JP2008524374A5 - シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物 - Google Patents
シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008524374A5 JP2008524374A5 JP2007546638A JP2007546638A JP2008524374A5 JP 2008524374 A5 JP2008524374 A5 JP 2008524374A5 JP 2007546638 A JP2007546638 A JP 2007546638A JP 2007546638 A JP2007546638 A JP 2007546638A JP 2008524374 A5 JP2008524374 A5 JP 2008524374A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- siloxane resin
- rsix
- hsix
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
本発明は、式(HSiO3/2)a(RSiO3/2)b(SiO4/2)cを有するシロキサン樹脂に関し、式中、Rが、Z、Z(CH2)n もしくはZO(CH2)nであり、式中、Zが、フェニルもしくは置換フェニル基であり、nが、1〜6の値を有し、aが、0.01〜0.7の値を有し、bが、0.05〜0.7の値を有し、cが、0.1〜0.9の値を有し、a+b+c≒1である。本シロキサン樹脂は、抗反射コーティング組成物において有用である。
Claims (8)
- 式(HSiO3/2)a(RSiO3/2)b(SiO4/2)cを有するシロキサン樹脂であって、式中、Rが、Z、Z(CH2)n もしくはZO(CH2)n であり、式中、Zが、フェニルもしくは置換フェニル基であり、nが、1〜6の値を有し、aが、0.01〜0.7の値を有し、bが、0.05〜0.7の値を有し、cが、0.1〜0.9の値を有し、a+b+c≒1であるシロキサン樹脂。
- Zが、置換フェニル基であり、該置換基が、HO−、MeO−、CH3−、CH3CH2−およびCl−から選択される、請求項1に記載の組成物。
- aが、0.2〜0.5の値を有し、bが、0.15〜0.35の値を有し、cが、0.25〜0.6の値を有し、a+b+c≒1である、請求項1に記載の組成物。
- 水、HSiX3、RSiX3 およびSiX4 (式中、Xが、加水分解可能な基である)ならびに有機溶媒を含む反応混合物を形成させること、該反応混合物を反応させて、シロキサン樹脂を生成させることを含む、シロキサン樹脂の調製方法。
- RSiX3が、PhCH2CH2SiCl3および(2−HO)C6H4CH2CH2CH2Si(OEt)3 (式中、Etがエチル基を表し、Phがフェニル基を表す)から選択される、請求項4に記載の方法。
- 1〜70モル%のHSiX3 、5〜70モル%のRSiX3 および10〜90モル%のSiX4があり、但し、HSiX3、RSiX3 およびSiX4の量が、HSiX3、RSiX3 およびSiX4の合計モルに基づきおよそ100モル%である、請求項4に記載の方法。
- 前記溶媒が、前記反応混合物の全重量に基づき70〜99重量%の量で存在している、請求項4に記載の方法。
- (A)式(HSiO3/2)a(RSiO3/2)b(SiO4/2)cを有するシロキサン樹脂であって、式中、Rが、Z、Z(CH2)n もしくはZO(CH2)n であり、式中、Zが、フェニルもしくは置換フェニル基であり、nが、1〜6の値を有し、aが、0.01〜0.7の値を有し、bが、0.05〜0.7の値を有し、cが、0.1〜0.9の値を有し、a+b+c≒1であるシロキサン樹脂と、
(B)溶媒と
を含む、抗反射コーティング組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63700104P | 2004-12-17 | 2004-12-17 | |
US60/637,001 | 2004-12-17 | ||
PCT/US2005/034236 WO2006065310A2 (en) | 2004-12-17 | 2005-09-23 | Siloxane resin coating |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008524374A JP2008524374A (ja) | 2008-07-10 |
JP2008524374A5 true JP2008524374A5 (ja) | 2011-06-16 |
JP5412037B2 JP5412037B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=36588304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007546638A Expired - Fee Related JP5412037B2 (ja) | 2004-12-17 | 2005-09-23 | シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7838615B2 (ja) |
EP (1) | EP1846479B1 (ja) |
JP (1) | JP5412037B2 (ja) |
KR (1) | KR101191098B1 (ja) |
CN (1) | CN101072813B (ja) |
AT (1) | ATE486098T1 (ja) |
DE (1) | DE602005024447D1 (ja) |
TW (1) | TWI384016B (ja) |
WO (1) | WO2006065310A2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7756384B2 (en) | 2004-11-08 | 2010-07-13 | Dow Corning Corporation | Method for forming anti-reflective coating |
WO2006065321A1 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Dow Corning Corporation | Method for forming anti-reflective coating |
WO2006065310A2 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Dow Corning Corporation | Siloxane resin coating |
CN101073038B (zh) | 2004-12-17 | 2010-05-05 | 陶氏康宁公司 | 形成抗反射涂层的方法 |
WO2007094848A2 (en) | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Dow Corning Corporation | Antireflective coating material |
US7704670B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | High silicon-content thin film thermosets |
US8026040B2 (en) | 2007-02-20 | 2011-09-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Silicone coating composition |
WO2008104881A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-09-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Silicon-based antifrelective coating compositions |
US8653217B2 (en) | 2007-05-01 | 2014-02-18 | Dow Corning Corporation | Method for forming anti-reflective coating |
EP2071400A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-06-17 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
EP2238198A4 (en) | 2008-01-15 | 2011-11-16 | Dow Corning | RESINS BASED ON SILSESQUIOXANE |
US9808345B2 (en) | 2008-07-24 | 2017-11-07 | Iorthopedics, Inc. | Resilient arthroplasty device |
EP2376584B1 (en) * | 2008-12-10 | 2014-07-16 | Dow Corning Corporation | Wet-etchable antireflective coatings |
EP2373722A4 (en) | 2008-12-10 | 2013-01-23 | Dow Corning | SILSESQUIOXAN RESINS |
JP2011097024A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-05-12 | Jsr Corp | 光半導体素子の製造方法、及び、光半導体素子保護層形成用組成物 |
KR20110035924A (ko) * | 2009-09-29 | 2011-04-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 광반도체 소자의 제조 방법 및 광반도체 소자 보호층 형성용 조성물 |
JP5062352B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-10-31 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
TW201300459A (zh) * | 2011-03-10 | 2013-01-01 | Dow Corning | 用於抗反射塗層的聚矽烷矽氧烷(polysilanesiloxane)樹脂 |
EP2804918A1 (en) * | 2012-01-18 | 2014-11-26 | Dow Corning Corporation | Silicon-rich antireflective coating materials and method of making same |
US9348228B2 (en) | 2013-01-03 | 2016-05-24 | Globalfoundries Inc. | Acid-strippable silicon-containing antireflective coating |
CN107075119B (zh) * | 2014-09-30 | 2021-01-05 | 株式会社钟化 | 硅氧烷树脂的制造方法 |
US10886477B2 (en) * | 2018-03-23 | 2021-01-05 | Feng-wen Yen | Iridium complex and organic electroluminescence device using the same |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4587138A (en) * | 1984-11-09 | 1986-05-06 | Intel Corporation | MOS rear end processing |
JPH02308857A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-21 | Union Carbide Chem & Plast Co Inc | 室温硬化ポリオルガノシロキサン |
US5100503A (en) * | 1990-09-14 | 1992-03-31 | Ncr Corporation | Silica-based anti-reflective planarizing layer |
EP0568476B1 (en) * | 1992-04-30 | 1995-10-11 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing positive resist and method of using the same in thin film packaging technology |
US6423651B1 (en) * | 1993-12-27 | 2002-07-23 | Kawasaki Steel Corporation | Insulating film of semiconductor device and coating solution for forming insulating film and method of manufacturing insulating film |
JP3324360B2 (ja) * | 1995-09-25 | 2002-09-17 | 信越化学工業株式会社 | ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料 |
JPH10158407A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-16 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
US6218497B1 (en) * | 1997-04-21 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with low organic content |
US6143855A (en) * | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
US6057239A (en) * | 1997-12-17 | 2000-05-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual damascene process using sacrificial spin-on materials |
US6344284B1 (en) * | 1998-04-10 | 2002-02-05 | Organic Display Technology | Organic electroluminescent materials and devices made from such materials |
US6087064A (en) * | 1998-09-03 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method |
US6509259B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-01-21 | Alliedsignal Inc. | Process of using siloxane dielectric films in the integration of organic dielectric films in electronic devices |
US6824879B2 (en) * | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
WO2000077575A1 (en) | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Alliedsignal Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
US6268457B1 (en) * | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
KR100683428B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2007-02-20 | 다우 코닝 코포레이션 | 용액 용해도와 안정성이 우수한 실리콘 수지 조성물 |
US6359096B1 (en) * | 1999-10-25 | 2002-03-19 | Dow Corning Corporation | Silicone resin compositions having good solution solubility and stability |
KR100384810B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2003-05-22 | 금호석유화학 주식회사 | 저분자 화합물 첨가제를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물 |
JP3795333B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2006-07-12 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物 |
JP4117437B2 (ja) * | 2000-05-29 | 2008-07-16 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜 |
US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
US6368400B1 (en) * | 2000-07-17 | 2002-04-09 | Honeywell International | Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
JP4141625B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2008-08-27 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 |
EP1197998A3 (en) * | 2000-10-10 | 2005-12-21 | Shipley Company LLC | Antireflective porogens |
EP1197511A1 (en) | 2000-10-10 | 2002-04-17 | Shipley Company LLC | Antireflective composition |
JP3865048B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
GB0108274D0 (en) * | 2001-04-03 | 2001-05-23 | Dow Corning | preparation of silicone resins |
US6589711B1 (en) * | 2001-04-04 | 2003-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual inlaid process using a bilayer resist |
CN1535301A (zh) * | 2001-07-26 | 2004-10-06 | 陶氏康宁公司 | 硅氧烷树脂 |
US6596404B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Siloxane resins |
US6746530B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-06-08 | Chunghwa Pictures Tubes, Ltd. | High contrast, moisture resistant antistatic/antireflective coating for CRT display screen |
US6596834B2 (en) * | 2001-09-12 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Silicone resins and porous materials produced therefrom |
US20030096090A1 (en) * | 2001-10-22 | 2003-05-22 | Boisvert Ronald Paul | Etch-stop resins |
AU2002359387A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-06-10 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for photolithography and methods of preparation thereof |
WO2003044600A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on anti-reflective coatings for photolithography |
EP1478681A4 (en) | 2001-11-16 | 2006-10-11 | Honeywell Int Inc | SPIN ON GLASS ANTIREFLECTION COATINGS FOR PHOTOLITHOGRAPHY |
JP4373082B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2009-11-25 | 富士通株式会社 | アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法 |
US6730454B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer |
DE10227807A1 (de) * | 2002-06-21 | 2004-01-22 | Honeywell Specialty Chemicals Seelze Gmbh | Silylalkylester von Anthracen- und Phenanthrencarbonsäuren |
US20040042020A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Vondran Gary L. | Color space conversion |
WO2004044025A2 (en) | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Honeywell International Inc | Anti-reflective coatings for photolithography and methods of preparation thereof |
US20050282090A1 (en) | 2002-12-02 | 2005-12-22 | Hirayama Kawasaki-Shi | Composition for forming antireflection coating |
JP2004277463A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Fujitsu Ltd | 低誘電率膜用組成物 |
TW200505966A (en) * | 2003-04-02 | 2005-02-16 | Dow Global Technologies Inc | Organosilicate resin formulation for use in microelectronic devices |
WO2004113417A1 (en) | 2003-05-23 | 2004-12-29 | Dow Corning Corporation | Siloxane resin-based anti-reflective coating composition having high wet etch rate |
CN101073038B (zh) | 2004-12-17 | 2010-05-05 | 陶氏康宁公司 | 形成抗反射涂层的方法 |
KR101247546B1 (ko) | 2004-12-17 | 2013-03-26 | 다우 코닝 코포레이션 | 반사 방지 막의 형성방법 |
WO2006065310A2 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Dow Corning Corporation | Siloxane resin coating |
-
2005
- 2005-09-23 WO PCT/US2005/034236 patent/WO2006065310A2/en active Application Filing
- 2005-09-23 CN CN2005800420191A patent/CN101072813B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-23 AT AT05798899T patent/ATE486098T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-09-23 EP EP05798899A patent/EP1846479B1/en not_active Not-in-force
- 2005-09-23 DE DE602005024447T patent/DE602005024447D1/de active Active
- 2005-09-23 US US11/666,821 patent/US7838615B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-23 KR KR1020077013410A patent/KR101191098B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-09-23 JP JP2007546638A patent/JP5412037B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-14 TW TW094136066A patent/TWI384016B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-10-13 US US12/903,481 patent/US8129491B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008524374A5 (ja) | シロキサン樹脂、シロキサン樹脂の調製方法および抗反射コーティング組成物 | |
ES2589381T3 (es) | Sistemas de silano acuosos basados en tri(alcoxisililalquil)aminas y su empleo | |
TWI450932B (zh) | 矽氧烷樹脂組成物及使用它之觸控面板用保護膜 | |
DE602004009791D1 (de) | Siloxan-harz basierte anti-reflektionsbeschichtung mit hoher nassätzgeschwindigkeit | |
JP5662338B2 (ja) | シルセスキオキサン樹脂 | |
CN104910807B (zh) | 一种有机硅组分增韧的甲基硅树脂及其制备方法 | |
JP2000169793A5 (ja) | ||
JPH03167277A (ja) | 高屈折率被覆のためのポリシロキサンおよびチタネート組成物の製造方法 | |
JP2009265642A5 (ja) | ||
JP2005520923A5 (ja) | ||
JP2012511619A5 (ja) | ||
CN105473642A (zh) | 室温下可固化的硅酮树脂组合物 | |
JP2004501940A5 (ja) | ||
JP2013067805A (ja) | 水性オリゴマーもしくはポリマー化合物の製造方法 | |
JP2010534246A5 (ja) | ||
CN109912797A (zh) | 有机聚硅氧烷化合物和包含其的活性能量线固化性组合物 | |
JP2010525144A5 (ja) | 低vocおよび低hap生成能のヒドロキシル官能性カルバモイル有機ケイ素化合物、それを含有する防食性のおよび/もしくは接着促進のコーティング剤組成物、それらを用いる環境に優しい金属コーティング方法、ならびに生じるコートされた金属 | |
KR100492279B1 (ko) | 경화성폴리메틸실세스키옥산조성물 | |
JP2010243518A5 (ja) | ||
JP2006316032A5 (ja) | ||
CN109912798A (zh) | 有机聚硅氧烷化合物和包含其的活性能量线固化性组合物 | |
CN104220448B (zh) | 通过氨基烷基‑烷氧基硅烷与丙烯酸酐的反应制备(甲基)丙烯酰氨基‑官能的硅烷的方法 | |
JP2003505549A5 (ja) | ||
JP2008133316A (ja) | 含ケイ素水溶性高分子化合物及びその製造方法、コーティング剤組成物、並びに該組成物が被覆・処理された物品 | |
JP6293911B2 (ja) | 脂環式樹脂、それを得る方法、および高い耐性のコーティングにおけるその用途 |