JP2008544478A - 高解像度パターン形成方法及び前記方法によりプレパターンが形成された基板 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 121
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 36
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNUPYEDSAQDUSO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl benzoate Chemical compound OCCOCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 DNUPYEDSAQDUSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNKZMNRKLCTJAY-UHFFFAOYSA-N 4'-Methylacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(C)C=C1 GNKZMNRKLCTJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLIACVVOZYBSBS-UHFFFAOYSA-N Methyl palmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC FLIACVVOZYBSBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N Tributyl citrate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCCCC)CC(=O)OCCCC ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGEKLUUHTZCSIP-HOSYDEDBSA-N [(1s,4s,6r)-1,7,7-trimethyl-6-bicyclo[2.2.1]heptanyl] acetate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@H](OC(=O)C)C[C@H]1C2(C)C KGEKLUUHTZCSIP-HOSYDEDBSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- ALOUNLDAKADEEB-UHFFFAOYSA-N dimethyl sebacate Chemical compound COC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC ALOUNLDAKADEEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DWNAQMUDCDVSLT-UHFFFAOYSA-N diphenyl phthalate Chemical class C=1C=CC=C(C(=O)OC=2C=CC=CC=2)C=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 DWNAQMUDCDVSLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOPFSRXAKWQILS-UHFFFAOYSA-N docosan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCO NOPFSRXAKWQILS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- QSQLTHHMFHEFIY-UHFFFAOYSA-N methyl behenate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC QSQLTHHMFHEFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQDUPQYQJKYHQI-UHFFFAOYSA-N methyl laurate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC UQDUPQYQJKYHQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSTDYDRCKUBPDI-UHFFFAOYSA-N palmityl acetate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOC(C)=O LSTDYDRCKUBPDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- MGSRCZKZVOBKFT-UHFFFAOYSA-N thymol Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1O MGSRCZKZVOBKFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N triacetin Chemical compound CC(=O)OCC(OC(C)=O)COC(C)=O URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- RGCVYEOTYJCNOS-UHFFFAOYSA-N (4-cyano-2-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC(C#N)=CC=C1B(O)O RGCVYEOTYJCNOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001149 (9Z,12Z)-octadeca-9,12-dienoate Substances 0.000 description 1
- WTTJVINHCBCLGX-UHFFFAOYSA-N (9trans,12cis)-methyl linoleate Natural products CCCCCC=CCC=CCCCCCCCC(=O)OC WTTJVINHCBCLGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQERLIOIVXPZKH-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trioxane Chemical compound C1COOCO1 FQERLIOIVXPZKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCTXKRPTIMZBJT-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)CO JCTXKRPTIMZBJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKOKUHFZNIUSLW-UHFFFAOYSA-N 2-Hydroxypropyl stearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(C)O FKOKUHFZNIUSLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKDGRDCXVWSXDC-UHFFFAOYSA-N 2-chloropyridine Chemical compound ClC1=CC=CC=N1 OKDGRDCXVWSXDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZSMZIOJUHECHW-GTJZZHROSA-N 2-hydroxypropyl (z,12r)-12-hydroxyoctadec-9-enoate Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC(C)O JZSMZIOJUHECHW-GTJZZHROSA-N 0.000 description 1
- MUZDXNQOSGWMJJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoic acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(=C)C(O)=O MUZDXNQOSGWMJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALKCLFLTXBBMMP-UHFFFAOYSA-N 3,7-dimethylocta-1,6-dien-3-yl hexanoate Chemical compound CCCCCC(=O)OC(C)(C=C)CCC=C(C)C ALKCLFLTXBBMMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNJCGNRKWOHFFV-UHFFFAOYSA-N 3-(2-hydroxyethylsulfanyl)propanenitrile Chemical compound OCCSCCC#N LNJCGNRKWOHFFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYPYPOZNGOXYSU-UHFFFAOYSA-N 3-bromopyridine Chemical compound BrC1=CC=CN=C1 NYPYPOZNGOXYSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAVHQOUUSHBDAA-UHFFFAOYSA-N 3-butyl-1-ethenylaziridin-2-one Chemical compound CCCCC1N(C=C)C1=O GAVHQOUUSHBDAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHMWPVBQGARKQM-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-1-propanol Chemical compound CCOCCCO XHMWPVBQGARKQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGDQRXPEZUNWHX-UHFFFAOYSA-N 3-methylpyridin-2-amine Chemical compound CC1=CC=CN=C1N RGDQRXPEZUNWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZPHSAQLYPIAIN-UHFFFAOYSA-N 3-pyridinecarbonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CN=C1 GZPHSAQLYPIAIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXEZLYIDQPBCBB-UHFFFAOYSA-N 4-(3-piperidin-4-ylpropyl)piperidine Chemical compound C1CNCCC1CCCC1CCNCC1 OXEZLYIDQPBCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-1-piperidin-4-ylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CC(O)CN1C1CCNCC1 HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUXLCYFNVNNRBE-UHFFFAOYSA-N 6-methylpyridin-2-amine Chemical compound CC1=CC=CC(N)=N1 QUXLCYFNVNNRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091029845 Aminoallyl nucleotide Proteins 0.000 description 1
- BNKUKRUUYWDMCD-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Y] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Y] BNKUKRUUYWDMCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N Dibutyl decanedioate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCCCC PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKMROQRQHGEIOW-UHFFFAOYSA-N Diethyl succinate Chemical compound CCOC(=O)CCC(=O)OCC DKMROQRQHGEIOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical class CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKIXXJPMNDDDOS-UHFFFAOYSA-N Methyl linoleate Natural products CCCCC=CCCC=CCCCCCCCC(=O)OC PKIXXJPMNDDDOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methyl-N-phenylamine Natural products CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- DRUKNYVQGHETPO-UHFFFAOYSA-N Nonanedioic acid dimethyl ester Natural products COC(=O)CCCCCCCC(=O)OC DRUKNYVQGHETPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 229920001710 Polyorthoester Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005844 Thymol Substances 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAECOWNUKCLBPZ-HIUWNOOHSA-N Triolein Natural products O([C@H](OCC(=O)CCCCCCC/C=C\CCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC/C=C\CCCCCCCC)C(=O)CCCCCCC/C=C\CCCCCCCC BAECOWNUKCLBPZ-HIUWNOOHSA-N 0.000 description 1
- PHYFQTYBJUILEZ-UHFFFAOYSA-N Trioleoylglycerol Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCCC=CCCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCCC=CCCCCCCCC PHYFQTYBJUILEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPWJLQXCGHQXLL-UHFFFAOYSA-N [P].OP(O)(O)=O Chemical class [P].OP(O)(O)=O FPWJLQXCGHQXLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008360 acrylonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001278 adipic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-N aluminum;quinolin-8-ol Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001535 azelaic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- HYRVTHFPMWHAEG-SUKNRPLKSA-L barium(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate;hydrate Chemical compound O.[Ba+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O HYRVTHFPMWHAEG-SUKNRPLKSA-L 0.000 description 1
- BQDSDRAVKYTTTH-UHFFFAOYSA-N barium(2+);methanolate Chemical compound [Ba+2].[O-]C.[O-]C BQDSDRAVKYTTTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- VVKREWPWSWPBGC-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)CO.OC(=O)C1=CC=CC=C1 VVKREWPWSWPBGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ROPXFXOUUANXRR-YPKPFQOOSA-N bis(2-ethylhexyl) (z)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)\C=C/C(=O)OCC(CC)CCCC ROPXFXOUUANXRR-YPKPFQOOSA-N 0.000 description 1
- WLLCYXDFVBWGBU-UHFFFAOYSA-N bis(8-methylnonyl) nonanedioate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)CCCCCCCC(=O)OCCCCCCCC(C)C WLLCYXDFVBWGBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940115397 bornyl acetate Drugs 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWAKQDTQVDVRP-OKULMJQMSA-N butyl (z,12r)-12-hydroxyoctadec-9-enoate Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCCC HGWAKQDTQVDVRP-OKULMJQMSA-N 0.000 description 1
- ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N butyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCCC ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229940049297 cetyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGVCXIFXLGLHG-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 LCGVCXIFXLGLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- JBSLOWBPDRZSMB-BQYQJAHWSA-N dibutyl (e)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C\C(=O)OCCCC JBSLOWBPDRZSMB-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- JBSLOWBPDRZSMB-FPLPWBNLSA-N dibutyl (z)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C(=O)OCCCC JBSLOWBPDRZSMB-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 1
- HCQHIEGYGGJLJU-UHFFFAOYSA-N didecyl hexanedioate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCCCCCCCC HCQHIEGYGGJLJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- VNGOYPQMJFJDLV-UHFFFAOYSA-N dimethyl benzene-1,3-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC(C(=O)OC)=C1 VNGOYPQMJFJDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940014772 dimethyl sebacate Drugs 0.000 description 1
- FHESUNXRPBHDQM-UHFFFAOYSA-N diphenyl benzene-1,3-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC(C(=O)OC=2C=CC=CC=2)=CC=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 FHESUNXRPBHDQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKNRNTYTYUWGLN-UHFFFAOYSA-N dithieno[3,2-a:2',3'-d]thiophene Chemical compound C1=CSC2=C1SC1=C2C=CS1 HKNRNTYTYUWGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000735 docosanol Drugs 0.000 description 1
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002237 fumaric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002314 glycerols Chemical class 0.000 description 1
- 235000013773 glyceryl triacetate Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical class CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002531 isophthalic acids Chemical class 0.000 description 1
- XUGNVMKQXJXZCD-UHFFFAOYSA-N isopropyl palmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC(C)C XUGNVMKQXJXZCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCFZUDZONKPRJX-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+) methanolate Chemical compound [La+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C RCFZUDZONKPRJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZGCXMLPGPBWJN-UHFFFAOYSA-N lanthanum;pentane-2,4-dione Chemical compound [La].CC(=O)CC(C)=O IZGCXMLPGPBWJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- WVLGTKBIJRAYME-UHFFFAOYSA-N methanolate;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C WVLGTKBIJRAYME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N n-butyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCCC WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N 0.000 description 1
- KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N neopentyl alcohol Chemical compound CC(C)(C)CO KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical compound C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002942 palmitic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- QBWLICQEHVCVAY-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;strontium Chemical compound [Sr].CC(=O)CC(C)=O QBWLICQEHVCVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003742 phenol Drugs 0.000 description 1
- QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N phenylacetone Chemical compound CC(=O)CC1=CC=CC=C1 QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N pivalic acid Chemical compound CC(C)(C)C(O)=O IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002745 poly(ortho ester) Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229940093625 propylene glycol monostearate Drugs 0.000 description 1
- GPHQHTOMRSGBNZ-UHFFFAOYSA-N pyridine-4-carbonitrile Chemical compound N#CC1=CC=NC=C1 GPHQHTOMRSGBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N ricinelaidic acid Chemical class CCCCCC[C@@H](O)C\C=C\CCCCCCCC(O)=O WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N 0.000 description 1
- 150000003329 sebacic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- BSMBUEVFPXLCNC-UHFFFAOYSA-N strontium;methanolate Chemical compound CO[Sr]OC BSMBUEVFPXLCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003443 succinic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003458 sulfonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N tetradecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical class C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000007944 thiolates Chemical class 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000790 thymol Drugs 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002622 triacetin Drugs 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEAPVABOECTMGR-UHFFFAOYSA-N triethyl 2-acetyloxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound CCOC(=O)CC(C(=O)OCC)(OC(C)=O)CC(=O)OCC WEAPVABOECTMGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N triolein Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920003176 water-insoluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Abstract
本発明は、第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板を提供する第1の段階;第1の手段を用いて、犠牲層に、前記第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝を形成する第2の段階;第2の手段を用いて、第2の物質を前記パターン溝に充填する第3の段階;及び、光又は熱照射により残余犠牲層に存在する前記第1の物質を除去する第4の段階を含み、第1物質の閾値フルエンスが、第2の物質の閾値フルエンスより小さく、第4の段階において、第1の物質の閾値フルエンス以上第2の物質の閾値フルエンス未満の調査量により、第1の物質を除去することを特徴とする、基板上に第2の物質によりパターンを形成する方法及び前記方法によりプレパターンが形成された基板を提供する。
Description
本発明は、高解像度パターン形成方法及び前記方法によりプレパターンが形成された基板に関する。
通常、電子素子に用いられる高解像度のパターンを形成する方法としては、従来のフォトリソグラフィが多用されてきたが、材料の浪費が多く、多段階工程であり、フォトマスク、フォトレジスト、現像液、エッチング溶液を使用する等のような複雑な工程により工程効率が低下し、大面的マスクを使用しなければならないため、新しい設計を最短時間内に生産ラインに適用し難いという短所があった。よって、このようなフォトリソグラフィの短所を克服するために、工程数が少なく、材料浪費を最小化でき、マスクなしに基板上に直接パターンを形成できる、インクジェットパターン法が開発された。
EP−A−O 880303及び大韓民国公開特許公報第2004−28972には、マスクを使用せず、インクジェット方法により直接パターンを形成する方法が知られており、インクジェット方法によるパターン形成方法の概略順序図を図1に示した。しかしながら、マイクロエレクトロニクスなどの微細素子に適用するには解像度が低く過ぎ、インク滴が小さくなるほどパターンの位置誤差が基板に積層されるインク滴に比べて相対的に増大することにより、致命的な短絡やショートを発生させるという問題点があった。
また、大韓民国公開特許公報第2000−5446号には、レーザーを用いて直接パターンを形成する方法が開示されており、レーザーパターン法によるパターン形成方法に対する概略順序図を図2に示した。図2を参照すれば、転写フィルム上にLTHC(light−to−heat conversion)物質をスピンコート法等によりコーティングして、LTHC層(転写層)を形成した後、機能性材料及び粘着調節用添加剤を混合した組成物をLTHC上にスピンコート法等によりコーティングすることにより、ドナーフィルムを製作した。次に、これを基板と粘着させ、レーザーを照射してパターンを転写させた後、最終的に転写後のドナーフィルムを除去することにより、高解像度のパターンを製作できる。しかしながら、ドナーフィルムの別途製作による製造単価の上昇、ドナーフィルム全体にパターン化させる機能性材料のコーティングによる機能性材料の浪費、機能性材料に添加される添加剤による材料特性の低減、ドナーフィルムと基板との粘着時、基板とドナーフィルムとの間の汚染問題、レーザーにより発生した高温による材料劣化等が発生する恐れがあった。
一方、レーザを用いた他のパターン形成方法としては、レーザアブレーションが挙げられる。これは、アブレーションを行うパターンの材質によって用いられるレーザー波長に対する効率が異なり、レーザー使用量を微細に調節する必要があり、多層構造のパターニング時、パターン又は基板、既に積層された下部パターンを損傷させる恐れがあった。
よって、本発明の目的は、高解像度のパターニングが可能であり、工程効率が高く、高費用の機能性材料の浪費が少ないパターン形成方法、及び前記パターン形成方法によってプレパターンが形成された基板を提供することにある。
本発明は、第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板を提供する第1の段階;第1の手段を用いて、前記犠牲層に、前記第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝を形成する第2の段階;第2の手段を用いて、第2の物質を前記パターン溝に充填する第3の段階;及び、光又は熱照射により残余犠牲層に存在する第1の物質を除去する第4の段階を含み、第1物質の閾値フルエンス(threshold fluence)が、第2の物質の閾値フルエンスより小さく、第4の段階において、第1の物質の閾値フルエンス以上第2の物質の閾値フルエンス未満の調査量により、第1の物質を除去することを特徴とする、基板上に第2の物質によりパターンを形成する方法を提供する。
また、本発明は、第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板であって、基板上の犠牲層は、第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝が形成され、第2の物質が前記最高第1の解像度を持つパターン溝に充填され、第1の物質の閾値フルエンスが、第2の物質の閾値フルエンスより小さいことを特徴とする、プレパターンが形成された基板を提供する。
本発明に係るパターン形成方法によれば、リソグラフィでの高価の大面的マスクが必要ない簡単な工程により、機能性材料の浪費を最小化することで、既存のインクジェットによるパターニングに比べ、高解像度のパターンを製造できるので、生産費用を節減でき、機能性材料のレーザー照射による劣化を防止できる。また、基板に積層されている犠牲層形成用物質の種類に従い、適切な集束エネルギービームを選択して照射することで、高解像度のパターンが形成された基板を効率良く製造できる。
以下、添付図面に基づき、本発明をより詳細に説明する。
本発明において、ある物質に対する閾値フルエンスとは、一定時間の間、集束エネルギービームのような光又は熱を照射して、その物質を分解又は気化させることにより除去できる最小限のエネルギーを言う。
図3は、本発明の一実施形態によるパターニング方法の概略順序図を示す。同図を参照して、まず、本発明のパターン形成方法を説明する。
(1)第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板を提供する第1の段階
基板上に犠牲層を形成する方法は、当業界における通常の膜形成法が用いられ、特別に制限されるものではない。
基板上に犠牲層を形成する方法は、当業界における通常の膜形成法が用いられ、特別に制限されるものではない。
犠牲層形成用第1の物質は、スリットコート/スピンコートなどのように無パターン指向性コーティング法により基板上に全面塗布したり、スクリーンプリンティング、ロールプリンティング又はインクジェットプリンティングなどにより基板上にパターン指向的に選択的に部分塗布したりすることができる。
犠牲層形成用第1の物質が液状又は半固体状の場合には、インクジェット法、印刷法、スクリーンプリンティング法、静電気プリンティング法、オフセットプリンティング法、グラビアプリンティング法、フレキソグラフィ法、ソフトモールドを用いたプリンティング法又はスピンコート法やスリットコート法が用いられる。一方、犠牲層形成用第1の物質が固体状の場合には、集束イオンビームやプラズマを用いてスパッタリングでき、犠牲層形成用第1物質が固体状又は半固体状の場合には、これをフィルム形態で製造した後、レーザーを用いて転写して直接積層することもできる。
特に、犠牲層形成用第1物質が高価の場合、直接パターン法であるインクジェット法を用いて、形成したいパターン溝と異なる解像度、好ましくはパターン溝の線幅より低い解像度で、犠牲層を基板上にパターニングすることができる。
前記犠牲層を積層させた後、基板は乾燥させるのが好ましい。液状の犠牲層では、パターン溝の形成及び機能性材料のパターン溝の充填が困難になるためである。
一方、犠牲層は、既にパターンされた領域を含む基板上に形成されることもできる。
(2)第1の手段を用いて、犠牲層に、第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝を形成する第2の段階
第2の段階では、犠牲層を所望の形態に線加工して、第1の物質が存在しない高解像度のパターン溝を形成するのが好ましい。
第2の段階では、犠牲層を所望の形態に線加工して、第1の物質が存在しない高解像度のパターン溝を形成するのが好ましい。
高解像度のパターン溝を形成できる第1の手段としては、E−ビーム、集束イオンビーム、レーザ、光学系と並行して使用する大出力ランプのように、小面積に大容量のエネルギーを集束できる集束エネルギービームが好ましく、犠牲層形成用第1の物質を除去するのに適合した手段を選択して使用できる。
ここで、大出力ランプは、所望の所定波長の光を放出する高出力ランプを意味し、例えば、紫外線ランプ又は赤外線ランプ等が挙げられ、レンズのような集束目的を持つ素子を用いて集束した場合、犠牲層を十分に除去できる程度のエネルギー出力を持てば良い。
前記高解像度のパターン溝の形態に犠牲層が選択的に除去された部分は、最終的に機能性材料のようなパターン形成用第2の物質がパターン指向的に充填され、第2の物質が基板上に高解像度のパターンとして残存する部分に該当する。
犠牲層にパターン溝を形成させる第1の手段として、マスクなしに直接集束エネルギービームを照射する方法が用いられる。このとき、第1の手段としてレーザービームを使用する場合、ビームの形態をパターニングに有利に調節するために、光学回折素子又はマスクを部分的に使用できる。例えば、マスクを用いてレーザースキャニングを行う方法又は光学回折素子等を用いて複雑な形状のパターン溝を犠牲層に形成できる(図4の(c)参照)。
このとき、マスクの使用は、既存のリソグラフィにおいて大面的パターニングのために用いられるマスクでない、レーザービームの経路上に位置して基板に照射されるビームの形状を制御するために局部的に用いられるマスクを意味する。ビームの形状を制御するには、マスクより光学回折素子の方が好ましいが、特別に限定されるものではない。
前記光学回折素子又はマスクの解像度は、第1の手段を用いて実現できる最高第1の解像度より高いのが好ましい。
本発明において、パターン溝の解像度は、一般的にレーザーのような集束エネルギービームで直接パターンできる最小線幅まで具現でき、装備によっては最小線幅がサブマイクロメーターまで可能である。反対に、最大線幅は、数百〜数千μmに達する。
犠牲層形成用第1の物質をレーザーにより誘導された熱で分解/蒸発させて除去する場合には、主に可視光線又は赤外線波長が用いられ、化学結合を切って除去する場合には、主に紫外線波長のレーザーを用いるのが好ましい。
犠牲層形成用第1の物質が、使用されるレーザーの波長において最大吸光スペクトラムを示す場合には、吸光を助けるための添加剤なしに使用され得るが、使用される波長において最大吸光スペクトラムを示す添加剤を使用することで、除去を容易にすることもできる。添加剤として吸光剤は、犠牲層形成用第1の物質を溶解する溶液に高い溶解度を持つものを選択する。
(3)第2の手段を用いて、第2の物質をパターン溝に充填する第3の段階
基板上に最終的にパターンを形成したい第2の物質、例えば機能性材料を前記パターン溝に充填させる。
基板上に最終的にパターンを形成したい第2の物質、例えば機能性材料を前記パターン溝に充填させる。
前記第3の段階は、直接パターンが可能な第2の手段を用いるのが好ましい。直接パターン法とは、最終的にパターンを形成する物質を所望の部分に直接積層することを意味する。
直接パターン法は、フォトリソグラフィのようなサブトラクティブ法(subtractive process)でないアディティブ法(additive process)であり、特に、インクジェットやレーザー直接パターン法の場合には、CAD(computer aided design)設計が可能である。
直接パターンが可能な第2の手段を使用する場合、パターン形成用第2の物質を基板の全体に対して積層するものでなく、必要な部分のみに部分的に積層できるため、従来のLTHCドナーフィルムを使用するパターニング方法よりも、機能性材料のようなパターン形成用第2の物質の浪費が著しく低減される。
本発明は、パターン形成用第2の物質を用いて基板上にパターンを形成する時、低解像度の第2の手段を使用しても、高解像度の第1の手段により高解像度のパターン溝を形成してこれを利用することで、パターン形成用第2の物質からなる高解像度のパターンを形成できることを特徴とする。
前記第3の段階は、前記第2の段階で形成されたパターン溝に第2の解像度で第2の物質を充填する。このとき、前記第2の解像度は、パターン溝の線幅より低いのが好ましいが、場合によって第2の段階で形成されたパターン溝の線幅と類似しているか、これよりも高解像度で充填することも可能である。
このとき、第1の解像度が第2の解像度より高いのが一般的であり、場合によって第1の解像度が第2の解像度と類似しているか、これよりも低いこともできる。例えば、第1の解像度は50μm未満、第2の解像度は50μm以上でありうる。
パターン溝に第2の物質を充填する第2の手段は、当業界における通常の膜形成法が用いられ、特別に制限されるものではない。例えば、インクジェット法、印刷法、スクリーンプリンティング法、静電気プリンティング法、オフセットプリンティング法、グラビアプリンティング法、フレキソグラフィ法、ソフトモールドを用いたプリンティング法のように、パターン指向的な方法を用いて液状又は半固体状の機能性材料を積層したり、レーザー、プラズマ又は集束イオンビームを用いて固体状又は半固体状の機能性材料を直接積層したりする。
特に、パターン溝に第2の物質を充填する第2の手段として直接パターン法であるインクジェット法を使用する場合、第2の物質の使用量を低減できるので、好ましい。
一方、犠牲層形成用第1の物質として低分子系列のポリマー(分子量20,000以下)を使用し、パターン形成用第2の物質の積層される部分をレーザーで除去して、パターン溝を形成させる場合、図5に示すように、パターン溝の周縁部がきれいになる。
このとき、パターン形成用第2の物質の犠牲層及び基板に対するぬれ性差、すなわち表面エネルギー差により、図7に示すように、パターン形成用第2の物質が犠牲層の除去された領域に自己整列したり、或いは、パターン形成用第2の物質の乾燥により、犠牲層が除去された領域及び犠牲層上に積層されるパターン形成用第2の物質領域間に断絶が発生し得る。このように、自己整列或いは乾燥時、犠牲層除去領域及び犠牲層上に残存するパターン形成用第2の物質領域間の断絶が、以後第4の段階で犠牲層と犠牲層上に残存するパターン形成用第2の物質との除去を容易にする。
一方、犠牲層形成用第1の物質として高分子系列のポリマー(分子量20,000超過)を使用し、パターン形成用第2の物質の積層部分をレーザーで除去して、パターン溝を形成させる場合、図6に示すように、パターン溝の周縁部に自然的に隔壁が形成される。
このとき、パターン形成用第2の物質の犠牲層及び基板に対するぬれ性差により、図8に示すように、パターン形成用第2の物質が犠牲層の除去された領域に自己整列したり、或いは、パターン形成用第2の物質の乾燥により、犠牲層が除去された領域及び犠牲層上に積層されるパターン形成用第2の物質領域間に断絶が発生し得る。このように、隔壁がある状態での自己整列或いは乾燥時、犠牲層除去領域と犠牲層上に残存するパターン形成用第2の物質領域との隔壁を介した断絶が、以後第4の段階で犠牲層と犠牲層上に残存する機能性材料との除去を容易にする。
(4)光又は熱照射により、残余犠牲層に存在する第1の物質を除去する第4の段階
パターン溝にパターン形成用第2の物質を形成させた後、残存する犠牲層を除去することで、犠牲層上の不要な部位に残存する第2の物質も共に除去できる。つまり、高解像度のパターン溝により形成された第2の物質からなるパターンのみが基板上に残る。
パターン溝にパターン形成用第2の物質を形成させた後、残存する犠牲層を除去することで、犠牲層上の不要な部位に残存する第2の物質も共に除去できる。つまり、高解像度のパターン溝により形成された第2の物質からなるパターンのみが基板上に残る。
第4の段階は、前記犠牲層にパターン溝を形成するのに使用可能な集束エネルギービームのような光又は熱照射により、残余犠牲層を除去できる。このとき、パターン溝に充填されたパターン形成用第2の物質は除去されないようにする。このために、本発明は、犠牲層形成用第1の物質に対する閾値フルエンス(threshold fluence)が、前記パターン形成用第2の物質に対する閾値フルエンスより相対的に小さい犠牲層形成用第1の物質と、パターン形成用第2の物質とを組合わせて使用することを特徴とする。
これは、下部層にある犠牲層を分解又は気化させながら、上部層又はパターンに存在する第2の物質には影響を及ぼさない程度のエネルギーを持つレーザーなどのような集束エネルギービームを照射すれば、下部層にある犠牲層が分解又は気化により除去されながら、その上部にある第2の物質も共に除去され、第2の物質のパターンのみが残るようにするためである。
一例として、前記犠牲層にパターン溝を形成するのに使用可能な集束エネルギービームのビーム幅より大きい集束エネルギービームを使用して、残余犠牲層を除去することができる。
第1の物質の閾値フルエンスが第2の物質の閾値フルエンスより低くさえあれば、各フルエンス量の範囲は特別に限定されない。分解する物質毎に熱分解温度が異なり、前記フルエンス量の範囲は当業者が実験を通して適切に知られる。犠牲層形成用物質が、十分に低いエネルギー密度でも、気化又は熱分解等により基板から除去可能であれば、そのようなエネルギーを一定時間内に照射し得る大出力ランプ又は乾燥炉又は焼成炉を用いて第4の段階を遂行することも、本発明の範囲に属する。
(5)保護層の形成及び除去段階
本発明は、犠牲層を形成させる第1の段階の後、保護層を最上部に形成し、第2の段階の後に前記保護層を除去したり、或いは、パターン形成用第2の物質を積層する第3の段階の後、保護層を最上部に形成し、第4の段階の後に前記保護層を除去する工程を選択的にさらに含むことができる。
本発明は、犠牲層を形成させる第1の段階の後、保護層を最上部に形成し、第2の段階の後に前記保護層を除去したり、或いは、パターン形成用第2の物質を積層する第3の段階の後、保護層を最上部に形成し、第4の段階の後に前記保護層を除去する工程を選択的にさらに含むことができる。
第2の段階又は第4の段階において、犠牲層形成用第1の物質及び/又は犠牲層上に残存するパターン形成用第2の物質を除去する場合、除去された第1の物質及び/又は第2の物質が既にパターンされた部位又は基板に再付着されて汚染が発生するのを防止するために、基板上又はパターン形成用第2の物質が積層された後に保護層をさらに積層させることができる。
(6)部分的に高解像度パターンを形成する方法
図4には、本発明により部分的に高解像度パターンを形成する方法に対する概略順序図を示す。
図4には、本発明により部分的に高解像度パターンを形成する方法に対する概略順序図を示す。
第3の段階において、直接パターンが可能な第2の手段(例えば、インクジェット)を用いて、第2の解像度でパターン形成用第2の物質を前記最高第1の解像度を持つパターン溝に充填しながら、前記犠牲層のない領域には第2の解像度及び/又は第3の解像度でパターン形成用第2の物質からなるパターンをさらに形成することで、第1の解像度を持つパターンと第2の解像度及び/又は第3の解像度を持つパターンとが同時に形成され得る。最高解像度が不要な部分、例えば50μm以上の線幅が要求される部分は、犠牲層を使用することなくインクジェットで直接パターンすればよく、その解像度は可変的でありえる。
前記第1の段階〜第3の段階を含むパターン形成方法によれば、第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板であって、上記基板上の犠牲層は、第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝が形成され、第2の物質が最高第1の解像度を持つパターン溝に充填され、第1の物質の閾値フルエンスが第2の物質の閾値フルエンスより小さいことを特徴とする、プレパターンが形成された基板が提供される。
本発明のパターン形成方法に使用される材料又は本発明によりプレパターンが形成された基板を構成する各材料を、具体的に説明する。
(1)基板材料
基板材料は、その上部にパターンを形成するために、当業界において通常的に用いられるものであれば、特別に制限されない。非制限的な例として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエステル(PE)、ポリカーボネート(PC)、ポリプロピレン(PP)、アクリル、無定形ガラス又はPC/PEの組合わせが挙げられる。
基板材料は、その上部にパターンを形成するために、当業界において通常的に用いられるものであれば、特別に制限されない。非制限的な例として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエステル(PE)、ポリカーボネート(PC)、ポリプロピレン(PP)、アクリル、無定形ガラス又はPC/PEの組合わせが挙げられる。
(2)犠牲層形成用第1の物質
第1の物質は、単一物又は2種以上の物質の混合物でありえる。
本発明に使用される犠牲層形成用第1の物質は、常温で乾燥又は相変化した後、固体又はゲル状態であれば、特別に制限されない。犠牲層形成用第1の物質は、集束エネルギービームのような第1の手段により高解像度で容易に除去できるものが好ましく、特に、集束エネルギービームの照射により容易に気化又は分解される物質が好ましい。犠牲層形成用第1の物質は、熱分解/蒸発により除去される場合、低いパワー/エネルギー密度を持つ集束エネルギービームを用いても容易に除去されるように、比熱及び潜熱が小さいのが好ましい。
第1の物質は、単一物又は2種以上の物質の混合物でありえる。
本発明に使用される犠牲層形成用第1の物質は、常温で乾燥又は相変化した後、固体又はゲル状態であれば、特別に制限されない。犠牲層形成用第1の物質は、集束エネルギービームのような第1の手段により高解像度で容易に除去できるものが好ましく、特に、集束エネルギービームの照射により容易に気化又は分解される物質が好ましい。犠牲層形成用第1の物質は、熱分解/蒸発により除去される場合、低いパワー/エネルギー密度を持つ集束エネルギービームを用いても容易に除去されるように、比熱及び潜熱が小さいのが好ましい。
また、犠牲層形成用第1の物質は、できる限り低温で蒸発を発生させるのが好ましい。
例えば、犠牲層形成用第1の物質としてレーザーなどの照射により分解される高分子物質の非制限的な例としては、ポリプロピレンカーボネート、ポリ(α−メチルスチレン)、ポリメチルメタアクリレート、ポリブチルメタアクリレート、セルロースアセテート、ニトロセルロース、ポリビニルクロライド、ポリ(塩化ビニルクロライド)、ポリアセタール、ポリビニリデンクロライド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオルトエステル、ポリアクリロニトリル、変性アクリロニトリル樹脂、マレイン酸樹脂、これらの共重合体、前記高分子の混合物などが挙げられる。
また、レーザーなどの照射により自体に気化/蒸発したり、特定領域の波長を吸収する添加剤の助力により気化/蒸発する物質の非制限的な例としては、アセトアミド、2−アミノピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、2−クロロピリジン、3−ブロモピリジン、3−シアノピリジン、4−シアノピリジン、1,3−ジ−(4−ピペリジル)プロパン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、2−エタノールピペリジン、エチレンジアミン四酢酸、イソブタノールアミン、N−メチルアセトアミド、p−トルイジン、トリイソプロパノールアミン、N−ビニル−2−カプロラクタム、マレイン酸、ピバル酸、トリクロロ酢酸、ベヘニルアルコール、2,3−ブタンジオール、ブチンジオール、シクロヘキサノール、2,2−ジメチルプロパノール、1,6−ヘキサンジオール、1−ヘプタノール、ボルニルアセテート、セチルアセテート、エチレンカーボネート、ベヘン酸メチル、ジフェニルエーテル、n−ヘキシルエーテル、1,3,4−トリオキサン、3−エトキシ−1−プロパノール、ベンゾフェノン、p−メチルアセトフェノン、フェニルアセトン、カテコール、p−クレゾール、ハイドロキノン、4−エチルフェノール、2−メトキシフェノール、フェノール、チモール、2,3−キシレノール、2,5−キシレノール及びこれらの混合物が挙げられる。
また、犠牲層形成用第1の物質は、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内において、照射される集束エネルギービームにより容易に除去できる有機物又は無機物をさらに含むことができる。
例えば、上記犠牲層には、犠牲層と基板又はパターン形成用第2の物質との粘着力を調節したり、パターン性を増進させたり、パターン形成用第2の物質との適切なぬれ性を維持したり、犠牲層形成用第1の物質に適切な柔軟性及び粘着性を調節したり、集束エネルギービームの吸収を向上させるために、適切な添加剤を添加することができる。
集束エネルギービームの吸収を向上させるための添加剤としては、ジアゾアルキル、ジアゾニウム塩、アジド化合物、アンモニウム塩、オキサイド、カーボネート、パーオキサイド又はこれらの混合物を使用できるが、赤外線波長の集束エネルギービームを照射する場合には、置換されたポリフタロシアニン化合物、金属含有フタロシアニン化合物、シアニン染料、スクアリリウム染料、カルコゲノピリルロアクリリデン染料、クロメート染料、金属チオレート染料、ビス(カルコゲノピリルロ)ポリメチン染料、オキシインドリジン染料、ビス(アミノアリル)ポリメチン染料、メロシアニン染料、キノイド染料及びこれらの混合物からなる群より選択された何れか一つを使用できる。また、転移金属元素及びグループIIIa、IVa、Va、VIa、VIII、IIIb、Vbに属する元素又はこれらの混合物からなる無機物も使用でき、炭素のようなIVbグループに属する元素も使用できる。集束エネルギービームの波長の選択は、犠牲層形成用第1の物質或いは吸収剤の選択と連関性をもつ。
一方、柔軟剤としては、ジフェニルフタレート、ジ−(2−エチルヘキシル)フタレートなどのジフェニルフタレート誘導体、ブチルリシノレート、プロピレングリコールリシノレートなどのリシノール酸誘導体、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジメチルなどのセバシン酸誘導体、n−ステアリン酸ブチル、モノステアリン酸プロピレングリコールなどのステアリン酸誘導体、コハク酸ジエチルなどのコハク酸誘導体、N−エチル−o,p−トルエン−スルホンアミドなどのスルホン酸誘導体、リン酸トリクレジル、リン酸トリブチルなどのリン酸誘導体、クロロパラフィンなどのパラフィン誘導体、パルミチン酸イソプロピル、パルミチン酸メチルなどのパルミチン酸誘導体、オレイン酸ブチル、トリオレイン酸グリセロールなどのオレイン酸誘導体、ミリスチン酸イソプロピルなどのミリスチン酸誘導体、トリメリト酸トリカプリル、トリメリト酸トリイソデシルなどのメリト酸、ジ−n−マレイン酸ブチル、マレイン酸ジ−(2−エチルへキシル)などのマレイン酸誘導体、リノール酸メチルなどのリノール酸誘導体、ラウリン酸メチルなどのラウリン酸誘導体、イソフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジメチルなどのイソフタル酸誘導体、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオール、ジイソブチレートなどのイソブチレート誘導体、グリセロールトリアセテートなどのグリセロール誘導体、フマル酸ジブチルなどのフマル酸誘導体、n−エポキシステアリン酸オキチルなどのエポキシ誘導体、トリ−n−クエン酸ブチル、クエン酸アセチルトリエチルなどのクエン酸誘導体、安息香酸ジエチレングリコール、安息香酸ジプロピレングリコールなどの安息香酸誘導体、アゼライン酸ジイソデシル、アゼライン酸ジメチルなどのアゼライン酸誘導体、アジピン酸ジカプリル、アジピン酸ジイソデシルなどのアジピン酸誘導体などを使用できるが、これに限定されるものではない。
(3)パターン形成用第2の物質
第2の物質は、単一又は2種以上の物質の混合物でありうる。
第2の物質は、単一又は2種以上の物質の混合物でありうる。
本発明に使用されるパターン形成用第2の物質としては、特別な制限はないが、電子素子において電極配線、ピクセル又は薄膜トランジスタを形成するのに使用される物質などのように機能性材料が好ましい。
例えば、伝導性高分子、金属ナノ粒子、有機金属化合物、LCD材料(例えば、ブラックマトリクス、スペーサー、カラーフィルター等)、OLED/PLED製品の材料(ブラックマトリクス、発光層、電子伝達層、正孔伝達層等)及び無機EL材料、有機/無機TFT材料などがある。
パターン形成用第2の物質として用いられる伝導性高分子は、高分子の機械的特性を持つと共に、化学的ドーピングを介して半導体又は導体に転移される物質を言う。最近は、2次電池、静電気防止、スイッチング素子、非線形素子、蓄電器、光記録材料、電磁気波遮蔽材料などのような実生活及び先端産業分野において応用されている。
前記伝導性高分子の例としては、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、PEDOT/PSS、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリピロール誘導体、ポリフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンビニレン、ポリフラン又はこれらの混合物が挙げられるが、その他の伝導性を示す高分子であれば、制限されない。
また、前記金属ナノ粒子も当業界において通常的に用いられるものであれば、特別に制限されない。例えば、銀、金、白金、パラジウム、銅、ニッケル、亜鉛、鉄、アルミニウム又はこれらの混合物からなるナノ粒子を使用できる。
パターン形成用第2の物質として用いられる有機金属化合物の非制限的な例としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジシクロペンタジエニルマンガン、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、アセチルアセトンストロンチウム、ビスシクロペンタジエニルストロンチウム、ジメトキシストロンチウム、トリメチルインジウム、ジメトキシバリウム、アセチルアセトンバリウム、ビスシクロペンタジエニルバリウム、トリメトキシランタン、アセチルアセトンランタン、トリスシクロペンタジエニルランタン、トリスメチルシクロペンタジエニルランタン、トリメトキシイットリウム、トリスシクロペンタジエニルイットリウム及びこれらの混合物など、常温で固体である有機金属化合物が挙げられる。
前記有機電界発光素子に用いられる有機発光体は、当業界において通常的に用いられるものであれば、特別に制限されない。例えば、トリ(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(III)(Alq3)、Alq3誘導体、ポリ(1,4−フェニレビニレン)及びポリ−(2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレビニレン)(MEH−PPV)などのポリ(1,4−フェニレビニレン)誘導体(PPV誘導体)が挙げられる。
また、無機電界発光素子に用いられる無機発光体も、当業界において通常的に用いられるものであれば、特別に制限されない。例えば、GaAs系蛍光体、AlGaInP系蛍光体、AlInGaN系蛍光体、GaN系蛍光体及びこれらの混合物からなる群より選択された何れか一つの無機蛍光体が挙げられる。
一方、無機/有機TFT素材の非制限的な例としては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、ペンタセン、ジチアアントラセン、ジアルキルジチアアントラセン、ビス(ジチエノチオフェン)、ベンゾジチオフェン誘導体、オリゴチオフェン、フェニレン、アリーレンなどのp−タイプ有機物質、ペリレン、ペンタセン、キノジメタン、フタロシアニン、テトラカルボン酸無水物などのn−タイプ有機物質、可溶性オリゴマーおよびポリマーOTFT物質、ポリイミド、可溶性ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリ(ビニルフェノール)、PMMAなどの絶縁物が挙げられる。
一方、前記パターン形成用第2の物質には、適切な添加剤を選択的に使用することにより、物理/化学的物性をパターニングに適合するように調節できる。本発明における添加剤とは、パターン形成用第2の物質の以外に、物理/化学的物性値を用途に合うように変化させるために添加する化学物を意味し、一般的に少量添加される。
(4)保護層材料
本発明の好適な実施例によれば、基板上又は機能性材料のようなパターン形成用第2の物質が積層された後に保護層をさらに含むことができる。
本発明の好適な実施例によれば、基板上又は機能性材料のようなパターン形成用第2の物質が積層された後に保護層をさらに含むことができる。
保護層は、水溶性溶液又は非水溶性溶液で洗浄して除去できる。このとき、水溶性溶液で洗浄する場合には、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、エチルセルロースのような水溶性ポリマーを使用し、非水溶性溶液で洗浄する場合には、PMMAのような非水溶性ポリマーを使用できる。
保護層の選択及び除去に用いられる溶液の選択は、既に積層されている機能性材料のようなパターン形成用第2の物質に損傷を与えないものを選択するようにする。
以下、好適な実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
犠牲層形成用組成物としてポリビニルピロリドン(重量平均分子量40,000、シグマアルドリッチ社製、P0930)0.15gと、紫外線吸収剤(黒染(black dye)、LG化学製)1.5gとをエタノール20gに溶解してインクジェット用インクを製造した後、インクジェット(JetLab、マイクロファブ社製)を用いてガラス基板上に前記インクを加え、幅500μmの犠牲層パターンを形成した。次に、30μmのビーム直径を持つUVレーザー(355nm、Avia 2000、コヒレント社製)を用いて上記犠牲層パターンを部分的に除去して、機能性材料により連続的にパターンされる区域を形成した。上記レーザー運用条件は、7.4mmの距離、40kHzの周波数、60%のビームパワー、0.1m/sのスキャニング速度であり、このように犠牲層が部分的に除去されたパターン溝の100倍拡大されたイメージを図9に示し、図9で犠牲層が除去されたパターンの幅は30μm程度であった。次に、ポリスチレン(シグマアルドリッチ社製、重量平均分子量90,000)ナノ粒子が分散されているインクを、インクジェットを用いて犠牲層パターン上に加えてパターンを製造した後、前記犠牲層及び機能性材料パターンをアウトフォーカシングしてビーム直径を大きくし、照射量を低減したUVレーザー(355nm、Avia 2000、コヒレント社製)を照射して犠牲層だけを除去するようにした。レーザーの運用条件は、12mmの距離、25kHzの周波数、85%のビームパワー、0.1m/sのスキャニング速度である。犠牲層が除去されると共に犠牲層上に積層されている機能性材料も除去され、最終的に高解像度のポリスチレンパターンを製造して、100倍拡大されたイメージを図10に示した。
犠牲層形成用組成物としてポリビニルピロリドン(重量平均分子量40,000、シグマアルドリッチ社製、P0930)0.15gと、紫外線吸収剤(黒染(black dye)、LG化学製)1.5gとをエタノール20gに溶解してインクジェット用インクを製造した後、インクジェット(JetLab、マイクロファブ社製)を用いてガラス基板上に前記インクを加え、幅500μmの犠牲層パターンを形成した。次に、30μmのビーム直径を持つUVレーザー(355nm、Avia 2000、コヒレント社製)を用いて上記犠牲層パターンを部分的に除去して、機能性材料により連続的にパターンされる区域を形成した。上記レーザー運用条件は、7.4mmの距離、40kHzの周波数、60%のビームパワー、0.1m/sのスキャニング速度であり、このように犠牲層が部分的に除去されたパターン溝の100倍拡大されたイメージを図9に示し、図9で犠牲層が除去されたパターンの幅は30μm程度であった。次に、ポリスチレン(シグマアルドリッチ社製、重量平均分子量90,000)ナノ粒子が分散されているインクを、インクジェットを用いて犠牲層パターン上に加えてパターンを製造した後、前記犠牲層及び機能性材料パターンをアウトフォーカシングしてビーム直径を大きくし、照射量を低減したUVレーザー(355nm、Avia 2000、コヒレント社製)を照射して犠牲層だけを除去するようにした。レーザーの運用条件は、12mmの距離、25kHzの周波数、85%のビームパワー、0.1m/sのスキャニング速度である。犠牲層が除去されると共に犠牲層上に積層されている機能性材料も除去され、最終的に高解像度のポリスチレンパターンを製造して、100倍拡大されたイメージを図10に示した。
1 インクジェットプリントヘッド及びこれにより生成されたインク滴
10 基板
20 インクジェットにより形成された、機能性材料の低解像度パターン
21 本発明により形成された高解像度パターン
30 犠牲層
10 基板
20 インクジェットにより形成された、機能性材料の低解像度パターン
21 本発明により形成された高解像度パターン
30 犠牲層
Claims (20)
- 第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板を提供する第1の段階;
第1の手段を用いて、前記犠牲層に、前記第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝を形成する第2の段階;
第2の手段を用いて、第2の物質を前記パターン溝に充填する第3の段階;及び、
光又は熱照射により残余犠牲層に存在する前記第1の物質を除去する第4の段階を含み、
前記第1物質の閾値フルエンス(threshold fluence)が、前記第2の物質の閾値フルエンスより小さく、
前記第4の段階において、前記第1の物質の閾値フルエンス以上前記第2の物質の閾値フルエンス未満の調査量により、前記第1の物質を除去することを特徴とする、基板上に第2の物質によりパターンを形成する方法。 - 前記第3の段階は、前記第1の段階で形成されたパターン溝の線幅より低い第2の解像度で、前記第2の物質をパターン溝に充填することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第4の段階は、前記残余犠牲層を除去するとき、前記犠牲層上に積層されている前記第2の物質も共に除去されることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第3の段階において、前記第2の手段を用いて、前記第2の解像度で前記第2の物質を前記パターン溝に充填しながら、前記犠牲層がない領域には前記第2の解像度又は第2の解像度と異なる第3の解像度で前記第2の物質からなるパターンをさらに形成することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の段階において、前記第2の手段と同一又は異なる第3の手段を用いて、形成しようとするパターン溝の解像度と異なる第4の解像度で、前記犠牲層をパターニングした基板を提供することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第2の段階において、前記犠牲層を除去するとき、前記第1の手段として集束エネルギービームを使用し、前記集束エネルギービームの形状を制御するためにマスク又は光学回折素子を使用することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第2の段階において、前記最高第1の解像度を持つ第1の手段により犠牲層を除去するとき、前記第1の解像度より高い第5の解像度を持つマスク又は光学回折素子を使用して最高第5の解像度を持つパターン溝を形成し、前記第3の段階において、前記第2の手段により、前記第5の解像度より低い第2の解像度で前記第2の物質を前記パターン溝に充填することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の物質からなる犠牲層は、既にパターンされた領域を含む基板上に形成されることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第4の段階において、前記残余犠牲層に存在する第1の物質を除去するために、集束エネルギービームを照射することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の手段は集束エネルギービームを照射し、前記第2の手段はインクジェットを使用することを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記犠牲層を形成する前記第1の段階の後に保護層を最上部に形成し、前記第2の段階の後に前記保護層を除去したり、或いは、パターン形成用第2の物質を積層する第3の段階の後に前記保護層を最上部に形成し、第4の段階の後に前記保護層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 第1の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板であって、
前記基板上の犠牲層は、第1の物質が存在しないと共に、線幅が最高第1の解像度を持つパターン溝が形成され、
第2の物質が前記最高第1の解像度を持つパターン溝に充填され、
前記第1の物質の閾値フルエンス(threshold fluence)が、前記第2の物質の閾値フルエンスより小さいことを特徴とする、プレパターンが形成された基板。 - 前記パターン溝の線幅より低い第2の解像度で、前記第2の物質がパターン溝に充填されることを特徴とする、請求項12に記載の基板。
- 前記犠牲層が存在する領域のパターン溝に、第2の解像度で第2の物質が充填され、前記犠牲層が存在しない領域には、前記第2の解像度又は前記第2の解像度と異なる第3の解像度で第2の物質からなるパターンがさらに形成されることを特徴とする、請求項13に記載の基板。
- 前記基板は、残余犠牲層が除去されることを特徴とする、請求項12又は請求項14に記載の基板。
- 前記第1の物質からなる犠牲層は、既にパターンされた領域を含む基板上に形成されることを特徴とする、請求項12又は請求項14に記載の基板。
- 前記犠牲層上に形成されたパターン溝の解像度と異なる第4の解像度で、犠牲層が基板上にパターニングされることを特徴とする、請求項12又は請求項14に記載の基板。
- 前記閾値フルエンスは、集束エネルギービームに対するものであることを特徴とする、請求項12に記載の基板。
- 前記犠牲層に形成されたパターン溝は、前記集束エネルギービームの照射により形成されたものであり、前記パターン溝に充填された第2の物質は、インクジェットを介して充填されたものであることを特徴とする、請求項12又は請求項14に記載のパターン形成方法。
- 犠牲層形成用第1の物質又は第1の物質と共に犠牲層上に残存するパターン形成用第2の物質が除去された後、パターンされた部位又は基板に再付着されるのを防止する保護層が形成されることを特徴とする、請求項12又は請求項14に記載の基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050039774 | 2005-05-12 | ||
KR1020060004609A KR100809842B1 (ko) | 2005-05-12 | 2006-01-16 | 고해상도 패턴형성방법 및 상기 방법에 따라 프리패턴이형성된 기판 |
PCT/KR2006/001768 WO2006121297A1 (en) | 2005-05-12 | 2006-05-12 | Method for forming high-resolution pattern and substrate having prepattern formed thereby |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008544478A true JP2008544478A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=37704820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008511057A Pending JP2008544478A (ja) | 2005-05-12 | 2006-05-12 | 高解像度パターン形成方法及び前記方法によりプレパターンが形成された基板 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7462570B2 (ja) |
JP (1) | JP2008544478A (ja) |
KR (2) | KR100833017B1 (ja) |
CN (2) | CN101176192B (ja) |
DE (1) | DE112006001203B4 (ja) |
GB (1) | GB2443342B (ja) |
TW (2) | TWI344678B (ja) |
WO (1) | WO2006121297A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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- 2006-05-11 US US11/431,923 patent/US7462570B2/en active Active
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- 2006-05-12 GB GB0723991A patent/GB2443342B/en active Active
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- 2006-05-12 JP JP2008511057A patent/JP2008544478A/ja active Pending
- 2006-05-12 CN CN2006800162071A patent/CN101176192B/zh active Active
- 2006-05-12 WO PCT/KR2006/001768 patent/WO2006121297A1/en active Application Filing
- 2006-05-12 CN CN2006800162141A patent/CN101176193B/zh active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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