JP2009071133A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置の一形態であるRIE装置10Bは、基板Wを載置するRF電極11と、RF電極11と対向する対向電極12と、RF電極11と対向電極12を収容し、その内部雰囲気の調整が可能なチャンバ13と、RF電極11上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を第1周波数f1のRF電圧のピーク−ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により間欠的にRF電極11に印加する第1電源装置18と、RF電極11と対向電極12との間にプラズマを発生させるための第2周波数のRF電圧を、第1電源装置18から出力される電圧と同期させて間欠的にRF電極11に印加する第2電源装置19Aを具備する。
【選択図】図8
Description
一定間隔で前記第1電極と対向するように配置された第2電極と、
前記第1,第2電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、
前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を、所定の第1周波数のRF電圧のピーク−ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により、間欠的に前記第1電極に印加する第1電源装置と、
前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を、連続的にまたは前記第1電源装置から出力される電圧と同期させて間欠的に、前記第1電極または前記第2電極に印加する第2電源装置と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
一定間隔で前記第1電極と対向するように配置された第2電極と、
前記第1,第2電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、
前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の第1周波数の直流パルス電圧を前記第1電極に印加する第1電源装置と、
前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を前記直流パルス電圧と同期させて前記第1電極または前記第2電極に印加する第2電源装置と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を、所定の第1周波数のRF電圧のピーク−ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により、間欠的に前記第1電極に印加するとともに、前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を連続的にまたは前記第1電極に印加される電圧と同期させて間欠的に前記第1電極または前記第2電極に印加し、
或いは、前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の直流パルス電圧を前記第1電極に印加するとともに、前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定のRF電圧を前記直流パルス電圧と同期させて間欠的に前記第1電極または前記第2電極に印加することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
Claims (5)
- 被処理基板を載置する第1電極と、
一定間隔で前記第1電極と対向するように配置された第2電極と、
前記第1,第2電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、
前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を、所定の第1周波数のRF電圧のピーク−ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により、間欠的に前記第1電極に印加する第1電源装置と、
前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を、連続的にまたは前記第1電源装置から出力される電圧と同期させて間欠的に、前記第1電極または前記第2電極に印加する第2電源装置と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第1電源装置は、前記第1周波数の周期の自然数倍の周期で、かつ、電圧印加時間幅の中間で最小電位となるように、前記第1電極に対して間欠的に電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 被処理基板を載置する第1電極と、
一定間隔で前記第1電極と対向するように配置された第2電極と、
前記第1,第2電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、
前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の第1周波数の直流パルス電圧を前記第1電極に印加する第1電源装置と、
前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を前記直流パルス電圧と同期させて前記第1電極または前記第2電極に印加する第2電源装置と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第1電源装置が前記第1電極に対して印加する電圧の周波数は、前記第2周波数未満かつ生成するプラズマのイオン周波数ωpi(ωpi=(e2Ni/(ε0M))1/2[Hz],Ni:イオン密度(個/m3)、ε0:真空の誘電率、M:イオン質量(kg)、e:電子素量)超であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- その内部雰囲気を調整可能に構成されたチャンバ内の下部および上部に互いに一定間隔で対向するようにそれぞれ配置された第1電極と第2電極の当該第1電極上に被処理基板を載置させ、
前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を、所定の第1周波数のRF電圧のピーク−ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により、間欠的に前記第1電極に印加するとともに、前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定の第2周波数のRF電圧を連続的にまたは前記第1電極に印加される電圧と同期させて間欠的に前記第1電極または前記第2電極に印加し、
或いは、前記第1電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の直流パルス電圧を前記第1電極に印加するとともに、前記第1,第2電極間にプラズマを発生させるための所定のRF電圧を前記直流パルス電圧と同期させて間欠的に前記第1電極または前記第2電極に印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
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