JP2008543087A5 - - Google Patents

Description

高品質のＧａＮを得るために最適なＡｌＮ核形成層は核形成層の厚さ１５０ｎｍ以下のとき、１，１７５℃以上の温度、比較的低い圧力、及び３，５００以下のＶ／ＩＩＩ比にて実現された。

出来上がったｍ面ＧａＮ材料の５μｍ×５μｍの原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）表面像を図４に示す。結晶粒は＜１１−２０＞の方向に沿っていて、表面凹凸値（自乗平均根）は５μｍ×５μｍの捜査範囲で２．５４ｎｍ以下であった。

Claims (18)

1. （ａ）無極性｛１−１００｝ｍ面III 族窒化物を適当な基板上に有機金属化学気相成膜法（ＭＯＣＶＤ）を用いて成長する工程を含むことを特徴とする、平坦な無極性ｍ面III 族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。
2. 前記基板はｍ−炭化珪素（ＳｉＣ）基板を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記無極性ｍ面III 族窒化物はｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
4. 前記成長工程の前に、前記基板表面から酸化物を除去するために前記基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
5. 前記成長工程の前に、前記基板を熱処理する工程を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
6. 前記基板上に核形成層を成長する工程と、前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物を成長する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
7. 前記核形成層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. （１）前記基板を熱処理する工程と、
   （２）前記熱処理工程の後に、前記基板上に核形成層を成長する工程、および
   （３）前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物を成長する工程
   を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
9. 前記無極性ｍ面III 族窒化物が平坦なエピタキシャル層であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
10. 請求項１に記載の方法を用いて作られるデバイス、ウェーハ、基板、或いはテンプレート。
11. （ａ）適当な基板上に有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて無極性ｍ面III 族窒化物を成長する工程を含むことを特徴とし、
    （１）前記基板表面から酸化膜を除去するために前記基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程と、
    （２）前記溶剤で洗浄し酸に浸漬する工程の後に、前記基板を熱処理する工程と、
    （３）前記熱処理工程後に前記基板上に核形成層を成長する工程と、
    （４）前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物の平坦なエピタキシャル層を成長する工程
    を含む、平坦な無極性ｍ面III 族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。
12. 適当な基板上に有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜を成長する工程を含むことを特徴とする、無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜を成長する方法。
13. 前記基板は、ｍ−ＳｉＣ、ｍ−ＧａＮ、ＬｉＧａＯ ₂ 、またはＬｉＡｌＯ ₂ 基板を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
14. 前記無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮまたはＩｎＧａＮを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
15. 前記基板上に核形成層を成長する工程と、前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜を成長する工程をさらに含むこと特徴とする、請求項１２に記載の方法。
16. 前記核形成層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
17. （１）前記基板表面から酸化膜を除去するために前記基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程と、
    （２）前記溶剤で洗浄し酸に浸漬する工程の後に、前記基板を熱処理する工程と、
    （３）前記熱処理工程後に前記基板上に核形成層を成長する工程と、
    （４）前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物のエピタキシャル層を成長する工程
    を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
18. 請求項１２に記載の方法を用いて作られるデバイス、ウェーハ、基板或いはテンプレート。