JP2008508704A5

JP2008508704A5 -

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Publication number: JP2008508704A5
Application number: JP2007523054A
Authority: JP
Filing date: 2005-07-01
Publication date: 2010-06-24
Anticipated expiration: 2025-07-01

Claims

基板（Ｓｕｂ）上で除去すべき層をエッチングする方法において、除去すべき層が基板（Ｓｕｂ）にすでに存在するまたは基板（Ｓｕｂ）に堆積したＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）であり、このＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）を、気相エッチングの際にエッチングガスを使用して少なくとも部分的に除去し、その際、除去前に、Ｓｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（４；６）上にシリコン層（５；７）を成長させ、かつ、前記シリコン層（５；７）を、前記シリコン層（５；７）がその間に存在する溝を有するＳｉ領域を有するようにパターン化し、引き続きこのＳｉ領域を露出するために、Ｓｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（４；６）を、犠牲層として、露出すべきＳｉ領域の下方で除去し、その際、気相エッチングを溝を通過して行うことを特徴とする基板上で除去すべき層をエッチングする方法。
前記エッチングガスとして、ＢｒＦ_３、ＸｅＦ_２またはＣｌＦ_３を使用する請求項１記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）のエッチング特性をＧｅ割合により制御する請求項１または２記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）がｘ＝０.０５〜ｘ＝０.５の値の範囲からのｘの値を有するＧｅ割合を有する請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）がｘ＝０.１〜ｘ＝０.５の値の範囲からのｘの値を有するＧｅ割合を有する請求項４記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）がｘ＝０.０５〜ｘ＝０.３の値の範囲からのｘの値を有するＧｅ割合を有する請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）がｘ＝０.１〜ｘ＝０.３の値の範囲からのｘの値を有するＧｅ割合を有する請求項６記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４；６）とシリコン層（５；７）の間に拡散バリアまたは保護層（４ａ；６ａ）として、特に厚さ１０〜１００ｎｍを有する酸化物層または窒化物層が存在する請求項１記載の方法。
前記シリコン層（５；７）としてポリシリコン層をエピタキシャル成長する請求項１記載の方法。
前記シリコン層（５；７）のパターン化を、フッ素ベースディープエッチング法を使用して、分離した、それぞれ交互に連続するエッチング工程および重合工程で実施する請求項１記載の方法。
前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（４）を、第１絶縁層（１）、導体層（２）および第２絶縁層（３）が被覆された基板（Ｓｕｂ）上に堆積する請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
前記第１絶縁層（１）としてＳｉＯ_２層を熱によりＳｉからなる基板（Ｓｕｂ）に形成する請求項１１記載の方法。
前記導体層（２）としてポリシリコン層を被覆し、パターン化する請求項１１または１２記載の方法。
前記第２絶縁層（３）として酸化物層を被覆する請求項１１から１３までのいずれか１項記載の方法。
前記シリコン層（７）のパターン化の後でかつ気相エッチングの前に、他のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（１０）を充填層として、その間に存在する溝を有するＳｉ領域の上方に堆積し、引き続き、キャップ層（１２ａ）を他のＳｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（１０）の上方に堆積し、その後、キャップ層（１２ａ）に穿孔用孔（１４）を設け、かつ最後に、他のＳｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（１０）及びＳｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（６）を気相エッチングにより除去し、その際、穿孔用孔（１４）を通じてエッチングガスを他のＳｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（１０）及びＳｉ _１−ｘＧｅ _ｘ層（６）に導く請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。