JP2009010230A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダミーセル20aのダミー浮遊ゲート23aは、そのインターフェース部12側における最外端の側面(端部23b)が緩斜面に形成されており、その傾斜角度が、当該ダミー浮遊ゲート23aの他方の側面及び浮遊ゲート23における側面の傾斜角度よりも小さくなるように形成される。
【選択図】図2
Description
図示の例では、シリコン基板100上で素子分離構造、ここではSTI素子分離構造101で活性領域が画定されている。この活性領域上に、極薄のトンネル酸化膜102を介して、個々の島状に独立形成された浮遊ゲート103と、浮遊ゲート103の表面を覆う誘電体膜104と、帯状に延在し、複数の浮遊ゲート103上に誘電体膜104を介して形成された制御ゲート105が形成されており、浮遊ゲート103と制御ゲート105とが誘電体膜104により容量結合する。
層間絶縁膜108内には、インターフェース部を構成する制御ゲート105の延在部分の上方に接続プラグ107がされており、制御ゲート105は接続プラグ107を介して延在部分の上方に配された配線109と接続されている。
特許文献1には、各浮遊ゲートの両側面にサイドウォール絶縁膜を形成し、制御ゲートの段差を緩和する旨が開示されている。また、特許文献2には、各浮遊ゲートの膜厚を調節することにより、制御ゲートの段差を緩和する旨が開示されている。
を含み、複数の前記第1の導電膜のうち、一端に位置する前記第1の導電膜の外側の側面が、前記一端に位置する前記第1の導電膜の内側の側面よりも緩斜面となるように制御して前記エッチングを行う。
本発明では、複数の浮遊ゲートのうち、少なくとも一端に位置する浮遊ゲート、例えばダミーパターンを、その最外端の側面の傾斜角度が、当該一端に位置するダミーパターンの他方の側面の傾斜角度よりも小さくなるように形成する。
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、半導体装置としていわゆるフラッシュメモリを開示する。
図1は、本実施形態によるフラッシュメモリの構成(トランジスタを除く)を示す概略平面図であり、(b)は(a)内の楕円Cで囲む一部分を拡大して示す概略平面図である。
図2は図1(b)の線分I−Iに沿った概略断面図である。
その他の回路13は、例えばメモリセル部11の制御回路やロジック回路(周辺回路)等から構成されている。
ダミーセル20aは、各制御ゲート25の下方において、規則的に隣接配設される複数のメモリセル20の両端(図2では一端のみを示す。)に配されており、浮遊ゲート23の代わりにダミー浮遊ゲート23aが設けられる以外はメモリセル20と同様の素子構成を採る。
層間絶縁膜28には、インターフェース部12を構成する制御ゲート25の延在部分の上方に接続孔28aが形成され、この接続孔28aを導電材料で充填する接続プラグ27が形成されており、制御ゲート25は接続プラグ27を介して延在部分の上方に配された配線29と接続されている。配線29は、その他の回路13と接続されている。
以下、上記の構成のフラッシュメモリの製造方法について説明する。
図3〜図11は、本実施形態によるフラッシュメモリ(トランジスタを除く)の製造方法を工程順に示す概略図である。
ここで、図3,図5、図6及び図9の各図において、(a)が平面図、(b)が(a)の線分I−Iに沿った断面図をそれぞれ示す。図4は、図3(a)の線分I−Iに沿った断面に対応する断面図である。図9は、(a)が図3(a)の線分I−Iに沿った断面に対応する断面図、(b)が図3(a)の線分II−IIに沿った断面に対応する断面図である。図7,図8,図10,図11の各図において、(a)が平面図、(b)が(a)の線分I−Iに沿った断面図、(c)が(a)の線分II−IIに沿った断面図をそれぞれ示す。更に図10及び図11では、(d)が(b)の矩形破線で囲む部分に対応する図12の従来例の状態を示す。
詳細には、先ず、シリコン基板10の素子分離領域に分離溝10aを形成し、当該分離溝10aを埋め込むように絶縁膜、例えばシリコン酸化膜を堆積して、このシリコン酸化膜を例えば化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing)法により平坦化し、分離溝10aをシリコン酸化物で充填してなるSTI素子分離構造21を形成する。このSTI素子分離構造21により、シリコン基板10上で活性領域が画定される。
次に、活性領域に、膜厚10nm程度の薄い絶縁膜、ここではシリコン酸化膜からなるトンネル絶縁膜22を形成する。
詳細には、シリコン基板10の全面に導電材料、ここでは多結晶シリコン膜31を、例えばCVD法により膜厚40nm〜150nm、ここでは90nm程度に堆積する。
詳細には、多結晶シリコン膜31を覆うようにレジストを塗布し、図5(a)中の線分I−Iに直交する方向が長手方向となるストライプ形状に、フォトリソグラフィーによりレジストを加工し、レジストマスク32を形成する。
詳細には、レジストマスク32を用いた異方性ドライエッチングにより多結晶シリコン膜31aを加工し、図6(a)中の線分I−Iに直交する方向(ビットライン方向)に多結晶シリコン膜31が分断されてなる複数の多結晶シリコン膜31aを形成する。
詳細には、先ず、レジストマスク32を灰化処理等により除去した後、シリコン基板10の全面に例えばONO膜を例えば膜厚15nm程度に形成し、誘電体膜24を形成する。
次に、シリコン基板10の全面に、CVD法等により、導電材料、例えば膜厚10nm程度の多結晶シリコン膜41と、膜厚30nm程度のシリコン窒化膜33とを順次形成する。
次に、シリコン窒化膜33を覆うようにレジストを塗布し、図7(a)中の線分I−Iに平行な方向が長手方向となるストライプ形状に、フォトリソグラフィーによりレジストを加工し、レジストマスク34を形成する。
詳細には、レジストマスク34を用いた異方性ドライエッチングにより、図8(a)中の線分I−Iに平行な方向(ワードライン方向)にそれぞれ分断するように、多結晶シリコン膜41、誘電体膜24、及び多結晶シリコン膜31a,31bを加工する。これにより、多結晶シリコン膜31aが各々孤立した形状の浮遊ゲート23に、多結晶シリコン膜31bが孤立した形状のダミー浮遊ゲート23aに、多結晶シリコン膜41が線分I−Iに平行な方向に延在するストライプ形状の制御ゲート25に、それぞれ加工形成される。このエッチングにおいては、例えば、HBr、Cl2、O2及びCF4の混合ガスが用いられる。
レジストマスク34は、灰化処理等により除去される。
詳細には、先ず、熱酸化により、浮遊ゲート23及びダミー浮遊ゲート23a、制御ゲート25の両側面に第1のシリコン酸化膜35を形成する。
次に、シリコン窒化膜33及び制御ゲート25をマスクとして、制御ゲート25の両側で露出する活性領域に不純物、ここでは例えば砒素(As)をイオン注入し、ソース/ドレイン領域36を形成する(正確には、その後に適時行われるアニール処理によりイオン注入された不純物が活性化し、ソース/ドレイン領域36が形成される。)。
次に、熱酸化により、第1のシリコン酸化膜35を厚くするように第2のシリコン酸化膜37を形成する。
次に、シリコン基板10の全面に絶縁膜、ここではシリコン窒化膜38をCVD法等により形成する。
詳細には、シリコン窒化膜38の全面を異方性ドライエッチング(エッチバック)する。これにより、浮遊ゲート23及びダミー浮遊ゲート23a、制御ゲート25の両側面(第2のシリコン酸化膜37上)のみにシリコン窒化膜38のシリコン窒化物を残し、サイドウォール絶縁膜39を形成する。
このとき、当該エッチバックにより、制御ゲート25の上面のシリコン窒化膜33も除去され、当該上面が露出する。
詳細には、サリサイドプロセスにより、制御ゲート25の上面及びソース/ドレイン領域36上に、金属シリサイド膜26としてここではコバルト・シリサイド膜を形成する。
先ず、シリコン基板の全面に、シリサイド化が可能な金属、ここではコバルト(Co)膜を例えばスパッタ法により堆積する。
次に、熱処理により、制御ゲート25の上面及びソース/ドレイン領域36のシリコンとコバルトとを反応させ、コバルト・シリサイド膜を形成する。そして、制御ゲート25の上面及びソース/ドレイン領域36上以外に存する未反応のコバルト膜をウェットエッチングにより除去する。これにより、制御ゲート25の上面及びソース/ドレイン領域36上に、コバルト・シリサイド膜である金属シリサイド膜26を形成する。
詳細には、先ず、シリコン基板10の全面を覆うように、絶縁膜、ここではシリコン酸化膜をCVD法により例えば膜厚400nmに堆積し、層間絶縁膜28を形成する。
次に、インターフェース部12を構成する制御ゲート25の延在部分(又はその上の金属シリサイド膜26)の一部を露出させるように、層間絶縁膜28に接続孔28aを形成する。
次に、接続プラグ27上を含む層間絶縁膜28上に導電材料、例えばアルミニウム(Al)合金を堆積し、このアルミニウム合金をフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより加工して、接続プラグ27を介して制御ゲート25と電気的に接続されてなる配線29を形成する。
次に、配線29を埋め込むように、再び層間絶縁膜28を形成する。
前記半導体基板の上方において、第1の方向に配列された複数の第1の導電膜と、
複数の前記第1の導電膜を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の方向に帯状に延在する第2の導電膜と
を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に導電材料を堆積する工程と、
前記導電材料をエッチングして複数の前記第1の導電膜を形成する工程と
を含み、
複数の前記第1の導電膜のうち、一端に位置する前記第1の導電膜の外側の側面が、前記一端に位置する前記第1の導電膜の内側の側面よりも緩斜面となるように制御して前記エッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1の多結晶シリコン膜を、HBr及びO2を含む混合ガス、又はHBr及びN2を含む混合ガスを用いてエッチングして、複数の浮遊ゲートを形成する工程と、
前記複数の浮遊ゲート上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第2の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
前記第2の多結晶シリコン膜をエッチングして、制御ゲートを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の上方において、第1の方向に配列された複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の方向に帯状に延在する第2の導電膜と
を含み、
複数の前記第1の導電膜のうち、一端に位置する前記第1の導電膜の外側の側面の傾斜角度が、当該一端に位置する前記第1の導電膜の内側の側面の傾斜角度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
10 シリコン基板
11 メモリセル部
11a 主メモリセル領域
11b ダミーセル領域
12 インターフェース部
13 その他の回路
14 パッド電極
21 STI素子分離構造
22 トンネル絶縁膜22
23 浮遊ゲート
23a ダミー浮遊ゲート
24 誘電体膜
25 制御ゲート
26 金属シリサイド膜
27 接続プラグ
28 層間絶縁膜
28a 接続孔
29 配線
31,31a,31b,41
32,34 レジストマスク
33,38 シリコン窒化膜
35 第1のシリコン酸化膜
36 ソース/ドレイン領域
37 第2のシリコン酸化膜
39 サイドウォール絶縁膜
40 SiNの残渣
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方において、第1の方向に配列された複数の第1の導電膜と、
複数の前記第1の導電膜を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の方向に帯状に延在する第2の導電膜と
を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に導電材料を堆積する工程と、
前記導電材料をエッチングして複数の前記第1の導電膜を形成する工程と
を含み、
複数の前記第1の導電膜のうち、一端に位置する前記第1の導電膜の外側の側面が、前記一端に位置する前記第1の導電膜の内側の側面よりも緩斜面となるように制御して前記エッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - HBr及びO2を含む混合ガスを用いて、前記エッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- HBr及びN2を含む混合ガスを用いて、前記エッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一端に位置する前記第1の導電膜の前記外側の側面の傾斜角度が40°以上87°以下となるように形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第の導電膜上に金属シリサイド膜を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に第1の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
前記第1の多結晶シリコン膜を、HBr及びO2を含む混合ガス、又はHBr及びN2を含む混合ガスを用いてエッチングして、複数の浮遊ゲートを形成する工程と、
前記複数の浮遊ゲート上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第2の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
前記第2の多結晶シリコン膜をエッチングして、制御ゲートを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記エッチングに、前記HBr及びO2を含む混合ガスを用いる場合には、O2の含有率が2%以上25%以下であり、前記HBr及びN2を含む混合ガスを用いる場合には、N2の含有率が2%以上25%以下であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方において、第1の方向に配列された複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の方向に帯状に延在する第2の導電膜と
を含み、
複数の前記第1の導電膜のうち、一端に位置する前記第1の導電膜の外側の側面の傾斜角度が、当該一端に位置する前記第1の導電膜の内側の側面の傾斜角度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 前記一端に位置する前記第1の導電膜は、その前記外側の側面の傾斜角度が40°以上87°以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第2の導電膜上に形成されてなる金属シリサイド膜を更に含むことを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体装置。
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