JP6108808B2 - 基準電位生成回路 - Google Patents

基準電位生成回路 Download PDF

Info

Publication number
JP6108808B2
JP6108808B2 JP2012271908A JP2012271908A JP6108808B2 JP 6108808 B2 JP6108808 B2 JP 6108808B2 JP 2012271908 A JP2012271908 A JP 2012271908A JP 2012271908 A JP2012271908 A JP 2012271908A JP 6108808 B2 JP6108808 B2 JP 6108808B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
channel transistor
electrically connected
drain
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012271908A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013150308A (ja
Inventor
一徳 渡邉
一徳 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2012271908A priority Critical patent/JP6108808B2/ja
Publication of JP2013150308A publication Critical patent/JP2013150308A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6108808B2 publication Critical patent/JP6108808B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/66Regulating electric power
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only

Description

本明細書などで開示する発明は基準電位生成回路に関する。
各種電子機器は接地して接地電位を基準電位として動作させることが広く知られている。そのため各種電子機器は、接地するための端子を有することが多い。
特許文献1には、基準電圧を発生するために必要な入力信号線の数を減らすための技術が開示されている。特許文献1に開示されている技術では、パルス信号をローパスフィルタに通し、この信号の電圧を基準電圧として用いている。しかし、特許文献1に開示される技術では、電子機器に外部から接地電位を供給する必要がある。そのため、接地電位を供給するための外部端子が必要である。
特開平6−261600号公報
本発明の一態様は、接地電位を外部から供給することなく動作させることが可能な基準電位生成回路を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、第1の入力端子乃至第3の入力端子と、第1の出力端子及び第2の出力端子と、第1の端子乃至第3の端子が設けられたローパスフィルタと、第1の端子乃至第4の端子が設けられたリニアレギュレータと、を有し、ローパスフィルタの第1の端子は第2の入力端子に電気的に接続され、ローパスフィルタの第2の端子は第1の入力端子または第3の入力端子に電気的に接続され、ローパスフィルタの第3の端子はリニアレギュレータの第1の端子に電気的に接続され、リニアレギュレータの第2の端子は第1の入力端子及び第1の出力端子に電気的に接続され、リニアレギュレータの第3の端子は第2の出力端子に電気的に接続され、リニアレギュレータの第4の端子は第3の入力端子に電気的に接続され、第2の入力端子にはスタートパルス信号が供給され、第3の入力端子には第1の入力端子とは逆の極性の電位が供給され、第2の出力端子から供給される電位が基準電位となる基準電位生成回路である。
前記構成において、ローパスフィルタが、抵抗素子と容量素子を有し、ローパスフィルタの第1の端子は抵抗素子の一端に電気的に接続され、抵抗素子の他端は、ローパスフィルタの第3の端子と容量素子の第1の電極に電気的に接続され、容量素子の第2の電極はローパスフィルタの第2の端子に電気的に接続されていてもよい。
前記構成において、リニアレギュレータが、抵抗素子と、第1のpチャネル型トランジスタ乃至第3のpチャネル型トランジスタと、第1のnチャネル型トランジスタ乃至第6のnチャネル型トランジスタと、を有し、リニアレギュレータの第1の端子は第2のnチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続され、リニアレギュレータの第2の端子はリニアレギュレータの抵抗素子の一端と、第1のpチャネル型トランジスタ乃至第3のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方のすべてに電気的に接続され、第1のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は、第1のpチャネル型トランジスタ及び第2のpチャネル型トランジスタのゲートと、第1のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、第2のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は第3のpチャネル型トランジスタのゲートと、第2のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、第2のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方と第1のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は第4のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、リニアレギュレータの抵抗素子の他端は、第3のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方と、第3のnチャネル型トランジスタのゲートと、第4のnチャネル型トランジスタのゲートと、第5のnチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続され、第3のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は第5のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方と、第6のnチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続され、第3のnチャネル型トランジスタ乃至第5のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方のすべてと前記第6のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方はリニアレギュレータの第4の端子に電気的に接続され、第6のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方と、第1のnチャネル型トランジスタのゲートは、リニアレギュレータの第3の端子に電気的に接続されていてもよい。
前記構成において、生成される基準電位は接地電位と概ね等しいことが好ましい。
接地電位を外部から供給することなく電子機器を動作させることができる。
本発明の一態様である基準電位生成回路を説明する図。 図1に示すローパスフィルタ102の回路構成の一例を示す図。 図1に示すリニアレギュレータ104の回路構成の一例を示す図。 図1に示すリニアレギュレータ104の回路構成の一例を示す図。 第1の入力端子106に対する第2の出力端子114の電位の変化を示す図。 第3の入力端子110に対する第2の出力端子114の電位の変化を示す図。 スタートパルス入力時の第2の入力端子108の電位の経時変化を示す図。 スタートパルス入力時の第1の端子104Aの電位の経時変化を示す図。 スタートパルス入力時の第2の出力端子114の電位の経時変化を示す図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下の説明では、便宜上、構成要素に序数詞を付して区別しているが、これに限定されるものではない。例えば、第1の端子を第2の端子と呼んでもよい。
なお、本明細書では、電位と電圧を特に区別することなく用いている。
図1には、本発明の一態様である基準電位生成回路のブロック図を示す。
図1に示す基準電位生成回路100は、ローパスフィルタ102と、リニアレギュレータ104と、第1の入力端子106と、第2の入力端子108と、第3の入力端子110と、第1の出力端子112と、第2の出力端子114と、を有する。ローパスフィルタ102は、第1の端子102Aと、第2の端子102Bと、第3の端子102Cと、を有する。リニアレギュレータ104は、第1の端子104Aと、第2の端子104Bと、第3の端子104Cと、第4の端子104Dと、を有する。
図1に示す基準電位生成回路100では、第2の入力端子108にはスタートパルス信号が供給され、第3の入力端子110には第1の入力端子106とは逆の極性の電位が供給され、第2の出力端子114から供給される電位が基準電位となる。
ローパスフィルタ102の第1の端子102Aは第2の入力端子108に電気的に接続され、ローパスフィルタ102の第2の端子102Bは第3の入力端子110に電気的に接続され、ローパスフィルタ102の第3の端子102Cはリニアレギュレータ104の第1の端子104Aに電気的に接続され、リニアレギュレータ104の第2の端子104Bは第1の入力端子106及び第1の出力端子112に電気的に接続され、リニアレギュレータ104の第3の端子104Cは第2の出力端子114に電気的に接続され、リニアレギュレータ104の第4の端子104Dは第3の入力端子110に電気的に接続されている。なお、図1に示すローパスフィルタ102では、第2の端子102Bが第3の入力端子110に電気的に接続されているが、第2の端子102Bが第1の入力端子106に電気的に接続されていてもよい。
図2には、ローパスフィルタ102の回路構成の一例を示す。
図2に示すローパスフィルタ102は、抵抗素子116と、容量素子118と、第1の端子102Aと、第2の端子102Bと、第3の端子102Cと、を有する。
ローパスフィルタ102の第1の端子102Aは抵抗素子116の一端に電気的に接続され、抵抗素子116の他端は、ローパスフィルタ102の第3の端子102Cと容量素子118の第1の電極に電気的に接続され、容量素子118の第2の電極はローパスフィルタ102の第2の端子102Bに電気的に接続されている。
図3には、リニアレギュレータ104の回路構成の一例を示す。
図3に示すリニアレギュレータ104は、抵抗素子120と、第1のpチャネル型トランジスタ122と、第2のpチャネル型トランジスタ124と、第3のpチャネル型トランジスタ126と、第1のnチャネル型トランジスタ128と、第2のnチャネル型トランジスタ130と、第3のnチャネル型トランジスタ132と、第4のnチャネル型トランジスタ134と、第5のnチャネル型トランジスタ136と、第6のnチャネル型トランジスタ138と、第1の端子104Aと、第2の端子104Bと、第3の端子104Cと、第4の端子104Dと、を有し、リニアレギュレータ104の第1の端子104Aは、第2のnチャネル型トランジスタ130のゲートに電気的に接続され、第2の端子104Bは、抵抗素子120の一端と、第1のpチャネル型トランジスタ122のソース及びドレインの一方と、第2のpチャネル型トランジスタ124のソース及びドレインの一方と、第3のpチャネル型トランジスタ126のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、第1のpチャネル型トランジスタ122のソース及びドレインの他方は、第1のpチャネル型トランジスタ122のゲートと、第2のpチャネル型トランジスタ124のゲートと、第1のnチャネル型トランジスタ128のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、第2のpチャネル型トランジスタ124のソース及びドレインの他方は、第3のpチャネル型トランジスタ126のゲートと、第2のnチャネル型トランジスタ130のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、第2のnチャネル型トランジスタ130のソース及びドレインの他方は、第1のnチャネル型トランジスタ128のソース及びドレインの他方と、第4のnチャネル型トランジスタ134のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、抵抗素子120の他端は、第3のnチャネル型トランジスタ132のソース及びドレインの一方と、第3のnチャネル型トランジスタ132のゲートと、第4のnチャネル型トランジスタ134のゲートと、第5のnチャネル型トランジスタ136のゲートに電気的に接続され、第3のpチャネル型トランジスタ126のソース及びドレインの他方は、第5のnチャネル型トランジスタ136のソース及びドレインの一方と、第6のnチャネル型トランジスタ138のゲートに電気的に接続され、第3のnチャネル型トランジスタ132のソース及びドレインの他方と、第4のnチャネル型トランジスタ134のソース及びドレインの他方と、第5のnチャネル型トランジスタ136のソース及びドレインの他方と、第6のnチャネル型トランジスタ138のソース及びドレインの一方は、リニアレギュレータ104の第4の端子104Dに電気的に接続され、第6のnチャネル型トランジスタ138のソース及びドレインの他方と、第1のnチャネル型トランジスタ128のゲートは、リニアレギュレータ104の第3の端子104Cに電気的に接続されている。
なお、図2に示すローパスフィルタと図3に示すリニアレギュレータの回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。
図2に示すローパスフィルタ102はRCフィルタであるが、ローパスフィルタ102の回路構成は一例であってこれに限定されるものではない。ローパスフィルタ102は、図2に示すものに代えて、RLフィルタ、LCフィルタ、RLCフィルタまたは差動増幅回路(オペアンプ)であってもよい。
リニアレギュレータとして、図3に示すリニアレギュレータ104に代えて図4に示すものを用いてもよい。図4に示すリニアレギュレータ104は、差動増幅回路140とnチャネル型トランジスタ142を有し、第1の端子104Aは差動増幅回路140の正の入力端子に電気的に接続され、第2の端子104Bは差動増幅回路140の正電源電圧端子に電気的に接続され、第3の端子104Cは、差動増幅回路140の負の入力端子とnチャネル型トランジスタ142のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、第4の端子104Dは、差動増幅回路140の負電源電圧端子とnチャネル型トランジスタ142のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、差動増幅回路140の出力は、nチャネル型トランジスタ142のゲートに電気的に接続されている。
図1に示す基準電位生成回路100は、例えば、第1の入力端子106に正の電位を供給し、第3の入力端子110に負の電位を供給し、第2の入力端子108にスタートパルス信号を供給することで、第2の出力端子114の電位を所定の基準電位とすることができる。なお、第1の出力端子112は第1の入力端子106に電気的に接続されているため、第1の出力端子112の電位は第1の入力端子106の電位と等しい。
ローパスフィルタ102により、スタートパルス信号の少なくとも一部をカットすることができる。すなわち、第2の入力端子108から高電位の信号が供給されることを防止し、概ね一定の電位を供給することが可能になる。
なお、前記説明では、第1の入力端子106から供給する信号を正の電位とし、第3の入力端子110から供給する信号を負の電位としたが、本発明はこれに限定されない。生成する基準電位が、第1の入力端子106から供給する信号の電位と第2の入力端子108から供給する信号の電位の範囲内に収まればよい。ただし、第1の入力端子106から供給する信号の電位と第2の入力端子108から供給する信号の電位にはある程度の差(少なくとも1V以上)があることが好ましい。
なお、第1の入力端子106から供給する信号を正の電位とし、第3の入力端子110から供給する信号を負の電位とすると、基準電位として接地電位と概ね等しい電位を生成することも可能である。なお、本明細書等で「接地電位と概ね等しい電位」とは、回路が正常に動作する範囲の電位を含むものとする。基準電位として接地電位を生成することで、基準電位生成回路が設けられた電子機器に接地電位を供給するための端子を設けることなく動作させることができるため、特に好ましい。
なお、スタートパルス信号とは、電子機器などの電源をオンにすることによって発生するパルス信号のことをいう。第2の入力端子108に供給する信号をスタートパルス信号とするため、第2の入力端子108に供給する信号を生成するための回路などを別途設ける必要がなく、好ましい。
以上説明した基準電位生成回路を動作させることで、各種電子機器に供給する基準電位を生成することができる。
このような基準電位生成回路が生成する電位は、ローパスフィルタ102及びリニアレギュレータ104の構成により異なる。一例として、図1乃至図3に示す構成の基準電位生成回路を用いて計算を行った結果について、図5乃至図9を参照して説明する。
図5乃至図9の計算結果は以下の条件で行ったものである。
抵抗素子116の抵抗値=1.0×10Ω
抵抗素子120の抵抗値=1.0×10Ω
容量素子118の容量値=1.0×10−10
すべてのトランジスタのチャネル長=5μm
ここで、第1の出力端子112と第2の出力端子114の間には300Ωの抵抗素子を接続した。
なお、ここで、「すべてのトランジスタ」は、第1のpチャネル型トランジスタ122、第2のpチャネル型トランジスタ124、第3のpチャネル型トランジスタ126、第1のnチャネル型トランジスタ128、第2のnチャネル型トランジスタ130、第3のnチャネル型トランジスタ132、第4のnチャネル型トランジスタ134、第5のnチャネル型トランジスタ136及び第6のnチャネル型トランジスタ138である。
図5には、第1の入力端子106の電位(1V〜5V)に対する第2の出力端子114の電位の変化を示す。計算条件を以下に示す。
第2の入力端子108の電位=0V
第3の入力端子110の電位=−7V
図5によれば、第1の入力端子106の電位を1V〜5Vの範囲で変化させると、第2の出力端子114の電位も変化している。このとき、第2の出力端子114の電位は、1.0×10−4V〜1.2×10−3Vの範囲で変化している。
図6には、第3の入力端子110の電位(−9V〜−5V)に対する第2の出力端子114の電位の変化を示す。計算条件を以下に示す。
第1の入力端子106の電位=3V
第2の入力端子108の電位=0V
図6によれば、第3の入力端子110の電位を−9V〜−5Vの範囲で変化させると、第2の出力端子114の電位も変化している。このとき、第2の出力端子114の電位は、2.3×10−4V〜2.7×10−4Vの範囲で変化している。
このように、図5及び図6によれば、第2の入力端子108の電位を0Vに固定しているとき、第1の入力端子106または第3の入力端子110の電位を変動させても第2の出力端子114の電位の変動は第1の入力端子106または第3の入力端子110の電位の変動に対して大きくない。
次に、スタートパルス信号を入力した場合について説明する。図7乃至図9には、スタートパルス信号を入力した際の各端子の電位の変化を示す。
図7には、スタートパルス信号を入力させた際の第2の入力端子108の電位の変化を示す。図7において、スタートパルス信号は1.0×10−6秒前後に入力されている。
図8には、スタートパルス信号を入力させた際の第1の端子104Aの電位の変化を示す。図8によれば、スタートパルス信号の入力により第1の端子104Aの電位は0Vから1.8×10−4Vまで上昇しているが、パルスが存在する場合のように急激な電位の変動は生じていない。
図9には、スタートパルス信号を入力させた際の第2の出力端子114の電位の変化を示す。図9によれば、スタートパルス信号の入力により第1の端子104Aの電位は2.5×10−4Vからやや低下した後に4.5×10−4Vまで上昇し、その後4.3×10−4Vまで低下し、安定している。
以上説明したように本発明の一態様である基準電位生成回路により、接地電位を外部から供給することなく電子機器を動作させることができる。本発明の一態様である基準電位生成回路は、あらゆる電子機器に搭載させることができる。
100 基準電位生成回路
102 ローパスフィルタ
102A 第1の端子
102B 第2の端子
102C 第3の端子
104 リニアレギュレータ
104A 第1の端子
104B 第2の端子
104C 第3の端子
104D 第4の端子
106 第1の入力端子
108 第2の入力端子
110 第3の入力端子
112 第1の出力端子
114 第2の出力端子
116 抵抗素子
118 容量素子
120 抵抗素子
122 第1のpチャネル型トランジスタ
124 第2のpチャネル型トランジスタ
126 第3のpチャネル型トランジスタ
128 第1のnチャネル型トランジスタ
130 第2のnチャネル型トランジスタ
132 第3のnチャネル型トランジスタ
134 第4のnチャネル型トランジスタ
136 第5のnチャネル型トランジスタ
138 第6のnチャネル型トランジスタ
140 差動増幅回路
142 nチャネル型トランジスタ

Claims (3)

  1. 第1の入力端子乃至第3の入力端子と、
    第1の出力端子及び第2の出力端子と、
    第1の端子乃至第3の端子が設けられたローパスフィルタと、
    第1の端子乃至第4の端子が設けられたリニアレギュレータと、を有し、
    前記ローパスフィルタの前記第1の端子は前記第2の入力端子に電気的に接続され、
    前記ローパスフィルタの前記第2の端子は前記第1の入力端子または前記第3の入力端子に電気的に接続され、
    前記ローパスフィルタの前記第3の端子は前記リニアレギュレータの前記第1の端子に電気的に接続され、
    前記リニアレギュレータの前記第2の端子は前記第1の入力端子及び前記第1の出力端子に電気的に接続され、
    前記リニアレギュレータの前記第3の端子は前記第2の出力端子に電気的に接続され、
    前記リニアレギュレータの前記第4の端子は前記第3の入力端子に電気的に接続され、
    前記第2の入力端子にはスタートパルス信号が供給され、
    前記第3の入力端子には前記第1の入力端子とは逆の極性の電位が供給され、
    前記第2の出力端子から供給される電位が基準電位となり、
    前記基準電位は、接地電位と概ね等しいことを特徴とする基準電位生成回路。
  2. 前記ローパスフィルタが、抵抗素子と容量素子を有し、
    前記ローパスフィルタの前記第1の端子は前記抵抗素子の一端に電気的に接続され、
    前記抵抗素子の他端は、前記ローパスフィルタの前記第3の端子と前記容量素子の第1の電極に電気的に接続され、
    前記容量素子の第2の電極は前記ローパスフィルタの前記第2の端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の基準電位生成回路。
  3. 前記リニアレギュレータが、抵抗素子と、第1のpチャネル型トランジスタ乃至第3のpチャネル型トランジスタと、第1のnチャネル型トランジスタ乃至第6のnチャネル型トランジスタと、を有し、
    前記リニアレギュレータの前記第1の端子は前記第2のnチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続され、
    前記リニアレギュレータの前記第2の端子は前記リニアレギュレータの前記抵抗素子の一端と、前記第1のpチャネル型トランジスタ乃至第3のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方のすべてに電気的に接続され、
    前記第1のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のpチャネル型トランジスタ及び第2のpチャネル型トランジスタのゲートと、前記第1のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
    前記第2のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は前記第3のpチャネル型トランジスタのゲートと、前記第2のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
    前記第2のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方と前記第1のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は前記第4のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
    前記リニアレギュレータの前記抵抗素子の他端は、前記第3のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方と、前記第3のnチャネル型トランジスタのゲートと、前記第4のnチャネル型トランジスタのゲートと、前記第5のnチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続され、
    前記第3のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は前記第5のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方と、前記第6のnチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続され、
    前記第3のnチャネル型トランジスタ乃至第5のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方のすべてと前記第6のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方は前記リニアレギュレータの前記第4の端子に電気的に接続され、
    前記第6のnチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方と、前記第1のnチャネル型トランジスタのゲートは、前記リニアレギュレータの前記第3の端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基準電位生成回路。
JP2012271908A 2011-12-23 2012-12-13 基準電位生成回路 Expired - Fee Related JP6108808B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012271908A JP6108808B2 (ja) 2011-12-23 2012-12-13 基準電位生成回路

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011282466 2011-12-23
JP2011282466 2011-12-23
JP2012271908A JP6108808B2 (ja) 2011-12-23 2012-12-13 基準電位生成回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013150308A JP2013150308A (ja) 2013-08-01
JP6108808B2 true JP6108808B2 (ja) 2017-04-05

Family

ID=48653871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012271908A Expired - Fee Related JP6108808B2 (ja) 2011-12-23 2012-12-13 基準電位生成回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9939835B2 (ja)
JP (1) JP6108808B2 (ja)
KR (1) KR102035346B1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2915483C (en) 2013-06-15 2021-11-16 Ronald Thompson Annular ring and non-pneumatic tire
US9477246B2 (en) * 2014-02-19 2016-10-25 Texas Instruments Incorporated Low dropout voltage regulator circuits
EP3253591B1 (en) 2015-02-04 2021-06-30 Camso Inc. Non-pneumatic tire and other annular devices

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06261600A (ja) 1993-03-09 1994-09-16 Seikosha Co Ltd チョッパ式モータ駆動回路
JP3071654B2 (ja) * 1994-12-28 2000-07-31 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 パワーオン・リセット回路
JP3646472B2 (ja) 1997-05-19 2005-05-11 株式会社日立製作所 非接触型icカードおよび送受信回路
FR2800214B1 (fr) 1999-10-22 2001-12-28 St Microelectronics Sa Circuit elevateur de tension de type pompe de charge
JP3602028B2 (ja) 2000-03-27 2004-12-15 沖電気工業株式会社 半導体集積回路
JP2002150250A (ja) 2000-11-16 2002-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非接触icカード用icチップ
JP3927788B2 (ja) * 2001-11-01 2007-06-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3964182B2 (ja) 2001-11-02 2007-08-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4156863B2 (ja) * 2002-05-14 2008-09-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路およびicカード
TW591367B (en) * 2003-01-23 2004-06-11 Via Tech Inc Regulator and related method capable of performing pre-charging
US6984969B1 (en) * 2003-03-20 2006-01-10 Analog Devices, Inc. High efficiency high speed low noise regulator
JP3870922B2 (ja) 2003-04-01 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 非接触タグ用の電子回路及び非接触タグ
US7494066B2 (en) 2003-12-19 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2005242989A (ja) 2004-01-28 2005-09-08 Toshiba Microelectronics Corp 非接触icカードのリーダライタ端末装置、通信システム及び非接触データキャリア
US7368896B2 (en) 2004-03-29 2008-05-06 Ricoh Company, Ltd. Voltage regulator with plural error amplifiers
JP4127259B2 (ja) * 2004-09-30 2008-07-30 日本電気株式会社 電源ノイズ低減回路およびその低減方法
KR100605258B1 (ko) 2005-02-28 2006-07-31 삼성전자주식회사 초 저전력 소모 특성을 갖는 기준전압 발생회로
US7068019B1 (en) * 2005-03-23 2006-06-27 Mediatek Inc. Switchable linear regulator
JP2006318327A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 差動増幅回路およびシリーズレギュレータ
KR20060119410A (ko) 2005-05-20 2006-11-24 한국전자통신연구원 가변 정전압을 발생하는 장치 및 방법
US7589507B2 (en) 2005-12-30 2009-09-15 St-Ericsson Sa Low dropout regulator with stability compensation
JP4855841B2 (ja) 2006-06-14 2012-01-18 株式会社リコー 定電圧回路及びその出力電圧制御方法
US7832647B2 (en) 2006-06-30 2010-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2070019A4 (en) 2006-10-02 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE
JP5412034B2 (ja) 2006-12-26 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7675273B2 (en) 2007-09-28 2010-03-09 Qualcomm Incorporated Wideband low dropout voltage regulator
TWI359342B (en) 2008-04-25 2012-03-01 Univ Nat Taiwan Reference voltage circuit and voltage stabilizing/
JP5280176B2 (ja) * 2008-12-11 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ボルテージレギュレータ

Also Published As

Publication number Publication date
KR102035346B1 (ko) 2019-10-22
US9939835B2 (en) 2018-04-10
KR20130073842A (ko) 2013-07-03
US20130162238A1 (en) 2013-06-27
JP2013150308A (ja) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8330504B2 (en) Dynamic biasing systems and methods
CN104701311A (zh) 静电保护电路以及半导体集成电路装置
TWI513180B (zh) Differential amplifier circuit
JP2012070364A5 (ja)
JP5581263B2 (ja) バッファ回路
DE602008005105D1 (de) Instrumentenverstärker
JP6672063B2 (ja) Dcdcコンバータ
US8692609B2 (en) Systems and methods for current sensing
JP6108808B2 (ja) 基準電位生成回路
JP2014026610A (ja) レギュレータ
US9791882B2 (en) Voltage source
US20140043282A1 (en) Capacitive touch apparatus and sensing method thereof
JP5362469B2 (ja) 液晶パネルの駆動回路
US8854097B2 (en) Load switch
US8797098B2 (en) Variable gain amplifier
CN103019288A (zh) 电压调节器
US8963862B2 (en) Driving signal generating system for a touch panel
US8860503B2 (en) Floating bias generator
CN203573622U (zh) 电压比较电路及包括该电压比较电路的液晶显示器
JP6202208B2 (ja) パワー半導体素子の電流検出装置
KR20150093347A (ko) 저전압 트랜지스터를 이용한 고전압 드라이버
US9356513B2 (en) Sequence circuit
JP6115784B2 (ja) 電子装置
CN106708149A (zh) 缓冲器电路及应用其的电压产生器
CN104124663A (zh) 电压保护电路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160719

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160912

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6108808

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees