JP2008523631A5

JP2008523631A5 -

Info

Publication number: JP2008523631A5
Application number: JP2007545712A
Authority: JP
Filing date: 2005-12-13
Publication date: 2008-10-09
Anticipated expiration: 2025-12-13

Claims

基板を製造する方法であって、
基板の第１の部分に圧縮応力誘電体層を形成するステップと、
基板の第２の部分に引張り応力誘電体層を形成するステップと、
前記圧縮応力誘電体層および前記引張り応力誘電体層の上に半導体層を形成するステップと、
前記半導体層を貫通し、前記引張り応力誘電体層を前記圧縮応力誘電体層から分離する分離領域を形成するステップとを有し、
前記圧縮応力誘電体層が前記圧縮応力誘電体層の上にある前記半導体層の部分に引張り応力を伝達するとともに、前記引張り応力誘電体層が前記引張り応力誘電体層の上にある前記半導体層の部分に圧縮応力を伝達する、
基板を製造する方法。
基板を形成する方法であって、
Ｓｉ含有基板の第１の部分に引張り応力誘電体層を配置し、前記Ｓｉ含有基板の第２の部分に圧縮応力誘電体層を配置するＳｉ含有基板を有する初期構造を提供するステップであって、前記引張り応力誘電体層と前記圧縮応力誘電体層を絶縁材料で分離する、前記初期構造を提供するステップと、
前記絶縁材料を除去して、前記Ｓｉ含有基板の前記第１の部分のと前記第２の部分の間の前記Ｓｉ含有基板の部分を露出させるステップと、
前記基板の第１の部分および前記基板の第２の部分に隣接する前記Ｓｉ含有基板に凹部を設けるように、前記Ｓｉ含有基板の前記第１の部分および前記第２の部分から前記Ｓｉ含有基板を凹ませるステップと、
前記Ｓｉ含有基板の凹部上に配置する酸化物を形成するステップで、前記酸化物を前記圧縮層および前記引張り層の上面と同一平面上にして平坦な上面を提供する、前記酸化物を形成するステップと、
前記平坦な上面にウェハを接合するステップと、
剥離境界面を提供するように前記Ｓｉ含有基板にイオン注入するステップと、
前記剥離面の境界付近で前記Ｓｉ含有基板を分離するステップであって、前記Ｓｉ含有基板の剥離面はそのままである、前記分離するステップと、
前記Ｓｉ含有基板の前記凹部上の前記酸化物の表面まで、前記Ｓｉ含有基板の前記剥離面を平坦化するステップで、前記Ｓｉ含有基板を前記酸化物に平坦化するステップが前記引張り応力の材料と前記圧縮応力の材料の上に半導体層を作る、前記剥離面を平坦化するステップと、
前記酸化物を除去するステップであって、前記引張り応力誘電体層が前記半導体層に圧縮応力を伝達し、前記圧縮応力誘電体層が前記半導体層に引張り応力を伝達する、前記酸化物を除去するステップと、
を有する、方法。
前記初期構造を提供するステップが、
前記Ｓｉ含有基板の上に前記絶縁材料の層を設けるステップと、
前記Ｓｉ含有基板の前記第１の部分を露出させるように前記絶縁材料の層の第１部分を除去し、前記Ｓｉ含有基板の前記第２の部分を露出させるように前記絶縁材料の層の第２の部分を除去するステップと、
前記Ｓｉ含有基板の前記第１の部分の上に前記引張り応力誘電体層を形成し、前記Ｓｉ含有基板の第２の部分の上に前記圧縮応力誘電体層を形成するステップと、
を有する、請求項２の方法。
前記絶縁材料を除去する前に、前記圧縮応力誘電体層および前記引張り応力誘電体層の上にポリシリコン・キャップを形成するステップと、
前記絶縁材料を除去した後で、前記圧縮応力誘電体層および前記引張り応力誘電体層の上の前記ポリシリコン・キャップを除去するステップで、前記ポリシリコン・キャップが前記圧縮応力誘電体層および引張り応力誘電体層内の応力を維持する、前記除去するステップと、
をさらに有する、請求項３の方法。
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上の第１積層スタックであって、前記第１積層スタックが前記基板の上に圧縮応力誘電体層と前記圧縮応力誘電体層の上に第１半導体層を有し、前記圧縮応力誘電体層が前記第１半導体層に引張り応力を伝達する、前記第１積層スタックと、
前記基板の上の第２積層スタックであって、前記第２積層スタックが前記基板の上に引張り応力誘電体層と前記引張り応力誘電体層の上に第２半導体層を有し、前記引張り応力誘電体層が前記第２半導体層に圧縮応力を伝達する、前記第２積層スタックと、
を有する、半導体デバイス。
前記圧縮応力誘電体層と前記引張り応力誘電体層がＳｉ_３Ｎ_４を有する、請求項５の半導体デバイス。