JP2009508336A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 基板上に有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって半極性窒化物半導体膜を成長する方法であって、
（ａ）基板上に窒化物の核生成層あるいは緩衝層を成長するステップと、
（ｂ）前記窒化物の核生成層あるいは緩衝層上に半極性窒化物半導体膜を成長するステップとを備え、前記半極性半導体膜の成長表面は前記基板の表面に平行であることを特徴とする方法。 - 前記窒化物の核生成層あるいは緩衝層は、ｘ＝１でｙ＝０のＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮを含んで構成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記半極性窒化物半導体膜は、組成変化または組成傾斜を有する複数の層を含んで構成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記半極性窒化物半導体膜は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎの組成の異なる層を１つ以上の含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記半極性窒化物半導体膜は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎの組成の異なる層を含むヘテロ構造を備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記半極性窒化物半導体膜は、実質的にＦｅ、Ｓｉ、およびＭｇからなる元素でドープされていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記成長表面は１０ミクロン幅の面積よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記半極性窒化物半導体膜は、直径２インチの基板をカバーするように成長することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 核生成層あるいは緩衝層を成長する前に基板を窒化するステップを更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記半極性窒化物半導体膜は、ハイドライド気相成長エピタキシー（ＨＶＰＥ）、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、あるいは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法による次の成長のためのテンプレートあるいは基板として用いられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 請求項１に記載の方法を用いて作製されるデバイス。
- 前記半極性窒化物半導体膜の表面粗さは７ｎｍより少ないことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
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