RU2391801C2 - Плазмотрон атмосферного давления - Google Patents
Плазмотрон атмосферного давления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2391801C2 RU2391801C2 RU2007129398/06A RU2007129398A RU2391801C2 RU 2391801 C2 RU2391801 C2 RU 2391801C2 RU 2007129398/06 A RU2007129398/06 A RU 2007129398/06A RU 2007129398 A RU2007129398 A RU 2007129398A RU 2391801 C2 RU2391801 C2 RU 2391801C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- electrode
- central electrode
- plasma torch
- plasmatron
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2443—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube
- H05H1/245—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube the plasma being activated using internal electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Materials For Medical Uses (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
Изобретение относится к плазмотронам для плазменной обработки изделий. Плазмотрон для плазменной обработки изделий содержит центральный электрод 2, коаксиальный ему цилиндрический наружный электрод 1, электрический изолятор 3 и источник питания. Изолятор расположен коаксиально между наружным и центральным электродами. Между центральным электродом и изолятором образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец. На дальнем конце разрядного канала расположено подводящее отверстие 6 для подачи плазмообразующего газа в разрядный канал. На ближнем конце изолятор выступает за пределы наружной поверхности наружного электрода в виде радиально расположенного кольца 20. В другом варианте плазмотрон может содержать два наружных электрода и два изолятора, которые расположены по обеим сторонам центрального электрода и параллельны ему. Способ получения плазменной струи включает использование одного из указанных вариантов плазмотрона, подачу плазменного газа через подводящее отверстие, подачу химически активного соединения через подводящее отверстие 6 и/или через центральный электрод 1 и создание между центральным 1 и наружным 2 электродами напряжения величиной от 1 до 100 кВ. Изобретение позволяет повысить эффективность работы плазмотрона. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Description
Область изобретения
[0001] Настоящее изобретение относится к установке для плазменной обработки, применяемой для плазменной очистки, модификации поверхности и нанесения поверхностного покрытия. В частности, настоящее изобретение относится к новаторскому плазмотрону.
Предпосылки изобретения
[0002] Из уровня техники известны плазмотроны атмосферного давления, например, подобные раскрытым в WO 98/35379 или в WO 99/20809. Эти плазмотронные устройства содержат два электрода, установленные коаксиально и определяющие пространство для плазменного разряда между наружным диаметром центрально установленного электрода и внутренним диаметром наружного электрода. На открытом конце устройства можно сгенерировать плазменную струю, подавая к закрытому концу устройства поток газа и создав между электродами достаточное напряжение. Между указанными электродами во избежание образования дуги может находиться диэлектрический материал. Струя плазмы может применяться для травления, очистки или нанесения покрытия на поверхность. В устройствах, известных из уровня техники, получить достаточно эффективную плазменную струю трудно вследствие ряда ограничений, имеющих место в известных устройствах. Например, в настоящее время из-за недостаточной выделяемой энергии невозможно в должной мере активировать каучук, используя существующий классический плазмотрон приемлемых размеров. Поэтому в большинстве плазмотронных устройств используют сопло для сужения плазменной струи, чтобы получить более высокие плотности плазмы. Однако недостатком данного решения является то, что обрабатываемый участок меньше по размеру и, следовательно, для обработки конкретной поверхности необходимо применять большее количество небольших устройств, затрачивать больше времени или применять более крупные устройства.
Цель заявленного изобретения
[0003] Целью заявленного изобретения является создание плазмотрона, более эффективного по сравнению с известными из уровня техники.
Сущность изобретения
[0004] Заявленное изобретение относится к плазмотрону атмосферного давления, содержащему устройство с двумя цилиндрическими электродами или устройство с тремя параллельными электродами. 2-электродное устройство может представлять собой трубчатое устройство, состоящее из центрального цилиндрического металлического электрода и наружного цилиндрического металлического электрода, причем указанные цилиндрические металлические электроды расположены коаксиально и образуют плазменный разрядный канал, при этом указанное устройство имеет открытый (ближний) конец и закрытый (дальний) конец, причем указанный плазменный разрядный канал на указанном открытом конце открывается в атмосферу, а на указанном закрытом конце имеет отверстие для подачи потока газа, а также содержит диэлектрический материал, размещенный между указанными центральным цилиндрическим металлическим электродом и наружным цилиндрическим металлическим электродом, при этом указанное устройство отличается тем, что указанный диэлектрический защитный слой радиально выступает на указанном открытом конце.
[0005] Один из вариантов исполнения «параллельного» устройства содержит один центральный плоский или имеющий особую форму металлический электрод и 2 наружных металлических электрода, причем указанные электроды, по существу, параллельны, то есть находятся на постоянном (±1 мм) расстоянии и образуют плазменный разрядный канал, указанное «параллельное» устройство имеет открытый (ближний) конец и закрытый (дальний) конец, причем указанный плазменный разрядный канал на указанном открытом конце открыт в атмосферу, а на указанном закрытом конце имеет отверстие для подачи газа, а также содержит диэлектрический материал, размещенный между указанными центральным цилиндрическим металлическим электродом и наружным цилиндрическим металлическим электродом, при этом указанное устройство отличается тем, что указанный диэлектрический защитный слой выступает наружу на указанном открытом конце. Согласно данному конкретному варианту исполнения наружные электроды соединены по бокам для формирования одного электрода, коаксиального с центральным электродом. Это исполнение и трубчатое исполнение являются, следовательно, двумя вариантами цилиндрического устройства с одним внутренним и одним наружным электродом.
[0006] Настоящее изобретение относится, таким образом, к плазмотрону, применяемому для плазменной обработки изделий. Раскрываются цилиндрическая 2-электродная конфигурация и параллельная 3-электродная конфигурация. Цилиндрическое плазмотронное устройство сдержит:
- продолговатый центральный электрод,
- продолговатый цилиндрический наружный электрод, окружающий указанный центральный электрод и коаксиальный с указанным центральным электродом,
- электрический изолятор, расположенный коаксиально между указанным наружным электродом и указанным центральным электродом, при этом между указанным центральным электродом и указанным электрическим изолятором образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец,
- подводящее отверстие, расположенное на указанном дальнем конце указанного разрядного канала, предназначенное для подачи плазмообразующего газа в указанный разрядный канал,
- источник питания для создания напряжения между указанным центральным электродом и указанным наружным электродом,
при этом указанный электрический изолятор на указанном ближнем конце выступает за пределы наружной поверхности указанного наружного электрода в виде радиально расположенного кольца. Электроды могут быть цилиндрическими и коаксиальными с круглым поперечным сечением, либо центральный электрод может быть плоским, имеющим форму пластины электродом, при этом наружный электрод будет иметь переднюю и заднюю стороны, по существу, параллельные центральному электроду. Вместо плоского электрода «параллельное» устройство может иметь центральный электрод с проходящим на ближнем конце по всей длине электрода круглым расширением, при этом передняя и задняя стороны наружного электрода остаются параллельными указанному центральному электроду.
[0007] Согласно предпочтительному варианту исполнения через центральный электрод проходит подводящий канал, предназначенный для введения химически активных соединений непосредственно в плазму послесвечения на ближнем конце.
[0008] 3-электродное параллельное плазмотронное устройство согласно настоящему изобретению содержит:
- центральный электрод, например плоский, выполненный в форме пластины,
- 2 наружных электрода, расположенных по обеим сторонам указанного центрального электрода и, по существу, параллельных указанному центральному электроду,
- 2 электрических изолятора, расположенных, по существу, параллельно между указанными наружными электродами и указанным центральным электродом, при этом между указанным центральным электродом и указанными электрическими изоляторами образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец,
- подводящее отверстие, находящееся на указанном дальнем конце указанного разрядного канала, предназначенное для подачи плазмообразующего газа в указанный разрядный канал,
- предпочтительно, проходящий сквозь центральный электрод подводящий канал, предназначенный для введения химически активных соединений непосредственно в плазму послесвечения на ближнем конце,
- источник питания, предназначенный для создания напряжения между центральным электродом и наружными электродами,
при этом указанные электрические изоляторы на ближнем конце выступают наружу за пределы наружной поверхности наружного электрода.
[0009] В плазмотронной установке согласно настоящему изобретению предпочтительно электрический изолятор возле наружной поверхности наружного электрода дополнительно выступает в направлении дальнего конца. Преимущественно, расстояние между наружной поверхностью центрального электрода и внутренней поверхностью электрического изолятора находится в пределах от 0,1 до 10 мм. Предпочтительно, предусмотрен источник питания, предназначенный для создания напряжения переменного тока или напряжения прерывистого постоянного тока для трубчатой конфигурации - в пределах от 1 до 10 кВ, а для «параллельной» конфигурации - в пределах от 1 до 100 кВ.
[0010] Другой аспект настоящего изобретения относится к способу получения плазменной струи, содержащему следующие шаги:
- берут плазмотрон согласно настоящему изобретению,
- подают плазменный газ через подводящее отверстие,
- подают химически активное соединение (например, мономер) через подводящее отверстие и/или через центральный электрод, с вводом химически активного соединения в плазменный разряд на открытом конце плазмы,
- создают напряжение между центральным электродом и наружным электродом в пределах от 1 до 100 кВ.
Краткое описание чертежей
[0011] На фиг.1 представлена конструкция плазмотрона, известного из уровня техники.
[0012] На фиг.2 схематически представлено плазмотронное устройство согласно настоящему изобретению.
[0013] На фиг.3 схематически представлено «параллельное» плазмотронное устройство согласно настоящему изобретению.
[0014] На фиг.4 схематически представлен вариант исполнения с особой конфигурацией параллельных электродов.
[0015] На фиг.5 представлено несколько возможных поперечных сечений «параллельного» плазмотронного устройства согласно настоящему изобретению.
Подробное раскрытие заявленного изобретения
[0016] Существующие плазмотроны, подобные представленным на фиг.1, обычно содержат наружный электрод 11 и внутренний электрод 12, между которыми размещен диэлектрический материал 13.
[0017] Трубчатый вариант исполнения настоящего изобретения представлен на фиг.2 и относится к плазмотронам атмосферного давления с 2 коаксиальными цилиндрическими электродами (1, 2) и с одним, выполненным особым образом, электрическим изолятором в виде диэлектрического материала 3. Диэлектрический барьерный слой выступает на ближнем конце плазмотрона, предпочтительно в виде U-образной выступающей части 20. Плазмотрон работает при температуре от 30°С до 600°С и может использоваться для плазменной очистки, модификации поверхности и нанесения на поверхность покрытия. Для всех этих применений U-образная форма диэлектрического материала является наиболее предпочтительной. Для трубчатой конфигурации предпочтительным вариантом исполнения также является просто кольцо в виде радиального выступа (без обратного участка 21 у 'U'). На дальнем конце устройства имеется подводящее отверстие 6, предназначенное для введения плазменного газа в канал, сформированный между центральным электродом и диэлектрическим материалом 3. Предпочтительно, центральный электрод 2 соединяется с землей 8, тогда как наружный электрод подсоединяется к источнику напряжения 9. Также возможен вариант, когда электрод 1 заземляется, а электрод 2 подсоединяется к источнику напряжения. В данное изобретение также входит вариант, когда оба электрода подсоединяются к источнику напряжения. Через центральный электрод 2 может проходить подводящий канал 7, предназначенный для введения химически активных соединений непосредственно в плазму послесвечения на открытом конце. Расстояние 4 между наружной поверхностью центрального электрода и внутренней поверхностью электрического изолятора находится в диапазоне от 0,1 до 10 мм. Расстояние 5 - это диаметр зоны однородной плазмы. Расстояние 50 - это высота указанной зоны однородной плазмы, соответствующая высоте наружного электрода 1.
[0018] Центральный электрод 2 и наружный электрод 1 могут быть цилиндрическими с круглым поперечным сечением, то есть трубчатыми. Альтернативно, центральный электрод может быть плоским электродом 2, при этом наружный электрод 1 имеет переднюю и заднюю стороны 70, 71 (см. фиг.5А), соединенные по бокам 72 для формирования одного цилиндрического наружного электрода 1. Изолятор 3, следовательно, также имеет переднюю и заднюю стороны 73, 74, параллельные центральному электроду и соединенные по бокам 75 для формирования одного цилиндрического изолятора 3.
[0019] На фиг.3 представлено плазмотронное устройство согласно настоящему изобретению, оснащенное тремя параллельными электродами. Устройство содержит центральный электрод 15 и два параллельных электрода 16, 17, расположенные с каждой стороны центрального электрода. На чертеже изображено устройство в разрезе. Конечно же, реальное устройство закрыто с боковых сторон. Возможные поперечные сечения показаны на фиг.5В-5D. Устройства, показанные на фиг.5В-5D, закрыты с боковых сторон соответствующими изоляционными материалами (не показано). Устройство с «параллельной» конфигурацией, представленное на фиг.3, имеет два диэлектрических участка 18, 19, по существу, «параллельных электродам. На дальнем конце устройства имеется подводящее отверстие 6, предназначенное для введения плазменного газа в разрядный канал, сформированный между центральным электродом и изоляторами. Может иметься подводящий канал 7, проходящий через центральный электрод 15 и предназначенный для введения химически активных соединений непосредственно в плазму послесвечения на открытом конце. Центральный электрод 15 соединен с землей 8, тогда как наружные электроды 16, 17 подсоединены к источнику напряжения 9. Вариант исполнения, в котором наружные электроды 16, 17 заземлены, а центральный электрод 15 подсоединен к источнику напряжения, также входит в заявленное изобретение. Также, в заявленное изобретение входит вариант, в котором и центральный электрод 15, и наружные электроды 16, 17 подсоединены к источнику напряжения. На ближнем конце устройства диэлектрические участки выполнены в виде выступающего наружу участка 40, предпочтительно U-образной формы или в виде плоского, выступающего наружу участка, не имеющего, в этом случае, направленной в обратную сторону ножки 41 'U'. Расстояние 4 между наружной поверхностью центрального электрода и внутренней поверхностью электрического изолятора находится в диапазоне от 0,1 до 10 мм. Расстояние 5 - это ширина зоны однородной плазмы. Расстояние 60 - это высота указанной зоны однородной плазмы, соответствующая высоте наружных электродов. Расстояние 61 является длиной плазменной зоны, соответствующей длине (глубине) устройства.
[0020] На фиг.4 показана возможная особая конструкция устройства с параллельными электродами для получения плазменной струи согласно настоящему изобретению. В этой конструкции на указанном открытом конце плазмотрона по всей длине центрального металлического электрода 15 проходит круговое расширение 30. Как показано на фиг.4, и специальным образом сформированный диэлектрический материал (18, 19), и наружные металлические электроды (16, 17) имеют особую форму, гарантирующую постоянное (±1 мм) расстояние между наружной поверхностью центрального электрода и внутренней поверхностью электрического изолятора. Ссылка 60 указывает на высоту плазменной струи, 5 - ширину эффективной однородной плазмы послесвечения и 61 - на длину плазменной зоны в промежутке между параллельными электродами. Благодаря круглому расширению 30 концентрация послесвечения и, следовательно, плотность плазмы в период послесвечения увеличивается.
[0021] В общем, применяя плазмотрон согласно настоящему изобретению, используют следующие рабочие характеристики:
- электрическая мощность для трубчатого устройства с высотой электрода 50, равной 10 см (отсюда и далее называемого трубчатым устройством): 20-750 Вт;
- электрическая мощность для «параллельного» устройства (включая «параллельное» устройство с одним наружным электродом), высота (50, 60) электродов которого составляет 10 см и длина (61) электродов - 10 см (отсюда и далее называемого «параллельным» устройством): 100-5000 Вт. Приложенная мощность зависит от применения.
- Электрическое напряжение (8): 1-100 кВ.
- Расход (6) плазменного газа: 1-400 л/мин для трубчатого устройства, 10-4000 л/мин для «параллельного» устройства.
- Температура предварительно нагретого плазменного газа: 20-400°С. (Это означает, что плазменный газ перед подачей в плазмотрон можно нагревать вплоть до температуры 400°С).
- Плазменные газы: N2, воздух, Не, Ar, CO2+ смесь этих газов с H2, O2, SF6, CF4, насыщенных и ненасыщенных углеводородными газами, фторированными углеводородными газами.
- Расход мономера: 1-2000 г/мин (через канал 7 в центральном электроде непосредственно в плазму послесвечения).
- Расход питающего газа: 0.1-30 л/мин (через канал 7 в центральном электроде непосредственно в плазму послесвечения).
- Расстояние внутреннего зазора (4): 0.1-10 мм (зависит от плазменного газа и применения).
- Диаметр (для трубчатого устройства) или ширина (5) (для «параллельного» устройства) зоны однородной плазмы: 6-80 мм.
- Длина эффективной плазмы послесвечения: 5-100 мм (зависит от применения).
[0022] Когда на один из электродов подается высокое напряжение переменного тока или напряжение прерывистого постоянного тока, в промежутке между диэлектриком и внутренним электродом происходит диэлектрический барьерный разряд. Находящиеся в плазме активные частицы выносятся из плазмотрона потоком плазменного газа. Это послесвечение направляется в сторону объекта, таким способом может выполняться плазменная обработка 3-D объектов. В случае применения напряжения прерывистого постоянного тока частота предпочтительно составляет от 1 до 200 кГц, и, преимущественно, от 50 до 100 кГц.
[0023] Преимущества от радиально или наружно выступающего диэлектрика, входящего в состав установки для получения плазменной струи согласно настоящему изобретению, можно обобщить, сводя их к следующим 3 понятиям: расстояние до источника плазмы, ширина активации и расход плазменных газов.
Расстояние до источника плазмы
[0024] Следует отметить, что в плазменном разряде радикалы и, в частности, ионы являются чрезвычайно короткоживущими и почти не могут перемещаться за пределы области разряда. С другой стороны, метастабильные частицы, образующиеся в плазме, имеют большее время жизни при атмосферном давлении, обычно порядка сотен миллисекунд. Большее время жизни позволяет им быть вынесенными из объема плазмы с потоком плазменного газа. Очевидно, что в первую очередь будут утрачены наиболее химически активные метастабильные частицы. Чем ближе к источнику плазмы, тем плазма послесвечения более химически активна. Применяя новаторский плазмотрон согласно настоящему изобретению, можно поднести образцы на расстояние до 2 мм от активного источника плазмы. Опыты показали, что стабильная активация некоторых полимеров возможна только при использовании плазмотрона раскрытой выше конфигурации, с диэлектриком, выступающим радиально или с наружной стороны.
Примеры
Плазменная активация каучука
[0025] Невозможно активировать каучук, используя классическую технологию: расстояние каучук/источник плазмы представляется слишком большим. Наиболее химически активные и в данном случае необходимые частицы плазмы утрачиваются прежде, чем они сталкиваются с образцом каучука.
[0026] Применяя U-образный диэлектрик, подобный представленному на фиг.2, получают более химически активную плазму послесвечения.
Параметры:
- Мощность: 400 Вт.
- Частота: 70 кГц.
- Плазменный газ: 65 л воздуха/мин.
- Прекурсор: нет.
- Температура плазмы послесвечения: 65°С.
- Расстояние каучук/источник плазмы: 4 мм.
- Поверхностная энергия перед активацией плазмы: ±20 дин.
- Поверхностная энергия после активации плазмы: >75 дин.
- Поверхностная энергия через 1 неделю после активации плазмы: 62 дины.
Плазменная активация поливинилхлорида (ПВХ)
[0027] ПВХ термочувствителен. Активация, выполненная посредством классической технологии, нестабильна во времени. По прошествии нескольких часов активация полностью утрачивается.
[0028] При применении U-образного диэлектрика получают более химически активную плазму послесвечения.
- Мощность: 300 Вт.
- Частота: 32 кГц.
- Плазменный газ: 60 л N2/мин.
- Прекурсор: нет.
- Температура плазмы послесвечения: 60°С.
- Расстояние ПВХ/источник плазмы: 5-7 мм.
- Поверхностная энергия перед активацией плазмы: 45 дин.
- Поверхностная энергия после активации плазмы: >75 дин.
- Поверхностная энергия через 1 неделю после активации плазмы: 64 дины.
- Поверхностная энергия через 1 месяц после активации плазмы: 56 дин.
- Поверхностная энергия через 4 месяца после активации плазмы: 54 дины.
Ширина активации
[0029] Если плоские образцы поднести близко к плазме послесвечения, активные частицы плазмы послесвечения распространяются на определенном пространстве в промежутке между плазмотроном и образцами. Это означает, что активированное пятно может быть намного шире диаметра плазмотрона. Чем ближе образцы подносятся к источнику активной плазмы, тем шире будет активированное пятно. Опыты подтвердили, что для одинаковых состояний плазмы активированное пятно с применением плазмотрона согласно настоящему изобретению (с U-образным диэлектриком) будет намного шире, чем при использовании классической технологии.
Примеры
Плазменная активация полиэтилена
[0030] При увеличении ширины активированного пятна снижаются общие эксплуатационные расходы на использование (мульти-)плазмотрона. Применяя плазмотрон согласно настоящему изобретению, получают более химически активную плазму послесвечения и распространение активных частиц на более широком пространстве.
- Мощность: 200 Вт.
- Частота: 50 кГц.
- Плазменный газ: 50 л N2/мин.
- Прекурсор: нет.
- Температура плазмы послесвечения: 65°С.
- Диаметр плазмотрона: 15 мм.
- Поверхностная энергия перед активацией плазмы: 32 дины.
- Поверхностная энергия после активации плазмы: 62 дины.
| Расстояние образец/источник плазмы (мм): | Ширина однородного активированного пятна (мм) (62 дины): |
| 2,5 | 45 |
| 4 | 41 |
| 6 | 25 |
| 8 | 22 |
| 10 | 22 |
| 12,5 | 22 |
| 15 | 22 |
| 20 | 18 |
| 30 | 7 |
| 35 | 3 |
[0031] При использовании классической технологии ширина однородного активированного пятна составляла максимум 32 мм при расстоянии образец/плазмотрон 1,5 мм.
Плазменная активация полипропилена
[0032] При увеличении ширины активированного пятна снижаются общие эксплуатационные расходы на использование (мульти-)плазмотрона. Применяя плазмотрон согласно настоящему изобретению, достигается более химически активная плазма послесвечения и активные изотопы распространяются на более широком пространстве.
- Мощность: 200 Вт.
- Частота: 50 кГц.
- Плазменный газ: 50 л воздуха/мин.
- Прекурсор: нет.
- Температура плазмы послесвечения: 65°С.
- Диаметр плазмотрона: 15 мм.
- Поверхностная энергия перед активацией плазмы: 36 дин.
- Поверхностная энергия после активации плазмы: 70 дин.
| Расстояние образец/источник плазмы (мм): | Ширина однородного активированного пятна (мм) (70 дин): |
| 2,5 | 48 |
| 4 | 45 |
| 6 | 26 |
| 8 | 22 |
| 10 | 22 |
| 12,5 | 22 |
| 15 | 22 |
| 20 | 20 |
| 30 | 12 |
| 35 | 4 |
[0033] При использовании классической технологии ширина однородного активированного пятна составляла максимум 33 мм при расстоянии образец/плазмотрон 1,5 мм.
Расход плазменних газов/энергии плазмы
[0034] Вследствие того что образцы можно поднести ближе к зоне активной плазмы, в послесвечении будет потеряно меньше химически активных частиц. Так, по сравнению с классическим плазмотроном можно получить тот же эффект, расходуя меньше газа и/или энергии. Это последнее преимущество может рассматриваться как косвенный результат двух прежних преимуществ.
[0035] Экспериментально доказано, что для достижения одинакового эффекта плазменной активации требуется меньший расход газов и/или энергии. Подобные опыты могут быть проведены специалистами в данной области техники.
Claims (15)
1. Плазмотрон для плазменной обработки изделий, содержащий:
продолговатый центральный электрод (2),
продолговатый цилиндрический наружный электрод (1), окружающий указанный центральный электрод и коаксиальный с указанным центральным электродом,
электрический изолятор (3), расположенный коаксиально между наружным электродом и центральным электродом, при этом между центральным электродом и электрическим изолятором образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец,
подводящее отверстие (6), расположенное на дальнем конце разрядного канала, предназначенное для подачи плазмообразующего газа в разрядный канал,
источник питания (9) для создания напряжения между центральным электродом и указанным наружным электродом, отличающийся тем, что электрический изолятор на ближнем конце выступает за пределы наружной поверхности наружного электрода в виде радиально расположенного кольца (20).
продолговатый центральный электрод (2),
продолговатый цилиндрический наружный электрод (1), окружающий указанный центральный электрод и коаксиальный с указанным центральным электродом,
электрический изолятор (3), расположенный коаксиально между наружным электродом и центральным электродом, при этом между центральным электродом и электрическим изолятором образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец,
подводящее отверстие (6), расположенное на дальнем конце разрядного канала, предназначенное для подачи плазмообразующего газа в разрядный канал,
источник питания (9) для создания напряжения между центральным электродом и указанным наружным электродом, отличающийся тем, что электрический изолятор на ближнем конце выступает за пределы наружной поверхности наружного электрода в виде радиально расположенного кольца (20).
2. Плазмотрон по п.1, в котором электрический изолятор возле наружной поверхности наружного электрода дополнительно имеет выступающий участок (21), направленный в сторону дальнего конца.
3. Плазмотрон по п.1, в котором расстояние между наружной поверхностью центрального электрода и внутренней поверхностью электрического изолятора (4) лежит в пределах от 0,1 до 10 мм.
4. Плазмотрон по п.1, в котором источник питания (9) предназначен для создания напряжения переменного тока или напряжения прерывистого постоянного тока в пределах от 1 до 10 кВ.
5. Плазмотрон по любому из пп.1-4, в котором указанные электроды (1, 2) являются трубчатыми.
6. Плазмотрон по любому из пп.1-4, в котором указанный наружный электрод (1) имеет переднюю и заднюю стороны (70, 71), по существу, параллельные центральному электроду (2).
7. Плазмотрон по п.6, в котором указанный центральный электрод (2) имеет на ближнем конце круглое расширение (30), проходящее по всей длине (61) центрального электрода.
8. Плазмотрон по любому из пп.1-4, 7 дополнительно содержащий подводящий канал (7), проходящий через центральный электрод, предназначенный для введения химически активных соединений непосредственно в плазму послесвечения на ближнем конце.
9. Плазмотрон для осуществления плазменной обработки изделий, содержащий:
центральный электрод (15),
2 наружных электрода (16, 17), расположенные по обеим сторонам центрального электрода и, по существу, параллельные указанному центральному электроду,
2 электрических изолятора (18, 19), расположенные, по существу, параллельно между наружными электродами и центральным электродом, при этом между центральным электродом и электрическими изоляторами образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец,
подводящее отверстие (6), расположенное на дальнем конце разрядного канала, предназначенное для подачи плазмообразующего газа в разрядный канал,
источник питания (9), предназначенный для создания напряжения между центральным электродом и наружными электродами,
отличающийся тем, что электрические изоляторы на ближнем конце выступают за пределы наружной поверхности наружного электрода.
центральный электрод (15),
2 наружных электрода (16, 17), расположенные по обеим сторонам центрального электрода и, по существу, параллельные указанному центральному электроду,
2 электрических изолятора (18, 19), расположенные, по существу, параллельно между наружными электродами и центральным электродом, при этом между центральным электродом и электрическими изоляторами образован разрядный канал, имеющий дальний конец и ближний конец,
подводящее отверстие (6), расположенное на дальнем конце разрядного канала, предназначенное для подачи плазмообразующего газа в разрядный канал,
источник питания (9), предназначенный для создания напряжения между центральным электродом и наружными электродами,
отличающийся тем, что электрические изоляторы на ближнем конце выступают за пределы наружной поверхности наружного электрода.
10. Плазмотрон по п.9, в котором электрические изоляторы возле наружной поверхности наружного электрода дополнительно имеют выступающий участок (41), проходящий в направлении дальнего конца.
11. Плазмотрон по п.9, дополнительно содержащий подводящий канал (7), проходящий через центральный электрод, предназначенный для введения химически активных соединений непосредственно в плазму послесвечения на ближнем конце.
12. Плазмотрон по любому из пп.9-11, в котором центральный электрод (15) является плоским электродом.
13. Плазмотрон по любому из пп.9-11, в котором указанный центральный электрод содержит круглое расширение (30) на ближнем конце, проходящее по всей длине (61) центрального электрода.
14. Способ получения плазменной струи, содержащий следующие шаги:
берут плазмотрон по любому из пп.1-8,
подают плазменный газ через подводящее отверстие,
подают химически активное соединение (например мономер) через подводящее отверстие (6) и/или через центральный электрод, вводя химически активное соединение в плазменный разряд на открытом конце плазмы,
создают между центральным электродом и наружным электродом напряжение величиной от 1 до 100 кВ.
берут плазмотрон по любому из пп.1-8,
подают плазменный газ через подводящее отверстие,
подают химически активное соединение (например мономер) через подводящее отверстие (6) и/или через центральный электрод, вводя химически активное соединение в плазменный разряд на открытом конце плазмы,
создают между центральным электродом и наружным электродом напряжение величиной от 1 до 100 кВ.
15. Способ получения плазменной струи, содержащий следующие шаги:
берут плазмотрон по любому из пп.9-13,
подают плазменный газ через подводящее отверстие,
подают химически активное соединение (например мономер) через подводящее отверстие (6) и/или через центральный электрод, вводя химически активное соединение в плазменный разряд на открытом конце плазмы,
создают между центральным электродом и наружным электродом напряжение величиной от 1 до 100 кВ.
берут плазмотрон по любому из пп.9-13,
подают плазменный газ через подводящее отверстие,
подают химически активное соединение (например мономер) через подводящее отверстие (6) и/или через центральный электрод, вводя химически активное соединение в плазменный разряд на открытом конце плазмы,
создают между центральным электродом и наружным электродом напряжение величиной от 1 до 100 кВ.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP05447017.4 | 2005-02-04 | ||
| EP05447017A EP1689216A1 (en) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | Atmospheric-pressure plasma jet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007129398A RU2007129398A (ru) | 2009-03-10 |
| RU2391801C2 true RU2391801C2 (ru) | 2010-06-10 |
Family
ID=34943252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007129398/06A RU2391801C2 (ru) | 2005-02-04 | 2006-02-06 | Плазмотрон атмосферного давления |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8552335B2 (ru) |
| EP (2) | EP1689216A1 (ru) |
| JP (1) | JP5122304B2 (ru) |
| KR (2) | KR20120135534A (ru) |
| CN (1) | CN101129100B (ru) |
| AT (1) | ATE515930T1 (ru) |
| AU (1) | AU2006209814B2 (ru) |
| CA (1) | CA2596589C (ru) |
| DK (1) | DK1844635T3 (ru) |
| IL (1) | IL184877A (ru) |
| NO (1) | NO338153B1 (ru) |
| PL (1) | PL1844635T3 (ru) |
| RU (1) | RU2391801C2 (ru) |
| WO (1) | WO2006081637A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA200706133B (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2465747C1 (ru) * | 2011-05-26 | 2012-10-27 | Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова | Полимерный гаситель самостоятельного дугового разряда с металлическими электродами при электровзрыве проволочки |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4688850B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2011-05-25 | 京セラ株式会社 | 構造体およびこれを用いた装置 |
| EP2268846B1 (en) * | 2007-09-19 | 2012-04-18 | Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek (VITO) | A method for stable hydrophilicity enhancement of a substrate by atmospheric pressure plasma deposition |
| EP2180768A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-28 | TNO Nederlandse Organisatie voor Toegepast Wetenschappelijk Onderzoek | Apparatus and method for treating an object |
| FR2947416B1 (fr) * | 2009-06-29 | 2015-01-16 | Univ Toulouse 3 Paul Sabatier | Dispositif d'emission d'un jet de plasma a partir de l'air atmospherique a temperature et pression ambiantes et utilisation d'un tel dispositif |
| JP5940239B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2016-06-29 | 株式会社イー・スクエア | プラズマ表面処理装置およびその製造方法 |
| JP5212346B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-06-19 | 株式会社デンソー | プラズマ発生装置 |
| CN102244970A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-16 | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 一种多喷头射频等离子体发生器 |
| EP2590802B1 (en) | 2010-07-09 | 2014-07-02 | Vito NV | Method and device for atmospheric pressure plasma treatment |
| KR101133094B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2012-04-04 | 광운대학교 산학협력단 | 다중 채널 플라즈마 제트 발생 장치 |
| JP6088247B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2017-03-01 | 株式会社和廣武 | Ｃｖｄ装置、及び、ｃｖｄ膜の製造方法 |
| CN102307426A (zh) * | 2011-06-24 | 2012-01-04 | 北京大学 | 一种等离子体发生装置 |
| US10225919B2 (en) * | 2011-06-30 | 2019-03-05 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd | Projected plasma source |
| US20130302215A1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Hua-Ming Liu | Combination dielectric barrier discharge reactor |
| KR101415688B1 (ko) | 2012-07-18 | 2014-07-04 | 한국기초과학지원연구원 | 관형 플라즈마 표면 처리 장치 |
| CN102883516A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-01-16 | 重庆大学 | 一种新型针-环式等离子体射流装置 |
| CN103179772B (zh) * | 2013-03-08 | 2016-04-20 | 河北大学 | 产生大气压直流辉光放电的方法及其专用装置 |
| AT514555B1 (de) * | 2013-08-27 | 2015-02-15 | Fronius Int Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmastrahls |
| US11684995B2 (en) | 2013-11-13 | 2023-06-27 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
| US11432393B2 (en) | 2013-11-13 | 2022-08-30 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
| US10456855B2 (en) | 2013-11-13 | 2019-10-29 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
| US11278983B2 (en) | 2013-11-13 | 2022-03-22 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
| US9981335B2 (en) | 2013-11-13 | 2018-05-29 | Hypertherm, Inc. | Consumable cartridge for a plasma arc cutting system |
| ITPD20130310A1 (it) | 2013-11-14 | 2015-05-15 | Nadir S R L | Metodo per la generazione di un getto o jet di plasma atmosferico e dispositivo minitorcia al plasma atmosferico |
| EP3180151B1 (en) * | 2014-08-12 | 2021-11-03 | Hypertherm, Inc. | Cost effective cartridge for a plasma arc torch |
| US20160089695A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | United States Government As Represented By The Secretary Of The Army | Bondable fluorinated barrier coatings |
| EP3233991B1 (en) * | 2014-12-17 | 2023-02-01 | Si02 Medical Products, Inc. | Plasma treatment with non-polymerizing compounds that leads to reduced biomolecule adhesion to thermoplastic articles |
| CN104540313B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-04-19 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 大气压中空基底电极等离子体射流发生装置 |
| CN104883806B (zh) * | 2015-03-06 | 2018-09-25 | 苏州大学 | 一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法 |
| KR101733994B1 (ko) | 2015-04-07 | 2017-05-11 | 주식회사 피글 | 진공 펌프를 이용한 기체 압력 제어 플라즈마 발생 장치 |
| CN104812154A (zh) * | 2015-04-22 | 2015-07-29 | 西安交通大学 | 一种三电极介质阻挡放电等离子体发生装置 |
| EP3289007A1 (en) * | 2015-04-30 | 2018-03-07 | SiO2 Medical Products, Inc. | Plasma treatment with non-polymerizing compounds that leads to reduced dilute biomolecule adhesion to thermoplastic articles |
| US9711333B2 (en) * | 2015-05-05 | 2017-07-18 | Eastman Kodak Company | Non-planar radial-flow plasma treatment system |
| JP7073251B2 (ja) | 2015-08-04 | 2022-05-23 | ハイパーサーム インコーポレイテッド | 液冷プラズマアークトーチ用カートリッジフレーム |
| EP3163983B1 (en) * | 2015-10-28 | 2020-08-05 | Vito NV | Apparatus for indirect atmospheric pressure plasma processing |
| DE102016209097A1 (de) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Plasmadüse |
| CN106231771A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 大连民族大学 | 一种等离子体喉镜杀菌装置的保护机构 |
| CN106231770A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-14 | 国网江苏省电力公司电力科学研究院 | 一种工作气体和外部环境气体可控的等离子体射流发生与参数诊断系统 |
| CN106455281A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-02-22 | 上海交通大学 | 一种集成掩膜板的大气压等离子体射流装置 |
| CN106714435B (zh) * | 2016-11-15 | 2019-06-14 | 北京理工大学 | 一种大面积大气压等离子体射流产生装置 |
| EP3639891A4 (en) * | 2017-06-16 | 2021-03-10 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | ACTIVE GAS EXPOSURE DEVICE AND PROCESS FOR TREATMENT OF NON-HUMAN ANIMALS |
| GB2565852B (en) * | 2017-08-25 | 2022-04-06 | Air Quality Res Limited | Dielectric barrier discharge device and method and apparatus for treating a fluid |
| TWI691237B (zh) | 2018-02-13 | 2020-04-11 | 國立交通大學 | 常壓電漿束產生裝置 |
| CN108566714A (zh) * | 2018-06-09 | 2018-09-21 | 贵州电网有限责任公司 | 一种等离子体射流装置 |
| PL3586954T3 (pl) | 2018-06-22 | 2023-12-27 | Molecular Plasma Group Sa | Ulepszony sposób i urządzenie do osadzania powłok na podłożu za pomocą strumienia plazmy pod ciśnieniem atmosferycznym |
| EP3840541A1 (en) | 2019-12-20 | 2021-06-23 | Molecular Plasma Group SA | Improved shield for atmospheric pressure plasma jet coating deposition on a substrate |
| EP3848191A1 (en) | 2020-01-07 | 2021-07-14 | Glanzstoff Industries A.G. | Reinforcement material and elastomeric product reinforced therewith |
| EP3848426A1 (en) | 2020-01-07 | 2021-07-14 | Molecular Plasma Group SA | Method for altering adhesion properties of a surface by plasma coating |
| EP4289519A1 (en) | 2022-06-10 | 2023-12-13 | Basf Se | Plasma-created barriers for packaging |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3241476A1 (de) * | 1982-11-10 | 1984-05-10 | Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen | Verfahren zur einleitung von ionisierbarem gas in ein plasma eines lichtbogenbrenners und plasmabrenner zur durchfuehrung des verfahrens |
| US4825806A (en) * | 1984-02-17 | 1989-05-02 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus |
| KR900003310B1 (ko) * | 1986-05-27 | 1990-05-14 | 리가가구 겡큐소 | 이온 발생 장치 |
| US4820370A (en) * | 1986-12-12 | 1989-04-11 | Pacific Western Systems, Inc. | Particle shielded R. F. connector for a plasma enhanced chemical vapor processor boat |
| US5105123A (en) * | 1988-10-27 | 1992-04-14 | Battelle Memorial Institute | Hollow electrode plasma excitation source |
| FR2666821B1 (fr) * | 1990-09-19 | 1992-10-23 | Ugine Aciers | Dispositif de traitement superficiel d'une plaque ou d'une tole d'un materiau metallique par plasma basse temperature. |
| JP3206095B2 (ja) * | 1991-04-12 | 2001-09-04 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
| JP3413661B2 (ja) * | 1991-08-20 | 2003-06-03 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
| JP3267810B2 (ja) * | 1993-07-20 | 2002-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 被膜形成方法 |
| JPH07211654A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生装置およびその動作方法 |
| JP3148495B2 (ja) | 1994-01-13 | 2001-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ発生装置およびその動作方法 |
| ATE251798T1 (de) * | 1994-04-28 | 2003-10-15 | Applied Materials Inc | Verfahren zum betreiben eines cvd-reaktors hoher plasma-dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver einkopplung |
| US5776553A (en) * | 1996-02-23 | 1998-07-07 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method for depositing diamond films by dielectric barrier discharge |
| DE19735362C2 (de) * | 1996-08-14 | 2002-12-19 | Fujitsu Ltd | Gasreaktor |
| US6027617A (en) * | 1996-08-14 | 2000-02-22 | Fujitsu Limited | Gas reactor for plasma discharge and catalytic action |
| FR2754969B1 (fr) * | 1996-10-18 | 1998-11-27 | Giat Ind Sa | Torche a plasma a etancheite amelioree |
| US5756959A (en) * | 1996-10-28 | 1998-05-26 | Hypertherm, Inc. | Coolant tube for use in a liquid-cooled electrode disposed in a plasma arc torch |
| JPH10199697A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Pearl Kogyo Kk | 大気圧プラズマによる表面処理装置 |
| US5961772A (en) | 1997-01-23 | 1999-10-05 | The Regents Of The University Of California | Atmospheric-pressure plasma jet |
| DE69840654D1 (de) | 1997-10-20 | 2009-04-23 | Univ California | Aufbringen von beschichtungen mit einem plasmastrahl unter atmosphärendruck |
| EP0921713A3 (en) * | 1997-12-03 | 1999-08-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing apparatus and method |
| JP3057065B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2000-06-26 | 松下電工株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| EP1001449A1 (en) * | 1998-10-16 | 2000-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film forming system and process |
| DE69929271T2 (de) * | 1998-10-26 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma | Apparat und Verfahren zur Plasmabehandlung |
| US6262523B1 (en) * | 1999-04-21 | 2001-07-17 | The Regents Of The University Of California | Large area atmospheric-pressure plasma jet |
| JP4164716B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2008-10-15 | 岩崎電気株式会社 | 無電極電界放電エキシマランプおよび無電極電界放電エキシマランプ装置 |
| WO2000070117A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | The Regents Of The University Of California | Low-temperature compatible wide-pressure-range plasma flow device |
| JP2001023972A (ja) * | 1999-07-10 | 2001-01-26 | Nihon Ceratec Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
| JP4444437B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2010-03-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6911225B2 (en) * | 2001-05-07 | 2005-06-28 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for non-thermal pasteurization of living-mammal-instillable liquids |
| US7274015B2 (en) * | 2001-08-08 | 2007-09-25 | Sionex Corporation | Capacitive discharge plasma ion source |
| JP3823037B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-09-20 | 積水化学工業株式会社 | 放電プラズマ処理装置 |
| TW497986B (en) * | 2001-12-20 | 2002-08-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric barrier discharge apparatus and module for perfluorocompounds abatement |
| US6896854B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-05-24 | Battelle Energy Alliance, Llc | Nonthermal plasma systems and methods for natural gas and heavy hydrocarbon co-conversion |
| US20030157000A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Fluidized bed activated by excimer plasma and materials produced therefrom |
| EP1441577A4 (en) | 2002-02-20 | 2008-08-20 | Matsushita Electric Works Ltd | PLASMA PROCESSING DEVICE AND METHOD |
| JP4092937B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-05-28 | 松下電工株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP4231250B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-02-25 | 積水化学工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US6841943B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-01-11 | Lam Research Corp. | Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies |
-
2005
- 2005-02-04 EP EP05447017A patent/EP1689216A1/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-02-06 WO PCT/BE2006/000008 patent/WO2006081637A1/en active Application Filing
- 2006-02-06 CN CN2006800040318A patent/CN101129100B/zh active Active
- 2006-02-06 AU AU2006209814A patent/AU2006209814B2/en active Active
- 2006-02-06 AT AT06705055T patent/ATE515930T1/de active
- 2006-02-06 CA CA2596589A patent/CA2596589C/en active Active
- 2006-02-06 PL PL06705055T patent/PL1844635T3/pl unknown
- 2006-02-06 RU RU2007129398/06A patent/RU2391801C2/ru active
- 2006-02-06 US US11/815,302 patent/US8552335B2/en active Active
- 2006-02-06 JP JP2007553419A patent/JP5122304B2/ja active Active
- 2006-02-06 KR KR1020127031317A patent/KR20120135534A/ko active IP Right Grant
- 2006-02-06 DK DK06705055.9T patent/DK1844635T3/da active
- 2006-02-06 KR KR1020077017851A patent/KR20070103750A/ko active IP Right Grant
- 2006-02-06 EP EP06705055A patent/EP1844635B1/en active Active
-
2007
- 2007-07-24 ZA ZA200706133A patent/ZA200706133B/xx unknown
- 2007-07-26 IL IL184877A patent/IL184877A/en active IP Right Grant
- 2007-09-03 NO NO20074465A patent/NO338153B1/no unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2465747C1 (ru) * | 2011-05-26 | 2012-10-27 | Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова | Полимерный гаситель самостоятельного дугового разряда с металлическими электродами при электровзрыве проволочки |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO338153B1 (no) | 2016-08-01 |
| ZA200706133B (en) | 2008-11-26 |
| EP1689216A1 (en) | 2006-08-09 |
| IL184877A (en) | 2011-12-29 |
| NO20074465L (no) | 2007-09-03 |
| CA2596589C (en) | 2013-09-03 |
| RU2007129398A (ru) | 2009-03-10 |
| DK1844635T3 (da) | 2011-09-12 |
| EP1844635A1 (en) | 2007-10-17 |
| AU2006209814A1 (en) | 2006-08-10 |
| KR20070103750A (ko) | 2007-10-24 |
| IL184877A0 (en) | 2007-12-03 |
| JP5122304B2 (ja) | 2013-01-16 |
| WO2006081637A1 (en) | 2006-08-10 |
| CA2596589A1 (en) | 2006-08-10 |
| ATE515930T1 (de) | 2011-07-15 |
| CN101129100A (zh) | 2008-02-20 |
| KR20120135534A (ko) | 2012-12-14 |
| PL1844635T3 (pl) | 2012-01-31 |
| EP1844635B1 (en) | 2011-07-06 |
| US8552335B2 (en) | 2013-10-08 |
| JP2008529243A (ja) | 2008-07-31 |
| US20080308535A1 (en) | 2008-12-18 |
| CN101129100B (zh) | 2011-02-02 |
| AU2006209814B2 (en) | 2011-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2391801C2 (ru) | Плазмотрон атмосферного давления | |
| EP2153704B1 (en) | Enhancing plasma surface modification using high intensity and high power ultrasonic acoustic waves | |
| US7288204B2 (en) | Method and arrangement for treating a substrate with an atmospheric pressure glow plasma (APG) | |
| Setsuhara | Low-temperature atmospheric-pressure plasma sources for plasma medicine | |
| US5961772A (en) | Atmospheric-pressure plasma jet | |
| KR100456442B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
| JP2002542586A (ja) | 大域大気圧プラズマジェット | |
| JPH04242924A (ja) | プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法 | |
| JP2006216468A (ja) | プラズマ表面処理方法、プラズマ生成装置及びプラズマ表面処理装置 | |
| US6451252B1 (en) | Odor removal system and method having ozone and non-thermal plasma treatment | |
| US11696388B2 (en) | Pulsed non-thermal atmospheric pressure plasma processing system | |
| KR100661197B1 (ko) | 플라즈마표면처리방법 및 그 장치 | |
| JP2002253952A (ja) | プラズマ表面処理方法及び装置 | |
| JP2005235448A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JP2003007497A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
| JP5088667B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20200011319A (ko) | 흡착 가능한 기체 형태의 물질을 제거하기 위한 고효율 평행 유전체 장벽 플라즈마 발생장치 | |
| KR20200091167A (ko) | 유전체 장벽 대기압 플라즈마 발생장치 | |
| KR101692218B1 (ko) | 휘발성 유기 화합물 제거용 유전체 장벽 플라즈마 반응 장치 및 이를 이용한 휘발성 유기 화합물의 제거방법 | |
| Gasparik et al. | Effect of CO2 and water vapors on NOx removal efficiency under conditions of DC corona discharge in cylindrical discharge reactor | |
| KR20160047989A (ko) | 표면의 플라즈마 처리를 위한 장치 및 표면을 플라즈마로 처리하는 방법 | |
| JP2004014494A (ja) | 大気圧プラズマ発生装置 | |
| CN108322983B (zh) | 浮动电极增强介质阻挡放电弥散等离子体射流发生装置 | |
| Haghani et al. | Development of atmospheric pressure air dielectric barrier glow discharge in large gaps through modulation of pulsed power supply upon AC | |
| JP2004022883A (ja) | 大気圧プラズマ処理方法 |