JP2008523595A5

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Publication number: JP2008523595A5
Application number: JP2007544729A
Authority: JP
Filing date: 2005-12-06
Publication date: 2009-02-05

Claims

少なくとも一つのロジック・ゲートを包含する電子デバイス、特にＲＦＩＤトランスポンダであって、
前記ロジック・ゲートが共通基板（１０）上につけられた複数の層から形成され、それらが少なくとも二つの電極層、液体からつけられる少なくとも一つの有機半導体層（１３，２３）、および絶縁層（１４，２４）を包含し、それらが、前記ロジック・ゲートが少なくとも二つの異なる構成を有する電界効果トランジスタ（１，２）を包含する態様で形成され、
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が液体からつけられ、それらの半導体材料に関して異なる半導体層（１３，２３）を有するか、
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、それらの絶縁材料に関して異なる絶縁層（１４，２４）を有するか、或いは、
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、それらの電極材料に関して異なる電極層（１４，２４）を有することを特徴とする電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が液体からつけられ、それらの厚さに関して異なる半導体層（１３，２３）を有することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が液体からつけられ、それらの電気伝導度に関して異なる半導体層（１３，２３）を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、それらの厚さに関して異なる液体からつけられる絶縁層（１４，２４）を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、それらの透磁率に関して異なる絶縁層（１４，２４）を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、面的に異なって構造化された層を伴って形成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記層が、異なる長さおよび／または異なる幅を伴うストリップ型の様式で形成されることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、互いに横並びで配置されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、一方を他方の上にして配置されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、まったく同じ配向を伴って配置されることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の、特に請求項８または請求項９に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、ボトム−ゲートまたはトップ−ゲート配向を伴って配置されることを特徴とする請求項１０に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、異なる配向を伴って配置されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、異なる内部抵抗のプロファイルおよび／または異なるスイッチング動作を有することを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、並列接続および／または直列接続で互いに接続されることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）の間における接続が、前記電界効果トランジスタ（１，２）の電極（１１，１２，１５，２１，２２，２５）の間において直接電気的に、および／または容量結合によって形成されることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項の、特に請求項１４に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、共通ゲート電極（１５）を伴って形成されることを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の、特に請求項１４に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、相補的な導電型の半導体材料を伴って形成され、第１の電界効果トランジスタ（１）がｐ導電型半導体層（１３）を伴って形成され、第２の電界効果トランジスタ（２）がｎ導電型半導体層（２３）を伴って形成されるか、またはその逆となることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）の半導体層（１３，２３）に直接隣接することが、ｐ／ｎ接合またはその逆を伴うゾーンを形成することを特徴とする請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）が、前記電子デバイスが１層ずつのプリンティングおよび／またはブレード・コーティングによって基本的に作られることが可能な態様で基板（１０）上において空間的に配置されることを特徴とする請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記少なくとも二つの異なる電界効果トランジスタ（１，２）の前記層が、プリント可能な半導体高分子、および／またはプリント可能な絶縁高分子、および／または導電性プリンティング・インク、および／または金属層として形成されることを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記電子デバイスを形成する前記層が、高分子材料、および／または低重合体材料、および／または「低分子」からなる材料、および／またはナノ粒子からなる材料を含む可溶性有機層を有することを特徴とする請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記可溶性有機層の厚さが、それの溶剤の比率を通じて設定可能であることを特徴とする請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の、特に請求項２１に記載の電子デバイス。
前記可溶性有機層の厚さが、それをつける量を通じて設定可能であることを特徴とする請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の、特に請求項２１に記載の電子デバイス。
前記電子デバイスが、柔軟な多層フィルム本体によって形成されることを特徴とする請求項１から請求項２３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
前記電子デバイスが、装置の輪郭に整合する柔軟な電子回路として形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。