JP2009058877A - フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009058877A
JP2009058877A JP2007227640A JP2007227640A JP2009058877A JP 2009058877 A JP2009058877 A JP 2009058877A JP 2007227640 A JP2007227640 A JP 2007227640A JP 2007227640 A JP2007227640 A JP 2007227640A JP 2009058877 A JP2009058877 A JP 2009058877A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
opening
photomask
shielding portion
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007227640A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009058877A5 (enExample
Inventor
Shigeo Irie
重夫 入江
Akio Mitsusaka
章夫 三坂
Yuji Nonami
勇治 野並
Tetsuya Nakamura
哲也 中村
Tomoyoshi Harada
知佳 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2007227640A priority Critical patent/JP2009058877A/ja
Priority to US12/200,478 priority patent/US7998641B2/en
Publication of JP2009058877A publication Critical patent/JP2009058877A/ja
Priority to US13/178,256 priority patent/US8278014B2/en
Publication of JP2009058877A5 publication Critical patent/JP2009058877A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
JP2007227640A 2007-09-03 2007-09-03 フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 Pending JP2009058877A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227640A JP2009058877A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
US12/200,478 US7998641B2 (en) 2007-09-03 2008-08-28 Photomask and pattern formation method using the same
US13/178,256 US8278014B2 (en) 2007-09-03 2011-07-07 Photomask and pattern formation method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227640A JP2009058877A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009058877A true JP2009058877A (ja) 2009-03-19
JP2009058877A5 JP2009058877A5 (enExample) 2011-12-15

Family

ID=40408028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007227640A Pending JP2009058877A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7998641B2 (enExample)
JP (1) JP2009058877A (enExample)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009053575A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Panasonic Corp フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP2009058877A (ja) 2007-09-03 2009-03-19 Panasonic Corp フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP2009075207A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Panasonic Corp フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP2013225033A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Japan Display Inc 表示装置及びその製造方法
CN103576444B (zh) * 2012-08-07 2016-07-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种掩膜版的光学临近修正方法
KR20150028109A (ko) * 2013-09-05 2015-03-13 삼성디스플레이 주식회사 노광용 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법
CN104407496A (zh) * 2014-10-28 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板
KR102077337B1 (ko) * 2015-04-17 2020-02-13 에스케이하이닉스 주식회사 프리-얼라인먼트 키를 갖는 포토마스크 및 이를 포함하는 포토리소그라피 장비
US10838295B2 (en) * 2017-05-04 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photomask and fabrication method therefor
TWI798771B (zh) * 2021-07-28 2023-04-11 力晶積成電子製造股份有限公司 光罩以及內連線結構的製造方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08106151A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Sony Corp 位相シフト・マスクおよびその製造方法
JPH1010700A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Nec Corp フォトマスク及びその製造方法
JPH1115130A (ja) * 1997-06-24 1999-01-22 Matsushita Electron Corp 半導体製造用ハーフトーンマスクおよびその製造方法
JP2000019710A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2001102282A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Toshiba Corp 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
JP2001296647A (ja) * 2000-02-10 2001-10-26 Nec Corp フォトマスクおよびこれを用いた露光方法
JP2003114514A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Sharp Corp マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法
JP2003233164A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Fujitsu Ltd フォトマスク及びその製造方法
JP2003322949A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP2004029747A (ja) * 2002-04-30 2004-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク、その作成方法、及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法
JP2005025230A (ja) * 2004-10-12 2005-01-27 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
WO2005081295A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光方法、露光装置及び露光システム並びにデバイス製造方法
JP2006053589A (ja) * 2003-02-17 2006-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP2006079219A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディスクアレイ制御装置およびディスクアレイ制御方法
JP2006091919A (ja) * 2001-12-26 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3197484B2 (ja) * 1995-05-31 2001-08-13 シャープ株式会社 フォトマスク及びその製造方法
KR0161879B1 (ko) * 1995-09-25 1999-01-15 문정환 위상 반전 마스크의 구조 및 제조방법
KR100215850B1 (ko) 1996-04-12 1999-08-16 구본준 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법
US6214497B1 (en) * 1999-06-29 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Method to eliminate side lobe printing of attenuated phase shift masks
US6207333B1 (en) * 1999-07-29 2001-03-27 International Business Machines Corporation Mask with attenuating phase-shift and opaque regions
US6255023B1 (en) * 1999-11-04 2001-07-03 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing binary phase shift mask
CN1661480A (zh) * 1999-11-08 2005-08-31 松下电器产业株式会社 一种图案形成方法
JP3708877B2 (ja) * 2001-05-01 2005-10-19 松下電器産業株式会社 フォトマスク
JP2003005344A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Nec Corp ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法
JP3984593B2 (ja) * 2001-12-26 2007-10-03 松下電器産業株式会社 フォトマスク
US7001694B2 (en) 2002-04-30 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask and method for producing the same
US7147975B2 (en) * 2003-02-17 2006-12-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask
US7348575B2 (en) * 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2005107195A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Renesas Technology Corp ホトマスク、ホトマスクの製造方法、およびそのホトマスクを用いた半導体装置の製造方法
JP4619043B2 (ja) * 2004-06-02 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
JP5044095B2 (ja) * 2004-11-02 2012-10-10 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7691559B2 (en) * 2005-06-30 2010-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography edge bead removal
JP2009053575A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Panasonic Corp フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP2009058877A (ja) 2007-09-03 2009-03-19 Panasonic Corp フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08106151A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Sony Corp 位相シフト・マスクおよびその製造方法
JPH1010700A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Nec Corp フォトマスク及びその製造方法
JPH1115130A (ja) * 1997-06-24 1999-01-22 Matsushita Electron Corp 半導体製造用ハーフトーンマスクおよびその製造方法
JP2000019710A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2001102282A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Toshiba Corp 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
JP2001296647A (ja) * 2000-02-10 2001-10-26 Nec Corp フォトマスクおよびこれを用いた露光方法
JP2003114514A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Sharp Corp マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法
JP2006091919A (ja) * 2001-12-26 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP2003233164A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Fujitsu Ltd フォトマスク及びその製造方法
JP2003322949A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP2004029747A (ja) * 2002-04-30 2004-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク、その作成方法、及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法
JP2006053589A (ja) * 2003-02-17 2006-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
WO2005081295A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光方法、露光装置及び露光システム並びにデバイス製造方法
JP2006079219A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディスクアレイ制御装置およびディスクアレイ制御方法
JP2005025230A (ja) * 2004-10-12 2005-01-27 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090061330A1 (en) 2009-03-05
US20110262849A1 (en) 2011-10-27
US8278014B2 (en) 2012-10-02
US7998641B2 (en) 2011-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7504186B2 (en) Photomask, method for producing the same, and method for forming pattern using the photomask
US8278014B2 (en) Photomask and pattern formation method using the same
US20070184361A1 (en) Photomask, pattern formation method using the same and mask data creation method
JP2002351046A (ja) 位相シフトマスクおよびその設計方法
KR101076886B1 (ko) 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법
US20040038135A1 (en) Photolithographic mask and methods for producing a structure and of exposing a wafer in a projection apparatus
US20020132174A1 (en) Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks
US7914953B2 (en) Photomask and pattern formation method using the same
JPH11143047A (ja) フォトマスク及びその製造方法
JPH0973166A (ja) 露光用フォトマスクおよびその製造方法
US6517982B2 (en) Mask set for use in phase shift photolithography technique which is suitable to form random patterns, and method of exposure process using the same
US8007959B2 (en) Photomask and pattern formation method using the same
JP2010276997A (ja) 露光用マスク及び半導体装置の製造方法
JP4009219B2 (ja) フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法
JP3759914B2 (ja) フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP4178291B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造用レチクルセット
US7771902B2 (en) Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same
WO2012039078A1 (ja) フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
JP3322223B2 (ja) 位相シフトマスク
US7361434B2 (en) Phase shift mask
JP3738234B2 (ja) フォトマスク、その作成方法、及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法
WO1998002782A1 (en) Sidelobe suppressing attenuated phase-shifting mask
JPH1165083A (ja) 半導体装置の製造方法ならびにフォトマスクおよびその製造方法
JP2007079101A (ja) 位相シフトマスクおよび半導体集積回路の製造方法
KR20020002015A (ko) 콘택홀용 위상반전마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100317

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110527

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111108

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120228