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Claims (22)
- プラズマ処理チャンバの使用された電極の表面から黒色シリコン又は黒色炭化珪素を除去する方法であって、
前記方法は、下部電極及び上部電極を含むプラズマ処理チャンバにフッ素含有ガス組成物を供給する手順を含み、前記上部電極は、(i)シリコンから成り、表面に黒色シリコンを有するプラズマに曝された表面を含むか、又は、（ii）炭化珪素から成り、表面に黒色炭化珪素を有するプラズマに曝された表面を含み、
前記方法は、前記ガス組成物を励起してプラズマを生成する手順を含み、かつ、
前記方法は、前記上部電極の前記プラズマに曝された表面から前記黒色シリコン又は黒色炭化珪素の少なくとも一部をエッチングする手順を含むことを特徴とする方法。 - 前記プラズマ処理チャンバは、容量結合の平行平板処理チャンバであり、前記上部電極が、それぞれが単結晶シリコン、多結晶シリコン又は非晶質シリコンから成る、シャワーヘッド電極及びセグメント化された外部電極リングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記フッ素含有ガスが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＮＦ３又はこれらの混合物から成るグループから選ばれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記ガス組成物が、実質的にＣＦ４及びＯ２、又は、ＮＦ３及びＯ２から成ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記ガス組成物が実質的にＣＦ４及びＯ２から成り、Ｏ２の流量に対するＣＦ４の流量の比が約１：１０から約５：１であり、又は、
前記ガス組成物が実質的にＮＦ３及びＯ２から成り、Ｏ２の流量に対するＮＦ３の流量の比が約１：１０から約５：１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - Ｏ２の流量に対するＣＦ４の流量の前記比、又は、Ｏ２の流量に対するＮＦ３の流量の前記比が、約１：５から約２：１であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
- 前記ガス組成物の全流量が、約２５０ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍであり、前記プラズマ処理チャンバが、約２０ミリトルから約１０００ミリトルの圧力であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
- 前記上部電極を接地しながら前記下部電極に２つの異なるレベルの電力を２つの異なる周波数で供給することによって、前記ガス組成物が励起されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記上部電極の前記プラズマに曝された表面が、等方性エッチングされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記上部電極の温度は、前記エッチング中に約５０℃から約２００℃であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 低ｋ誘電体層を含む複数の半導体基板を前記プラズマ処理チャンバでプラズマエッチングする手順をさらに含み、前記低ｋ誘電体層のプラズマエッチング中に、前記上部電極の前記プラズマに曝された表面に、前記黒色シリコン又は黒色炭化珪素が形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記エッチングが、前記上部電極の前記プラズマに曝された表面から約５０ｎｍから約５００ｎｍの深さを除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記プラズマ処理チャンバ中で、前記上部電極に加えて、シリコン部品から黒色シリコンをエッチングし、又は、炭化珪素部品から黒色炭化珪素を除去する手順をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 容量結合プラズマ処理チャンバの使用された電極の表面から黒色シリコンを除去する方法であって、
前記方法は、ＣＦ４及びＯ２、又は、ＮＦ３及びＯ２を含むガス組成物を、約１：１０から約５：１の、（i）Ｏ２の流量に対するＣＦ４の流量の比、又は、（ii）Ｏ２の流量に対するＮＦ３の流量の比で、プラズマ処理チャンバに供給する手順を含み、前記プラズマ処理チャンバは、下部電極と、表面に黒色シリコンの付いたプラズマに曝された表面を有するシリコンから成る上部電極とを含み、
前記方法は、前記ガス組成物を励起してプラズマを生成する手順を含み、かつ、
前記方法は、前記上部電極の前記プラズマに曝された表面から前記黒色シリコンの少なくとも一部を等方性エッチングする手順を含むことを特徴とする方法。 - 前記上部電極の前記プラズマに曝された表面から約５０ｎｍから約５００ｎｍの深さを除去する手順を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
- 前記上部電極が、それぞれが単結晶シリコン、多結晶シリコン又は非晶質シリコンから成る、シャワーヘッド電極及び外部電極リングを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
- 前記上部電極の温度は、前記エッチング中に約５０℃から約２００℃であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
- Ｏ２の流量に対するＣＦ４の流量の前記比、又は、Ｏ２の流量に対するＮＦ３の流量の前記比が、約１：５から約２：１であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
- 前記ガス組成物の全流量が、約２５０ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍであり、前記プラズマ処理チャンバが、約２０ミリトルから約１０００ミリトルの圧力であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
- 前記上部電極を接地しながら前記下部電極に２つの異なるレベルの電力を２つの異なる周波数で供給することによって、前記ガス組成物が励起されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
- 前記上部電極は、単結晶シリコンから成り、黒色シリコンを有しプラズマに曝された下面を含み、かつ、
前記エッチングが、前記上部電極のプラズマに曝された前記底表面から前記黒色シリコンの少なくとも一部をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 前記上部電極は、単結晶炭化珪素から成り、黒色炭化珪素を有しプラズマに曝された下面を含み、かつ、
前記エッチングが、前記上部電極のプラズマに曝された前記底表面から前記黒色炭化珪素の少なくとも一部をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
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