JP2008524374A5 - シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物 - Google Patents

シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物 Download PDF

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本発明は、式(HSiO3/2a(RSiO3/2b(SiO4/2c有するシロキサン樹脂に関し、式中、Rが、Z、Z(CH2n しくはZO(CH2nであり、式中、Zが、フェニルもしくは置換フェニル基でありnが1〜6の値有し、aが0.01〜0.7の値有し、bが0.05〜0.7の値有し、cが0.1〜0.9の値有し、a+b+c≒1である。本シロキサン樹脂は、抗反射コーティング組成物において有用である。

Claims (8)

  1. 式(HSiO3/2a(RSiO3/2b(SiO4/2c有するシロキサン樹脂であって、式中、Rが、Z、Z(CH2n しくはZO(CH2n であり、式中、Zが、フェニルもしくは置換フェニル基でありnが1〜6の値有し、aが0.01〜0.7の値有し、bが0.05〜0.7の値有し、cが0.1〜0.9の値有し、a+b+c≒1であるシロキサン樹脂
  2. Zが、置換フェニル基であり、該置換基が、HO−、MeO−、CH3−、CH3CH2よびCl−から選択される、請求項1に記載の組成物。
  3. aが0.2〜0.5の値有し、bが0.15〜0.35の値有し、cが0.25〜0.6の値有し、a+b+c≒1である、請求項1に記載の組成物。
  4. 水、HSiX3、RSiX3 よびSiX4 (式中、Xが、加水分解可能な基である)ならびに有機溶媒を含反応混合物を形成させること、該反応混合物を反応させて、シロキサン樹脂を生成させることを含む、シロキサン樹脂調製方法。
  5. RSiX3が、PhCH2CH2SiCl3および(2−HO)C64CH2CH2CH2Si(OEt)3 (式中、Etがエチル基を表し、Phがフェニル基を表す)から選択される、請求項に記載の方法。
  6. 1〜70モル%のHSiX3 5〜70モル%のRSiX3 よび10〜90モル%のSiX4があり、但し、HSiX3、RSiX3 よびSiX4の量がHSiX3、RSiX3 よびSiX4の合計モルに基づきおよそ100モル%である、請求項に記載の方法。
  7. 前記溶媒が、前記反応混合物全重量に基づき70〜99重量%の量で存在している、請求項に記載の方法。
  8. (A)式(HSiO3/2a(RSiO3/2b(SiO4/2c有するシロキサン樹脂であって、式中、Rが、Z、Z(CH2n しくはZO(CH2n であり、式中、Zが、フェニルもしくは置換フェニル基でありnが1〜6の値有し、aが0.01〜0.7の値有し、bが0.05〜0.7の値有し、cが0.1〜0.9の値有し、a+b+c≒1であるシロキサン樹脂と、
    (B)溶媒
    を含む、抗反射コーティング組成物。
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