JP2008511921A - 高電力効率のメモリ及びカード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリは、無接続ピンを介して外部電圧を供給する外部機器、又は標準的な機器として使用可能なものの有無を検出し、この検出結果に基づいて内部電圧ポンプの構成を変更させる内部検出機構を備える。本実施形態により、システムにおける他の電源の利用可能性に応じて、又は、インダクタなど利用可能な機器に応じてカードの電力消費を減少させ、内部電圧をより効率的に供給する。
【選択図】図1
Description
本発明の各種実施形態は、無接続ピンを介して外部電圧を供給する外部機器、又は標準的な機器として使用可能なものの有無を検出し、この検出結果に基づいて内部電圧ポンプの構成を変更させる内部検出機構を備えるメモリを有する。本実施形態により、システムにおける他の電源の利用可能性に応じて、又は、インダクタなど利用可能な機器に応じてカードの電力消費を減少させ、内部電圧をより効率的に供給する。
Claims (41)
- スタンドアロン型のメモリデバイスであって、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記内部電圧ポンプに電圧を印加する外部機器の有無を検出する検出機構と、
を備えるメモリデバイス。 - 請求項1記載のメモリデバイスにおいて、
前記検出機構は、
業界標準のピン配置において無接続ピンである接続ピンと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されていないとき、前記内部電圧ポンプに対する前記内部電源電圧を通過させるn型の第1トランジスタゲートと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されているとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧を通過させるp型の第2トランジスタゲートと、
を有することを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項2記載のメモリデバイスにおいて、
前記第2トランジスタゲートは、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧が前記内部電源電圧を越えたとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧のみを通過させる
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項2記載のメモリデバイスにおいて、
前記接続ピンと前記第1及び第2トランジスタゲートとの間に接続されたプルダウン抵抗をさらに有する
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項1記載のメモリデバイスにおいて、
前記検出機構は、業界標準のピン配置においてそれぞれが無接続ピンである検出ピン及び供給ピンを備え、
前記検出ピンは、イネーブル信号を受信可能であり、
前記供給ピンは、外部電圧機器に接続可能であり、
前記イネーブル信号は、前記内部電源電圧又は前記第2供給ピンに接続された外部機器を用いるかどうかを示す
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項5記載のメモリデバイスにおいて、
前記外部機器は、電圧供給手段又はインダクタである
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項1記載のメモリデバイスにおいて、
前記検出機構は、業界標準のピン配置においてそれぞれが無接続ピンである第1外部機器用ピン及び第2外部機器用ピンを備え、
前記第1外部機器用ピンは、外部電圧機器に接続可能であり、且つ前記第2外部機器用ピンは、外部インダクタに接続可能であることで、前記外部電圧機器及び前記外部インダクタの一方又は両方を用いて前記内部電圧ポンプを作動させる
ことを特徴とするメモリデバイス。 - スタンドアロン型のメモリカードであって、
前記メモリカードを用いる機器に前記メモリカードを接続させる複数のピンと、
前記メモリカードに設けられたメモリデバイスと、
を有し、
前記メモリデバイスは、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記内部電圧ポンプに電圧を印加する外部機器の有無を検出する検出機構と、
を備えるメモリカード。 - 請求項8記載のメモリカードにおいて、
前記検出機構は、
接続ピンと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されていないとき、前記内部電圧ポンプに対する前記内部電源電圧を通過させるn型の第1トランジスタゲートと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されているとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧を通過させるp型の第2トランジスタゲートと、
を有することを特徴とするメモリカード。 - 請求項9記載のメモリカードにおいて、
前記第2トランジスタゲートは、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧が前記内部電源電圧を越えたとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧のみを通過させる
ことを特徴とするメモリカード。 - 請求項9記載のメモリカードにおいて、
前記接続ピンと前記第1及び第2トランジスタゲートとの間に接続されたプルダウン抵抗をさらに有する
ことを特徴とするメモリカード。 - 請求項8記載のメモリカードにおいて、
前記検出機構は、検出ピン及び供給ピンを備え、
前記検出ピンは、イネーブル信号を受信可能であり、
前記供給ピンは、外部電圧機器に接続可能であり、
前記イネーブル信号は、前記内部電源電圧又は前記第2供給ピンに接続された外部機器を用いるかどうかを示す
ことを特徴とするメモリカード。 - 請求項12記載のメモリカードにおいて、
前記外部機器は、電圧供給手段又はインダクタである
ことを特徴とするメモリカード。 - メモリデバイスであって、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
業界標準のピン配置構成と実質的に同様のピン配置構成と、
前記業界標準のピン配置構成において無接続ピンである前記メモリデバイスの接続ピンに接続され、前記内部電圧ポンプに前記内部電源電圧を印加すべきか否か、又は外部機器を使用して前記内部電圧ポンプに外部電源電圧を印加すべきか否かを検出する検出回路と、
を備えるメモリデバイス。 - 請求項14記載のメモリデバイスにおいて、
前記検出回路は、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されていないとき、前記内部電圧ポンプに対する前記内部電源電圧を通過させるn型の第1トランジスタゲートと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されているとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧を通過させるp型の第2トランジスタゲートと、
を有することを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項15記載のメモリデバイスにおいて、
前記第2トランジスタゲートは、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧が前記内部電源電圧を越えたとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧のみを通過させる
ことを特徴とするメモリデバイス。 - プロセッサと、
前記プロセッサに接続され、前記プロセッサから供給されるデータを記憶し、前記プロセッサにデータを供給するスタンドアロン型のメモリと、
を有する処理システムであって、
前記メモリは、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記内部電圧ポンプに電圧を印加する外部機器の有無を検出する検出機構と、
を備える処理システム。 - 請求項17記載の処理システムにおいて、
前記検出機構は、
業界標準のピン配置において無接続ピンである接続ピンと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されていないとき、前記内部電圧ポンプに対する前記内部電源電圧を通過させるn型の第1トランジスタゲートと、
前記接続ピンに接続され、前記接続ピンに外部電圧が接続されているとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧を通過させるp型の第2トランジスタゲートと、
を有することを特徴とする処理システム。 - 請求項18記載の処理システムにおいて、
前記第2トランジスタゲートは、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧が前記内部電源電圧を越えたとき、前記内部電圧ポンプに対する外部電圧のみを通過させる
ことを特徴とする処理システム。 - 請求項18記載の処理システムにおいて、
前記接続ピンと前記第1及び第2トランジスタゲートとの間に接続されたプルダウン抵抗をさらに有する
ことを特徴とする処理システム。 - 請求項17記載の処理システムにおいて、
前記検出機構は、検出ピン及び供給ピンを備え、
前記検出ピンは、イネーブル信号を受信可能であり、
前記供給ピンは、外部電圧機器に接続可能であり、
前記イネーブル信号は、前記内部電源電圧又は前記第2供給ピンに接続された外部機器を用いるかどうかを示す
ことを特徴とする処理システム。 - 請求項21記載の処理システムにおいて、
前記外部機器は、電圧供給手段又はインダクタである
ことを特徴とする処理システム。 - スタンドアロン型のメモリデバイスであって、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
業界標準のピン配置と実質的に同様のピン配置においてそれぞれが無接続ピンである第1接続ピン及び第2接続ピンと、
を備え、
前記第1接続ピンは、外部電圧機器に接続可能であり、且つ前記第2接続ピンは、外部インダクタに接続可能であることで、前記外部電圧機器及び前記外部インダクタの一方又は両方を用いて前記内部電圧ポンプを作動させる
ことを特徴とするメモリデバイス。 - デュアルモード・スタンドアロン型のメモリカードを動作させるメモリカード動作方法であって、
内部ポンプを作動させる外部電力が供給されていないとき、内部電源電圧を前記内部ポンプに接続する通常電力モードで動作させるステップと、
業界標準のピン配置と実質的に同様のピン配置において無接続ピンであるピンに外部機器が接続されているとき、前記内部ポンプを作動させる高電力効率モードで動作させるステップと、
を有するメモリカード動作方法。 - 請求項24記載のメモリカード動作方法において、
前記高電力効率モードで動作させるステップは、
前記外部機器がインダクタ又は外部電圧供給手段であるか否かを判定するステップと、
前記インダクタが前記外部機器であるとき、前記内部ポンプの代わりに前記インダクタにより動作させるステップと、
前記外部電圧供給手段が前記外部機器であるとき、前記外部電圧供給手段を用いて前記内部ポンプを作動させるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項24記載のメモリカード動作方法において、
外部電圧が印加されていることを判定するステップと、
前記外部電圧が印加されていると判定したとき、前記外部電圧に切り替えるステップと、
をさらに有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項26記載のメモリカード動作方法において、
前記外部電圧が印加されていることを判定するステップは、
前記内部電源電圧及び前記外部電圧のいずれを用いて前記メモリデバイスの内部ポンプを作動させるかを示すコマンドをメモリコントローラから受信するステップと、
前記コマンドに示された電圧供給手段から前記内部ポンプを作動させるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項24記載のメモリカード動作方法において、
外部電圧又は内部電圧のいずれを用いるかを検出回路を用いて検出するステップをさらに有する
ことを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項28記載のメモリカード動作方法において、
前記検出回路を用いて検出するステップは、
接続ピンの電圧レベルを監視するステップと、
前記接続ピンの電圧が、内部電源電圧を越えたとき、前記通常処理モードから切り替えるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項28記載のメモリカード動作方法において、
前記検出回路を用いて検出するステップは、
イネーブルピンを監視するステップと、
前記イネーブルピンへの信号により前記高電力効率モードが可能となったとき、供給ピンに接続された外部機器からの処理に切り替えるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項30記載のメモリカード動作方法において、
前記外部機器からの処理に切り替えるステップは、
外部電圧が、インダクタ又は外部供給手段のいずれであるかを判定するステップと、
前記インダクタが前記外部機器であるとき、前記内部ポンプの代わりに前記インダクタにより動作させるステップと、
前記外部供給手段が前記外部機器であるとき、前記外部供給手段から前記内部ポンプを作動させるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - デュアルモード・スタンドアロン型のメモリカードを動作させるメモリカード動作方法であって、
内部ポンプを作動させる外部電力が供給されていないとき、内部電源電圧を前記内部ポンプに接続する通常電力モードで動作させるステップと、
業界標準のピン配置と実質的に同様のピン配置においてそれぞれが無接続ピンである2本のピンの少なくとも一方に外部機器が接続されているとき、前記内部ポンプを作動させる高電力効率モードに切り替えるステップと、
を有するメモリカード動作方法。 - 請求項32記載のメモリカード動作方法において、
前記高電力効率モードに切り替えるステップは、
外部機器が前記第1ピン、前記第2ピン又はその両方に接続されているか否かを判定するステップと、
外部機器が、前記第1ピン又は前記第2ピンの一方に接続されているとき、接続されている外部ピンから動作させるステップと、
外部機器が、前記第1ピン及び前記第2ピンのそれぞれに接続されているとき、前記外部機器の両方から動作させるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - メモリデバイスを動作させるメモリデバイス動作方法であって、
複数の電圧供給手段のうちいずれを用いて前記メモリデバイスの高電力効率モードで動作させるかを示すコマンドをメモリコントローラから受信するステップと、
前記コマンドに示された電圧供給手段を用いる前記高電力効率モードに従って、前記内部ポンプを作動させるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項34記載のメモリカード動作方法において、
前記高電力効率モードで動作させるステップは、
前記コマンドに示された電圧供給手段が、内部高電圧供給手段であるか又は外部機器であるかを判定するステップと、
前記コマンドに示された電圧供給手段が、前記内部高電圧供給手段であるとき、前記内部高電圧供給手段を用いて前記内部ポンプに電圧を印加するステップと、
前記外部機器が、前記コマンドに示された電圧供給手段であるとき、前記外部機器を用いるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - 請求項35記載のメモリカード動作方法において、
前記外部機器を用いるステップは、
前記外部機器が、インダクタであるか又は外部電圧供給手段であるか否かを判定するステップと、
前記インダクタが前記外部機器であるとき、前記内部ポンプの代わりに前記インダクタから動作させるステップと、
前記外部電圧供給手段が前記外部機器であるとき、前記外部電圧供給手段を用いて前記内部ポンプを作動させるステップと、
を有することを特徴とするメモリカード動作方法。 - メモリデバイスであって、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記内部電圧ポンプに電圧を印加する外部機器の有無を検出する検出機構と、
を備えるメモリデバイス。 - メモリカードであって、
前記メモリカードを用いる機器に前記メモリカードを接続させる複数のピンと、
前記メモリカードに設けられたメモリデバイスと、
を有し、
前記メモリデバイスは、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記内部電圧ポンプに電圧を印加する外部機器の有無を検出する検出機構と、
を備えることを特徴とするメモリカード。 - メモリデバイスであって、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記メモリデバイスの接続ピンに接続され、前記内部電圧ポンプに前記内部電源電圧を印加すべきか否か、又は外部機器を用いて前記内部電圧ポンプに外部電源電圧を印加すべきか否かを検出する検出回路と、
を備えるメモリデバイス。 - プロセッサと、
前記プロセッサに接続され、前記プロセッサから供給されるデータを記憶し、前記プロセッサにデータを供給するメモリと、
を有する処理システムであって、
前記メモリは、
メモリセルのアレイと、
前記メモリセルに対する読出し処理、書込み処理及び消去処理を行う制御回路と、
アドレス入力端子に供給されたアドレス信号をラッチするアドレス回路と、
前記メモリデバイスにおける内部電源電圧よりも高い電圧を供給する内部電圧ポンプと、
前記内部電圧ポンプに電圧を印加する外部機器の有無を検出する検出機構と、
を備える処理システム。 - デュアルモード型のメモリカードを動作させるメモリカード動作方法であって、
内部ポンプを作動させる外部電力が供給されていないとき、内部電源電圧を前記内部ポンプに接続する通常電力モードで動作させるステップと、
前記内部ポンプを作動させる外部機器が接続されているとき、高電力効率モードで動作させるステップと、
を有するメモリカード動作方法。
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