JP4996448B2 - 半導体基板の作成方法 - Google Patents
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H. Hirayama et al., Applied Physics Letter, Vol. 91, Page 071901 (2007) V. Adivarahan et al., Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, No. 23, Page L537 (2007) G. G. Moe et al., Vol.44, No. 17, Page L502 (2005) Y. Taniyasu et al., Nature, Vol. 441, Page 325 (2006) Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, No. 17, Page L389, (2007) Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, No. 31, Page L752, (2007)
図1は、本発明の実施の一形態に係る半導体基板10の作成方法を説明するための断面図である。この半導体基板10は、大略的に、図1(c)で示すように、Siから成るダミー基板1と、前記Siに反応性を有する金属材料から成り、前記ダミー基板1上に凝集体を形成する浸食体2と、前記浸食体2の浸食によって前記ダミー基板1に形成された凹部3および凸部4の内、前記浸食体2で覆われていない凸部4から、前記浸食体2を覆うように一体に成長して成り、AlN層から成るメイン基板5とを備えて構成される。
2 浸食体
3 凹部
4 凸部
5 メイン基板
10 半導体基板
11 発光素子
12 n型AlGaN層
13 発光層
14 p型AlGaN電子ブロック層
15 p型AlGaN層
16 p型GaNコンタクト層
Claims (3)
- シリコンから成るダミー基板の露出した表面上に、前記シリコンに対して反応性を有する金属材料を散布し、加熱して離散的に複数の凝集体を形成させる第1の工程と、
前記第1の工程の後に、前記凝集体を浸食体として、加熱によって前記ダミー基板を部分的にエッチングさせて、該ダミー基板の表面上に複数の凹部を形成させる第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記ダミー基板の凹部以外の部分から、アルミニウムを含有する材料によって、前記凹部を覆うように一体に成長させ、メイン基板を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする半導体基板の作成方法。 - 前記第1の工程における金属材料は、ガリウムであることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の作成方法。
- 前記第1の工程において、前記金属材料の原料ガスの供給を、前記ダミー基板の昇温中から行うことを特徴とする請求項1または2記載の半導体基板の作成方法。
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