JP2008535266A5

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Publication number: JP2008535266A5
Application number: JP2008504417A
Authority: JP
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2009-04-23
Anticipated expiration: 2026-03-29

Claims

有機光電子デバイスであって、
a)アノードと、
b)カソードと、
c)前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層であって、
i)燐光ドーパントHOMOエネルギーレベル、燐光ドーパントLUMOエネルギーレベル、三重項エネルギー、および一重項エネルギーを有する燐光ドーパントと、
ii)発光層ホストHOMOエネルギーレベルおよび発光層ホストLUMOエネルギーレベルを有する発光層ホストとを含む発光層と、
d)前記発光層に隣接して配置される輸送層とを備え、
前記輸送層は、第1の材料HOMOエネルギーレベルおよび第1の材料LUMOエネルギーレベルを有する第1の材料を備え、発光層に導入される電子と正孔とは、ドーパントに一重項を形成するのに要するエネルギーより小さいエネルギー差であって、ドーパントに三重項を形成するのに十分ではあるが、ドーパントに一重項を形成するのにはエネルギー的に不利であるエネルギー差を有する有機光電子デバイス。
前記発光層ホストLUMOと前記燐光ドーパントHOMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
前記発光層ホストHOMOと前記燐光ドーパントLUMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
前記輸送層は電子輸送層であり、前記第1の材料LUMOと前記燐光ドーパントHOMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
前記輸送層は正孔輸送層であり、前記第1の材料HOMOと前記燐光ドーパントLUMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
電子輸送材料を含む電子輸送層と、正孔輸送材料を含む正孔輸送層との2つの輸送層を備え、前記電子輸送材料LUMOと前記正孔輸送材料HOMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記一重項エネルギーより少なくとも約0.2eV小さい請求項6に記載のデバイス。
前記燐光ドーパントは、約500nm未満である発光スペクトルにピークを有する請求項1に記載のデバイス。
前記輸送層は複数の材料を含み、各材料はHOMOエネルギーレベル及びLUMOエネルギーレベルを有し、前記複数の材料の各々の少なくとも一のエネルギーレベルは併せて、前記発光層の少なくとも一のエネルギーレベルにつながる一群のエネルギーステップを形成し、該一群のエネルギーステップの各ステップは0.2eV以上ではない請求項1に記載の有機光電子デバイス。
a)基板上にアノードを堆積する段階と、
b)前記アノード上に発光層を堆積する段階であって、前記発光層は、
i)燐光ドーパントHOMOエネルギーレベル、燐光ドーパントLUMOエネルギーレベル、三重項エネルギー、および一重項エネルギーを有する燐光ドーパントと、
ii)発光層ホストHOMOエネルギーレベルおよび発光層ホストLUMOエネルギーレベルを有する発光層ホストとを含む、前記段階と、
c)前記発光層上に電子輸送層を堆積する段階であって、前記電子輸送層は、電子輸送材料LUMOエネルギーレベルを有する電子輸送材料を含む段階と、
d)前記電子輸送層上にカソードを堆積する段階とを含み、
前記発光層に導入される電子と正孔とは、ドーパントに一重項を形成するのに要するエネルギーより小さいエネルギー差であって、ドーパントに三重項を形成するのに十分ではあるが、ドーパントに一重項を形成するのにはエネルギー的に不利であるエネルギー差を有する方法。
前記電子輸送材料LUMOと前記燐光ドーパントHOMOとは、少なくとも燐光ドーパントの三重項エネルギーに等しくかつ燐光ドーパントの一重項エネルギーより少なくとも0.2eV小さいエネルギー差を有する請求項１０に記載の方法。
前記発光層LUMOと前記燐光ドーパントHOMOとは、少なくとも燐光ドーパントの三重項エネルギーに等しくかつ燐光ドーパントの一重項エネルギーより少なくとも0.2eV小さいエネルギー差を有する請求項１０に記載の方法。
有機光電子デバイスであって、
a)アノードと、
b)カソードと、
c)前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層であって、
i)燐光ドーパントHOMOエネルギーレベル、燐光ドーパントLUMOエネルギーレベル、三重項エネルギー、および一重項エネルギーを有する燐光ドーパントと、
ii)発光層ホストHOMOエネルギーレベルおよび発光層ホストLUMOエネルギーレベルを有する発光層ホストとを含む発光層と、
d)前記発光層に隣接して配置される輸送層とを備え、
前記輸送層は複数の材料を含み、各材料はHOMOエネルギーレベル及びLUMOエネルギーレベルを有し、前記複数の材料の各々の少なくとも一のエネルギーレベルは併せて、前記発光層の少なくとも一のエネルギーレベルにつながる一群のエネルギーステップを形成し、該一群のエネルギーステップの各ステップは0.2eV以上ではない有機光電子デバイス。