JP2005183619A - 不揮発メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ガラスや樹脂のような絶縁性表面を有する基板上に集積回路を形成し、所望のセルを選択することができるような不揮発メモリ装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性表面を有する基板上に、記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された引き出し配線と、
が配置された不揮発メモリ装置であって、前記スイッチング素子が有機半導体を有し、
前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁性表面を有する基板上に、記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された引き出し配線と、
が配置された不揮発メモリ装置であって、前記スイッチング素子が有機半導体を有し、
前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明はマトリックス配線とスイッチング素子と、記憶素子を有する不揮発メモリ装置に関する。
近年、有機物半導体材料を用いた、電子デバイスの開発が広く行なわれており、発光素子である有機EL(Electro−Luminescence)、有機TFT(Thin Film Transistor)、有機半導体レーザー等の開発が報告されている。
中でも、有機トランジスタの一種である、有機TFTは、その作成に高温プロセスを必要としないため、印刷技術などの活用により、ガラスや樹脂のような安価な基板上に集積回路をローコストで形成可能な技術として有望視されている。
他方、電源をオフとした後も情報が保持される不揮発性メモリの半導体集積回路は、単結晶シリコンを用いて構成された系が一般的であったが、近年、アモルファスシリコンや多結晶シリコンといった非結晶シリコン、或いは、有機物半導体やダイヤモンド、シリコン系カーバイドといった非シリコン系半導体を用いた素子や回路の開発が急速に進んでいる。
例えば、特許文献1には、記憶素子に含まれる誘電体の絶縁破壊を誘起するような書き込み動作電圧を印加することによりインピーダンスを変動させ、メモリ効果を得るという構成が開示されている。
このようなメモリ装置は、前述の有機半導体素子を用いて製造することができれば、ローコストで形成可能であると期待されてはいるが、現状単結晶シリコンで形成されたFlashメモリ、EEPROM(Electrical Erasable Programmable Read Only Memory)に匹敵する機能を有するメモリ構造は開示されていない。
また、例えば、非特許文献1に記載されているような有機トランジスタの閾値電圧のシフトにより、ある読み出し電圧時での電流に二値状態が存在することを利用したものが提案されている。しかし、これを達成するのに十分な閾値電圧シフトを誘起するために印加する電圧および時間も100Vかつ1分と実用には難しいものである。
また、特許文献2には、メモリ素子に有機物を用い、該素子のインピーダンスを電圧で変動させることにより、多値記憶できる構成が開示されている。
U.S.Pat.No.6034882
特開2001−189431号公報
Journal of American Chemical Society 2003年125巻9414−9423頁
本発明は、従来の技術による構成が、ガラスや樹脂のような絶縁性表面を有する基板、特に、安価ではあるが高温プロセスに耐えられない基板上に所望のセルを選択できるような不揮発メモリ装置を形成することが、困難であるという課題を解決しようとするものである。したがって、本発明の目的は、スイッチング素子として有機物を用い、記憶素子として誘電体を含む素子構成とすることにより、ガラスや樹脂のような安価な基板上に集積回路を形成でき、所望のセルを選択することができるような不揮発メモリ装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明に係る不揮発メモリ装置は、
絶縁性表面を有する基板上に、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線と、が配置された不揮発メモリ装置であって、
前記スイッチング素子が有機半導体を有し、
前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする。
絶縁性表面を有する基板上に、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線と、が配置された不揮発メモリ装置であって、
前記スイッチング素子が有機半導体を有し、
前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする。
本発明の構成によれば、有機半導体を含むスイッチング素子によって所望のセルを選択できる機構を持ち、さらにメモリ素子の「0」「1」二状態間の電流比も十分、大なる不揮発メモリ装置を安価なガラスや樹脂等の絶縁性表面を有する基板上に印刷法を用いて構築することができる。
本発明の不揮発メモリ装置は、記憶素子がインピーダンスの変化する素子であり、スイッチング素子が有機物半導体を有し、記憶素子が誘電体を有する。ここでは、メモリ素子における誘電体が、読み出し動作電圧より大きな書き込み電圧を印加されることにより、読み出し動作電圧における前記メモリ素子のインピーダンスが変化する動作が基本となる。
特に、メモリ素子における誘電体が、読み出し動作電電圧より大きな書き込み電圧を印加されることにより絶縁破壊に至り、読み出し動作電圧における前記メモリ素子のインピーダンスが不可逆的に減少することがより好ましい。このことにより、一旦書き込まれた情報は、書き換え不可能となり、セキュリティー上好都合となるばかりでなく、EEPROMなどに比べ簡単な駆動方法を選択することが出来る。
スイッチング素子が、有機物半導体を含むトランジスタであることがより好ましい。このことにより、高温プロセスやエッチングプロセスを経るシリコンなどの無機半導体からなるTFTでは使用困難なガラスや樹脂基盤上にメモリアレイを作製可能となり、所望のメモリセルを選択することが出来る。トランジスタには、電界効果型、薄膜型、接合型などがあるが、いずれでも使用可能である。有機物半導体とは、その有機物が持つバンドギャップの間にフェルミレベルがあるような物質で、半導体特性を持つ。
特にメモリ素子における誘電体の絶縁破壊が印加電圧48V以内で誘起されることが、より好ましい。このことにより、弱電系システムに搭載する際に必要な低電圧での駆動が可能となる。
また、弱電系システムを採用することにより、読み込み書き込み動作の繰り返しに強く、その電流比の減少を抑えることもできる。
スイッチング素子が、有機物半導体を含むダイオードであっても良い。この場合、比較的単純なマトリックス構造を持ったメモリ装置を構成することが出来る。
本発明の不揮発メモリ装置は、スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線を有する。引き出し配線は、マトリクス構造を有し、特にビット線、ワード線のほかに、プレート線を設け、トランジスタの1端子がビット線の1つに接続され、トランジスタのさらに別の1端子がワード線の1つに接続され、トランジスタのさらに別の1端子がメモリ素子を介してプレート線の1つに接続される構成であることがより好ましい。プレート線は接地電位とする方が動作は簡単になる。また、前記記憶素子に印加される電圧を調節するために接地電位以外の電位を与えても良い。
本発明に係る不揮発性メモリ装置は、シリコン単結晶を基板としたエッヂングプロセスによる作成を必要とせず、絶縁性表面を有する基板を用いて良好な素子を作成することができる。特に、安価である樹脂またはガラスからなる基板を用いることが好ましい。
不揮発メモリ装置が、樹脂基板上に形成されることがより好ましい。このことにより、前記不揮発メモリ装置は、ICカードまたはICタグに利用することが可能である。また、ポリイミドのような可撓性の材料を用いることもできる。
こうしたICカードやICタグの電源は、外部から電力供給される非内蔵型あるいは、電池内臓型のいずれでもよく、その電圧は上記誘電体の絶縁破壊電圧以上であることがより好ましい。このようなICカードまたはICタグは、定期券、身分証あるいは荷物配送にかかわる不揮発メモリ装置として、用いてもよいし、あるいはレーザービームプリンタや複写機といった電子写真方式の画像形成装置におけるカートリッジ(すなわち感光体ドラムあるいはトナーなどを収容するための手段)に取り付けられていてもよく、あるいはピエゾ方式あるいはバブルジェット(登録商標)方式といったインクジェットプリンタのインクを収容するカートリッジに取り付けられていてもよい。その場合、さまざまな情報、あるいは大量の情報を製品出荷前乃至製品使用時に記憶することができるので好ましい。また、基板としてガラスも用いることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1に示す本実施形態の不揮発メモリ装置の構成について説明する。
ビット線BL1〜BL4とこれに交差するワード線WL1〜WL4と、マトリックス状に配置された、有機物半導体を含むスイッチング素子として有機TFT(薄膜トランジスタ)T11〜T44、記憶素子であるメモリ素子R11〜R44各1個からなる単位セルC11〜C44からなる16ビットメモリ装置の構成を示す。各有機TFT T11〜T44のゲート電極はワード線に、ドレイン電極はビット線に、ソース電極はメモリ素子R11〜R44の一方の端子に接続され、メモリ素子R11〜R44の他方の端子はプレート線PL1〜PL4に接続される。
メモリ素子の構造は、誘電体材料が、電極間に配置された構造である。誘電体の配置例としては、スパッタリング法などによる誘電体薄膜の形成あるいはスピンオングラスなどの液状材料を電極間に塗布し乾燥させることで行うことができる。前記誘電体の具体例としては、アルミナ、酸化タンタル、酸化シリコンなどの無機誘電体やシルセスキオキサンなどのスピンオングラス材料、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリイミドなどの高分子材料、長鎖アルキル骨格を有する自己組織化分子などの有機誘電体などが挙げられる。
記憶素子の具体的な実施形態の一例として樹脂基板をポリイミド基板、銅と銀からなる二電極でサンドイッチ型に挟まれた誘電体からなるセルの特性を以下に示す。なお、誘電体はスパッタリング法で室温条件下、製膜して良好な絶縁特性を有するアルミナ薄膜とした例である。
図2は銅と銀からなる二電極で挟まれた膜厚14nmのアルミナ薄膜の印加電圧に対する電流値の変化の一例をプロットしたものである。電極間に印加する電圧を0Vから10Vまで掃引するが、1回目と2回目で特性が大きく異なる。1回目の掃引では、印加電圧5V付近で絶縁破壊が発生した結果、電流量が大きく増加し低抵抗状態になり、2回目の掃引でもこの低抵抗状態が維持される。この抵抗変化は不可逆的であり、一旦、低抵抗状態になると、高抵抗状態に戻ることはない。よって、この一つのメモリ素子においては読み出し動作電圧を4V程度とすると、抵抗値は、高抵抗状態と低抵抗状態とで10桁程度と大きく異なることになる。つまり樹脂基板を用いた構成でインピーダンスが不可逆的に減少することが示されている。
図3はR11からR44まで計16個のメモリ素子について、そのインピーダンスが変化する閾電圧値である絶縁破壊の発生する電圧のヒストグラムの一例を表したものである。絶縁破壊電圧は4Vから6.5Vまでの分布を有している。したがって、この樹脂基板上に作成されたメモリアレイ回路は6.5Vを下限とする書き込み動作電圧、4Vを上限とする読み込み動作電圧で駆動可能であることがわかる。
また、所望の書き込み、読み込み動作電圧にあわせて絶縁膜膜厚を設定することができる。例えば、図4はアルミナ膜厚を19nm,23nm,33nmとした場合の電流値変化の一例をプロットしたものである。これからわかるように、膜厚が厚いほど絶縁破壊電圧は高電圧側へ、薄いほど低電圧側に位置する。そのため、上述の例に膜厚が制限されるものではない。
図5は有機半導体材料として樹脂基板に熱的損傷を与えない温度範囲で真空蒸着法により製膜されたペンタセンを用いた有機TFTをスイッチング素子とし、誘電体がアルミナの記憶素子からなるメモリ素子がポリイミド基板上に作製されたセルについて、そのメモリ基本動作の一例を表したものである。横軸はTFTのドレイン電極と接続されたビットラインの電圧であり、縦軸は、ビットラインの電流である。なお、この例はゲート電極に接続されているワードラインの電圧を−25Vにすることにより有機TFTをオン状態にして得られたものである。例えば、ビットライン電圧−10Vに着目すれば、絶縁破壊前のファーストスキャンで2.9nA、絶縁破壊後のセカンドスキャンで293nAと電流にメモリ動作に必要な二状態の存在が確認される。すなわち、この樹脂基板上に形成された有機TFTと誘電体によりメモリ素子の基本動作が示された。
次に、本メモリ装置の駆動方法について一例をあげて説明する。
まず、読み出し動作について説明する。各TFTは、pチャネル動作するとする。参照電位として(図1における「Ref.」)、−2Vをセンスアンプに印加する。次に、C23のセルの情報を読み出す動作を行う。ワード線WL3に−20Vを印加し、選択トランジスタT23をON状態にする。次にビット線BL2に、−4Vを限度に、電圧を印加する。このとき、C23が選択され、R23が低抵抗状態のときは、電流がBL2→T23→接地と流れ、BL2の電位は、接地電位に近くなる。よって、ビット線BL2の電位は、参照電位より大きくなり、センスアンプSA2は、「1」を出力する。一方、R23が高抵抗のときは、BL2→T23→接地と流れる電流はほとんどなくなり、BL2は電源電圧に近くなる。よって、ビット線BL2の電位は、参照電位より小さくなり、センスアンプSA2は、「0」を出力する。
次に書き込み動作について説明する。R23は初期状態として、高抵抗状態にあるとする。ワード線WL3に−20Vを印加し、選択トランジスタT23をON状態にする。次にビット線BL2に、−10Vの電圧を印加する。このとき、C23が選択され、R23に5V以上の電圧が印加される結果、R23は低抵抗状態に不可逆的に変移する。この動作によって、C23に情報が書き込まれたことになる。
このような不揮発メモリ装置は従来のICタグあるいはICカードのメモリとして使用することができる。こうすることで、安価なICタグ又はICカードが作成できる。その用途としては、レーザービームプリンタや複写機といった電子写真方式の画像形成装置におけるカートリッジ(すなわち感光体ドラムあるいはトナーなどを収容するための手段)に取り付けられてもよく、あるいはピエゾ方式あるいはバブルジェット(登録商標)方式といったインクジェットプリンタのインクを収容するカートリッジに取り付けられてもよい。
(第1の実施形態)
次に、本実施形態の一例として、メモリ装置の試作工程について説明する。
図6から図12は本実施形態に係るメモリ素子の作成工程を説明するための模式図である。
符号1は基板、2はコンタクト、3はワード線用下部電極、4はワード線、5はゲート電極、6はプレート線用電極、7はビット線用電極、8はメモリ素子下部電極、9はゲート絶縁膜、10は誘電体膜、11はソース電極、12はドレイン電極、13はメモリ素子上部電極、14は有機半導体層、15は保護膜、16はビット線、17はプレート線である。
次に、本実施形態の一例として、メモリ装置の試作工程について説明する。
図6から図12は本実施形態に係るメモリ素子の作成工程を説明するための模式図である。
符号1は基板、2はコンタクト、3はワード線用下部電極、4はワード線、5はゲート電極、6はプレート線用電極、7はビット線用電極、8はメモリ素子下部電極、9はゲート絶縁膜、10は誘電体膜、11はソース電極、12はドレイン電極、13はメモリ素子上部電極、14は有機半導体層、15は保護膜、16はビット線、17はプレート線である。
まず、図6に示すように、ポリイミド樹脂からなる基板1の両面(表裏面)に銅箔をエッチング加工したワード線用電極3、ワード線4、ゲート電極5、プレート線用電極6、ビット線用電極7、メモリ素子下部電極8を、また図12に示すようなビット線16、プレート線17を形成し、スルーホールをめっき銅で埋め込んだコンタクト2を形成した基板部分を用意する。ここで、ゲート電極5はワード線4に、プレート線用電極6はプレート線17に、ビット線用電極7はビット線16に接続される。
次に、図7に示すように、ゲート絶縁膜9として、スパッタリング法によりアルミナ薄膜を形成する。ゲート絶縁膜は、金属のマスクを通して、ゲート電極5を覆うように選択的に形成される。
次に、図8に示すように、誘電体膜10として、スパッタリング法によりアルミナ薄膜を形成する。誘電体膜は、金属のマスクを通して、メモリ素子下部電極8を覆うように選択的に形成される。
次に、図9に示すように、ソース電極11とドレイン電極12及びメモリ素子上部電極13として、スクリーン印刷法により銀電極を形成した。このとき、ドレイン電極12はビット線用電極7を介してビット線に接続される。また、ソース電極11は、メモリ素子下部電極8と接続されることになる。さらにメモリ素子上部電極13はプレート線用電極6を介してプレート線17と接続されることになる。
次に、図10に示すように、有機半導体層14として、ペンタセンを真空蒸着した。ゲート絶縁膜9と同様に、有機半導体層14は金属マスクにより、ソース電極11、ドレイン電極12にはさまれた領域と各電極の一部を含めて、即ち電極間を覆うように、選択的に形成された。次に、保護膜15として、ノボラック樹脂を塗布、硬化させた。これにより、ボトムコンタクト型と呼ばれる電極配置の有機TFTとメモリ素子からなるメモリ装置が印刷法により樹脂基板上に形成された。
また、図示していないが、有機半導体層14をゲート絶縁膜上に金属マスクを通して選択的に形成し、その後、有機半導体層の上にソース電極11、ドレイン電極12を形成するトップコンタクト型と呼ばれる電極配置の有機TFTでも同様の効果が得られた。
また、図示していないが、前記ビット線は、センスアンプの1端子に接続され、他方の端子の参照電位と比較し、前記ビット線電位が参照電位より低い場合は、「0」(低電位:電源電圧に近い電圧)を出力し、前記ビット線電位が参照電位より高い場合は、「1」(高電位:接地電圧に近い電圧)を出力する。
このようにして試作したメモリ装置について、読み出し動作電圧−4V、書き込み動作電圧−10Vを前提に駆動させる場合について説明する。
まず、読み出し動作について説明する。参照電位として(図1における「Ref.」)、−2Vをセンスアンプに印加する。次に、C23のセルの情報を読み出す動作を行う。ワード線WL3に−20Vを印加し、選択トランジスタT23をON状態にする。次にビット線BL2に、−4Vの電圧を印加する。このとき、C23が選択され、R23が低抵抗状態のときは、電流がBL2→T23→接地と流れ、BL2の電位は、接地電位に近くなる。よって、ビット線BL2の電位は、参照電位より大きくなり、センスアンプSA2は、「1」を出力する。一方、R23が高抵抗のときは、BL2→T23→接地と流れる電流はほとんどなくなり、BL2は電源電圧に近くなる。よって、ビット線BL2の電位は、参照電位より小さくなり、センスアンプSA2は、「0」を出力する。
次に書き込み動作について説明する。R23は初期状態として、高抵抗状態にあるとする。ワード線WL3に−20Vを印加し、選択トランジスタT23をON状態にする。次にビット線BL2に、−10Vの電圧を印加する。このとき、C23が選択され、R23に5V以上の電圧が印加され、R23は低抵抗状態に不可逆的に変移する。この動作によって、C23に情報が書き込まれたことになる。
本実施形態に係る不揮発メモリ装置はスイッチング素子として、ダイオードを用いることができる。また本実施形態に係る不揮発メモリ装置はスイッチング素子として、接合型トランジスタを用いることができる。
(第2の実施形態)
本実施形態に係る不揮発メモリ装置はスイッチング素子として、ダイオードを用いることができる形態である。図13に本実施形態に係る構成の一例を示す。本実施形態では第1の実施の形態と同様に、1つのセルがスイッチング素子と記憶素子とを有している。第1の実施の形態においてセルはスイッチング素子としてトランジスタ素子を有しているのに対して、第2の実施の形態ではダイオード素子を有している。
本実施形態に係る不揮発メモリ装置はスイッチング素子として、ダイオードを用いることができる形態である。図13に本実施形態に係る構成の一例を示す。本実施形態では第1の実施の形態と同様に、1つのセルがスイッチング素子と記憶素子とを有している。第1の実施の形態においてセルはスイッチング素子としてトランジスタ素子を有しているのに対して、第2の実施の形態ではダイオード素子を有している。
図13に示すように本実施形態に係る不揮発メモリ装置はそのようなセルを行方向および列方向に複数有している(C11乃至C44)。ひとつのセルを例にあげれば、セルC11はダイオードD11とメモリ素子M11とを有している。それぞれのメモリ素子は一方がそれぞれのセルのダイオードに接続されており、他方が共通して1つのワードラインWLに接続されている。ワードラインWLは複数ありそれぞれが複数のメモリ素子と列単位で接続されている。またダイオードの一端で、メモリ素子と接続していない側の一端は、共通して1つのラインBLに接続されている。ラインBLは複数あり、それぞれが複数のダイオードの一端と行単位に接続されている。
読み出し動作について説明する。例えばセルC22を選択するとき、BL2に定電圧Vccを印加し、抵抗R2を経て接地されたBL2に電流が流れるようにする。この際、他のワードラインWLには、Vcc以上の電圧を印加し、選択した以外のセルには電流が流れないようにする。このときのBL2の電位を、参照電圧Ref.と比較することで、情報を読み出すことができる。
書き込み動作について説明する。例えばセルC22を選択するとき、BL2に定電圧2Vccを印加し、R2を経てBL2に電流が流れるようにする。この際、他のワードラインWLには、2Vcc以上の電圧を印加し、選択した以外のセルには電流が流れないようにする。このようにすると、選択されたC22の記憶素子D22には大きな電圧が印加され、インピーダンスが変化することになる。
(第3の実施形態)
本実施形態では第1の実施の形態と同様に、1つのセルがスイッチング素子と記憶素子とを有している。第1の実施の形態においては、記憶素子としてスパッタリング法によって作製されたアルミナを誘電体として用いていた。本実施例3では誘電体として、高分子材料であるポリイミドを用いた。実施例1と同様、メモリ装置として動作可能であることが確認された。
本実施形態では第1の実施の形態と同様に、1つのセルがスイッチング素子と記憶素子とを有している。第1の実施の形態においては、記憶素子としてスパッタリング法によって作製されたアルミナを誘電体として用いていた。本実施例3では誘電体として、高分子材料であるポリイミドを用いた。実施例1と同様、メモリ装置として動作可能であることが確認された。
1 基板
2 コンタクト
3 ワード線用下部電極
4 ワード線
5 ゲート電極
6 プレート線用電極
7 ビット線用電極
8 メモリ素子下部電極
9 ゲート絶縁膜
10 誘電体膜
11 ソース電極
12 ドレイン電極
13 メモリ素子上部電極
14 有機半導体層
15 保護膜
16 ビット線
17 プレート線
2 コンタクト
3 ワード線用下部電極
4 ワード線
5 ゲート電極
6 プレート線用電極
7 ビット線用電極
8 メモリ素子下部電極
9 ゲート絶縁膜
10 誘電体膜
11 ソース電極
12 ドレイン電極
13 メモリ素子上部電極
14 有機半導体層
15 保護膜
16 ビット線
17 プレート線
Claims (8)
- 絶縁性表面を有する基板上に、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線と、が配置された不揮発メモリ装置であって、
前記スイッチング素子が有機半導体を有し、
前記記憶素子は誘電体材料を含み、かつ高インピーダンス状態と低インピーダンス状態の少なくとも2つの状態を選択することにより情報を記憶する素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置。 - 前記記憶素子のインピーダンスが、読み出し動作電圧より大きな書き込み電圧を印加されることにより不可逆的に低インピーダンス状態となることを特徴とする請求項1に記載の不揮発メモリ装置。
- 前記スイッチング素子は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極の少なくとも一つがスクリーン印刷、オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷の印刷工程で作成されたトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発メモリ装置。
- 前記スイッチング素子はアノード電極、カソード電極の少なくとも一つがスクリーン印刷、オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷の印刷工程で作成されたダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発メモリ装置。
- 前記トランジスタの1端子がビット線の1つに接続され、前記トランジスタの別の1端子がワード線の1つに接続され、前記トランジスタのさらに別の1端子が前記記憶素子を介してプレート線の1つに接続されることを特徴とする請求項3に記載の不揮発メモリ装置。
- 請求項1に記載の前記不揮発メモリ装置を有するICカードまたはICタグ。
- 請求項6に記載のICカードまたはICタグのいずれかを有する電子写真方式の画像形成装置用のカートリッジ。
- 請求項7に記載のICカードまたはICタグのいずれかを有するインクジェットプリンタ用のカートリッジ。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073943A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
JP2007073950A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2007173812A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Palo Alto Research Center Inc | 薄膜トランジスタバックプレーン回路およびその製造方法 |
JP2007273967A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子及び半導体装置 |
JP2007318116A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2008123595A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
WO2008120286A1 (ja) * | 2007-02-27 | 2008-10-09 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法 |
JP2011054733A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | National Institute For Materials Science | 酸化アルミニウム薄膜を用いたスイッチング素子とこれを有する電子回路 |
US8421061B2 (en) | 2006-03-10 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device including the memory element |
US8536067B2 (en) | 2005-08-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8847209B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and a semiconductor device |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004025676B4 (de) * | 2004-05-26 | 2008-09-04 | Qimonda Ag | Integrierter Halbleiterspeicher mit organischem Auswahltransistor |
DE102004041907B3 (de) * | 2004-08-30 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Resistive Speicheranordnung, insbesondere CBRAM-Speicher |
DE602005024840D1 (de) * | 2004-09-30 | 2010-12-30 | Nxp Bv | Integrierte schaltung mit speicherzellen mit einem programmierbaren widerstand und verfahren zum adressieren von speicherzellen mit einem programmierbaren widerstand |
WO2006043573A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
CN100592520C (zh) * | 2004-10-22 | 2010-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及包括其的显示装置 |
CN101044624A (zh) | 2004-10-22 | 2007-09-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
CN100576557C (zh) * | 2004-11-26 | 2009-12-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US7926726B2 (en) * | 2005-03-28 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Survey method and survey system |
US7700984B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device including memory cell |
US8188461B2 (en) * | 2005-05-31 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic memory device |
US7868320B2 (en) | 2005-05-31 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
EP1850378A3 (en) * | 2006-04-28 | 2013-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semicondutor device |
US8283724B2 (en) | 2007-02-26 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device, and method for manufacturing the same |
JP5347377B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 縦型有機トランジスタ、その製造方法及び発光素子 |
US7851281B2 (en) * | 2007-11-28 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Manufacturing method of flexible semiconductor device and flexible semiconductor device |
WO2009145062A1 (en) | 2008-05-16 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP5549105B2 (ja) * | 2009-04-15 | 2014-07-16 | ソニー株式会社 | 抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 |
JP5333311B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-11-06 | ソニー株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
JP5429638B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-02-26 | 株式会社リコー | 画像形成装置及び画像形成装置の電源制御方法 |
CN102930898B (zh) * | 2012-11-12 | 2015-07-15 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种构建多端口异步存储模块的方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5070385A (en) * | 1989-10-20 | 1991-12-03 | Radiant Technologies | Ferroelectric non-volatile variable resistive element |
JP3170101B2 (ja) | 1993-04-15 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3559580B2 (ja) | 1993-12-17 | 2004-09-02 | 財団法人国際科学振興財団 | 半導体装置 |
US6034882A (en) | 1998-11-16 | 2000-03-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication |
JP4297579B2 (ja) | 1998-12-28 | 2009-07-15 | 日立マクセル株式会社 | 管理システム |
US6385407B1 (en) * | 1998-12-28 | 2002-05-07 | Hitachi Maxell, Ltd. | Accommodating enclosure and management system |
JP2001189431A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | メモリのセル構造及びメモリデバイス |
EP1186042A1 (en) | 2000-03-28 | 2002-03-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit with programmable memory element |
US6587370B2 (en) | 2000-11-01 | 2003-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic memory and information recording and reproducing method therefor |
US6724651B2 (en) | 2001-04-06 | 2004-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Nonvolatile solid-state memory and method of driving the same |
JP2003086775A (ja) | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Canon Inc | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
JP4124635B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリセルアレイの消去方法 |
-
2003
- 2003-12-18 JP JP2003421309A patent/JP2005183619A/ja not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-12-06 US US10/546,216 patent/US7359230B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-06 WO PCT/JP2004/018522 patent/WO2005060001A1/en active Application Filing
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073943A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
JP2007073950A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US8847209B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and a semiconductor device |
US8536067B2 (en) | 2005-08-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2007173812A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Palo Alto Research Center Inc | 薄膜トランジスタバックプレーン回路およびその製造方法 |
US8421061B2 (en) | 2006-03-10 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device including the memory element |
JP2007273967A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子及び半導体装置 |
JP2007318116A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2008123595A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
WO2008120286A1 (ja) * | 2007-02-27 | 2008-10-09 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法 |
JP5163641B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2013-03-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法 |
US8582343B2 (en) | 2007-02-27 | 2013-11-12 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor storage device, semiconductor storage device manufacturing method and package resin forming method |
US8921125B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-12-30 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of making ferroelectric memory device with barrier layer and novolac resin passivation layer |
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