JP5212346B2 - プラズマ発生装置 - Google Patents
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Description
電界強度(電界強度=電圧/距離)を上げるための手法として電極間距離を縮めるといった手法が有効であるが、電極間距離を短くすると、より高電圧を印加しなければプラズマを発生させることはできなかった。(その理由を簡単に説明すると、パッシェン則により、放電開始電圧と(圧力×電極間距離)との間に、下に凸の曲線となる相関関係があるため、同じ圧力下で電極間距離が狭くなっていくと放電開始に必要な電圧が増加してしまい、今まで放電開始していた電圧では放電しなくなってしまうためである。)
その結果、電界集中などにより局所的・不安定的にアーク放電が発生したりして、安定した放電を得ることができなかった。特許文献1にみられる従来技術では、二重管電極構造で均一電界にする試みがなされているが、依然、上述の問題をかかえていた。
本発明の一実施形態においては、被処理対象として、円柱形状体(例えば、噴射弁のニードルや、型の押出ピンなど)や円筒形状体に、プラズマ発生装置により、表面処理(汚染除去、改質)、DLC(ダイヤモンド状カーボン)、SiO2などの薄膜形成、エッチングなどの処理を施す場合について説明する。被処理対象は上記例示に限定されるものではなく、円柱形状体、円筒形状体であれば、任意の具体的対象に本発明が適用可能である。
棒状電極5の外周面が、本実施形態において被処理対象であるとして説明する。被処理対象が円筒体12の場合は後述する。円筒チャンバー部は、円筒形電極1内部の囲まれた室であって、ガス導入口10を有する第1チャンバー室2と、ガス排出口11を有する第2チャンバー室3とに分割されている。第1チャンバー室2と、第2チャンバー室3とに仕切るように、円筒チャンバー部にオリフィス4が配置されている。第2チャンバー室3には、棒状電極5が、円筒形電極1の中心軸に設置されており、円筒形電極1との間に電界を印加してプラズマ発生させる。
このように、本発明では、本来所望のプラズマ室とは別の箇所でプラズマを発生させ、そこでのグロー放電で発生する電子・イオンや、アーク放電で発生するプラズマの熱電子等を利用して所望のプラズマ室に導入することで、より低い電界でもグロープラズマを発生維持することができるのである。
このプラズマ発生装置の円筒チャンバーを、1×10-2Pa以下までロータリーポンプ(その他、ターボ分子ポンプ、クライオポンプなどでもよい)にて排気した後、被成膜面のクリーニングのため、ガス導入口10からArガスを導入し、棒状電極5にDCパルス電源から電圧(100V〜5kV)を印加しプラズマを生成させ、Arイオンを棒状電極5、円筒形電極1に衝突させ被成膜面を活性化する。この場合、第1チャンバー室の放電も使用するとよい。
例示としては、棒状電極5の表面に、DLCをコーティングする場合があげられるが、これに限定されるものではない。耐摩耗性膜、高摺動性膜の形成に限らず、表面処理(汚染除去、改質)、薄膜形成、エッチングなどの処理に応じて、適宜、使用するガス、印加電圧が選定される。
第2チャンバー室3内において、円筒形電極1と導電するように円筒体12を設置し、円筒体12の内周面の中心軸が、円筒形電極1の中心軸に設置されている。前述のように、一実施形態と同様に、プラズマを発生させる。この場合においては、円筒体12の内周面が被処理対象であり、一例としては、DLCをコーティングする場合があげられる。なお、これに限定されるものではなく、耐摩耗性膜、高摺動性膜の形成に限らず、表面処理(汚染除去、改質)、薄膜形成、エッチングなどの処理に応じて、適宜、使用するガス、印加電圧が選定される。
2 第1チャンバー室
3 第2チャンバー室
4 オリフィス
5 棒状電極
6 サブ電極
10 ガス導入口
11 ガス排出口
Claims (8)
- プラズマ発生装置であって、円筒形電極(1)を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口(10)を有する第1チャンバー室(2)と、ガス排出口(11)を有する第2チャンバー室(3)とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス(4)と、前記第2チャンバー室(3)内において前記円筒形電極(1)の中心軸に設置されている棒状電極(5)と、前記第1チャンバー室(2)において設置された、前記円筒形電極(1)とは異なる電位を印加できるサブ電極(6)とを具備し、
前記円筒形電極(1)と前記棒状電極(5)の間に電界を印加しプラズマを発生させ、
さらに、前記棒状電極(5)と前記円筒形電極(1)の間に発生させるプラズマとは別に、前記円筒形電極(1)と前記サブ電極(6)間に電界を印加してプラズマを発生させ、
前記棒状電極(5)と前記円筒形電極(1)の間に発生させるプラズマがグロー放電、前記円筒形電極(1)と前記サブ電極(6)の間に発生させるプラズマがアーク放電を含む放電であり、
前記第1チャンバー室(2)と前記第2チャンバー室(3)のプラズマ領域が分離されるとともに、前記オリフィス(4)の穴を通して接続しており、
前記第2チャンバー室(3)の圧力は300Paから101kPaの圧力であることを特徴とするプラズマ発生装置。 - 前記棒状電極(5)と前記円筒形電極(1)の間に発生させるプラズマがグロー放電、前記円筒形電極(1)と前記サブ電極(6)の間に発生させるプラズマがグロー放電又はアーク放電であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 前記第2チャンバー室(3)の圧力が、前記第1チャンバー室(2)の圧力よりも低いことを特徴とする請求項1、又は、2に記載のプラズマ発生装置。
- 前記ガス導入口(10)から導入されるガスは、希ガス、炭化水素、酸素ガスのうちのいずれか、又は、2種以上の組み合わせであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置。
- 前記ガス導入口(10)から導入されるガスは、Ar、He、N2、O2、H2、CH4、C2H2、C2H4、C3H8、CF4、C2F6、SF6、SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、Si(CH3)4、(CH3)3Si-NH-Si(CH3)3のうちのいずれか、又は、2種以上の組み合わせであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置。
- 前記棒状電極(5)の表面に、ダイヤモンド状カーボンをコーティングすることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置。
- 前記第2チャンバー室(3)内において、前記円筒形電極(1)と導電するように円筒体(12)を設置し、前記円筒体(12)の内周面の中心軸が、前記円筒形電極(1)の中心軸に設置されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置。
- 前記円筒体(12)の内周面に、ダイヤモンド状カーボンをコーティングすることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ発生装置。
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