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  1. 一対の導電層の間に設けられた有機化合物層を有するメモリ素子を有し、
    前記一対の導電層の間に電圧を印加することで、前記一対の導電層の間の距離が変化して電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  2. 一対の導電層の間に設けられた有機化合物層を有するメモリ素子を有し、
    前記有機化合物層は、光を照射することで電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  3. 一対の導電層の間に設けられた有機化合物層を有するメモリ素子を有し、
    前記有機化合物層には、光酸発生剤が含まれていることを特徴とする半導体装置。
  4. ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
    前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
    前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  5. ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
    前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
    前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の距離が変化して電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  6. ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
    前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
    前記有機化合物層は、光を照射することで電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  7. ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
    前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
    前記有機化合物層には、光酸発生剤が含まれていることを特徴とする半導体装置。
  8. ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタとを有し、
    前記メモリ素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
    前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
    前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層に電気的に接続されており、
    前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の距離が変化して電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  9. ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタとを有し、
    前記メモリ素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
    前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
    前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層に電気的に接続されており、
    前記有機化合物層は、光を照射することで電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
  10. ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタとを有し、
    前記メモリ素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
    前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
    前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層に電気的に接続されており、
    前記有機化合物層には、光酸発生剤が含まれていることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
    アンテナとして機能する導電層を有し、
    前記アンテナとして機能する導電層は、前記ワード線又は前記ビット線と同一の層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219749B1 (ko) 2004-10-22 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
CN101044624A (zh) * 2004-10-22 2007-09-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
EP1810334B1 (en) * 2004-11-11 2011-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for Manufacturing a Semiconductor Device
US7688624B2 (en) * 2004-11-26 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1854140A4 (en) * 2005-02-10 2008-06-04 Semiconductor Energy Lab MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
US7956352B2 (en) 2005-03-25 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element comprising an organic compound and an insulator
US7926726B2 (en) * 2005-03-28 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Survey method and survey system
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 記憶裝置和其製造方法
US8288197B2 (en) 2005-04-27 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including a memory device comprising an insulator mixture region in a conductive layer
EP1717862A3 (en) 2005-04-28 2012-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US7700984B2 (en) 2005-05-20 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device including memory cell
EP1886261B1 (en) 2005-05-31 2011-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7868320B2 (en) 2005-05-31 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7905397B2 (en) * 2005-06-01 2011-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data management method and data management system
KR101369864B1 (ko) 2005-08-12 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제조방법
US7684781B2 (en) 2005-11-25 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
US7912439B2 (en) 2005-11-25 2011-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and operating method thereof
EP1993781A4 (en) * 2006-02-03 2016-11-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY ELEMENT, LASER IRRADIATION APPARATUS, AND LASER IRRADIATION METHOD
US8580700B2 (en) * 2006-02-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101316558B1 (ko) * 2006-03-10 2013-10-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 소자 및 반도체 장치
US7551471B2 (en) * 2006-04-28 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and semiconductor device
JP5230119B2 (ja) * 2006-04-28 2013-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
EP1850378A3 (en) * 2006-04-28 2013-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semicondutor device
US7923719B2 (en) 2006-04-28 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device wherein wiring contact is made through an opening in an organic compound layer
US7719001B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device with metal oxides and an organic compound
EP1883109B1 (en) 2006-07-28 2013-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and method of manufacturing thereof
WO2008047928A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7988057B2 (en) * 2006-11-28 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN101529596B (zh) * 2006-11-29 2011-12-14 株式会社半导体能源研究所 装置及其制造方法
US8283724B2 (en) * 2007-02-26 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7875881B2 (en) * 2007-04-03 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
DE102007030308A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Printed Systems Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Speicherstruktur
EP2107571B1 (en) 2008-04-03 2012-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
CN103258964B (zh) 2008-05-16 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 发光元件、电子设备和照明装置
JP4727702B2 (ja) * 2008-09-11 2011-07-20 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置、及びその製造方法
US8593255B2 (en) * 2009-04-24 2013-11-26 Nokia Corporation Method and apparatus for providing user interaction via transponders
GB2470006B (en) * 2009-05-05 2012-05-23 Cambridge Display Tech Ltd Device and method of forming a device
US8523071B2 (en) 2009-10-22 2013-09-03 Intellipaper, Llc Electronic assemblies and methods of forming electronic assemblies
US8469280B2 (en) 2009-10-22 2013-06-25 Intellipaper, Llc Programming devices and programming methods
US8469271B2 (en) 2009-10-22 2013-06-25 Intellipaper, Llc Electronic storage devices, programming methods, and device manufacturing methods
WO2011127183A2 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Intellipaper , Llc Memomy programming methods and memory programming devices
KR101290003B1 (ko) * 2011-08-31 2013-07-31 한국과학기술원 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자
US8947903B2 (en) 2011-07-07 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory chip with more than one type of memory cell
CN102761793B (zh) * 2012-06-12 2014-10-29 烽火通信科技股份有限公司 一种矩阵化eID总线电路
WO2016198965A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory
KR101720868B1 (ko) * 2015-07-18 2017-03-28 국민대학교산학협력단 저항 변화를 이용한 비휘발성 메모리 소자
KR101720867B1 (ko) * 2015-07-17 2017-03-28 국민대학교산학협력단 저항 변화를 이용한 비휘발성 메모리 소자
CZ2016452A3 (cs) * 2016-07-25 2018-01-24 Vysoké Učení Technické V Brně Radiofrekvenční identifikátor laditelný dielektrickými vložkami
CN107884732A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 西门子(深圳)磁共振有限公司 磁共振成像设备、射频线圈及其制造方法
CN109307964B (zh) * 2017-07-28 2021-09-10 京东方科技集团股份有限公司 断线修复方法、基板和显示装置
CN110632668B (zh) * 2019-10-14 2024-05-17 厦门顶尖电子有限公司 一种电子价签的定位方法、电子价签组件及系统

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3833894A (en) * 1973-06-20 1974-09-03 Ibm Organic memory device
JPH02239664A (ja) * 1989-03-13 1990-09-21 Olympus Optical Co Ltd 電気的記憶装置
US5375250A (en) * 1992-07-13 1994-12-20 Van Den Heuvel; Raymond C. Method of intelligent computing and neural-like processing of time and space functions
US5528222A (en) 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US6340588B1 (en) * 1995-04-25 2002-01-22 Discovery Partners International, Inc. Matrices with memories
EP0821826B1 (en) 1996-02-16 2003-07-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Write-once read-many electrical memory element of a conjugated polymer or oligomer
TW317643B (ja) * 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
NO972803D0 (no) 1997-06-17 1997-06-17 Opticom As Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
US6396208B1 (en) * 1998-01-27 2002-05-28 Nec Corporation Organic electroluminescent device and its manufacturing process
US6812182B2 (en) * 1998-10-23 2004-11-02 Albemarle Corporation Compositions formed from hydroxyaluminoxane and their use as catalyst components
EP2239794A3 (en) 1999-07-02 2011-03-23 President and Fellows of Harvard College Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture
JP3622598B2 (ja) * 1999-10-25 2005-02-23 セイコーエプソン株式会社 不揮発性メモリ素子の製造方法
US6478229B1 (en) * 2000-03-14 2002-11-12 Harvey Epstein Packaging tape with radio frequency identification technology
JP2001345431A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Japan Science & Technology Corp 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
JP3843703B2 (ja) * 2000-06-13 2006-11-08 富士ゼロックス株式会社 光書き込み型記録表示装置
DE10045192A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
JP2004513513A (ja) 2000-10-31 2004-04-30 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニバーシティ　オブ　カリフォルニア 有機物双安定デバイス及び有機物メモリセル
JP4329287B2 (ja) 2000-12-27 2009-09-09 三菱マテリアル株式会社 Ｐｌｚｔ又はｐｚｔ強誘電体薄膜、その形成用組成物及び形成方法
US6646912B2 (en) * 2001-06-05 2003-11-11 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Non-volatile memory
US6552409B2 (en) * 2001-06-05 2003-04-22 Hewlett-Packard Development Company, Lp Techniques for addressing cross-point diode memory arrays
JP2003007982A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Nec Corp 磁気記憶装置及び磁気記憶装置の設計方法
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP2003257506A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 電解質組成物、光電変換素子及び光電池
US6683322B2 (en) 2002-03-01 2004-01-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flexible hybrid memory element
US7204425B2 (en) * 2002-03-18 2007-04-17 Precision Dynamics Corporation Enhanced identification appliance
JP3940014B2 (ja) * 2002-03-29 2007-07-04 富士通株式会社 半導体集積回路、無線タグ、および非接触型ｉｃカード
KR100437458B1 (ko) * 2002-05-07 2004-06-23 삼성전자주식회사 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들
JP4539007B2 (ja) * 2002-05-09 2010-09-08 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US6813182B2 (en) * 2002-05-31 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diode-and-fuse memory elements for a write-once memory comprising an anisotropic semiconductor sheet
US6828685B2 (en) * 2002-06-14 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device having a semiconducting polymer film
JP2004047791A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Pioneer Electronic Corp 有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置
JP2004128471A (ja) 2002-08-07 2004-04-22 Canon Inc 不揮発メモリ装置
US6784017B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-31 Precision Dynamics Corporation Method of creating a high performance organic semiconductor device
US7051945B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US6847047B2 (en) * 2002-11-04 2005-01-25 Advanced Micro Devices, Inc. Methods that facilitate control of memory arrays utilizing zener diode-like devices
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
US6963307B2 (en) * 2002-11-19 2005-11-08 Farrokh Mohamadi Inductively-coupled antenna array
US7358848B2 (en) * 2002-11-19 2008-04-15 Farrokh Mohamadi Wireless remote sensor
US6944052B2 (en) * 2002-11-26 2005-09-13 Freescale Semiconductor, Inc. Magnetoresistive random access memory (MRAM) cell having a diode with asymmetrical characteristics
US7220985B2 (en) 2002-12-09 2007-05-22 Spansion, Llc Self aligned memory element and wordline
JP4089544B2 (ja) * 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4393859B2 (ja) * 2002-12-27 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 記録媒体の作製方法
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US6873219B2 (en) * 2003-01-28 2005-03-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printed circuit board noise attenuation using lossy conductors
US7973313B2 (en) 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
JP4496712B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 セイコーエプソン株式会社 燃料電池
US6977389B2 (en) * 2003-06-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Planar polymer memory device
TWI227031B (en) * 2003-06-20 2005-01-21 Au Optronics Corp A capacitor structure
US6803267B1 (en) * 2003-07-07 2004-10-12 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon containing material for patterning polymeric memory element
US7050326B2 (en) * 2003-10-07 2006-05-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory device with current carrying reference layer
DE10355561A1 (de) * 2003-11-28 2005-06-30 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung mit nichtflüchtigen Speichern
JP2005183619A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Canon Inc 不揮発メモリ装置
WO2005096380A1 (en) 2004-04-02 2005-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
KR101219749B1 (ko) 2004-10-22 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
CN101044624A (zh) * 2004-10-22 2007-09-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
US7688624B2 (en) 2004-11-26 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8188461B2 (en) * 2005-05-31 2012-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic memory device

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