JP2008529243A - 大気圧プラズマジェット - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図2
Description
− 細長い中心電極、
− 前記中心電極を取り囲みかつ前記中心電極と共軸である細長い円筒状外部電極、
− 前記外部電極と前記中心電極の間に共軸に配置された電気絶縁体であって、遠位端と近位端を持つ放電内腔が前記中心電極と前記電気絶縁体の間に規定される電気絶縁体、
− 前記放電内腔にプラズマ生成ガスを供給するために、前記放電内腔の前記遠位端に配置された供給開口、
− 前記中心電極と前記外部電極の間に電圧を与えるための電源
を含み、
前記電気絶縁体が前記近位端で半径方向に置かれたリングとして前記外部電極の外表面を越えて延びる。電極は管状でありかつ円形断面と共軸であることができ、または中心電極は平坦なプレート形状電極であることができ、一方で外部電極は中心電極に実質的に平行である前側及び後側を持つ。平坦電極の代わりに、平行装置は−近位端に−電極の長さに沿って丸い延長部を持つ中心電極を持つことができ、一方で外部電極の前面及び後面は前記中心電極に平行のままであることができる。
− 中心電極、例えば平坦なプレート形状電極、
− 前記中心電極に実質的に平行である、前記中心電極の両側の二つの外部電極、
− 前記外部電極と前記中心電極の間に実質的に平行に配置された二つの電気絶縁体であって、遠位端と近位端を持つ放電内腔が前記中心電極と前記電気絶縁体の間に規定される二つの電気絶縁体、
− 前記放電内腔にプラズマ生成ガスを供給するために、前記放電内腔の遠位端に配置された供給開口、
− 好ましくは近位端のプラズマ残光中に反応性化合物を直接導入するための中心電極を通る供給導管、
− 中心電極と外部電極の間に電圧を与えるための電源、
を含み、前記電気絶縁体が近位端で外部電極の外表面を越えて外向きに延びる。
− 本発明によるプラズマジェット装置を準備し、
− 供給開口を通してプラズマガス流を供給し、
− 反応性化学化合物(例えばモノマー)流を供給開口を通して及び/またはプラズマの開放端のプラズマ放電内に反応性化学化合物を導入する中心電極を通して供給する、そして
− 中心電極と外部電極の間に1〜100kVの電圧を供給する、
工程を含む。
図1は従来技術のプラズマジェット設計を示す。
− 10cmの電極高さ50を持つ管状装置(以下、管状装置と称する)のための電力:20−750ワット;
− 10cmの電極高さ(50,60)と10cmの電極長さ(61)を持つ平行装置(一つの外部電極を持つ平行装置を含む)(以下、平行装置と称する)のための電力:100−5000ワット。付与される電力は用途に依存する。
− 電圧(8):1−100kV
− プラズマガス流(6):管状装置に対しては1−400 l/分、平行装置に対しては10−4000 l/分。
− 予熱プラズマガスの温度:20−400℃(これはプラズマガスがプラズマジェット内に挿入される前に400℃迄予熱されることができることを意味する)。
− プラズマガス:N2,空気,He,Ar,CO2+これらのガスとH2,O2,SF6,CF4,飽和及び不飽和炭化水素ガス、フッ素化炭化水素ガスの混合物。
− モノマー流:1−2000g/分(中心電極内の導管7を通して直接プラズマ残光中に)。
− 供給ガス流:0.1−30 l/分(中心電極内の導管7を通して直接プラズマ残光中に)。
− 内部間隙距離(4):0.1−10mm(プラズマガス及び用途に依存して)。
− 均質なプラズマ領域の直径(管状装置に対して)または幅(5)(平行装置に対して):6−80mm。
− 有効プラズマ残光の長さ:5−100mm(用途に依存して)。
プラズマ放電中のラジカル、特にイオンは極めて短時間存続し、ほとんど放電領域の外側に輸送されることができないことが注意されるべきである。他方、プラズマの内側で生成された準安定な種は大気圧でより長い、典型的には数百ミリ秒のオーダーの寿命を持つ。このより長い寿命はそれらのプラズマガス流によるプラズマ容積からの搬出を可能とする。明らかに最も反応性の準安定な種がまず失われるであろう。プラズマ源に近い程、プラズマ残光はより反応性である。本発明による新規なプラズマジェット装置により、試料は実際のプラズマ源から2mmまでもたらされることができる。実験は特定のポリマーの安定な活性化が半径方向または外向きに延びる誘電体を持つ説明されたプラズマジェット形状を用いるときにのみ実現されることができることを示した。
古典的概念ではゴムは十分に活性化することが不可能である:ゴム/プラズマ源の距離は大き過ぎると思われる。最も反応性の、この場合必要なプラズマ種はそれらがゴム試料に当たる前に失われる。
パラメーター:
− 電力:400ワット
− 周波数:70kHz
− プラズマガス:65 l 空気/分
− 前駆体:なし
− プラズマ残光の温度:65℃
− ゴム/プラズマ源の距離:4mm
− プラズマ活性化前の表面エネルギー:±20ダイン
− プラズマ活性化後の表面エネルギー:>75ダイン
− プラズマ活性化後1週間の表面エネルギー:62ダイン。
PVCは感熱性である。古典的概念により実施された活性化はやがて安定でなくなる。数時間後、活性化は完全に失われた。
− 電力:300ワット
− 周波数:32kHz
− プラズマガス:60 l N2/分
− 前駆体:なし
− プラズマ残光の温度:60℃
− PVC/プラズマ源の距離:5−7mm
− プラズマ活性化前の表面エネルギー:45ダイン
− プラズマ活性化後の表面エネルギー:>75ダイン
− プラズマ活性化後1週間の表面エネルギー:64ダイン
− プラズマ活性化後1ヶ月の表面エネルギー:56ダイン
− プラズマ活性化後4ヶ月の表面エネルギー:54ダイン
もし平坦な試料がプラズマ残光に近づけられるなら、プラズマ残光の活性種がプラズマジェットと試料の間のある領域に渡って広げられる。これは活性化スポットがプラズマジェットの直径よりかなり広くなることを意味する。試料が実際のプラズマ源により近くもたらされる程、活性化スポットはより広くなるであろう。実験は、本発明によるプラズマジェット(U−形状誘電体を持つ)により同じプラズマ条件に対し活性化スポットが古典的概念によるよりかなり広くなることを確認した。
活性化されたスポットの広さを増加することは(多数の)プラズマジェットの作業コスト全体を減らすであろう。本発明によるプラズマジェットを用いるとき、より反応性のプラズマ残光が得られ、活性種はより広い領域に渡って広げられる。
− 電力:200ワット
− 周波数:50kHz
− プラズマガス:50 l N2/分
− 前駆体:なし
− プラズマ残光の温度:65℃
− プラズマジェットの直径:15mm
− プラズマ活性化前の表面エネルギー:32ダイン
− プラズマ活性化後の表面エネルギー:62ダイン
活性化スポットの広さを増加することは(多数の)プラズマジェットの作業コスト全体を減らすであろう。本発明によるプラズマジェットを用いるとき、より反応性のプラズマ残光が得られ、活性種はより広い領域に渡って広げられる。
− 電力:200ワット
− 周波数:50kHz
− プラズマガス:50 l 空気/分
− 前駆体:なし
− プラズマ残光の温度:65℃
− プラズマジェットの直径:15mm
− プラズマ活性化前の表面エネルギー:36ダイン
− プラズマ活性化後の表面エネルギー:70ダイン
試料が実際のプラズマ領域により接近してもたらされることができるという事実の結果として、より少ない反応種が残光中で失われる。従って、古典的プラズマジェットに比べて、ガス及び/または電力のより低い消費で同じ効果が得られることができる。この最後の利点は二つのより先の利点の間接的結果として見られることができる。
Claims (15)
- 物品のプラズマ処理を実施するためのプラズマジェット装置であって、
− 細長い中心電極(2)、
− 前記中心電極を取り囲みかつ前記中心電極と共軸である細長い円筒状外部電極(1)、
− 前記外部電極と前記中心電極の間に共軸に配置された電気絶縁体(3)であって、遠位端と近位端を持つ放電内腔が前記中心電極と前記電気絶縁体の間に規定される電気絶縁体(3)、
− 前記放電内腔にプラズマ生成ガスを供給するために、前記放電内腔の前記遠位端に配置された供給開口(6)、
− 前記中心電極と前記外部電極の間に電圧を与えるための電源(9)、
を含むものにおいて、
前記電気絶縁体が前記近位端で前記外部電極の外表面を越えて半径方向に置かれたリング(20)の形で延びることを特徴とするプラズマジェット装置。 - 電気絶縁体が更に外部電極の外表面で遠位端に向けて延びる(21)ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマジェット装置。
- 中心電極の外表面と電気絶縁体(4)の内表面の間の距離が0.1〜10mmであることを特徴とする請求項1また2に記載のプラズマジェット装置。
- 電源(9)が1〜10kVのACまたはパルスDC電圧を与えるように配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のプラズマジェット装置。
- 前記電極(1,2)が管状であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマジェット装置。
- 前記外部電極(1)が中心電極(2)に実質的に平行である前側及び後側(70,71)を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマジェット装置。
- 前記中心電極(2)が近位端に中心電極の全長(61)に沿って丸い延長部(30)を含むことを特徴とする請求項6に記載のプラズマジェット装置。
- 近位端のプラズマ残光中に反応性化学化合物を直接導入するための、中心電極(2)を通る供給導管(7)を更に含むことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のプラズマジェット装置。
- 物品のプラズマ処理を実施するためのプラズマジェット装置であって、
− 中心電極(15)、
− 前記中心電極に実質的に平行である、前記中心電極の両側の二つの外部電極(16,17)、
− 前記外部電極と前記中心電極の間に実質的に平行に配置された二つの電気絶縁体(18,19)であって、遠位端と近位端を持つ放電内腔が前記中心電極と前記電気絶縁体の間に規定される二つの電気絶縁体(18,19)、
− 前記放電内腔にプラズマ生成ガスを供給するために、前記放電内腔の遠位端に配置された供給開口(6)、
− 中心電極と外部電極の間に電圧を与えるための電源(9)、
を含むものにおいて、
前記電気絶縁体が近位端で外部電極の外表面を越えて外向きに延びることを特徴とする装置。 - 電気絶縁体が更に外部電極の外表面で遠位端に向けて延びる(41)ことを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 近位端のプラズマ残光中に反応性化合物を直接導入するための、中心電極を通る供給導管(7)を更に含むことを特徴とする請求項9または10に記載の装置。
- 中心電極(15)が平坦な電極であることを特徴とする請求項9から11のいずれか一つに記載の装置。
- 前記中心電極が近位端に中心電極の全長(61)に沿って丸い延長部(30)を含むことを特徴とする請求項9から11のいずれか一つに記載の装置。
- プラズマ流を生成するための方法において、
− 請求項1から8のいずれかに記載のプラズマジェット装置を準備し、
− 供給開口を通してプラズマガス流を供給し、
− 反応性化学化合物(例えばモノマー)流を供給開口(6)を通して及び/またはプラズマの開放端のプラズマ放電内に反応性化学化合物を導入する中心電極を通して供給し、そして
− 中心電極と外部電極の間に1〜100kVの電圧を供給する、
工程を含むことを特徴とする方法。 - プラズマ流を生成するための方法において、
− 請求項9から13のいずれかに記載のプラズマジェット装置を準備し、
− 供給開口を通してプラズマガス流を供給し、
− 反応性化学化合物(例えばモノマー)流を供給開口(6)を通して及び/またはプラズマの開放端のプラズマ放電内に反応性化学化合物を導入する中心電極を通して供給し、そして
− 中心電極と外部電極の間に1〜100kVの電圧を供給する、
工程を含むことを特徴とする方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011096616A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
JP2012531699A (ja) * | 2009-06-29 | 2012-12-10 | ユニヴェルシテ ポール サバティエ トゥールーズ トロワ | 常温・常圧の大気からプラズマジェットを放出する装置およびその装置の利用 |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4688850B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2011-05-25 | 京セラ株式会社 | 構造体およびこれを用いた装置 |
ATE554197T1 (de) * | 2007-09-19 | 2012-05-15 | Vito | Verfahren zur stabilen hydrophilie-verstärkung eines substrats mittels plasmaablagerung bei atmosphärischem druck |
EP2180768A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-28 | TNO Nederlandse Organisatie voor Toegepast Wetenschappelijk Onderzoek | Apparatus and method for treating an object |
JP5212346B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-06-19 | 株式会社デンソー | プラズマ発生装置 |
CN102244970A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-16 | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 一种多喷头射频等离子体发生器 |
WO2012004175A1 (en) | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Vito Nv | Method and device for atmospheric pressure plasma treatment |
KR101133094B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2012-04-04 | 광운대학교 산학협력단 | 다중 채널 플라즈마 제트 발생 장치 |
RU2465747C1 (ru) * | 2011-05-26 | 2012-10-27 | Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова | Полимерный гаситель самостоятельного дугового разряда с металлическими электродами при электровзрыве проволочки |
US9831069B2 (en) * | 2011-06-03 | 2017-11-28 | Wacom | CVD apparatus and method for forming CVD film |
CN102307426A (zh) * | 2011-06-24 | 2012-01-04 | 北京大学 | 一种等离子体发生装置 |
US10225919B2 (en) * | 2011-06-30 | 2019-03-05 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd | Projected plasma source |
US20130302215A1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Hua-Ming Liu | Combination dielectric barrier discharge reactor |
KR101415688B1 (ko) | 2012-07-18 | 2014-07-04 | 한국기초과학지원연구원 | 관형 플라즈마 표면 처리 장치 |
CN102883516A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-01-16 | 重庆大学 | 一种新型针-环式等离子体射流装置 |
CN103179772B (zh) * | 2013-03-08 | 2016-04-20 | 河北大学 | 产生大气压直流辉光放电的方法及其专用装置 |
AT514555B1 (de) * | 2013-08-27 | 2015-02-15 | Fronius Int Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmastrahls |
US11278983B2 (en) | 2013-11-13 | 2022-03-22 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
US11432393B2 (en) | 2013-11-13 | 2022-08-30 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
US10456855B2 (en) | 2013-11-13 | 2019-10-29 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
US11684995B2 (en) | 2013-11-13 | 2023-06-27 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
US9981335B2 (en) | 2013-11-13 | 2018-05-29 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
ITPD20130310A1 (it) | 2013-11-14 | 2015-05-15 | Nadir S R L | Metodo per la generazione di un getto o jet di plasma atmosferico e dispositivo minitorcia al plasma atmosferico |
AU2015301727B2 (en) | 2014-08-12 | 2020-05-14 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
US20160089695A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | United States Government As Represented By The Secretary Of The Army | Bondable fluorinated barrier coatings |
EP3233991B1 (en) * | 2014-12-17 | 2023-02-01 | Si02 Medical Products, Inc. | Plasma treatment with non-polymerizing compounds that leads to reduced biomolecule adhesion to thermoplastic articles |
CN104540313B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-04-19 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 大气压中空基底电极等离子体射流发生装置 |
CN104883806B (zh) * | 2015-03-06 | 2018-09-25 | 苏州大学 | 一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法 |
KR101733994B1 (ko) | 2015-04-07 | 2017-05-11 | 주식회사 피글 | 진공 펌프를 이용한 기체 압력 제어 플라즈마 발생 장치 |
CN104812154A (zh) * | 2015-04-22 | 2015-07-29 | 西安交通大学 | 一种三电极介质阻挡放电等离子体发生装置 |
CA2984439C (en) * | 2015-04-30 | 2021-06-08 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma treatment with non-polymerizing compounds that leads to reduced dilute biomolecule adhesion to thermoplastic articles |
US9711333B2 (en) * | 2015-05-05 | 2017-07-18 | Eastman Kodak Company | Non-planar radial-flow plasma treatment system |
KR102569883B1 (ko) | 2015-08-04 | 2023-08-22 | 하이퍼썸, 인크. | 액체-냉각식 플라즈마 아크 토치용 카트리지 |
DK3163983T3 (da) * | 2015-10-28 | 2020-08-24 | Vito Nv | Apparat til plasmabehandling med indirekte atmosfærisk tryk |
DE102016209097A1 (de) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Plasmadüse |
CN106231771A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 大连民族大学 | 一种等离子体喉镜杀菌装置的保护机构 |
CN106231770A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-14 | 国网江苏省电力公司电力科学研究院 | 一种工作气体和外部环境气体可控的等离子体射流发生与参数诊断系统 |
CN106455281A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-02-22 | 上海交通大学 | 一种集成掩膜板的大气压等离子体射流装置 |
CN106714435B (zh) * | 2016-11-15 | 2019-06-14 | 北京理工大学 | 一种大面积大气压等离子体射流产生装置 |
US20190209854A1 (en) * | 2017-06-16 | 2019-07-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Reactive gas application apparatus, and method of treating animals excluding humans |
GB2565852B (en) * | 2017-08-25 | 2022-04-06 | Air Quality Res Limited | Dielectric barrier discharge device and method and apparatus for treating a fluid |
TWI691237B (zh) | 2018-02-13 | 2020-04-11 | 國立交通大學 | 常壓電漿束產生裝置 |
CN108566714A (zh) * | 2018-06-09 | 2018-09-21 | 贵州电网有限责任公司 | 一种等离子体射流装置 |
PL3586954T3 (pl) | 2018-06-22 | 2023-12-27 | Molecular Plasma Group Sa | Ulepszony sposób i urządzenie do osadzania powłok na podłożu za pomocą strumienia plazmy pod ciśnieniem atmosferycznym |
EP3840541A1 (en) | 2019-12-20 | 2021-06-23 | Molecular Plasma Group SA | Improved shield for atmospheric pressure plasma jet coating deposition on a substrate |
EP3848191A1 (en) | 2020-01-07 | 2021-07-14 | Glanzstoff Industries A.G. | Reinforcement material and elastomeric product reinforced therewith |
EP3848426A1 (en) | 2020-01-07 | 2021-07-14 | Molecular Plasma Group SA | Method for altering adhesion properties of a surface by plasma coating |
EP4289519A1 (en) | 2022-06-10 | 2023-12-13 | Basf Se | Plasma-created barriers for packaging |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211656A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生装置およびその動作方法 |
JPH0830968A (ja) * | 1993-07-20 | 1996-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成装置および被膜形成方法 |
JPH11260597A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001023972A (ja) * | 1999-07-10 | 2001-01-26 | Nihon Ceratec Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003093869A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
WO2003071839A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2003303814A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2004039993A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3241476A1 (de) * | 1982-11-10 | 1984-05-10 | Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen | Verfahren zur einleitung von ionisierbarem gas in ein plasma eines lichtbogenbrenners und plasmabrenner zur durchfuehrung des verfahrens |
US4825806A (en) * | 1984-02-17 | 1989-05-02 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus |
KR900003310B1 (ko) * | 1986-05-27 | 1990-05-14 | 리가가구 겡큐소 | 이온 발생 장치 |
US4820370A (en) * | 1986-12-12 | 1989-04-11 | Pacific Western Systems, Inc. | Particle shielded R. F. connector for a plasma enhanced chemical vapor processor boat |
US5105123A (en) * | 1988-10-27 | 1992-04-14 | Battelle Memorial Institute | Hollow electrode plasma excitation source |
FR2666821B1 (fr) * | 1990-09-19 | 1992-10-23 | Ugine Aciers | Dispositif de traitement superficiel d'une plaque ou d'une tole d'un materiau metallique par plasma basse temperature. |
JP3206095B2 (ja) * | 1991-04-12 | 2001-09-04 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
JP3413661B2 (ja) * | 1991-08-20 | 2003-06-03 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
JPH07211654A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生装置およびその動作方法 |
DE69531880T2 (de) * | 1994-04-28 | 2004-09-09 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung |
US5776553A (en) * | 1996-02-23 | 1998-07-07 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method for depositing diamond films by dielectric barrier discharge |
DE19735362C2 (de) * | 1996-08-14 | 2002-12-19 | Fujitsu Ltd | Gasreaktor |
US6027617A (en) * | 1996-08-14 | 2000-02-22 | Fujitsu Limited | Gas reactor for plasma discharge and catalytic action |
FR2754969B1 (fr) * | 1996-10-18 | 1998-11-27 | Giat Ind Sa | Torche a plasma a etancheite amelioree |
US5756959A (en) * | 1996-10-28 | 1998-05-26 | Hypertherm, Inc. | Coolant tube for use in a liquid-cooled electrode disposed in a plasma arc torch |
JPH10199697A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Pearl Kogyo Kk | 大気圧プラズマによる表面処理装置 |
US5961772A (en) | 1997-01-23 | 1999-10-05 | The Regents Of The University Of California | Atmospheric-pressure plasma jet |
DE69840654D1 (de) | 1997-10-20 | 2009-04-23 | Univ California | Aufbringen von beschichtungen mit einem plasmastrahl unter atmosphärendruck |
TW503263B (en) * | 1997-12-03 | 2002-09-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Plasma processing apparatus and method |
JP2000192244A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-07-11 | Canon Inc | 堆積膜の形成装置及び形成方法 |
EP0997926B1 (en) * | 1998-10-26 | 2006-01-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma treatment apparatus and method |
US6262523B1 (en) * | 1999-04-21 | 2001-07-17 | The Regents Of The University Of California | Large area atmospheric-pressure plasma jet |
JP4164716B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2008-10-15 | 岩崎電気株式会社 | 無電極電界放電エキシマランプおよび無電極電界放電エキシマランプ装置 |
WO2000070117A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | The Regents Of The University Of California | Low-temperature compatible wide-pressure-range plasma flow device |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
JP4444437B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2010-03-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6911225B2 (en) * | 2001-05-07 | 2005-06-28 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for non-thermal pasteurization of living-mammal-instillable liquids |
US7274015B2 (en) * | 2001-08-08 | 2007-09-25 | Sionex Corporation | Capacitive discharge plasma ion source |
TW497986B (en) * | 2001-12-20 | 2002-08-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric barrier discharge apparatus and module for perfluorocompounds abatement |
US6896854B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-05-24 | Battelle Energy Alliance, Llc | Nonthermal plasma systems and methods for natural gas and heavy hydrocarbon co-conversion |
US20030157000A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Fluidized bed activated by excimer plasma and materials produced therefrom |
US6841943B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-01-11 | Lam Research Corp. | Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies |
-
2005
- 2005-02-04 EP EP05447017A patent/EP1689216A1/en not_active Withdrawn
-
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-
2007
- 2007-07-24 ZA ZA200706133A patent/ZA200706133B/xx unknown
- 2007-07-26 IL IL184877A patent/IL184877A/en active IP Right Grant
- 2007-09-03 NO NO20074465A patent/NO338153B1/no unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0830968A (ja) * | 1993-07-20 | 1996-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成装置および被膜形成方法 |
JPH07211656A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生装置およびその動作方法 |
JPH11260597A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001023972A (ja) * | 1999-07-10 | 2001-01-26 | Nihon Ceratec Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003093869A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
WO2003071839A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2003303814A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2004039993A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012531699A (ja) * | 2009-06-29 | 2012-12-10 | ユニヴェルシテ ポール サバティエ トゥールーズ トロワ | 常温・常圧の大気からプラズマジェットを放出する装置およびその装置の利用 |
JP2011096616A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2006209814A1 (en) | 2006-08-10 |
WO2006081637A1 (en) | 2006-08-10 |
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CN101129100B (zh) | 2011-02-02 |
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CA2596589C (en) | 2013-09-03 |
ZA200706133B (en) | 2008-11-26 |
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