JP2001189091A - チャージポンプ型電圧ブースタ回路 - Google Patents

チャージポンプ型電圧ブースタ回路

Info

Publication number
JP2001189091A
JP2001189091A JP2000323380A JP2000323380A JP2001189091A JP 2001189091 A JP2001189091 A JP 2001189091A JP 2000323380 A JP2000323380 A JP 2000323380A JP 2000323380 A JP2000323380 A JP 2000323380A JP 2001189091 A JP2001189091 A JP 2001189091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
power supply
signal
input terminal
selection switching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000323380A
Other languages
English (en)
Inventor
Mohamad Chehadi
シェハディ モハマド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Publication of JP2001189091A publication Critical patent/JP2001189091A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0701Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management
    • G06K19/0713Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management the arrangement including a power charge pump
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/142Contactless power supplies, e.g. RF, induction, or IR

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 無線で電力を受ける電源に関し、少ないエネ
ルギーで高い電圧を発生させる。 【解決手段】集積回路カードが無線周波数信号SRの形で
電力を受け、第1電源電圧Vccを発生する電圧レギュレー
タ210、230を備える。このカードがさらに第1電
源電圧(Vcc)を第1電源入力端子231で、第1電源電圧V
ccより高い第2の電源電圧を第2の電源入力端子232
で受ける、高電圧HVを発生する電圧ブースター回路23
2を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、回路に電力を供給
する低い電源電圧より高い電圧を発生させる必要がある
電子回路に関するものである。本発明は特に、チップカ
ードに用いられるチャージポンプ型電圧ブースター回路
に適用できる。
【0002】
【従来の技術】低い電源電圧よりも高い電圧を使用する
回路の典型的な適用例は、フローティングゲートトラン
ジスタを用いる不揮発性メモリを備える集積回路のもの
である。この集積回路では、メモリをプログラムするお
よび/または消去するのに高電圧が必要である。このメ
モリのプログラムおよび/または消去には、実際に、例
えば約3Vである低電源電圧Vccよりかなり高い、約1
8Vのプログラムまたは消去電圧を必要とする。ユーザ
ーが18Vもの高電圧を供給せずにメモリを使用できる
ようにするため、この集積回路は、低電源電圧Vccから
高電圧を発生させる内部手段を有するように設計されて
いる。このために、原理が「チャージポンプ」に基づく
電圧ブースター回路を使用するのが一般的である。
【0003】図1aは、N個の直列接続の基本セルCE1
〜CENを一組備える、知られているチャージポンプ構造
の概念図を示す。各基本セルは2つの入力端子E1および
E2と、2つの出力端子S1およびS2と、のクロック入力端
子CK1およびCK2とを有する。高電圧HVはN番目の基本セ
ルの出力端子S1から出力される。基本セルCE1〜CENのク
ロック入力端子CK1とCK2は交互に、クロック信号OSCか
ら制御回路130が発生した4つの選択切替信号FN1、F
N2、FX1およびFX2を受ける。制御回路130は回路の電
源電圧Vccから電力を供給される。発振器140は、電
源電圧Vccからクロック信号OSCを発生させる。発振器
は、知られている方法でインバータとフィルターから作
られる。しかし、周波数安定発振器を得るのは難しい。
【0004】図1bに示されたチャージポンプの基本セ
ルCEは、2つのトランジスタTaおよびTbと、2つのコン
デンサCaおよびCbとを有する。コンデンサCaの一方の端
子、トランジスタTaのドレインおよびトランジスタTbの
ドレインは、共に入力端子E1に接続されている。同様
に、トランジスタTaの制御ゲート、トランジスタTbのソ
ースおよびコンデンサCbの一方の端子は、共に入力端子
E2に接続されている。トランジスタTaのソースおよびト
ランジスタTbの制御ゲートはそれぞれ、出力端子S1およ
びS2に接続されている。最後に、コンデンサCaのもう一
方の端子およびコンデンサCbのもう一方の端子はそれぞ
れ、クロック入力端子CK1とCK2に接続されている。実際
には、コンデンサCaおよびCbはトランジスタから作られ
ていて、このトランジスタの制御ゲートがこれらのコン
デンサの一方の端子に対応し、ドレインとソースが接続
されてこれらのコンデンサのもう一方の端子に対応して
いる。
【0005】選択切替信号FN1、FN2、FX1およびFX2は、
図1cに示される。第1および第3の選択切替信号FN1
およびFX1は、2つの相補的選択切替信号で、高レベル
の状態が重複しない。これらの信号は、実質的に0と第
1の電圧レベルVAである、2つの値を切り替える。高レ
ベルの状態が重複しない第2のおよび第4の選択切替信
号FN2およびFX2は、第1のおよび第3の選択切替信号FN
1、FX1とそれぞれ同期する信号である。これらの信号
は、実質的に0と第2の電圧レベルVBである、2つの値
を切り替える。選択切替信号FN1とFN2が最初にVAとVBで
あり、選択切替信号FX1とFX2が最初に0Vであると仮定
すると、選択切替信号FN1、FN2、FX1およびFX2は下記の
ようになる: a)信号FN2が0Vへ下降すると、信号FN1が0Vに下降
し、 b)信号FN1の0Vへ下降すると、信号FX1がVAに上昇し、 c)信号FX1のVAへ上昇すると、信号FX2がVBに上昇する
が、これは一定時間の後に0Vに戻り、 d)信号FX1の0Vへ下降すると、信号FN1がVAに上昇し、 e)信号FN1のVAへ上昇すると、信号FN2がVBに上昇する。
【0006】得られる高電圧HVに関して、チャージポン
プの作動時間および損失と、電圧HVを生じるために消費
する全エネルギーは、主に基本セルの数N、電源電圧Vc
c、使用するトランジスタTa、Tbの閾値電圧VTおよび電
圧レベルVA、VBに依存する。使用する基本セルの数を増
加し過ぎないで、十分に高い電圧HVを得るために、電源
電圧Vccに等しい電圧レベルVAと、できるだけ高い電圧
レベルVBを選択するのが一般的である(VBは中でも、基
本セルの数NとトランジスタTA、TBに入力できる最大電
圧に依存する)。VBの値は、トランジスタのゲート酸化
物を壊さないように制限しなくてはならない。しかし実
際には制御回路は電源電圧Vccの2倍より高い電圧レベ
ルVBを出力しない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】チャージポンプの全エ
ネルギー消費量の問題は特に、全エネルギーがカード読
み取り機によって無線周波数信号の形で離れたところか
ら与えられる、非接触式アプリケーションとして知られ
ているアプリケーションに致命的である。カードで受け
るエネルギーは限られており、読み取り機とカードの距
離が増すと大きく減少する。カードを読み取り機から適
度な距離で使用しようとすると、非接触式アプリケーシ
ョンで使用するチャージポンプ型電圧ブースターの全エ
ネルギー消費量を制限しなければならない。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的のため本発明
は、無線周波数信号の形で電力を受け、第1の電源電圧
を発生する電圧レギュレータを備える集積回路カード
で、このカードがさらに第1の電源電圧を第1の電源入
力端子で、第1の電源電圧より高い第2のの電源電圧を
第2のの電源入力端子で受ける、高電圧を発生する電圧
ブースター回路を備えるものを提案する。
【0009】一実施例では、電圧レギュレータは、無線
周波数信号を受け、出力端子で整流電圧を発生する検波
および整流回路と、電源入力端子でこの整流電圧を受
け、第1の電源電圧を発生する第1のレギュレータを備
え、電圧ブースター回路の第2のの電源入力端子が第1
のレギュレータの電源入力端子と接続され、第2のの電
源電圧が整流電圧に等しくなっている。
【0010】他の実施例では、集積回路カードが無線周
波数信号を受け、出力端子で整流電圧を供給する検波お
よび整流回路と、第1の電源電圧を発生する第1のレギ
ュレータとを備える。集積回路カードはまた、整流電圧
を受けるため検波および整流回路の出力端子に接続され
る入力端子と、第1のレギュレータの電力入力端子に接
続される出力端子を有する第2ののレギュレータを備え
る。第2のレギュレータは整流電圧を受け、第2の電源
電圧を発生し、第1のレギュレータは第2の電源電圧を
受け、第1の電源電圧を発生する。
【0011】電圧ブースター回路が、少なくとも一対の
選択切替信号を発生する制御回路を備えるのが好まし
く、第1の選択切替信号はゼロ電圧と第1の電圧レベル
間を振動し、第2のの選択切替信号はゼロ電圧と第2の
の電圧レベル間を振動する。制御回路は第1および第2
の電源電圧を受ける。第1および第2の電圧レベルはそ
れぞれ第1のおよび第2の電源電圧から得られる。
【0012】一実施例によると、電圧ブースター回路は
さらに、高電圧発生用のN個の直列接続の基本セルを備
え、このN個の基本セルは前記の少なくとも一対の選択
切替信号に制御される。さらに好ましくは、制御回路
が:クロック信号および第1の電源電圧を受け、第1の
選択切替信号を発生する位相分離回路と、第1の選択切
替信号と第1および第2の電源電圧を受け、第1の選択
切替信号のレベルを上昇させて第2の選択切替信号を発
生する少なくとも1つの昇圧回路とを備える。
【0013】電圧ブースター回路の一実施例では、位相
分離回路が第1の選択切替信号の論理状態を表す少なく
とも1つの論理信号を発生する。基本セルは、少なくと
も一対の選択切替信号によってか、第1の選択切替信号
と前記の少なくとも1つの論理信号とによってか、いず
れかで駆動される。最後に、好ましくは集積回路カード
が無線周波数信号を受け、クロック信号を発生させるク
ロック信号発生器を備える。
【0014】本発明は、2つの異なる電源電圧を1つの
チャージポンプに供給して使用することを提案するが、
このチャージポンプは概してより短時間に、より少ない
エネルギーしか消費しない。実際に、本発明では一方が
他方より高い2つの電源電圧を使用して選択切替信号が
達する電圧レベルを上昇させ、その結果チャージポンプ
の基本セルのトランジスタのゲートに印加される電圧を
上昇させる。望ましい高電圧HVがより高速に得られ、全
エネルギー消費量が減少する。基本セルの数を減少する
こともおそらく可能で、これに対応して電圧ブースター
回路のシリコン表面積の全体の大きさが減少する。さら
に、2つの電源電圧を用いることで、チャージポンプが
消費する電力がこれを発生する2つの電圧源に分散され
る。このことによって、これらの電圧源のいずれかが破
壊される危険が制限される。
【0015】本発明は、カードで受ける単一の無線周波
数信号から2つの電圧を得るのが容易な集積回路カード
に特に有用である。特に、読み取り機から約50cmの
チップカードに対し、約3Vの電源電圧Vccで、現在の
解決法を用いると、チャージポンプは、約18Vの高電
圧HVを出力するため約50マイクロ秒間エネルギーを消
費する。本発明のチャージポンプは、例えば一方が3V
供給、他方が5V供給である2つの電源電圧を用いて、
約18Vの高電圧HVに対してたった10マイクロ秒間し
かエネルギーを消費せず、しかも読み取り機とチップカ
ードの距離を小さくしない。
【0016】本発明の他の利点は、クロック信号を出力
するのに一般的に用いられる発振器を使用しないことに
ある。このために、本発明は、カードで受ける周波数f
0の無線周波数信号から、周波数f=f0/p(pは整
数である)のクロック信号を発生するクロック信号発生
器を用いる。一般に、周波数f0は13.56MHzであ
る。この種のクロック信号発生器は、カードが受ける無
線周波数信号の周波数f0が安定している限り、周波数
が特に安定したクロック信号を発生させるという利点を
有する。この方法により、一般的に用いられる発振器の
周波数安定性の問題が解消される。この場合、チャージ
ポンプの回路はもはや、種々の周波数のクロック信号を
受けられるような大きさにしなくてもよい。これによっ
て、チャージポンプの全体の寸法(シリコン表面積に関
して)が小さくなる。さらに、この種のクロック信号発
生器を用いて、1より大きい、例えば8である数p(周
波数f=1.7MHzのクロック信号を出力する)を選択
することによってクロック信号の周波数を下げることが
可能である。このことにより、チャージポンプの全エネ
ルギー消費量が減少する。
【0017】本発明は、添付図面を参照にした下記説明
で明確に理解され、他の特性および利点が明らかになる
であろう。図1a〜1cは、従来技術の状態に対応するも
のであり、前記に説明されている。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の集積回路カードを図2に
示し。このカードは検波および整流回路210、第1の
レギュレータ220、電圧ブースター回路230および
第2のレギュレータ240を備える。検波および整流回
路210は無線周波数信号SRを受け、整流電圧VRを出力
端子211で出力する。この回路は知られている概略図
に従って作られ、特に無線周波数信号SRを受けるアンテ
ナと整流電圧VRを出力するダイオードブリッジを備え
る。検波および整流回路はその動作を改善するフィルタ
ーを備えていてもよい。
【0019】チャージポンプ型回路である電圧ブースタ
ー回路230は、第1および第2の電源電圧Vcc、Vddが
印加される2つの電源入力端子231、232を備え
る。この回路はまた、クロック信号OSCが印加されるク
ロック入力233を備え、出力端子234で高電圧HVを
出力する。第1のレギュレータ220は、それぞれ電源
入力端子232と231に接続される入力端子221お
よび出力端子222を備える。第1のレギュレータ22
0は知られている概略図に従って作製される。このレギ
ュレータは特に、その出力端子222で出力する第1の
電源電圧Vcc(例えば3Vで)を調整する電圧検出器お
よびフィルターを備える。
【0020】第2ののレギュレータ240は、整流電圧
VRを受けるため、出力端子211に接続された入力端子
と、入力端子221に接続された出力端子を備える。第
2ののレギュレータ240は、第1のレギュレータ22
0に類似の方法で知られている概略図に従って作製され
る。第2ののレギュレータは、例えば4.5Vに等しい
安定した第2のの電源電圧Vddを出力する。第2ののレ
ギュレータ240は、本発明の動作に不可欠ではない
が、これを大きく改善するものである。実際、安定した
第1の電源電圧Vccと整流電圧VRに等しい第2のの電源
電圧Vddを用いて電圧ブースター回路230に給電する
ことが可能である。しかし、特に非接触性カードアプリ
ケーションについては、読み取り機とカードの距離によ
って整流電圧VRの電圧レベルが大きく変化する。この場
合、整流電圧VRの変化に耐えられるように電圧ブースタ
ー回路230の素子を大きくすることが必要である。こ
うした制約を避けるため、安定した第2の電源電圧VDD
を出力する第2の電圧レギュレータ240を使用するの
が好ましい。
【0021】本発明の電圧ブースター回路230は、図
3に示されるようにチャージポンプである。つまりこの
回路は、N個のカスケード接続の基本セルCE1〜CENを備
え、各基本セルは図1bのものと同一で、2つの入力端
子E1とE2、2つの出力端子S1とS2および2つのクロック
入力端子CK1とCK2を備える。基本セルCE2〜CENの入力端
子E1とE2は、基本セルCE1〜CEN-1の出力端子S1とS2に共
に接続されている。
【0022】図3のチャージポンプもまた、入力回路3
10、出力回路320、制御回路330および発振器3
40を備える。入力回路310は、第2の電源電圧Vdd
を受けるため電圧ブースター回路230の電源入力端子
232に接続されている電源入力端子311、クロック
入力端子312および出力端子313を備える。入力回
路310は、ドレインが共に電源入力端子311に接続
され、ソースが共に出力端子313に接続される2つの
トランジスタ315と316を備える。トランジスタ3
15の制御ゲートはそのドレインを介して接続され、ダ
イオードを形成し、トランジスタ316の制御ゲートは
クロック入力端子312に接続されている。トランジス
タ315と316で形成されるユニットは、クロック入
力端子312で受ける信号によって制御されるCMOS
スイッチを形成する。基本セルCE1の入力端子E1とE2
は、共に入力回路310の出力端子313に接続され
る。
【0023】出力回路320は、それぞれ基本セルCEN
の出力端子S1とS2に接続される2つの入力端子321と
322を有し、電源入力端子323が、第2の電源電圧
Vddを受けるため、電圧ブースター回路230の電力入
力端子232に接続されている。また、クロック入力端
子324および出力端子325を有し、出力端子325
から高電圧HVを出力する。出力回路320はトランジス
タ326と2つのコンデンサ327、328を備える。
トランジスタ326のドレインおよび制御ゲートは、共
に出力回路320の入力端子321と出力端子325に
接続される。トランジスタ326のソースはコンデンサ
327の端子および入力端子322に接続されている。
コンデンサ327のもう一方の端子はクロック入力端子
324に接続されている。コンデンサ328の一方の端
子はトランジスタ326のドレインに接続され、もう一
方の端子は電源入力端子323に接続されている。
【0024】制御回路330は、クロック信号OSCが印
加されるクロック入力端子と、第1および第2の電源電
圧Vcc、Vddがそれぞれ印加される入力端子231と23
2にそれぞれ接続される2つの電源入力端子332と3
33を備える。6つのクロック出力端子334〜339
で、制御回路330が4つの選択切替信号FN、FBN、F
X、FBXおよび選択切替信号FN、FXの論理状態を表す2つ
の論理信号POL1N、POL2Nを発生する。発振器340は、
電源電圧Vccが印加される入力端子とクロック信号OSCを
出力するため制御回路の入力端子331に接続されてい
る出力端子を備える。
【0025】1〜mの間の奇数番目の基本セルのクロッ
ク入力端子CK1とCK2は、選択切替信号FNとFBNを受ける
ため、制御回路330のクロック出力端子334と33
5に接続される。偶数番目の基本セルのクロック入力端
子CK1とCK2は、選択切替信号FXとFBXを受けるため、制
御回路330のクロック出力端子336と337に接続
される。m+1〜N間の奇数番目の基本セルのクロック
入力端子CK1とCK2はそれぞれ、インバータINV1を用いて
制御回路330のクロック出力端子338と、制御回路
330のクロック出力端子335に接続される。m+1
〜N間の奇数番目の基本セルのクロック入力端子CK1
は、インバータINV1で反転した論理信号POL1nを受け
る。同じ部分のクロック入力端子CK2は、選択切替信号F
BNを受ける。
【0026】最後に、m+1〜N間の偶数番目の基本セ
ルのクロック入力端子CK1とCK2はそれぞれ、インバータ
INV2を用いて制御回路330のクロック出力端子339
と、制御回路330のクロック出力端子337に接続さ
れる。m+1〜N間の偶数番目の基本セルのクロック入
力端子CK1は、インバータINV2で反転した論理信号POL2N
を受ける。同じ部分のクロック入力端子CK2は、選択切
替信号FBXを受ける。前記に説明した図3の実施例で、
mは偶数整数として選択されている。偶数番号のmの順
位の基本セルCEmは、そのクロック入力端子CK1とCK2で
信号FXとFBXを受ける。しかし、図3は本発明の非制限
実施例であり、特にmは奇数が選択されてもよい。この
場合、奇数番号のmの順位のセルCEmは、そのクロック
入力端子CK1とCK2で信号FNとFBNを受ける。
【0027】選択切替信号FNとFXは図1cの信号FN1とFX
1と同一である。この信号は高レベル状態が重複せず相
補的で、0と第1の電源電圧Vccに等しい第1の電圧レ
ベルVAである2つの値のスイッチである。本発明では、
選択切替信号FBNとFBXは、それぞれ選択切替信号FNとFX
に同期する2つの信号であり、0と第2の電圧レベルVB
である2つの値の切り替えは、第2の電源電圧Vddが第
1の電源電圧Vccより高い時、一例では、電源電圧Vddの
2倍に等しい。
【0028】図4では、制御回路330が1つの位相分
離回路410と2つの昇圧回路420および430を備
える。位相分離回路410は、クロック信号OSCを受
けるクロック入力端子331に接続された入力端子41
1と、選択切替信号FNおよびFXと4つの論理信号POL1、
POL2、POL1N、POL2Nとを出力する出力端子413〜41
8とを備える。信号POL1とPOL1Nは選択切替信号Fnの論
理状態を表し、信号POL2とPOL2Nは選択切替信号FXの論
理状態を表す。位相分離回路410の出力端子417と
418は、制御回路330の出力端子338と339に
接続される。
【0029】第1の昇圧回路420は、それぞれ電源入
力端子332と333に接続された2つの電源入力端子
421および422と、信号POL1、POL1NおよびFNを受
ける、それぞれ位相分離回路410の出力端子415、
417および413に接続された3つの入力端子42
3、424および425とを有する。第1の昇圧回路4
20は、制御回路330の出力端子335に接続された
出力端子426で選択切替信号FBNを発生する。
【0030】同様に、第2の昇圧回路430は、それぞ
れ電源入力端子332と333に接続された2つの電源
入力端子431および432と、それぞれが信号POL2、
POL2NおよびFXを受ける、それぞれ位相分離回路410
の出力端子416、418および414に接続された3
つの入力端子433、434および435とを有する。
第2の昇圧回路430は、制御回路330の出力端子3
37に接続された出力端子436で選択切替信号FBXを
発生する。
【0031】位相分離回路410は、図5によると、そ
れぞれが2つの入力端子と1つの出力端子を有する、例
えばNAND型ゲートである2つの論理ゲートP1とP2を有す
る。論理ゲートP1の入力端子はそれぞれ、クロック信号
OSCを受ける入力端子411と位相分離回路410の出
力端子414に接続される。論理ゲートP1の出力端子
は、信号POL1を出力する出力端子415と、別の端子が
制御回路330のアース電位に接続されるコンデンサC1
の端子に接続される。
【0032】同様に、論理ゲートP2の入力端子はそれぞ
れ、インバータI0により入力端子411と位相分離回路
410の出力端子413とに接続されている。論理ゲー
トP2の出力端子は、信号POL2を出力する出力端子416
と、別の端子が制御回路330のアース電位に接続され
ているコンデンサC2の端子に接続される。位相分離回路
410も各々が1個の入力端子と1個の出力端子を有す
る4つのインバータI1〜I4を備える。インバータI3とI4
は、それぞれInv1とInv2に同一になるように選択され
る。
【0033】インバータI1とI3は直列接続で、インバー
タI1の入力端子は論理ゲートP1の出力端子に接続され、
インバータI3の出力端子は位相分離回路410の出力端
子413に接続されて、選択切替信号FNを出力する。イ
ンバータI1の出力端子とインバータI3の入力端子は共
に、位相分離回路410の出力端子417に接続され信
号POL1Nを出力する。図3では、m+1〜N間の奇数番
目の基本セルのクロック入力端子CK1に印加される信
号、すなわちインバータInv1に反転される信号POL1N
は、インバータInv1とI3が同一になるように選択される
と、選択切替信号FNと同一であることがわかる。
【0034】インバータI2とI4は直列接続で、インバー
タI2の入力端子は論理ゲートP2の出力端子に接続され、
インバータI4の出力端子は位相分離回路410の出力端
子414に接続されて、選択切替信号FXを出力する。イ
ンバータI2の出力端子とインバータI4の入力端子は共
に、位相分離回路410の出力端子418に接続され信
号POL2Nを出力する。m+1〜N間の偶数番目の基本セ
ルのクロック入力端子CK2に印加される信号、すなわち
インバータInv2に反転される信号POL2Nは、インバータI
nv2とI4が同一になるように選択されると、選択切替信
号FXと同一であることがわかる。
【0035】第1の昇圧回路420は、図6によると、
遅延回路CR1、2つの論理電圧変換回路(logic voltage
translator circuit)CT1とCT3、2つのトランジスタT
1とT3、1つのコンデンサC3、1つの論理ゲートおよび
1つのインバータI5を備える。図8によると、遅延回路
CR1は、第1電源電圧Vccが印加される電源入力端子A1、
入力端子Eおよび出力端子Sを有する。P型トランジスタT
xのドレインおよびソースはそれぞれ、電源入力端子お
よび抵抗器Rの端子に接続される。トランジスタTyのド
レインおよびソースはそれぞれ抵抗器Rの他の端子と回
路のアース電位に接続される。トランジスタTxの制御ゲ
ートおよびトランジスタTyの制御ゲートは共に遅延回路
CR1の入力端子Eに接続される。コンデンサCの一端子は
回路のアース電位に接続され、その他の端子はトランジ
スタTxのソースと、出力端子が遅延回路CR1の出力端子S
に接続されるインバータIの入力端子とに接続される。
【0036】遅延回路CR1は、以下のように動作する。
その出力端子Sにおいて、この回路は、時間TCRの間、遅
延された入力端子Eに印加される信号を再現する。コン
デンサCのコンデンサンスと抵抗Rの適切な選択により時
間TCRの値が設定される。論理電圧変換回路CT1とCT3は
同一である。これらの回路はそれぞれ制御入力端子IN、
電源電圧Vddが印加される電源入力端子HTINおよび出力
端子OUTを有する。
【0037】電圧変換回路は下記のように動作する。
「0」に等しい論理信号がその制御入力端子INに印加さ
れると、この回路はその出力端子OUTで「0」に等しい
信号を発生する。逆に、「1」に等しい論理信号がその
制御入力端子INに印加されると、この回路はその電源入
力端子HTINで印加される信号のレベルに等しいレベルの
信号を発生する。電圧変換回路CT1およびCT3は、低電圧
の論理信号(例えば高レベル状態で3Vの信号)からより
高電圧(例えば高レベル状態で5V)の論理信号を発生
させることを可能にする。遅延回路CR1の入力端子Eは、
昇圧回路420の入力回路423に接続され、信号POL1
を受け、その電源入力端子A1は入力端子421に接続さ
れ、その出力端子Sは電圧変換回路CT1の制御入力端子IN
に接続される。
【0038】論理ゲートP3は、それぞれ信号FNRを受け
る電圧変換回路CT1の出力端子OUTと信号POL1Nを受ける
昇圧回路420の入力端子424およびインバータI5を
介して昇圧回路420の入力端子425に接続される3
つの入力端子を有する。インバータI5はその出力端子で
信号FNNを出力する。論理ゲートP3はまた、その電源入
力端子HTINが電源電圧Vddを受ける電源入力端子に接続
される電圧変換回路CT3の制御入力端子INに接続される
出力端子を有する。電圧変換回路CT3の出力端子OUTは信
号CMNを出力するトランジスタT1の制御ゲートに接続さ
れる。トランジスタT1のドレインは電源入力端子422
に接続される。そのソースは選択切替信号FBNを出力す
る出力端子426と、第2の端子が電圧変換回路CT1の
出力回路OUTに接続されるコンデンサC3の第1の端子に
接続される。最後に、トランジスタT3のドレインおよび
制御ゲートはそれぞれ昇圧回路420の出力端子および
入力端子に接続され、トランジスタT3のソースは回路の
アース電位に接続される。
【0039】第2の昇圧回路430は第1の昇圧回路4
20に同一で、図7によると、1つの遅延回路CR2、2
つの論理電圧変換回路CT2とCT4、2つのトランジスタT2
とT4、1つのコンデンサC4、1つの論理ゲートP4および
1つのインバータI6を備える。遅延回路CR2は遅延回路C
R1と同一である。同様に、論理電圧変換回路CT1とCT3お
よびこれらの電源入力端子HTINは、共に電源電圧Vddを
受ける入力端子432に接続される。遅延回路CR2の入
力端子Eは、信号POL2を受ける昇圧回路の入力端子43
3に接続される。その電源入力端子A1は、入力端子43
1に接続され、出力端子Sは電圧変換回路CT2の制御入力
端子INに接続される。
【0040】論理ゲートP4は、それぞれ信号FXRを受け
る電圧変換回路CT2の出力端子OUTと、信号POL2Nを受け
る昇圧回路の入力端子434およびインバータI6を介し
て昇圧回路430の入力端子435に接続される。イン
バータI6はその出力端子で信号FXNを出力する。論理ゲ
ートP4はまた、その出力端子OUTが信号CMXを出力するト
ランジスタT2の制御ゲートに接続されている電圧変換回
路CT4の制御入力端子INに接続された出力端子を有す
る。トランジスタT2のドレインは電源入力端子432に
接続される。そのソースは選択切替信号FBXを出力する
出力端子436と、第2の端子が電圧変換回路CT2の出
力端子OUTに接続されているコンデンサC4の第1端子とに
接続される。最後に、トランジスタT4のドレインと制御
ゲートはそれぞれ、昇圧回路430の出力端子436お
よび入力端子434に接続され、トランジスタT4のソー
スは回路のアース電位に接続される。
【0041】ここで制御回路330の動作を回路330
の異なる点における信号の図9a〜9oを参照して説明
する。信号OSC、POL1、POL1N、FN、FNN、POL2、POL2N、
FXおよびFXNは、ゼロ電圧と第1の電源電圧Vcc間で、切
り替えられる論理信号であり、Vccは例えば約3ボルト
である。信号FN4、CMN、FXRおよびCMXは、論理電圧と例
えば約5Vである電源電圧Vdd間で切り替えられる論理
信号である。選択切替信号FBNとFBXでは、ゼロ電圧と約
*Vddである第2の電圧レベルの間で切り替えられる。
【0042】下記実施例に対して、まず信号OSC、POL
1、FN、FNR、CMN、FBN、POL2、FXN、CMXおよびFBXは論
理「0」に等しい、すなわちこれらの信号はゼロに等し
く、信号FX、POL1N、POL2NおよびFNNは論理「1」に等
しい、すなわちこれらの信号は電圧Vccであり、信号FXR
は論理「1」に等しい、すなわちこの信号は電圧Vddで
あることを仮定する。
【0043】また、インバータI1〜I6が同一でわずかな
遅延δを導入し、コンデンサC1とC2が遅延δ1とδ2を導
入することを仮定する。選択切替信号FXの「0」への遷
移は、インバータI6が導入するわずかな遅延δを伴い、
信号FXNの「1」への遷移を導く。同時に、信号POL1
は、コンデンサC1が挿入する遅延δ1を伴い「1」へ遷
移する。信号POL1の「1」への遷移は信号POL1Nの
「0」への遷移、選択切替信号FNの「1」への遷移およ
び選択切替信号FNNの「0」への遷移を導き、信号POL1
N、FNおよびFNNはその状態を毎回インバータI1、I3およ
びI5の存在によるわずかな遅延δを伴い次々に変化させ
る。選択切替信号FXの「0」への遷移は、コンデンサC1
およびインバータI1とI3による遅延Δ1=δ1+2*δを
伴い、信号FNの「1」への遷移を導く。
【0044】信号FN4とPOL1Nがゼロであるので、信号FN
Nの「0」への遷移は、ゲートP3の出力端子の状態の変
化および電圧変換回路CT3を用いた信号CMNの「1」への
遷移を導く。信号CMNは電圧Vddとなり、トランジスタT1
をオンにし、このため選択切替信号FBNが電圧Vddにな
る。さらに、信号POL1Nが「0」に等しい時、コンデン
サC3の端子の一方が電圧ゼロであるが、他方の端子は電
圧Vddで、コンデンサC3がチャージされる。同時に、信
号POL1の「1」への遷移は、遅延回路CR1の存在のため
遅延を伴って、信号FNRの「1」への遷移をもたらす。
信号FNRは、電圧変換回路CT1の作用によって電圧Vddと
なる。
【0045】信号FNRが電圧Vddにあるので、論理ゲート
P3の出力はその状態を変化させ、信号CMNは「0」へ行
き、トランジスタT1はオフになる。コンデンサC3がチャ
ージされ、信号FNRが電圧Vddになると、コンデンサC3の
他の端子は、選択切替信号FBNと同様、電圧VB=2*Vdd
に達する。そのすぐ後に、信号OSCは「0」から「1」
になり、論理ゲートP1の出力はその状態を変化させ、コ
ンデンサC1にもたらされた遅延δ1を伴い、信号POL1は
「0」になる。信号POL1の「0」への遷移は、信号POL1
Nの「1」への遷移、信号FNの「0」への遷移および信
号FNNの「1」への遷移をもたらし、信号POL1N、FNおよ
びFNNはその状態を毎回インバータI1、I3およびI5の存
在による小さな遅延δを伴い、連続して変化させる。信
号OSCの状態の変化がコンデンサC1とインバータI1とI3
による遅延Δ1=δ1+2*δを伴い選択切替信号FNの
状態を変化させる。
【0046】選択切替信号FNの「0」への遷移は、イン
バータI5にもたらされるわずかな遅延δを伴い、信号FN
Nの「1」への遷移を引き起こす。同時に、論理ゲートP
2の出力における信号POL2がコンデンサC2にもたらされ
た遅延δ2で、「1」となる。信号POL2の「1」への遷
移は、信号POL2Nの「0」への遷移、選択切替信号FXの
「1」への遷移および信号FXNの「0」への遷移を引き
起こし、毎回インバータI2、I4およびI6の存在によるわ
ずかな遅延δを伴い、信号POL2N、FXおよびFXNが続けて
変化する。選択切替信号FNの「0」への遷移は、コンデ
ンサC2とインバータI2とI4による遅延Δ2=δ2+2*
δを伴い信号FXの「1」への遷移となる。
【0047】信号FX4とPOL2Nがゼロであるので、信号FX
Nの「0」への遷移がゲートP4の出力における状態を変
化させ、電圧変換回路CT4を用いて信号CMXを「1」にす
る。信号CMXは、電圧Vddとなり、トランジスタT2をオン
にして、選択切替信号FBXが電圧Vddとなり。さらに、
信号POL2Nが「0」に等しい時、コンデンサP4の端子の
一方はゼロ圧力で、そのもう一方の端子は電圧Vddであ
る。コンデンサP4はこうしてチャージされる。同時に、
信号POL2の「1」への遷移は、遅延回路CR2の存在によ
る遅延を伴い信号FXRの「1」への遷移を引き起こす。
信号FXは電圧変換回路CT2の作用で電圧Vddになる。
【0048】信号FXが電圧Vddであるので、論理ゲートP
4の出力はその状態を変化させ、信号CXNは「0」にな
り、トランジスタT2はオフになる。コンデンサC4がチャ
ージされ、信号FXRが電圧Vddになると、コンデンサC4の
他の端子は選択切替信号と同様、電圧VB=2*Vddにな
る。そのすぐ後に、信号OSCは「0」から「1」にな
り、論理ゲートP2の出力はその状態を変化させ、信号PO
L2コンデンサC2にもたらされた遅延δ1を伴い、「0」
になる。信号POL2の「0」への遷移は、信号POL2Nの
「1」への遷移、信号FXの「0」への遷移および信号FX
Nの「1」への遷移をもたらし、信号POL2N、FXおよびFX
Nはその状態を毎回インバータI2、I4およびI6の存在に
よる小さな遅延δを伴い、連続して変化する。信号OSC
の状態の変化が、選択切替信号FXの状態をコンデンサC2
とインバータI2とI4による遅延Δ2=δ2+2*δを伴
って変化させる。制御回路200はこの時、初期の状態
に戻る。
【0049】本発明の一変形例によると、選択切替信号
FNとFBN或いは選択切替信号FXとFBXのいずれかによって
チャージポンプの全ての基本セルに電力を供給すること
が可能である。このために、インバータInv1、Inv2およ
び制御回路330の出力端子338、339は、これら
の出力端子の基本セルCEm+1〜CENへの接続と共に除去さ
れる。本発明のこの変形例によると、m+1〜Nの範囲
の奇数番目の基本セルのクロック入力CK1とCK2はそれぞ
れ、スイッチ信号FNとFBNを受けるため制御回路330
のクロック出力端子334と335に接続される。最後
に、m+1〜Nの範囲の偶数番目の基本セルのクロック
入力CK1とCK2はそれぞれ、スイッチ信号FXとFBXを受け
るため制御回路330のクロック出力端子336と33
7に接続される。1〜m順位の基本セルは前記のように
同一の信号を受ける。
【0050】この変形例は、もしインバータInv1とInv2
が除去されると、これらを介して基本回路セルCEm+1〜
CENに給電する電流が、インバータI3とI4を通る電流に
加えられるため3に示される実施例ほどよく機能しな
い。従ってインバータI3とI4は、インバータI3とI4の論
理ゲートの変化時により高い電流値およびより強い電流
スパイクを受けるため、より大きい寸法を有していなけ
ればならない。
【0051】本発明は電圧ブースター回路230の発振
器340を除去し、これを検波および整流回路210の
出力端子211に接続される入力端子と電圧ブースター
回路230のクロック入力端子233に接続される出力
端子を備えるクロック信号発生器250(図2の破線で
示される)と置き換えて改良してもよい。整流電圧VRか
ら、クロック信号発生器250は、周波数f=f0/p
(f0はカードで受ける無線周波数信号SRの周波数、p
は整数である)のクロック信号OSCを出力する。一般的
には、f0は13.56MHzに等しい。例えばp=8を
選択すると、周波数f=1.7MHzのクロック信号が得
られる。この種のクロック信号発生器は特に、読み取り
機により送信された無線周波数信号SRの周波数f0と同
じ位周波数が安定しているという利点を有する。このた
め、一般的発振器340の安定性の問題が解決された。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1aは、従来技術によるチャージポンプ型電
圧ブースター回路の図面であり、図1bは、図1aのチャ
ージポンプの基本セルの詳細な概略図であり、図1c
は、図1aのチャージポンプの選択切替信号の概略図を
示す。
【図2】図2は、本発明の集積回路カードの機能ブロッ
ク図である。
【図3】図3は、図2の素子を表す回路図である。
【図4】図4は、図2の素子を表す回路図である。
【図5】図5は、図2の素子を表す回路図である。
【図6】図6は、図2の素子を表す回路図である。
【図7】図7は、図2の素子を表す回路図である。
【図8】図8は、図2の素子を表す回路図である。
【図9】図9a〜9oは、図2〜7の異なる点における信
号の概略図である。
【符号の説明】
210 検波および整流回路 220 第1のレギュレータ 230 電圧ブースター回路 240 第2のレギュレータ 330 制御回路 410 位相分離回路 420、430 昇圧回路 SR 無線周波数信号 Vcc 第1の電源電圧 Vdd 第2の電源電圧 Hv 高電圧 VR 整流電圧 FN、FX 第1の選択切替信号 FBN、FBX 第2の選択切替信号 OSC クロック信号 POL1N、POL2N 論理信号

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 無線周波数信号(SR)の形で電力を受
    け、第1の電源電圧(Vcc)を発生する電圧発生器(21
    0、230)を備える集積回路カードであって、 この集積回路カードがさらに第1の電源電圧(Vcc)を第
    1の電源入力端子(231)で、第1の電源電圧(Vcc)
    より高い第2の電源電圧を第2の電源入力端子(23
    2)で受ける、高電圧(HV)を発生する電圧ブースター
    回路(230)を備えることを特徴とする集積回路カー
    ド。
  2. 【請求項2】 前記電圧発生器(210、220)が、 前記無線周波数信号(SR)を受け、出力端子(211)
    で整流電圧(VR)を発生する検波および整流回路(21
    0)と、 電源入力端子(221)で前記整流電圧を受け、第1の
    電源電圧(Vcc)を発生する第1のレギュレータ(22
    0)であって、前記電圧ブースター回路(230)の第
    2の電源入力端子(232)が第1のレギュレータ(2
    20)の電源入力端子(221)と接続され、第2の電
    源電圧が整流電圧に等しい第1のレギュレータとを備え
    ることを特徴とする請求項1に記載の集積回路カード。
  3. 【請求項3】 無線周波数信号(SR)を受け、出力端子
    (211)で整流電圧(VR)を発生する検波および整流
    回路(210)と、 電源入力端子(221)で整流電圧を受け、第1の電源
    電圧(Vcc)を発生する第1のレギュレータ(220)
    で、電圧ブースター回路(230)の第2の電源入力端
    子(232)が第1のレギュレータ(220)の電源入
    力端子(221)と接続される第1のレギュレータ(2
    20)と、 整流電圧(VR)を受けるため検波および整流回路(21
    0)の出力端子(211)に接続される入力端子と、第
    1のレギュレータ(220)の電力入力端子(221)
    に接続される出力端子を備える第2のレギュレータ(2
    40)で、この第2のレギュレータ(240)が整流電
    圧(VR)を受け、第2の電源電圧(Vdd)を発生し、第1
    のレギュレータ(220)が第2の電源電圧を受け、第
    1の電源電圧(Vcc)を発生する第2のレギュレータ
    (240)とを備えることを特徴とする請求項1に記載
    の集積回路カード。
  4. 【請求項4】 電圧ブースター回路(230)が、少な
    くとも一対の選択切替信号((FN,FBN)、(FX,FBX))
    を発生する制御回路(330)を備え、第1の選択切替
    信号(FN、FX)がゼロ電圧と第1の電圧レベル(VA)間
    を振動し、第2の選択切替信号(FBN、FBX)がゼロ電圧
    と第2の電圧レベル(VB)間を振動し、 制御回路(330)が第1の電源電圧(Vcc)および第2
    の電源電圧(Vdd)を受け、 第1の電圧レベル(VA)および第2の電圧レベル(VB)
    がそれぞれ第1の電源電圧(Vcc)および第2の電源電圧
    (Vdd)から得られることを特徴とする請求項1〜3の
    いずれか一項に記載の集積回路カード。
  5. 【請求項5】 電圧ブースター回路(230)が、高電
    圧(HV)発生用のN個の直列接続の基本セル(CE1〜CEN
    を備え、N個の直列接続の基本セルが前記少なくとも一
    対の選択切替信号((FN,FBN)、(FX,FBX))に制御さ
    れることを特徴とする請求項4に記載の集積回路カー
    ド。
  6. 【請求項6】 制御回路(330)が:クロック信号
    (OSC)および第1の電源電圧(Vcc)を受け、第1の選択
    切替信号(FN,FX)を発生する位相分離回路(410)
    と、 第1の選択切替信号と第1の電源電圧(Vcc)および第2
    の電源電圧(Vdd)を受け、第1の選択切替信号(FN,F
    X)のレベルを上昇させて第2の選択切替信号(FBN、FB
    X)を発生する少なくとも1つの昇圧回路(420、4
    30)とを備えることを特徴とする請求項4または5に
    記載の集積回路カード。
  7. 【請求項7】 位相分離回路(410)が、第1の選択
    切替信号(FN,FX)の論理状態を表す少なくとも1つの
    論理信号(POL1N、POL2N)を発生することを特徴とする
    請求項6に記載の集積回路カード。
  8. 【請求項8】 基本セル(CE1〜CEN)が、少なくとも一
    対の選択切替信号((FN,FBN)、(FX,FBX))によって
    駆動されるか、或いは第1の選択切替信号(FN,FX)お
    よび前記の少なくとも1つの論理信号(POL1N、POL2N)
    によって駆動されることを特徴とする請求項7に記載の
    集積回路カード。
  9. 【請求項9】 少なくとも1つの昇圧回路(420、4
    30)が:第1の選択切替信号(FN,FX)を遅延させる
    手段(I5、I6)と、 第2の電源電圧(Vdd)で第2のコンデンサ端子(C3、C
    4)をプリチャージする手段(T1、T2)と、 第2のコンデンサ端子(C3、C4)が到達した電圧レベル
    を昇圧させる手段(P3、CT3、P4、CT4)、および第2の
    コンデンサ端子(C3、C4)をゼロ電圧にする手段(T3、
    T4)とを備え、 第2の選択切替信号(FX,FBX)が第2のコンデンサ端子
    (C3、C4)に出力されることを特徴とする請求項6〜8
    のいずれか一項に記載の集積回路カード。
  10. 【請求項10】 無線周波数信号を受け、クロック信号
    を発生するクロック信号発生器を備えることを特徴とす
    る請求項6〜9のいずれか一項に記載の集積回路カー
    ド。
JP2000323380A 1999-10-22 2000-10-23 チャージポンプ型電圧ブースタ回路 Withdrawn JP2001189091A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9913391 1999-10-22
FR9913391A FR2800214B1 (fr) 1999-10-22 1999-10-22 Circuit elevateur de tension de type pompe de charge

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001189091A true JP2001189091A (ja) 2001-07-10

Family

ID=9551386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000323380A Withdrawn JP2001189091A (ja) 1999-10-22 2000-10-23 チャージポンプ型電圧ブースタ回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6437609B1 (ja)
EP (1) EP1094604B1 (ja)
JP (1) JP2001189091A (ja)
DE (1) DE60032439T2 (ja)
FR (1) FR2800214B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007074840A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
JP2008511921A (ja) * 2004-08-31 2008-04-17 マイクロン テクノロジー、インコーポレイテッド 高電力効率のメモリ及びカード
JP2012235686A (ja) * 2007-12-26 2012-11-29 Simmonds Precision Products Inc 単一の光電変換コンポーネントを用いた電子回路への光学的パワー供給
KR101349880B1 (ko) * 2006-10-02 2014-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6787619B2 (en) * 1999-12-28 2004-09-07 Basell Polyolefine Gmbh Process for the preparation of ethylene polymers
US20040145358A1 (en) * 2001-04-19 2004-07-29 Rogers Terrence Edwards Method and apparatus for minimizing power dissipation in series connected voltage regulators
US6753708B2 (en) * 2002-06-13 2004-06-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Driver circuit connected to pulse shaping circuitry and method of operating same
CN100353729C (zh) * 2002-07-30 2007-12-05 Nxp股份有限公司 具有两种供电电压的转发器
US20040187910A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-30 William Clark Photovoltaic cell
EP1645994A1 (fr) * 2004-10-07 2006-04-12 EM Microelectronic-Marin SA Transpondeur passif comprenant un élévateur de tension
FR2890484A1 (fr) * 2005-09-06 2007-03-09 St Microelectronics Sa Circuit integre sans contact passif comprenant un drapeau de surveillance d'une tension d'effacement-programmation.
FR2894698B1 (fr) 2005-12-08 2008-02-29 St Microelectronics Sa Circuit integre sans contact comprenant un circuit d'alimentation electrique a haut rendement
US7832647B2 (en) * 2006-06-30 2010-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI359567B (en) * 2008-09-23 2012-03-01 Univ Nat Taiwan Phase difference signal driven direct current volt
US8403233B2 (en) * 2009-04-15 2013-03-26 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit device and IC card mounting same
US20110248690A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Maxitrol Company Power supply circuit for combustion appliance
JP6108808B2 (ja) 2011-12-23 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 基準電位生成回路
US11611276B2 (en) * 2014-12-04 2023-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Charge pump circuit
FR3051969A1 (fr) 2016-05-31 2017-12-01 Stmicroelectronics Rousset Procede de fabrication de diodes de puissance, en particulier pour former un pont de graetz, et dispositif correspondant
US10971633B2 (en) 2019-09-04 2021-04-06 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Structure and method of forming a semiconductor device
FR3110718B1 (fr) * 2020-05-20 2022-05-20 St Microelectronics Alps Sas Procédé de gestion d’une alimentation de circuit intégré, et circuit intégré correspondant

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4403158A (en) * 1981-05-15 1983-09-06 Inmos Corporation Two-way regulated substrate bias generator
DE4100209A1 (de) * 1991-01-07 1992-07-09 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zur erzeugung einer hoeheren gleichspannung
EP0596124B2 (en) * 1991-12-04 2001-12-19 Citizen Watch Co. Ltd. Data carrier
US5371444A (en) * 1993-04-20 1994-12-06 The Genlyte Group Incorporated Electronic ballast power supply for gas discharge lamp including booster start circuit responsive to power up condition
KR0176115B1 (ko) * 1996-05-15 1999-04-15 김광호 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로
FR2752076B1 (fr) * 1996-08-05 1998-09-11 Inside Technologies Systeme d'alimentation electrique pour microcircuit a fonctionnement mixte, avec ou sans contact
FR2752318B1 (fr) * 1996-08-06 1998-09-04 Inside Technologies Circuit integre a fonctionnement sans contact, comportant une pompe de charges

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008511921A (ja) * 2004-08-31 2008-04-17 マイクロン テクノロジー、インコーポレイテッド 高電力効率のメモリ及びカード
JP2007074840A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
KR101349880B1 (ko) * 2006-10-02 2014-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
US9123581B2 (en) 2006-10-02 2015-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012235686A (ja) * 2007-12-26 2012-11-29 Simmonds Precision Products Inc 単一の光電変換コンポーネントを用いた電子回路への光学的パワー供給

Also Published As

Publication number Publication date
EP1094604A1 (fr) 2001-04-25
FR2800214B1 (fr) 2001-12-28
DE60032439D1 (de) 2007-02-01
EP1094604B1 (fr) 2006-12-20
US6437609B1 (en) 2002-08-20
DE60032439T2 (de) 2007-10-11
FR2800214A1 (fr) 2001-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001189091A (ja) チャージポンプ型電圧ブースタ回路
US6525595B2 (en) Booster, IC card having the same, and electronic equipment having the same
US5003197A (en) Substrate bias voltage generating and regulating apparatus
US7259612B2 (en) Efficient charge pump for a wide range of supply voltages
US5841703A (en) Method and apparatus for removal of VT drop in the output diode of charge pumps
JP4786316B2 (ja) 半導体集積回路装置及びそれを用いたicカード
US8200152B2 (en) Semiconductor integrated circuit and contactless electronic device using the same
US6650172B1 (en) Boost circuit with sequentially delayed activation of pump circuit stages
US4667312A (en) Charge pump method and apparatus
TWI435222B (zh) 半導體積體電路及電子資訊裝置
JP3655116B2 (ja) チャージポンプ回路の駆動方法及び電圧変換回路
US6559681B1 (en) Resonant logic and the implementation of low power digital integrated circuits
KR20040017039A (ko) 소모 전력에 따라 동작 성능을 최적화할 수 있는 집적회로 장치
US6028780A (en) Two-phase clock charge pump with power regulation
KR20000029490A (ko) 충전펌프를구비한비접촉집적회로
US10846581B2 (en) Radio frequency energy harvesting apparatus and method for utilizing the same
US7800958B2 (en) Voltage generating unit of semiconductor memory device
CN116317542A (zh) 一种双电荷泵电路系统
CN100550584C (zh) 一种电荷泵控制系统
JPH09294367A (ja) 電圧供給回路
US7276959B2 (en) Pumping circuit of semiconductor device
KR100469376B1 (ko) 플래쉬 메모리 장치
US7400874B2 (en) Integrated circuit comprising a clock-signal generator, smart card comprising an integrated circuit of this kind and associated method for the generation of clock signals
JP3742345B2 (ja) オシレータ回路、該オシレータ回路を備えた半導体装置、及び該オシレータ回路を備えた半導体記憶装置
US7142020B2 (en) Resonant logic and the implementation of low power digital integrated circuits

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080108