JP2008512853A - 均一性を制御したエッチング - Google Patents
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Abstract
【課題】
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される。蒸着ガスから、プラズマが形成される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる。
【選択図】図１
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される。蒸着ガスから、プラズマが形成される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体素子の製造に関する。特に、本発明は、エッチングされた層を有する半導体素子を加工するための改良技術に関する。
半導体ウエハの処理では、周知のパターニングおよびエッチング処理を用いて、ウエハ内に半導体素子の形状が規定される。これらの処理では、フォトレジスト（ＰＲ）材料が、ウエハに蒸着され、次いで、レチクルによってフィルタリングされた光に露出される。レチクルとは、一般に、光がレチクルを通して伝わることを防ぐ代表的な幾何形状を有するようパターニングされたガラス板である。
レチクルを通過した後、光は、フォトレジスト材料の表面に当たる。光は、現像剤がフォトレジスト材料の一部を除去できるように、フォトレジスト材料の化学組成を変化させる。ポジ型フォトレジスト材料の場合には、露光された領域が除去され、ネガ型フォトレジスト材料の場合には、露光されていない領域が除去される。その後、ウエハをエッチングして、もはやフォトレジスト材料によって保護されていない領域から下層の材料を除去することにより、ウエハ内の所望の形状を規定する。
様々な世代のフォトレジストが知られている。素子のサイズを小さくして素子の密度を高くするためには、１９３ｎｍ世代のフォトレジスト、１５７ｎｍ世代のフォトレジスト、および、より小さい世代のフォトレジストが、望ましい。１９３ｎｍおよび１５７ｎｍ世代のフォトレジストは、比較的柔らかくてよく、ポリマ材料であってよい。
上述およびその他の目的を実現するために、本発明の趣旨に従って、ウエハ上に半導体素子を形成するための方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される。蒸着ガスから、プラズマが形成される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる。
添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
以下では、添付図面に例示された、いくつかの好ましい実施形態を参照して、本発明の詳しい説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。そのほか、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理ステップおよび／または構造については、詳細な説明を省略した。
理解しやすいように、本発明の一実施形態で利用される処理を示す高レベルのフローチャートを図１に示す。エッチング層が、ウエハの上に形成される（ステップ１０４）。図２Ａは、ウエハ２０４の外縁２０６におけるウエハ２０４の断面図である。エッチング層２０８が、ウエハ２０４の上に形成される（ステップ１０４）。エッチング層は、導電層または誘電体層であってよい。フォトレジストマスク２１２が、エッチング層２０８の上に形成される（ステップ１０８）。この実施形態では、フォトレジストマスク２１２が形成される前に、ＢＡＲＣなどの反射防止膜（ＡＲＣ）２１０が、エッチング層２０８の上に配置され、その結果、ＡＲＣ ２１４は、エッチング層２０８とフォトレジストマスク２１２との間に配置される。エッチング層２０８とフォトレジストマスク２１２との間に、他の層が配置されてもよい。
ウエハの外縁付近のフォトレジストは、図２Ｂに示すように、ウエハの外縁付近のエッチング層を露出するために、除去される（ステップ１１２）。この例では、ウエハの外縁付近のエッチング層を露出させるために、ウエハの外縁付近のエッチング層２１６の上の有機材料がすべて除去され、その結果、有機ＢＡＲＣ ２１０も除去される。図５は、ウエハの外縁付近のフォトレジストマスク２１２を除去してエッチング層２０８を露出させたウエハ２０４の上面図である。一般に、ウエハの外縁付近から、フォトレジストやＢＡＲＣなどの有機材料を２ないし３ｍｍ除去して、剥離による粒子の源を排除する。
好ましい実施形態では、ウエハ２０４は、エッチングチャンバ内に配置される（ステップ１１４）。図３は、この実施例で利用可能な層蒸着、エッチング、および、剥離で用いることのできるプラズマ処理チャンバ３００を示す説明図である。プラズマ処理チャンバ３００は、閉じ込めリング３０２と、上側電極３０４と、下側電極３０８と、ガス源３１０と、排気ポンプ３２０とを備える。プラズマ処理チャンバ３００内で、ウエハ２０４は、下側電極３０８の上に配置される。下側電極３０８は、ウエハ２０４を保持するのに適切な基板保持機構（例えば、静電チャック、機械的クランプなど）を備える。リアクタ上部３２８は、下側電極３０８のちょうど反対側に配置された上側電極３０４を備える。上側電極３０４、下側電極３０８、および、閉じ込めリング３０２は、閉じ込めプラズマ容積を規定する。ガスは、ガス源３１０によって、閉じ込めプラズマ容積に供給され、排気ポンプ３２０によって、閉じ込めリング３０２および排気口を通って、閉じ込めプラズマ容積から排気される。上側電極３０４には、第１のＲＦ電源３４４が、電気的に接続されている。下側電極３０８には、第２のＲＦ電源３４８が、電気的に接続されている。チャンバ壁３５２が、閉じ込めリング３０２、上側電極３０４、および、下側電極３０８を取り囲んでいる。第１のＲＦ源３４４および第２のＲＦ源３４８は両方とも、２７ＭＨｚ電源と２ＭＨｚ電源とを備えてよい。他の組み合わせで電極にＲＦ電源を接続してもよい。カリフォルニア州フレモントのＬＡＭ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（商標）が製造し、本発明の好ましい実施形態で利用可能である、２３００Ｆｌｅｘ（商標）、Ｅｘｅｌａｎ ＨＰＴ、または、２３００（商標）Ｅｘｅｌａｎの場合には、２７ＭＨｚおよび２ＭＨｚ電源の両方が、下側電極に接続された第２のＲＦ電源３４８を形成し、上側電極は、接地される。ＲＦ電源３４４、３４８、排気ポンプ３２０、および、ガス源３１０には、制御部３３５が、制御可能なように接続されている。
図４Ａおよび４Ｂは、本発明の実施形態で用いられる制御部３３５の実施に適したコンピュータシステム８００を示す図である。図４Ａは、コンピュータシステムの物理的形状の一例を示す。もちろん、コンピュータシステムは、集積回路、プリント基板、および、小型携帯デバイスから大型スーパコンピュータまで、多くの物理的形状を有してよい。コンピュータシステム８００は、モニタ８０２と、ディスプレイ８０４と、筐体８０６と、ディスクドライブ８０８と、キーボード８１０と、マウス８１２とを備える。ディスク８１４は、コンピュータシステム８００とデータをやり取りするために用いられるコンピュータ読み取り可能な媒体である。
図４Ｂは、コンピュータシステム８００のブロック図の一例である。システムバス８２０には、様々なサブシステムが取り付けられている。１または複数のプロセッサ８２２（中央処理装置すなわちＣＰＵとも呼ぶ）が、メモリ８２４などの記憶装置に接続されている。メモリ８２４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。当技術分野で周知のように、ＲＯＭは、ＣＰＵに対して単方向的にデータや命令を転送するよう機能し、ＲＡＭは、通例、双方向的にデータや命令を転送するために用いられる。これらの種類のメモリは両方とも、後に示す任意の適切なコンピュータ読み取り可能媒体を備えてよい。ＣＰＵ ８２２には、さらに、固定ディスク８２６が、双方向的に接続されており、さらなるデータ記憶容量を提供している。固定ディスク８２６は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれを備えてもよい。固定ディスク８２６は、プログラムやデータなどを格納するために用いられてよく、通例は、一次記憶装置よりも遅い二次記憶媒体（ハードディスクなど）である。固定ディスク８２６内に保持された情報は、必要に応じて、メモリ８２４内の仮想メモリとして標準的な方法で組み込まれてよいことを理解されたい。リムーバブルディスク８１４は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれの形態を取ってもよい。
ＣＰＵ８２２は、さらに、ディスプレイ８０４、キーボード８１０、マウス８１２、および、スピーカ８３０など、様々な入力／出力装置に接続されている。一般に、入力／出力装置は、ビデオディスプレイ、トラックボール、マウス、キーボード、マイク、タッチセンサ式ディスプレイ、トランスデューサ式カードリーダ、磁気または紙テープリーダ、タブレット、スタイラス、音声または手書き認識装置、バイオメトリクスリーダ、または、他のコンピュータ、のいずれであってもよい。ＣＰＵ８２２は、必要に応じて、ネットワークインターフェース８４０を用いて、他のコンピュータや電気通信ネットワークに接続されてもよい。かかるネットワークインターフェースを用いることにより、ＣＰＵは、上述の方法のステップを実行する途中で、ネットワークから情報を受信、または、ネットワークに情報を出力してよいことが意図される。さらに、本発明の方法の実施形態は、ＣＰＵ８２２単体で実行されてもよいし、インターネットなどのネットワーク上で、処理の一部を分担する遠隔ＣＰＵと協調して実行されてもよい。
さらに、本発明の実施形態は、様々なコンピュータによる動作を実行するためのコンピュータコードを有するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータストレージ製品に関する。媒体およびコンピュータコードは、本発明のために、特別に設計および構成されてもよいし、コンピュータソフトウェア分野における当業者にとって周知および利用可能なものであってもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、フラッシュメモリカード；ハードディスク、フレキシブルディスク、磁気テープなどの磁気媒体；ＣＤ−ＲＯＭ、ホログラフィック素子などの光学媒体；フロプティカルディスクなどの光磁気媒体；特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）、ＲＯＭおよびＲＡＭなど、プログラムコードを格納および実行するよう特別に構成されたハードウェア装置、が挙げられるが、それらに限定されない。コンピュータコードの例としては、コンパイラによって生成されたコードなどのマシンコードや、インタープリタを用いてコンピュータによって実行される高級言語コードを含むファイルが挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、搬送波で具現化されたコンピュータデータ信号によって転送されると共にプロセッサが実行可能な一連の命令を表すコンピュータコードであってもよい。
蒸着ガスが、エッチングチャンバに供給される（ステップ１１６）。蒸着ガスは、ポリマの形成を可能にする１または複数の（少なくとも１つの）種を含む。これは、炭素および水素を含有する種を必要とする。さらに、蒸着ガスは、フッ素を含有する種を有することが望ましい。
蒸着ガスから、プラズマが形成される（ステップ１２０）。ＲＦ電源からの電力を用いて、蒸着ガスを励起し、プラズマを形成させる。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される（ステップ１２４）。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。図２Ｃは、ウエハの外縁付近の露出エッチング層２１６にポリマ２２０が蒸着された後のウエハ２０４の一部を示す断面図である。蒸着されたポリマ２２０は、ウエハ２１６の外縁のエッチング層に蒸着された様子のみが示されているが、一部の蒸着処理は、ウエハ表面全体にポリマを蒸着してもよい。ポリマの蒸着をウエハの外縁２１６に最適に限定できるほどの制御を行うことが望ましい。
誘電体層がエッチングされる（ステップ１２８）。図２Ｄは、誘電体層２０８に形状２２４がエッチングされた後のウエハ２０４を示す断面図である。
理論に縛られることは望まないが、ウエハの外縁の露出誘電体層の上にポリマが存在すると、ウエハにわたって、より均一なエッチングが可能となり、エッチング深さの均一性とプロファイル変動の均一性が実現されると考えられる。蒸着層がない場合には、エッチング層は、プラズマに直接露出され、その結果、ウエハの他の領域よりもエッチング処理中にエッチングイオンおよびラジカル種を多く消費することになり、ウエハの中央部付近のエッチング速度よりもウエハの縁部付近のエッチング速度の方が遅くなると考えられる。さらに、ウエハの縁部付近の形状のプロファイルは、ウエハの外縁では露出領域から供給される側面保護のためのポリマ源がないために、湾曲する傾向がある。ウエハの外縁の露出エッチング層の上に保護ポリマ層を提供することにより、外縁におけるエッチング層を保護してエッチングイオンおよびラジカル種の消費を低減すると共に、外縁にポリマ源を提供してエッチングの均一性を高め湾曲を低減することができる。
炭素、水素、およびフッ素の種を含む蒸着ガスを供給することにより、ハイドロフルオロカーボンポリマが形成されることがわかっている。かかるポリマは、最良の結果をもたらすことがわかった。
フォトレジストマスクに対して、エッチング層に蒸着層を選択的に蒸着することが好ましい。ウエハの外縁の露出エッチング層に蒸着層を選択的に蒸着することが、より好ましい。
実施例
本発明の一実施例では、シリコンウエハの上に、ＳｉＣ、ＳｉＣＯＨ、ＴＥＯＳの順に、エッチング層が蒸着される（ステップ１０４）。レジスト状の有機材料であるＡＲＣ層が、エッチング層の上に形成される。エッチング層の上のＡＲＣ層には、フォトレジストマスクが形成される（ステップ１０８）。この実施例では、フォトレジストマスクは、好ましくは２４８ｎｍ用フォトレジスト（例えば、ＫｒＦ用）からなる。別の実施形態では、ｉ−ｌｉｎｅ用など、別のフォトレジストや、ＡｒＦ用など、１９３ｎｍ以下の波長用のフォトレジストを用いてもよい。ウエハの縁部から３ｍｍ以内のフォトレジストが除去される。湿式剥離レジスト現像剤を用いた湿式剥離によって、ウエハの縁部付近のフォトレジストが除去される（ステップ１１２）。ウエハは、エッチングチャンバ内に配置される（ステップ１１４）。この実施例では、エッチングチャンバは、二重周波数エッチングリアクタである。
本発明の一実施例では、シリコンウエハの上に、ＳｉＣ、ＳｉＣＯＨ、ＴＥＯＳの順に、エッチング層が蒸着される（ステップ１０４）。レジスト状の有機材料であるＡＲＣ層が、エッチング層の上に形成される。エッチング層の上のＡＲＣ層には、フォトレジストマスクが形成される（ステップ１０８）。この実施例では、フォトレジストマスクは、好ましくは２４８ｎｍ用フォトレジスト（例えば、ＫｒＦ用）からなる。別の実施形態では、ｉ−ｌｉｎｅ用など、別のフォトレジストや、ＡｒＦ用など、１９３ｎｍ以下の波長用のフォトレジストを用いてもよい。ウエハの縁部から３ｍｍ以内のフォトレジストが除去される。湿式剥離レジスト現像剤を用いた湿式剥離によって、ウエハの縁部付近のフォトレジストが除去される（ステップ１１２）。ウエハは、エッチングチャンバ内に配置される（ステップ１１４）。この実施例では、エッチングチャンバは、二重周波数エッチングリアクタである。
エッチングチャンバでは、３５０ｓｃｃｍのＡｒと３．５ｓｃｃｍのＯ2と５０ｓｃｃｍのＣＨ3Ｆとを含む蒸着ガスが、エッチングチャンバに供給される（ステップ１１６）。この時、チャンバの圧力は、６０ｍＴｏｒｒに維持される。蒸着ガスから、プラズマが形成される（ステップ１２０）。この実施例では、ＲＦ電源は、２７ＭＨｚで８００ワットの電力と、２ＭＨｚで２００ワットの電力とを供給する。さらに、下側電極の温度は、２０℃であり、チャックにおけるヘリウムの背面横圧は、２０Ｔｏｒｒに維持される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される（ステップ１２４）。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。この実施例では、ポリマは、ハイドロフルオロカーボンポリマである。さらに、この実施例では、ポリマは、ウエハの外縁付近の露出エッチング層を含めて、ウエハ表面の全体に蒸着される。この実施例では、蒸着は、８秒間行われる。
次いで、エッチング層は、フォトレジストマスクを介してエッチングされる（ステップ１２８）。この実施例のエッチングのレシピでは、まず、主エッチングを実行する。主エッチングでの圧力は、７０ｍＴｏｒｒである。２７ＭＨｚで１４００ワットの電力が供給される。２ＭＨｚで１５００ワットの電力が供給される。５００ｓｃｃｍのＡｒと、２５０ｓｃｃｍのＮ2と、８ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と、５ｓｃｃｍのＣＨ2Ｆ2と、５ｓｃｃｍのＯ2とを含むエッチングガス流が供給され、主エッチングのために、プラズマに変換される。次いで、オーバエッチングが実行される。オーバエッチングでの圧力は、７０ｍＴｏｒｒである。２７ＭＨｚで１４００ワットの電力が供給される。２ＭＨｚで１８００ワットの電力が供給される。５００ｓｃｃｍのＡｒと、１５０ｓｃｃｍのＮ2と、７ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と、５ｓｃｃｍのＣＨ2Ｆ2と、１００ｓｃｃｍのＣＯとを含むエッチングガス流が供給され、オーバエッチングのために、プラズマに変換される。
上述のように、８秒間の蒸着を行った後に、５５秒間の主エッチングを行う本発明のエッチングと、同じエッチング処理を用いて、６７秒間の主エッチングを行う対照エッチングとを比較した。本発明のエッチングでは、ウエハの中央部においては６５９Åのエッチング深さ、ウエハの縁部においては６６３Åのエッチング深さ、ウエハ縁部から３ｍｍの位置では６７２Åのエッチング深さ、を有する形状が形成された。対照エッチングでは、ウエハの中央部においては６０８Åのエッチング深さ、ウエハの縁部においては５８０Åのエッチング深さ、ウエハ縁部から３ｍｍの位置では５５５Åのエッチング深さ、を有する形状が形成された。本発明のエッチングは、対照エッチングの方がエッチング時間が長いにもかかわらず、対照エッチングよりも約１２％深い形状を形成することに注意されたい。さらに、中央部のエッチング深さと、縁部から３ｍｍの位置でのエッチング深さとの差が、本発明のエッチングでは、対照エッチングよりも小さいことに注意されたい。また、対照エッチングと本発明のエッチングとの比較により、本発明のエッチングでは、ウエハ縁部から３ｍｍの位置の形状の湾曲が低減されていることがわかった。
酸素と、炭素および水素を含有する種のガスとの流量比は、０：１００から１：１の間であることが好ましい。したがって、一部の実施形態では、蒸着ガスの中に酸素が存在しないため、蒸着の間に酸素が存在しない。酸素と、炭素および水素を含有する種のガスとの流量比は、０：１００から１：２の間であることが、より好ましい。酸素と、炭素および水素を含有する種のガスとの流量比は、０：１００から１：１０の間であることが、最も好ましい。
炭素対水素の比が低い蒸着ガスでは、ポリマの形成が容易になる。例えば、ＣＨＦ3を用いると１：１の比、ＣＨ2Ｆ2を用いると１：２の比、ＣＨ3Ｆを用いると１：３の比を得ることができる。
別の実施形態では、１９３ｎｍ以下用のフォトレジスト材料を用いてもよい。
周波数の高い方の電源によって供給される電力は、５０から３，０００ワットの間であることが好ましい。周波数が高い方の電源によって供給される電力は、１００から２，０００ワットの間であることが、より好ましい。周波数の高い方の電源によって供給される電力は、５００から１，０００ワットの間であることが、最も好ましい。
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、本発明の範囲内で、様々な代替物、置換物、および等価物が存在する。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、変形物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
Claims (12)
- ウエハに半導体素子を形成する方法であって、
ウエハの上にエッチング層を形成し、
前記エッチング層の上にフォトレジストマスクを形成し、
前記ウエハの外縁付近のみ前記フォトレジストマスクを除去して、前記ウエハの前記外縁付近の前記エッチング層を露出させ、
炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスを供給し、
前記蒸着ガスからプラズマを形成し、
前記ウエハの前記外縁付近の前記露出エッチング層の上にポリマ層を蒸着し、前記ポリマは前記蒸着ガス由来の前記プラズマから形成され、
前記フォトレジストマスクと、前記ウエハの前記外縁付近の前記露出エッチング層に蒸着された前記ポリマとを消費しつつ、前記フォトレジストマスクを介して前記エッチング層をエッチングすることを備える、方法。 - 請求項１に記載の方法は、さらに、
前記ウエハの前記外縁付近の前記フォトレジストマスクを除去した後に、前記ウエハをエッチングチャンバ内に配置することを備え、
前記蒸着ガスの供給、前記蒸着ガスからのプラズマの形成、ポリマ層の蒸着、前記エッチング層のエッチングは、前記エッチングチャンバにおいて、その場で実行され、
前記露出エッチング層に蒸着された前記ポリマ層は、前記ウエハにおけるエッチングの均一性を増大させる、方法。 - 請求項１ないし２のいずれかに記載の方法であって、前記蒸着ガスは、さらに、フッ素を含有する種を備え、前記ポリマ層は、ハイドロフルオロカーボンポリマである、方法。
- 請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、前記ウエハの前記外縁付近のみにおける前記フォトレジストマスクの除去は、湿式剥離を用いて、前記ウエハの前記外縁付近のみ前記フォトレジストマスクを除去することを備える、方法。
- 請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、前記ウエハの前記外縁付近のみにおける前記フォトレジストマスクの除去は、さらに、前記ウエハの前記外縁付近の２ないし３ｍｍの前記フォトレジストマスクのみを除去することを備える、方法。
- 請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、前記蒸着ガスにおける炭素対水素の比は、１：１から１：３の範囲である、方法。
- 請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、前記蒸着ガスは、さらに、酸素を備える、方法。
- 請求項３ないし７のいずれかに記載の方法であって、前記炭素と水素とフッ素とを含有する種は、ハイドロフルオロカーボンである、方法。
- 請求項８に記載の方法であって、前記ハイドロフルオロカーボンは、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、およびＣＨ3Ｆの中の少なくとも１つである、方法。
- 請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、前記エッチング層は、シリコンを備える、方法。
- 請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、前記エッチング層は、酸化シリコン、ＳｉＣ、およびＳｉＣＯＨの中の少なくとも１つを備える、方法。
- 請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法であって、前記蒸着ガスは、さらに、Ａｒ、Ｎ2、およびＣ4Ｆ8を備える、方法。
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| CN103456623A (zh) * | 2012-05-29 | 2013-12-18 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法 |
| CN103000513B (zh) * | 2012-12-19 | 2015-10-28 | 复旦大学 | 一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法 |
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| CN109273358A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-25 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆的侧墙刻蚀方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340207A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| JP2003051443A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-02-21 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
| WO2004034445A2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-04-22 | Lam Research Corporation | A method for plasma etching performance enhancement |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455826A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| TW345681B (en) * | 1996-12-13 | 1998-11-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Method for removing covering layer on the peripheral edge portion of wafer |
| JP3178379B2 (ja) | 1997-07-29 | 2001-06-18 | 住友電装株式会社 | 電気接続箱 |
| US5783482A (en) * | 1997-09-12 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to prevent oxide peeling induced by sog etchback on the wafer edge |
| TW392228B (en) | 1999-01-19 | 2000-06-01 | United Microelectronics Corp | Method for removing photoresist on wafer edge in manufacturing semiconductor devices |
| US6372634B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Plasma etch chemistry and method of improving etch control |
| KR100343286B1 (ko) | 1999-11-05 | 2002-07-15 | 윤종용 | 웨이퍼 가장자리의 결함 요인 처리 방법 |
| KR20010093006A (ko) * | 2000-03-28 | 2001-10-27 | 윤종용 | 웨이퍼 에지 처리 방법 |
| KR100452317B1 (ko) | 2001-07-11 | 2004-10-12 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법 |
| US6746308B1 (en) | 2001-07-11 | 2004-06-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamic lot allocation based upon wafer state characteristics, and system for accomplishing same |
| CN100524642C (zh) * | 2001-12-13 | 2009-08-05 | 应用材料股份有限公司 | 一种半导体器件 |
| KR100442194B1 (ko) | 2002-03-04 | 2004-07-30 | 주식회사 씨싸이언스 | 웨이퍼 건식 식각용 전극 |
| US6936546B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-08-30 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates |
| JP3974465B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | ポリマー除去方法 |
| US6878612B2 (en) | 2002-09-16 | 2005-04-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Self-aligned contact process for semiconductor device |
| US7727892B2 (en) * | 2002-09-25 | 2010-06-01 | Intel Corporation | Method and apparatus for forming metal-metal oxide etch stop/barrier for integrated circuit interconnects |
| KR20040055685A (ko) * | 2002-12-20 | 2004-06-26 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전자 디바이스 제조 |
| US7247575B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-step EBR process for photoresist removal |
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH11340207A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| JP2003051443A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-02-21 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
| WO2004034445A2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-04-22 | Lam Research Corporation | A method for plasma etching performance enhancement |
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