 2008-01-10 National Institute For Materials Science Dérivé liquide de fullerène, sa méthode de production et un dispositif l'employant
JP5534714B2 (ja) * 2008-10-06 2014-07-02 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP5425438B2 (ja) * 2008-10-06 2014-02-26 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP5639753B2 (ja) * 2009-10-30 2014-12-10 住友化学株式会社 フラーレン誘導体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116617A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Sharp Corp 光電変換素子及び太陽電池
JP2006290788A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラーレン誘導体ならびにそれを用いたフラーレン膜の製造方法および電界効果トランジスタの製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6008061112; BOSI,S. et al.: 'Synthesis of novel fullerene derivatives for potential use in optical limiting' MCLC S&T, Section B: Nonlinear Optics Vol.27, No.1-4, 2001, p.367-376 *
JPN6008061114; WANG,P. et al.: 'Substituents effect on the nonlinear optical properties of C60 derivatives' Optics Communications Vol.192, No.3-6, 2001, p.387-391 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011052535A1 (ja) 2009-10-30 2011-05-05 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP2011093848A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Sumitomo Chemical Co Ltd フラーレン誘導体
JP2011155104A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ
WO2011132573A1 (ja) * 2010-04-22 2011-10-27 住友化学株式会社 フラーレン誘導体及びその製造方法
JP2013216638A (ja) * 2012-04-12 2013-10-24 Nissan Chem Ind Ltd フラーレン誘導体およびこれを用いた有機太陽電池
US10388878B2 (en) 2013-05-16 2019-08-20 Daikin Industries, Ltd. Fullerene derivative and N-type semiconductor material
WO2014185535A1 (ja) 2013-05-16 2014-11-20 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
WO2014185536A1 (ja) 2013-05-16 2014-11-20 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
JP2015013844A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 住友化学株式会社 フラーレン誘導体
JP2015113301A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 株式会社リコー フラーレン誘導体およびその製造方法
JPWO2016158698A1 (ja) * 2015-03-30 2018-03-08 住友化学株式会社 光電変換素子
WO2017061543A1 (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
JPWO2017061543A1 (ja) * 2015-10-06 2018-07-12 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
JP2020109093A (ja) * 2015-10-06 2020-07-16 ダイキン工業株式会社 フラーレン誘導体、及びn型半導体材料
US10894770B2 (en) 2015-10-06 2021-01-19 Daikin Industries, Ltd. Fullerene derivative and n-type semiconductor material
JP2019212763A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 住友化学株式会社 光電変換素子

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