JP2007073950A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 絶縁表面を有する基板上に記憶素子及びスイッチング素子が配置された半導体装置であり、
   前記記憶素子は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に有機化合物を含む層を有し、
   前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記有機化合物を含む層は同一平面に設けられ、
   前記第１の電極及び前記第２の電極の側面は、テーパー形状を有し、
   前記第１の電極は、前記スイッチング素子と電気的に接続され、
   前記第１の電極から前記第２の電極へ電流が流れることにより、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を生じさせて、前記有機化合物を含む層の導電性を不可逆に変化させる半導体装置。
2. 絶縁表面を有する基板上に記憶素子及びスイッチング素子が配置された半導体装置であり、
   一対の絶縁層を有し、
   前記記憶素子は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に有機化合物を含む層を有し、
   前記一対の絶縁層、前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記有機化合物を含む層は同一平面に設けられ、
   前記有機化合物を含む層は、前記一対の絶縁層、前記第１の電極、及び前記第２の電極で四方を囲まれ、
   前記第１の電極及び前記第２の電極の側面は、テーパー形状を有し、
   前記第１の電極は、前記スイッチング素子と電気的に接続され、
   前記第１の電極から前記第２の電極へ電流が流れることにより、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を生じさせて、前記有機化合物を含む層の導電性を不可逆に変化させる半導体装置。
3. 請求項１または２において、前記第１の電極と前記第２の電極の電極幅の合計幅は、前記有機化合物を含む層の幅よりも広い半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記スイッチング素子のゲート電極は、ワード線と電気的に接続されている半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記有機化合物を含む層の上面形状は、矩形状、楕円状、または円状である半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記スイッチング素子は、ｎチャネル型の薄膜トランジスタである半導体装置。
7. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記スイッチング素子は、ｐチャネル型の薄膜トランジスタである半導体装置。