JP2009004488A - 光集積素子、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、突合せ接続部上にInGaAsPからなる保護層を設ける。本層は、InPクラッド層に対してエッチング選択性が高いので、メサエッチング後もBJ接続上に残存する。
【選択図】図4
Description
本発明は、以上に述べたBJ接続部に起因したリッジ構造型光集積素子作製に特有の課題を解決しようとするものである。
<実施例1>
第1の実施例は、既に述べたようにリッジ構造型変調器集積化光源に適用したものである。成長方法としては、有機金属気相成長(MOVPE:Metal-organic vapor phase epitaxy)法を用いた。III族元素の原料は、トリエチルガリウム(TEG)、トリメチルインジウム(TMI)、トリメチルアルミニウム(TMA)を用いた。V族元素の原料には、アルシン(AsH3)とフォスフィン(PH3)を用いた。また、n型ドーパントとしてはジシラン(Si2H6)を、p型ドーパントとしてはジメチル亜鉛(DMZ)を用いた。尚、成長法としては、MOVPEのみに限定されるものではなく、分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法、化学ビーム成長(CBE: Chemical Beam Epitaxy)法、有機金属分子線エピタキシー(MOMBE: Metal-organic Molecular Beam Epitaxy)法などを用いても良い。
<実施例2>
第2の実施例は、本発明を短共振器DBRレーザに適用したものである。本レーザは、第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集p.1016 青木等7p-ZN-18に報告されているように、共振器長を非常に短くして、低しきい値電流での高速動作を目指した新しい光源である。成長方法としては、ここでもMOVPE法を用いたが、それに限定されるものでは無く、同一の効果が得られれば他の手法でも良い。用いた原料は、実施例1と同様である。
レーザ部の長さ50μm、素子長200μmの素子は、100℃にて、10mAにて10GHzで動作した。また、長時間動作でも素子特性は劣化せず高い素子信頼性を示した。また、素子の作製歩留まりも高かった。
<実施例3>
第3の実施例は、本発明をアレイ型の光集積素子に応用した例である。図8に素子の鳥瞰図を示す。尚、本図では、簡易化のために窓部や電極部は省略した。本素子は、並列に並べた4チャンネルのレーザから出射した光を導波路を通して合波器で一つの導波路に収束させ、一つの変調器で変調する素子の例である。図8の803がレーザ部MQW層、807が変調器部MQW層であり、これらの間は合波器808と導波路810で接続されている。成長方法としては、ここでもMOVPE法を用いたが、それに限定されるものでは無く、同一の効果が得られれば他の手法でも良い。用いた原料は、実施例1に加え、Feのドーパントしてフェロセンを用いた。
102…レーザ部の多重量子井戸層、
103…導波路層、
104…変調器部の多重量子井戸層、
105…p+-InGaAsコンタクト層、
106…p-InPクラッド層、
107…回折格子、
201…n-InP基板、
202…p-InPキャップ層、
203…レーザ部の多重量井戸層、
204…絶縁体マスク、
205…InPキャップ層、
206…変調器部の多重量子井戸層、
207…絶縁体マスク、
208…InPキャップ層、
209…導波路層、
210…p+-InGaAsコンタクト層、
211…p-InPクラッド層、
212…絶縁体マスク、
301…InP基板、
302…導波路層、
303…InPキャップ層、
304…絶縁体マスク、
305…InPキャップ層、
306…多重量子井戸層、
401…n-InP基板、
402…レーザ部の多重量子井戸層、
403…バットジョイント保護層、
404…変調器部の多重量子井戸層、
405…p+-InGaAsコンタクト層、
406…p-InPクラッド層、
407…導波路層、
408…回折格子、
501…n-InP基板、
502…絶縁体マスク、
503…InPキャップ層、
504…導波路層、
505…変調器部の多重量子井戸層、
506…InPキャップ層、
507…バットジョイント保護層、
508…p+-InGaAsコンタクト層、
509…p-InPクラッド層、
510…絶縁体マスク、
511…レーザ部の多重量子井戸層、
601…InP基板、
602…導波路層、
603…バットジョイント保護層、
604…多重量子井戸層、
701…n-InP基板、
702…レーザ部の多重量子井戸層、
703…バットジョイント保護層、
704…回折格子、
705…p+-InGaAsコンタクト層、
706…p-InPクラッド層、
707…導波路層、
801…n-InP基板、
802…導波路層、
803…レーザ部の多重量子井戸層、
804…p-InPクラッド層、
805…p+-InGaAsコンタクト層、
806…バットジョイント保護層、
807…変調器部の多重量子井戸層、
808…合波器、
809…FeドープInP埋込層、
810…導波路層。
Claims (10)
- 半導体基板上に第1の光導波路用半導体層を形成する工程と、
前記第1の光導波路用半導体層上に形成された第1のエッチングマスクを用いて、前記第1の光導波路用半導体層をエッチングにより除去し第1の半導体光素子形成予定領域をパターンニングする工程と、
エッチングにより前記第1の光導波路用半導体層が除去された前記半導体基板上の領域に、第2の光導波路用半導体層を結晶成長させ、前記第1および第2の光導波路用半導体層とを突合せ接続方式により集積する工程とを少なくとも1回以上、尚且つ、少なくとも1箇所以上有し、
前記突合せ接続方式により形成された前記第1の光導波路用半導体層と前記第2の光導波路用半導体層との突合せ接続部を露出させるように形成され前記第1のエッチングマスクの端部より内側に端部を有する第1の保護膜形成用マスクを形成する工程と、
前記第1の保護膜形成用マスクを用いて、前記半導体基板上に選択的に第1の保護半導体多層膜を結晶成長する工程と、
前記第1の保護膜形成用マスクを除去した後に上部クラッド層およびコンタクト層を含む第1の半導体多層膜を結晶成長する工程と、
前記第1の半導体多層膜上に形成したメサマスクを用いて、前記第1の半導体多層膜の領域を前記第1および第2の光導波路用半導体層、及び第1の保護半導体多層膜の所望の表面領域が露出するまでエッチングにより除去することによって、前記第1乃至第2の光導波路用半導体層、及び第1の保護半導体多層膜上にメサ構造を形成する工程とを有することを特徴とするリッジ構造型光集積素子の製造方法。 - 前記第1の保護半導体多層膜は、前記第1の光導波路用半導体層の周辺領域と、前記第2の光導波路用半導体層上の全面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のリッジ構造型光集積素子の製造方法。
- 前記第1の光導波路用半導体層は、光を発生、或いは吸収する多重量子井戸層であり、前記第2の光導波路用半導体層は、光を伝搬させる半導体バルク多層であることを特徴とする請求項1に記載のリッジ構造型光集積素子の製造方法。
- 前記第1の光導波路用半導体層と前記第2の光導波路用半導体層との突合せ接続部において、
前記第1の保護半導体多層膜の形成端が、前記第1の光導波路用半導体層表面上を前記突合せ接続部からの距離にして0.01μm以上10μm以下の範囲で覆うように張り出していることを特徴とする請求項1に記載のリッジ構造型光集積素子の製造方法。 - 前記半導体基板、及び前記第1乃至第2の光導波路用半導体層、及び前記第1の保護半導体多層膜を形成する材料は、In、Ga、Al、As、P、Sb、Nの中から選ばれるIII-V族化合物半導体であることを特徴とする請求項1に記載のリッジ構造型光集積素子の製造方法。
- 半導体基板上に形成され、少なくとも1箇所以上の第1の光導波路と第2の光導波路の二つの光導波路を突合せ接続方式により集積させた光導波路領域と、
前記光導波路領域の上下に形成され光を閉じ込める上側クラッド層と下側クラッド層とをそれぞれ有し、
リッジ導波路のメサ構造を形成するために前記上側クラッド層が除去された領域において、
前記光導波路領域と前記上側クラッド層との間に、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路との突合せ接続部を跨ぐように形成された第1の保護半導体多層膜が、前記突合せ接続部の少なくとも一部、或いは全部を被覆していることを特徴とするリッジ導波路型光集積素子。 - 前記第1の保護半導体多層膜は、前記第1の光導波路周辺の一部と前記第2の光導波路領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項6に記載のリッジ導波路型光集積素子。
- 前記第1の光導波路は、光を発生、或いは吸収する多重量子井戸層であり、前記第2の光導波路は光を伝搬させる半導体バルク多層であることを特徴とする請求項6に記載のリッジ導波路型光集積素子。
- 前記第1の保護半導体多層膜が形成される領域に関して、第1の光導波路側の形成端は、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路との突合せ接続部からの距離として、0.01μm以上10μm以下の範囲にあることを特徴とする請求項6に記載のリッジ導波路型光集積素子。
- 前記半導体基板、前記第1の光導波路、前記第2の光導波路、及び前記半導体多層膜を形成する材料は、In、Ga、Al、As、P、Sb、Nの中から選ばれるIII-V族化合物半導体であることを特徴とする請求項6に記載のリッジ導波路型光集積素子。
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